專利名稱：等離子體顯示裝置和制造等離子體顯示面板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實施方式的方法和裝置涉及制造等離子體顯示裝置的等離子體 顯示面板，更具體地，涉及根據(jù)減少面板的界面的工藝來制造等離子體顯示裝置的等離子 體顯示面板。
背景技術(shù)：
平面型顯示裝置已經(jīng)被廣泛使用，主要用于便攜器件中。然而，由于技術(shù)的發(fā)展， 在大型顯示裝置的領(lǐng)域中，平面型顯示裝置已經(jīng)日益替代陰極射線管(CRT)顯示器。在該平面型顯示裝置中，等離子體顯示面板(在以下文中，稱為“PDP”)利用從等 離子體發(fā)射的光來顯示文本或圖形，其中該等離子體在氣體放電期間產(chǎn)生。與其它類型的 平面型顯示裝置相比，PDP具有高亮度、高發(fā)光效率和寬視角的優(yōu)點。因此，近年來PDP已 經(jīng)被廣泛使用。然而，PDP的缺點之一是當(dāng)驅(qū)動等離子體顯示裝置時產(chǎn)生電磁波噪聲，其導(dǎo)致電磁 干擾(EMI)。S卩，由于大約200V的高電平電壓和2A或更高的均方根(RMS)電流被施加到構(gòu) 成PDP的電極，所以引起氣體放電的驅(qū)動波的能量使該面板的該電極通過天線發(fā)射EMI。EMI產(chǎn)生電磁波噪聲干擾，使得期望的電磁信號的接收受阻，因而引起電子器件的 故障。此外，EMI以電子能量的形式被吸收到活體內(nèi)，增加了活體的溫度，從而破壞活體的 組織或功能。因此，已經(jīng)提出了用于減少在驅(qū)動PDP期間所產(chǎn)生的EMI的不同方法。用于減少 EMI的方法包括將EMI屏蔽膜附接到面板的上部分的方法。如果在EMI到達面板之前使用屏蔽EMI的方法，則需要更容易且更簡單地制造面 板的工藝，替代根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的工藝制造面板。

發(fā)明內(nèi)容
示例性實施方式解決以上缺點和以上沒有描述的其它缺點。另外，并不要求示范 性實施例克服上述缺點，示范性實施例可以不克服上述問題的任一個。示例性實施方式提供一種根據(jù)更容易且更簡單地制造工藝而制成的等離子體顯 示裝置以及制造等離子體顯示面板的方法。根據(jù)示例性實施方式的方面，一種等離子體顯示裝置包括面板，包括涂覆有功能 材料的上面板和與上面板的涂覆有功能材料的表面相反設(shè)置的下面板，其中功能材料包括 校正顏色的材料和吸收近紅外線的材料的至少一種；驅(qū)動電路，驅(qū)動面板；以及底架，驅(qū)動 電路安裝在其上。 功能材料可以被涂覆在上面板上，形成單一層。功能材料可包括防止表面反射的材料，其中防止表面反射的材料可包括Si02、ZrO 和Ti02的至少一種。校正顏色的材料可包括吸收580nm至590nm波長的光的顏料。
當(dāng)面板進行放電時，Ne產(chǎn)生580nm至590nm波長的光，以及其中Ne被注入在上面 板與下面板之間。吸收近紅外線的材料可包括Ag和吸收800nm至1200nm波長的光的顏料的其中之
o當(dāng)面板進行放電時，Xe產(chǎn)生800nm至1200nm的波長的光，以及其中Xe被注入在 上面板與下面板之間。功能材料被混合且存儲在單一存儲罐中，且被噴射在上面板的上部分上以涂覆上 面板的上部分。功能材料不包括用于屏蔽EMI的材料。底架可包括多條縫，該多條縫形成為在驅(qū)動電路連接到的部分周圍提供電通路， 其中形成多條縫，使得從驅(qū)動電路傳輸?shù)碾娏鞯牡谝徊糠謴陌?qū)動電路連接到部分的區(qū) 域傳輸?shù)桨?qū)動電路未連接到的部分的區(qū)域，以及其中從驅(qū)動電路傳輸?shù)碾娏鞯牡诙?分在包括驅(qū)動電路未連接到的部分的區(qū)域中環(huán)繞以消減EMI。等離子體顯示裝置可進一步包括設(shè)置在驅(qū)動電路與底架之間的導(dǎo)電板，其中由驅(qū) 動電路產(chǎn)生且被傳輸?shù)綄?dǎo)電板的電流的第一部分被傳輸?shù)降准埽约捌渲斜粋鬏數(shù)綄?dǎo)電板 的電流的第二剩余部分在導(dǎo)電板中環(huán)繞以消減EMI。等離子體顯示裝置可進一步包括散熱片，釋放從底架傳輸?shù)臒?；以及?dǎo)電襯墊， 連接底架和散熱片以允許底架和散熱片通過至少一個電通道電傳導(dǎo)，其中由驅(qū)動電路產(chǎn)生 且被傳輸?shù)降准艿碾娏鞯牡谝徊糠直粋鬏數(shù)缴崞灰约皞鬏數(shù)降准艿碾娏鞯牡诙Ｓ嗖?分在底架中環(huán)繞以消減EMI。等離子體顯示裝置可進一步包括后蓋，該后蓋覆蓋驅(qū)動電路、連接到驅(qū)動電路的 單元以及底架。根據(jù)示例性實施方式的另一方面，一種用于制造等離子體顯示面板的方法包括 制造上面板；制造下面板；結(jié)合上面板和下面板；以及在上面板的上部分上涂覆功能材料， 該功能材料包括校正顏色的材料和吸收近紅外線的材料的至少一種。示例性實施方式的額外方面和優(yōu)點將以詳細描述闡述，將通過詳細描述變得顯 然，或者可通過實踐本發(fā)明了解。


通過參考附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，示例性實施方式的以上和/或 其它方面將更清楚，在附圖中圖1是示出根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示裝置的側(cè)截面圖；圖2是示出涂覆有功能材料的上面板的視圖；圖3是用于參考波長解釋功能材料的作用的視圖；圖4是示出制造上面板的工藝的視圖；圖5是示出制造下面板的工藝的視圖；圖6是示出涂覆功能材料的工藝的流程圖；圖7是示出涂覆有功能材料的面板的視圖；圖8是示出在TSS與底架之間的耦接結(jié)構(gòu)的視5
圖9是用于解釋使用襯墊屏蔽EMI的方法的視圖；圖10是示出根據(jù)示例性實施方式的底架的視圖；圖11是用于解釋驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法的視圖；圖12是示出根據(jù)另一示例性實施方式的底架的視圖；圖13是示出根據(jù)另一示例性實施方式的底架的視圖；圖14是示出根據(jù)另一示例性實施方式的底架的視圖；圖15是圖14的底架的透視圖；圖16是示出根據(jù)另一示例性實施方式的底架的視圖；以及圖17是示出底架的視圖，其中隔離IC添加到該底架上。
具體實施例方式在以下文中，將參考附圖更詳細地描述示例性實施方式。在以下的描述中，當(dāng)相同的附圖標(biāo)記在不同的附圖中示出時，它們被用于相同的 元件。在描述中限定的事物，諸如具體的構(gòu)造和元件，被提供以幫助對示例性實施方式的全 面理解。因而，顯然本發(fā)明的示范性實施方式能在沒有這些特別定義的事物的情況下被實 施。另外，因為不必要的細節(jié)將使示例性實施方式不明顯，所以沒有詳細描述在現(xiàn)有領(lǐng)域中 已知的功能或元件。圖1是示出根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示裝置100的側(cè)截面圖。等離子體 顯示裝置100滿足對于EMI的適當(dāng)?shù)碾姶挪?biāo)準(zhǔn)且提供能被使用者看到的圖像。等離子體顯示裝置100包括面板110、散熱片(TSS) 120、襯墊130、底架140、驅(qū)動 電路150和后蓋160。面板110利用由內(nèi)部氣體放電引起的真空紫外線激發(fā)熒光材料，從而實現(xiàn)圖像。 面板110包括上面板111和下面板113。上面板111和下面板113通過利用密封材料112 諸如玻璃料粘接它們的邊緣而構(gòu)成單一面板110。上面板111與下面板113的邊緣被密封 材料112密封，在上面板111與下面板113之間的內(nèi)部空間中布置多個放電單元且每個放 電單元填充有Ne和Xe的混合物。功能材料114被直接涂覆在上面板111的上部分，以實現(xiàn)防止表面反射、校正顏色 和吸收近紅外線。這將參考圖2至圖7更詳細地解釋。圖2是示出涂覆有功能材料114的上面板111的視圖。在圖2中，下面板113與 上面板111和功能材料114 一起示出，但是為了便于解釋，沒有示出密封材料112。如在圖2中所示，功能材料114被涂覆在上面板111的上側(cè)，即，被涂覆在即將被 使用者看到的一側(cè)，上面板111與下面板113相對。功能層材料114被分為防止表面反射 的材料①、校正顏色并改善顏色純度的材料②以及吸收近紅外線的材料③。具有防止光學(xué)反射特性的Si02、ZrO或Ti02用作防止表面反射的材料①。通過涂 覆該材料，防止了對觀看者的亮光、在表面上的劃線和靜電。吸收580nm至590nm波長的光的顏料用作校正顏色并改善顏色純度的材料②。通 過涂覆該材料，防止580nm至590nm波長的光發(fā)射到使用者，并因而改善顏色再現(xiàn)性和對白 色偏差的校正(correct white deviation)。誘導(dǎo)多層膜的光干涉的kg或吸收具有近紅外線帶寬(從800nm到1200nm)的波
6長的的光的顏料用作吸收近紅外線的材料③。通過涂覆該材料，防止800nm至1200nm波長 的光發(fā)射到使用者，并因而防止由于對遙控器的波長帶寬的干擾而引起的等離子體顯示裝 置100的故障。涂覆用于校正顏色并改善顏色純度的功能材料114，使得放電單元填充有如上所 述的Ne。另外，涂覆用于吸收近紅外線的功能材料114，使得放電單元填充有如上所述的 Xe。即，在放電操作期間，Ne產(chǎn)生580nm至590nm的波長的光，Xe產(chǎn)生近紅外線帶寬的波 長，但是由Ne和Xe產(chǎn)生的波長使等離子體顯示裝置100的顏色品質(zhì)惡化，且當(dāng)干擾遙控器 時導(dǎo)致故障。通過在上面板111的上部分上涂覆能解決以上問題的功能材料114，等離子體顯 示裝置100過濾掉580nm至590nm波長的光以及800nm至1200nm波長的光。圖3是用于 參考波長解釋功能材料114的作用的視圖。因此，使用者能觀看高品質(zhì)的圖像，而不會有故障。根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示裝置100在上面板111的上部分上，即，在等 離子體顯示裝置100的前表面上，沒有用于屏蔽EMI的額外配置或材料。這是因為使用襯 墊130和底架140的結(jié)構(gòu)能屏蔽EMI。以下提供其詳細描述。在以下文中，將參考圖4至圖7描述在上面板111上涂覆功能材料114的工藝。圖4是示出制造上面板111的工藝的視圖。為了制造上面板111，提供上玻璃400 且在上玻璃400的上部分上圖案化銦錫氧化物(IT0)電極410。IT0電極410是透明電極， 其用于防止在X電極與Y電極之間產(chǎn)生的光由于不透明的X和Y電極而變得不可見，其將 在以下描述。在圖案化IT0電極410之后，在IT0電極410的上部分上圖案化總線電極(X電極 和Y電極)420。X電極和Y電極交替地接收維持電壓，并關(guān)于所選的像素進行維持放電。在圖案化總線電極420之后，在上玻璃400的上部分上圖案化黑條430。黑條430 形成在像素之間，用于保持像素彼此間隔開。在圖案化黑條430之后，涂覆介電層440和MgO保護層450。介電層440和MgO保 護層450保持隨后將描述的尋址電極510與上述總線電極420之間的電絕緣，以穩(wěn)定地產(chǎn) 生等離子體并防止電極被等離子體侵蝕。因而，上面板111在上述示例性工藝中制成。圖5是示出制造下面板113的工藝的視圖。為了制造下面板113，提供下玻璃500， 在下玻璃500的上部分上圖案化尋址電極510。尋址電極510用于傳輸數(shù)據(jù)信號以選擇即 將被顯示的像素。在圖案化尋址電極510之后，涂覆介電層520。通過保持尋址電極510與總線電 極420之間的電絕緣，介電層520用于穩(wěn)定地產(chǎn)生等離子體，且防止電極被等離子體侵蝕， 如上所述。間隔物530形成在介電層520的上部分上。間隔物530用于阻擋熒光材料以彼此 分隔，其將在隨后描述，從而區(qū)別R像素、G像素和B像素。在形成間隔物530之后，在間隔物530之間涂覆熒光材料540。因而，在上述示例性工藝中制成下面板113。如果完全制成了上面板111和上面板113，則通過對上面板111和下面板113的諸如組裝、密封、氣體注入、時效(aging)和發(fā)光測試的工藝完成了面板110，并開始了在面 板110的上面板111的上部分上涂覆功能材料114的工藝。在以下文中，將參考圖6描述 涂覆功能材料114的工藝。圖6是涂覆功能材料114的工藝的流程圖。為了涂覆功能材料114，制備面板110(S610)，面板110的上面板111經(jīng)受表面清 潔(S620)。如果完成表面清洗(S620)，則在上面板111的被清潔的表面上涂覆功能材料 114(S630)。更具體地，在構(gòu)成上面板111的上玻璃400上直接涂覆功能材料114。之后，對其上圖案化總線電極420和尋址電極510的端子進行清潔(S640)。如果完成端子清洗(S640)，則確定是否適當(dāng)?shù)赝扛擦斯δ懿牧?14(S650)。如果 沒有異常的涂覆功能材料114(S650-Y)，則進行熱處理(S660)和發(fā)光測試(S670)，從而完 成功能材料114的涂覆。圖7是示出涂覆有功能材料114的面板110的視圖。上述功能材料114(其能包括 防止表面反射的材料①、校正顏色并改善顏色純度的材料②以及吸收近紅外線的材料③) 被混合并作為一種材料儲存在存儲罐710中。功能材料114以功能材料114通過噴射孔 720被噴射的方式被涂覆在上面板111上。通過以噴射的方式涂覆功能材料114，有可能防止形成氣泡的問題，且由于相應(yīng)于 每種功能的膜不需要單獨涂覆、干燥和切割，所以降低了復(fù)雜性。另外，有可能防止在等離子體顯示裝置100的前表面上產(chǎn)生EMI，而不用增加額外 的配置或材料以屏蔽對于面板110的EMI。通過利用襯墊130和底架140的結(jié)構(gòu)能實現(xiàn)屏 蔽在前表面上的EMI。另外，通過在一個存儲罐710中存儲防止表面反射的功能材料114、校正顏色并改 善顏色純度的材料以及吸收近紅外線的材料并且一次涂覆這些材料，而不是分別涂覆這些 材料，能減少在上面板111上的界面，隨著界面數(shù)量減少，透光度的損失也減少，從而能改 善等離子體顯示裝置100的效率。當(dāng)然，每種功能材料114可分開存儲在每個存儲罐中且分別涂覆在面板110上，而 不是被混合并作為一種材料存儲在存儲罐710中。返回參考圖1，TSS 120附接到面板110的后表面，面板110的前表面涂覆有上述 的功能材料114。TSS 120用于防止由于等離子體顯示裝置100中產(chǎn)生并僅被傳輸?shù)讲糠制聊坏臒?而引起的圖像品質(zhì)惡化。即，通過附接TSS 120，等離子體顯示裝置100中產(chǎn)生的熱變得平 穩(wěn)且被均勻地傳輸?shù)秸麄€屏幕。另外，TSS 120通過襯墊130耦接到底架140，該襯墊130將被用于屏蔽EMI。這 將參考圖8和圖9詳細描述。圖8是用于解釋在TSS 120與底架140之間的耦接結(jié)構(gòu)的視圖。如在圖8中所示， TSS 120和底架140彼此不直接連接，而是通過襯墊130彼此耦接。襯墊130由具有粘性的材料制成，以耦接TSS 120和底架140。另外，襯墊130可 由導(dǎo)電材料制成，諸如金屬織物，以通過襯墊130將底架140中產(chǎn)生的電流傳輸?shù)絋SS 120。TSS 120和底架140彼此不直接連接或附接，原因在于它們通過襯墊130彼此耦接。因此，更有效地減少或屏蔽了在等離子體顯示裝置100的前表面上產(chǎn)生的EMI。這將參 考圖9更詳細地描述。圖9是用于解釋使用襯墊130屏蔽EMI的方法的視圖。TSS 120和底架140彼此 不直接連接，而是通過襯墊130彼此耦接。即，底架140通過襯墊130接地到TSS 120。由于襯墊130附接到底架140的部分表面而不是整個表面，所以從底架140流 動的電流分為第一電流和第二電流，該第一電流經(jīng)過襯墊130附接到的表面被引導(dǎo)到TSS 120，該第二電流在底架140中環(huán)繞，其中TSS 120是接地。第一電流經(jīng)過襯墊130附接到的表面而流到TSS 120中并在TSS 120處接地，在 底架140中環(huán)繞的第二電流消減(offset) EMI。通過經(jīng)由襯墊130耦接TSS 120和底架140而不是直接連接它們，能消減底架140 中發(fā)射的EMI，從而與TSS 120和底架140彼此直接連接的情況相比，能進一步減少EMI發(fā)
射噪聲。在以上解釋中，底架140中產(chǎn)生的電流被傳輸?shù)絋SS 120。然而，底架140自身不 產(chǎn)生電流，電流由附接到底架140背表面的驅(qū)動電路150產(chǎn)生，且被傳輸?shù)降准?40。S卩，底 架140可被當(dāng)作接地從而將驅(qū)動電路150產(chǎn)生的電流接地，經(jīng)過襯墊130耦接到底架140 的TSS 120可被當(dāng)作接地從而將驅(qū)動電路150產(chǎn)生的電流接地。另外，根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示裝置100使用雙接地以實現(xiàn)去除EMI 發(fā)射噪聲的效果，雙接地在其局部部分而不是整個部分彼此耦接，從而能更有效地去除EMI 發(fā)射噪聲。另外，驅(qū)動電路150連接到底架140的背表面，底架140的背表面與襯墊130附接 到的前表面相反。因此，為了使驅(qū)動電路150產(chǎn)生的電流更有效地接地，襯墊130可以位于 關(guān)于底架140而與驅(qū)動電路150相應(yīng)的表面上。即，如果驅(qū)動電路150連接到底架140的 特定部分，則襯墊130可附接到底架140的與底架140的特定部分相反的部分，其中驅(qū)動電 路150連接到底架140的該特定部分。隨后，由驅(qū)動電路150產(chǎn)生的電流能經(jīng)過底架140 更有效地傳輸?shù)揭r墊130。雖然在示例性實施方式中等離子體顯示裝置100使用包括底架140和TSS 120的 雙接地，但是底架140可使用自身的雙接地。在以下文中，將參考圖10至圖13描述底架 140利用自身的雙接地的方法。圖10是示出根據(jù)示例性實施方式的底架140的視圖。如上所述，襯墊130附接到底架140的一個側(cè)表面，而驅(qū)動電路150通過導(dǎo)電材料 的螺釘1060連接到底架140的另一側(cè)表面。驅(qū)動電路150包括X驅(qū)動電路1010、Y驅(qū)動電路1020、尋址驅(qū)動電路1030、電源單 元1040和控制器1050。電源單元1040供應(yīng)電能到X驅(qū)動電路1010、Y驅(qū)動電路1020、尋址驅(qū)動電路1030 和控制器1050?？刂破?050分別將X電極驅(qū)動控制信號、Y電極驅(qū)動控制信號和尋址電極驅(qū)動控 制信號傳輸?shù)絰驅(qū)動電路1010、Y驅(qū)動電路1020和尋址驅(qū)動電路1030，使得X驅(qū)動電路 1010、Y驅(qū)動電路1020、尋址驅(qū)動電路1030操作面板110。在以下文中，將參考圖11描述具有X驅(qū)動電路1010、Y驅(qū)動電路1020、尋址驅(qū)動
9電路1030的等離子體顯示裝置100的操作。圖11是用于解釋操作等離子體顯示裝置100的方法的視圖。X驅(qū)動電路1010連接到上述總線電極420的X電極，以基于從控制器1050接收的 X電極驅(qū)動控制信號來操作面板110，Y驅(qū)動電路1020連接到總線電極420的Y電極，以基 于從控制器1050接收的Y電極驅(qū)動控制信號來操作面板110。X驅(qū)動電路1010從控制器1050接收X電極驅(qū)動控制信號并施加驅(qū)動電壓到X電 極，Y驅(qū)動電路1020從控制器1050接收Y電極驅(qū)動控制信號并施加驅(qū)動電壓到Y(jié)電極。特 別地，X驅(qū)動電路1010和Y驅(qū)動電路1020交替地輸入維持電壓到X電極和Y電極，以關(guān)于 所選的像素進行維持放電。尋址驅(qū)動電路1030施加數(shù)據(jù)信號到尋址電極510以選擇將被顯示的像素?？偩€ 電極(X電極和Y電極)420和尋址電極510布置成十字形圖案，X電極和Y電極彼此面對， X電極與Y電極間存在放電空間。在尋址電極420、X電極和Y電極中形成為十字形截面的 放電空間形成放電單元。面板110包括布置成矩陣圖案的多個像素。X電極、Y電極和尋址電極420布置在 每個像素上。因此，面板110以尋址顯示分離(address displays印arate，ADS)驅(qū)動方法 操作，其中電壓被施加到每個電極使得像素發(fā)光。ADS驅(qū)動方法指其中面板110的每個子域 (sub-field)以分開的重置部分、尋址部分和維持放電部分來驅(qū)動的方法。重置部分用于去除壁電荷的先前狀態(tài)并設(shè)立壁電荷以穩(wěn)定地執(zhí)行下一次尋址放 電。尋址部分選擇在面板中發(fā)光的單元以及不發(fā)光的單元，并在發(fā)光的單元(被尋址的單 元)執(zhí)行堆積壁電荷。維持放電部分將維持電壓交替地施加到X電極和Y電極，并執(zhí)行放 電以在被尋址的單元上顯示實際圖像。如上所述，面板110利用施加到X電極的電壓與施加到Y(jié)電極的電壓之間的差引 起放電，利用由放電獲得的等離子體發(fā)光。返回參考圖10，在底架140上安裝X驅(qū)動電路1010、Y驅(qū)動電路1020、尋址驅(qū)動電 路1030、電源單元1040和控制器1050，且底架140使X驅(qū)動電路1010、Y驅(qū)動電路1020、 尋址驅(qū)動電路1030、電源單元1040和控制器1050產(chǎn)生的電流接地。為了實現(xiàn)該目的，底架140經(jīng)過導(dǎo)電材料制成的螺釘1060連接到X驅(qū)動電路 1010、Y驅(qū)動電路1020、尋址驅(qū)動電路1030、電源單元1040和控制器1050，底架140也由導(dǎo) 電材料制成。底架140具有第一縫1070和第二縫1080，使得底架140能自身用作雙接地。通過圍繞底架140的X驅(qū)動電路1010連接到的部分切割而以長凹槽的形式形成 第一縫1070。具體地，第一縫1070分為兩條分離的縫而不是一條縫，形成為提供電通路以 允許電流在兩條縫之間流動。因此，由X驅(qū)動電路1010產(chǎn)生的電流經(jīng)過連接X驅(qū)動電路1010和底架140的螺 釘1060被傳輸?shù)降准?40，并且被一次接地。具體地，電流經(jīng)過螺釘1060被傳輸?shù)接傻谝?縫1070劃分的底架140的區(qū)域中底架140的位于X驅(qū)動電路1010下面的區(qū)域，并且被接 地。已經(jīng)被傳輸?shù)降准?40的位于X驅(qū)動電路1010下面的區(qū)域并且在該區(qū)域處接地 的電流經(jīng)過形成在第一縫1070的兩條分離的縫之間的通路被傳輸?shù)降准?40的另一區(qū)域，并且被二次接地，Y驅(qū)動電路1020、尋址驅(qū)動電路1030、電源單元1040和控制器1050位于底架140的該另一區(qū)域。由X驅(qū)動電路1010產(chǎn)生的電流在底架140的位于X驅(qū)動電路1010下面的區(qū)域一次接地，在底架140的另一區(qū)域二次接地，從而能去除EMI發(fā)射噪聲。另外，通過經(jīng)由第一 縫1070部分地連接雙接地，能更有效地去除EMI發(fā)射噪聲。第二縫1080的作用與第一縫1070的作用相同。即，通過圍繞底架140的Y驅(qū)動 電路1020連接到的部分切割而以長凹槽的形式形成第二縫1080，該第二縫1080被分為兩 條分離的縫以提供允許電流在兩條縫之間流動的通路。因此，由Y驅(qū)動電流1020產(chǎn)生的電流經(jīng)過螺釘1060被傳輸?shù)降准?40，其中該螺 釘1060連接Y驅(qū)動電路1020和底架140，并且被一次接地。具體地，電流經(jīng)過螺釘1060被 傳輸?shù)接傻诙p1080劃分的底架140的區(qū)域中底架140的位于Y驅(qū)動電路1020下面的區(qū) 域，并且被接地。另外，已經(jīng)被傳輸?shù)降准?40的位于Y驅(qū)動電路1010下面的區(qū)域并且在該區(qū)域處 接地的電流經(jīng)過形成在第二縫1080的兩條分離的縫之間的通路被傳輸?shù)降准?40的另一 區(qū)域并且被二次接地，X驅(qū)動電路1010、尋址驅(qū)動電路1030、電源單元1040和控制器1050 位于底架140的該另一區(qū)域。如上所述，由Y驅(qū)動電路1020產(chǎn)生的電流在底架140的位于Y驅(qū)動電路1020下 面的區(qū)域一次接地，在底架140的另一區(qū)域二次接地，從而能去除EMI發(fā)射噪聲。另外，通 過經(jīng)由第二縫1080部分地連接雙接地，能更有效地去除EMI發(fā)射噪聲。在以上解釋中，通過圍繞底架140的X驅(qū)動電路1010和Y驅(qū)動電路1020連接到 的部分而以長凹槽的形式形成縫。然而，這僅僅是為了便于解釋的實例，且圍繞X驅(qū)動電路 1010和Y驅(qū)動電路1020之一可以形成縫，或者圍繞其它電路，即，尋址電路1030、電源單元 1040和控制器1050可以形成縫。另外，在以上解釋中，第一縫1070和第二縫1080的每一個均具有兩條縫，使得 一個電通路由該兩條縫形成。其中電流經(jīng)過單一電通路接地的方法被稱為一點接地法 (one-point ground method)。然而，形成一個電通路僅僅是為了便于解釋的實例。因此，第一縫1070或第二縫1080可具有兩條或更多的縫。例如，如果第一縫1070 由三條縫構(gòu)成，則用于傳輸電流的兩個通路形成在一次接地和二次接地之間。在形成兩個電通路的情形下，適當(dāng)?shù)睦斫馐窃趦蓚€場所(spot)使用一點接地 法，而不理解為沒有使用一點接地法。另外，在圖10中示出的第一縫1070和第二縫1080的每一個的形狀僅是實例，第 一縫1070和第二縫1080可形成為具有不同于圖10的縫的其它形式，如在圖12中所示的。圖12是示出根據(jù)另一示例性實施方式的底架140的視圖。在圖12中，為了便于 解釋，省略了尋址驅(qū)動電路1030、電源單元1040和控制器1050。如果兩條第一縫1070和兩條第二縫1080形成如在圖12中所示的通路，則電流能 經(jīng)過一次接地和二次接地之間的通路傳輸，使得能更有效地去除EMI。在以上解釋中，雖然在底架140上設(shè)置縫并且電流以點接地法在底架140處接地， 在一點接地法中電流經(jīng)過形成在兩條縫之間的一個通路傳輸，但是示例性實施方式能適用 于電流以一點接地法在底架140處接地而不使用縫的情形。這將參考圖13來解釋。
圖13是示出根據(jù)另一示例性實施方式的底架140的視圖。如在圖13中所示，X驅(qū) 動電路1010經(jīng)過單個螺釘1060而不是多個螺釘連接到底架140，還經(jīng)過四個非導(dǎo)電連接元 件1310連接到底架140。另外，Y驅(qū)動電路1020經(jīng)過單一螺釘1060而不是多個螺釘連接 到底架140，還經(jīng)過四個非導(dǎo)電連接元件1310連接到底架140。在圖13中，標(biāo)為“〇”的部分表示用于連接底架140與X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動 電路1020的螺釘1060所處的位置，標(biāo)為“◎”的部分表示用于連接底架140與X驅(qū)動電路 1010或Y驅(qū)動電路1020的非導(dǎo)電連接元件1310所處的位置。在此，非導(dǎo)電連接元件1310不具有將由X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動電路1020產(chǎn)生 的電流傳輸?shù)降准?40的功能，而是簡單地用于克服當(dāng)?shù)准?40與X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū) 動電路1020僅通過螺釘1060彼此連接時它們之間的弱連接。因此，X驅(qū)動電路1010和Y 驅(qū)動電路1020每個都經(jīng)過螺釘1060連接到底架140，該螺釘1060是單個導(dǎo)電介質(zhì)。由于如上所述，X驅(qū)動電路1010和Y驅(qū)動電路1020以一點接地法接地到底架140， 所以由X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動電路1020產(chǎn)生的電流被傳輸?shù)降准?40的僅一點處且在 該點處接地。因此，由X驅(qū)動電路1010和Y驅(qū)動電路1020的每一個所產(chǎn)生的部分電流被 傳輸?shù)降准?40，剩余的電流在X驅(qū)動電路1010和Y驅(qū)動電路1020中環(huán)繞且消減EMI。當(dāng)然，使用四個非導(dǎo)電連接元件1310僅是解釋性的實例，可使用五個或更多的、 或者三個或更少的非導(dǎo)電連接元件。另外，如果僅使用螺釘1060連接底架140與X驅(qū)動電 路1010或Y驅(qū)動電路1020不存在問題，則不需要使用非導(dǎo)電連接元件1310。雖然在以上示例性實施方式中一個螺釘1060用作導(dǎo)電連接元件，但是如果需要 可以使用兩個或更多的螺釘1060。然而，隨著螺釘1060的數(shù)量增加，減少EMI的效果會降 低。在圖13中，X驅(qū)動電路1010和Y驅(qū)動電路1020以一點接地而接地到底架140。 在圖13中，使用一點接地而不使用雙接地。然而，示例性實施方式能應(yīng)用于使用一點接地 和雙接地二者的情況。在以下文中，將參考圖14至圖16解釋在雙接地法中形成一點接地 的方法。在圖14至圖16的示例性實施方式中，可使用必要數(shù)量的非導(dǎo)電連接元件1310。 然而，為了便于簡明，省略了非導(dǎo)電連接元件1310的圖示和描述。圖14是示出根據(jù)另一示例性實施方式的底架140的視圖。如在圖14中所示，X 驅(qū)動電路1010經(jīng)過多個螺釘1060連接到導(dǎo)電板1410，導(dǎo)電板1410經(jīng)過單一螺釘1430連 接到底架140。另外，Y驅(qū)動電路1020經(jīng)過多個螺釘1060連接到導(dǎo)電板1420，導(dǎo)電板1420 經(jīng)過單一螺釘1430連接到底架140。在圖14中，標(biāo)為“〇”的部分表示用于連接X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動電路1020與 導(dǎo)電板1410或?qū)щ姲?420的螺釘1060所處的位置，標(biāo)為“ ”的部分表示用于連接底架 140與導(dǎo)電板1410或?qū)щ姲?420的螺釘1430所處的位置。另外，圖15進一步示出了螺釘1060和1430的定位。圖15是示出圖14的底架140的透視圖。如在圖15中所示，因為X驅(qū)動電路1010 經(jīng)過多個螺釘1060連接到導(dǎo)電板1410，所以由X驅(qū)動電路1010產(chǎn)生的電流經(jīng)過多個螺釘 1060被傳輸?shù)綄?dǎo)電板1410，在導(dǎo)電板1410處一次接地。另外，因為導(dǎo)電板1410經(jīng)過單一 螺釘1430連接到底架140，所以在導(dǎo)電板1410處產(chǎn)生的電流經(jīng)過單一螺釘1430被傳輸?shù)?br> 12底架140，且在底架140處二次接地。類似地，因為Y驅(qū)動電路1020經(jīng)過多個螺釘1060連接到導(dǎo)電板1420，所以由Y驅(qū) 動電路1020產(chǎn)生的電流經(jīng)過多個螺釘1060被傳輸?shù)綄?dǎo)電板1420，且在導(dǎo)電板1420處一次 接地。另外，因為導(dǎo)電板1420經(jīng)過單一螺釘1430連接到底架140，所以在導(dǎo)電板1420處產(chǎn) 生的電流經(jīng)過單一螺釘1430被傳輸?shù)降准?40，且在底架140處二次接地。因為X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動電路1020以一點接地法接地到底架140，所以由X 驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動電路1020的每一個產(chǎn)生的電流均被傳輸?shù)降准?40的一點處，且最 終在底架140處接地。因此，最初傳輸?shù)綄?dǎo)電板1410和導(dǎo)電板1420的電流在導(dǎo)電板1410 和導(dǎo)電板1420中環(huán)繞，從而消減EMI。雖然在以上實施方式中連接到X驅(qū)動電路1010的導(dǎo)電板1410和連接到Y(jié)驅(qū)動電 流1020的導(dǎo)電板1420分離地設(shè)置，但是這僅是實例。示例性實施方式能應(yīng)用到如在圖16 中所示的設(shè)置單一導(dǎo)電板1610的情況。圖16是示出根據(jù)另一示例性實施方式的底架140的視圖。如在圖16中所示，X驅(qū) 動電路1010和Y驅(qū)動電路1020經(jīng)過多個螺釘1060連接到單一導(dǎo)電板1610。即，X驅(qū)動電 路1010和Y驅(qū)動電路1020布置在單一導(dǎo)電板1610上。導(dǎo)電板1610經(jīng)過單一螺釘1620連接到底架140。因此，由X驅(qū)動電路1010和Y驅(qū)動電路1020產(chǎn)生的電流被傳輸?shù)絾我粚?dǎo)電板 1610，傳輸?shù)綄?dǎo)電板1610的電流以一點接地法在底架140處接地。因此，由X驅(qū)動電路1010 和Y驅(qū)動電路1020產(chǎn)生的電流被傳輸?shù)降准?40的一點處，且最終在底架140處接地。因 此，最初傳輸?shù)綄?dǎo)電板1610的電流在導(dǎo)電板1610中環(huán)繞，從而消減EMI。當(dāng)然，如果需要，可以改變螺釘1060和1620的數(shù)量。在根據(jù)圖10、圖12、圖14和圖15的示例性實施方式的底架140的結(jié)構(gòu)中，因為X 驅(qū)動電路1010和Y驅(qū)動電路1020接地到底架140的不同的一點，所以X驅(qū)動電路1010的 接地電勢電平與Y驅(qū)動電路1020的接地電勢電平之間可存在差異。如果存在接地電勢電平的差異，則等離子體顯示裝置100會由于控制器1050傳輸 控制信號而不考慮不同的接地電勢電平發(fā)生故障。圖17是底架140的視圖，其中隔離IC額外地設(shè)置到底架140從而解決以上問題。 在圖17中，隔離耦合器(I-COupler)1710和1720用作隔離IC的實例。隔離耦合器1710和1720是進行DC-DC轉(zhuǎn)換的數(shù)字絕緣元件。因此，隔離耦合器1710連接在X驅(qū)動電路1010與控制器1050之間，隔離耦合器 1720連接在Y驅(qū)動電路1020與控制器1050之間，因而即使X驅(qū)動電路1010的接地電勢與 Y驅(qū)動電路1020的接地電勢之間存在差異，等離子體顯示裝置也能被操作而不發(fā)生故障。即，隔離耦合器1710和1720將由控制器1050產(chǎn)生的控制信號轉(zhuǎn)換成基于X驅(qū)動 電路1010的接地電勢的控制信號，將由控制器1050產(chǎn)生的控制信號轉(zhuǎn)換成基于Y驅(qū)動電 路1020的接地電勢的控制信號，使得X驅(qū)動電路1010和Y驅(qū)動電路1020被根據(jù)X驅(qū)動電 路1010的接地電勢電平和Y驅(qū)動電路1020的接地電勢電平的控制信號控制。在以上示例性實施方式中，雖然描述了使用隔離耦合器1710和1720校正接地電 勢電平之間的差的方法，但是這僅是實例。示例性實施方式能應(yīng)用到使用隔離耦合器1710、 1720之外的元件校正接地電勢電平或者通過改變底架140的形狀而不使用額外的元件來校正接地電勢電平的情況。該情況的實例如下在如圖10和圖12所示縫1070或縫1080形成在底架140上的情形下，通過調(diào)整 縫1070或縫1080的厚度或者調(diào)整縫1070或縫1080之間的間隙來校正接地電勢電平。例 如，通過擴大圖10中所示的縫1070或縫1080之間的間隙，擴大了允許電流從底架140的 X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動電路1020所定位的區(qū)域流到其它區(qū)域的通路。因此，由X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動電路1020產(chǎn)生的電流能更平穩(wěn)地流到底架140 的其它區(qū)域，X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動電路1020不位于底架140的該其它區(qū)域中，因而減 小了底架140的X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動電路1020所定位的區(qū)域與底架140的其它區(qū)域 之間的接地電平差。接下來，在如圖14和圖15所示底架140中進行使用單一螺釘?shù)囊稽c接地的情形 中，通過調(diào)整螺釘?shù)臄?shù)量來校正接地電勢電平。例如，如果連接導(dǎo)電板1410和導(dǎo)電板1420 與底架140的螺釘(“ ”)的數(shù)量增加，則允許電流從導(dǎo)電板1410和導(dǎo)電板1420流到底 架140的通路的數(shù)量增加。因此，由X驅(qū)動電路1010或Y驅(qū)動電路1020產(chǎn)生的電流經(jīng)過導(dǎo)電板1410或?qū)щ?板1420更平穩(wěn)地流到底架140中，從而能減小X驅(qū)動電路1010所定位的導(dǎo)電板1410與Y 驅(qū)動電路1020所定位的導(dǎo)電板1420之間的電勢電平差。如上所述，能通過改變底架140的形狀能校正接地電勢電平。在以上示例性解釋中，能通過使用襯墊130耦接TSS 120與底架140、在底架140 上形成縫或者改變底架140與驅(qū)動電路150之間的連接條件來減少從等離子體顯示裝置 100的前表面發(fā)出的EMI。另外，為了減少從等離子體顯示裝置100的前表面發(fā)出的EMI，涂覆防止表面反射 的材料①、校正顏色并改善顏色純度的材料②以及吸收近紅外線的材料③，而不在上面板 111的上部分上設(shè)置額外配置或材料以屏蔽EMI。返回參考圖1，將描述用于減少從等離子體顯示裝置100的后表面發(fā)出的EMI的后 蓋 160。如上所述，通過使用襯墊130耦接TSS 120與底架140、在底架140上形成縫或者 改變底架140與驅(qū)動電路150之間的連接條件來減少從等離子體顯示裝置100的前表面發(fā) 出的EMI。后蓋160不覆蓋面板110的前表面、面板110的后表面和底架140的前表面。取 而代之的是，后蓋160直接連接到底架140的后表面以覆蓋等離子體顯示裝置100的后表 面，通過后蓋160連接到底架140而屏蔽EMI并防止對驅(qū)動電路150的損害。為了實現(xiàn)此 目的，后蓋160由導(dǎo)電材料制成。如上所述，根據(jù)各個示例性實施方式，僅利用底架140的形狀而不在等離子體顯 示裝置的前表面上設(shè)置額外的濾波器就能夠有效地減少PDP被驅(qū)動時所產(chǎn)生的EMI發(fā)射。另外，簡化了制造PDP的工藝，并減少了面板的界面數(shù)量，從而能減少透光度的損 失并能改善光發(fā)光效率。前述示例性實施方式和優(yōu)點僅是示例性的，且不應(yīng)理解為限制本發(fā)明。本發(fā)明的 教導(dǎo)能容易地應(yīng)用到其它類型的裝置。另外，示例性實施方式的描述意指示例性的，且不
14限制權(quán)利要求書的范圍，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，多個替代物、修改和變化是顯而易見 的。 本申請要求享有2009年8月10日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請 No. 10-2009-73120的權(quán)益，在此結(jié)合其全部內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示裝置，包括面板，包括涂覆有功能材料的上面板和與所述上面板的涂覆有所述功能材料的表面相 反設(shè)置的下面板，其中所述功能材料包括校正顏色的材料和吸收近紅外線的材料的至少一 種；驅(qū)動電路，驅(qū)動所述面板；以及底架，所述驅(qū)動電路安裝在其上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述功能材料涂覆在所述上面板上 且在所述上面板上形成單一層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述功能材料還包括防止表面反射 的材料，其中防止表面反射的材料包括Si02、ZrO和Ti02的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中校正顏色的材料包括吸收580nm至 590nm波長的光的顏料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示裝置，其中當(dāng)所述面板進行放電時，Ne產(chǎn)生 580nm至590nm波長的光，以及其中所述Ne被注入在所述上面板與所述下面板之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中吸收近紅外線的材料包括Ag和吸收 800nm至1200nm波長的光的顏料的其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示裝置，其中當(dāng)所述面板進行放電時，Xe產(chǎn)生 800nm至1200nm波長的光，以及其中所述Xe被注入在所述上面板與所述下面板之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述功能材料被混合且儲存在單一 存儲罐中，且被噴射在所述上面板的上部分上以涂覆所述上面板的所述上部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述功能材料不包括用于屏蔽電磁 干擾的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示裝置，其中所述底架包括多條縫，該多條縫形 成為在所述驅(qū)動電路連接到的部分周圍提供電通路，其中形成所述多條縫，使得從所述驅(qū)動電路傳輸?shù)碾娏鞯牡谝徊糠謴陌ㄋ鲵?qū)動電 路連接到的部分的區(qū)域傳輸?shù)桨ㄋ鲵?qū)動電路未連接到的部分的區(qū)域，以及其中從所述驅(qū)動電路傳輸?shù)碾娏鞯牡诙Ｓ嗖糠衷诎ㄋ鲵?qū)動電路未連接到的所 述部分的區(qū)域中環(huán)繞以消減電磁干擾。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示裝置，還包括設(shè)置在所述驅(qū)動電路與所述底 架之間的導(dǎo)電板，其中由所述驅(qū)動電路產(chǎn)生且傳輸?shù)剿鰧?dǎo)電板的電流的第一部分被傳輸?shù)剿龅准?，以及其中傳輸?shù)剿鰧?dǎo)電板的電流的第二剩余部分在所述導(dǎo)電板中環(huán)繞以消減電磁干擾。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示裝置，還包括散熱片，釋放從所述底架傳輸?shù)臒?；以及?dǎo)電襯墊，連接所述底架和所述散熱片以允許所述底架和所述散熱片通過所述至少一 個電通路電傳導(dǎo)，其中由所述驅(qū)動電路產(chǎn)生且被傳輸?shù)剿龅准艿碾娏鞯牡谝徊糠直粋鬏數(shù)剿錾?片；以及其中傳輸?shù)剿龅准艿乃鲭娏鞯牡诙Ｓ嗖糠衷谒龅准苤协h(huán)繞以消減電磁干擾。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示裝置，進一步包括后蓋，該后蓋覆蓋所述驅(qū)動 電路、連接到所述驅(qū)動電路的單元以及所述底架。
14.一種用于制造等離子體顯示面板的方法，該方法包括 制造上面板；制造下面板；結(jié)合所述上面板和所述下面板；以及在所述上面板的上部分上涂覆功能材料，該功能材料包括校正顏色的材料和吸收近紅 外線的材料的至少一種，所述功能材料被混合且被儲存在單一存儲罐中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體顯示裝置和用于制造等離子體顯示面板的方法。該等離子體顯示裝置包括面板，包括涂覆有功能材料的上面板，以及與上面板的涂覆有功能材料的表面相反設(shè)置的下面板；驅(qū)動面板的驅(qū)動電路；以及底架，驅(qū)動電路安裝在其上。
文檔編號G09F9/313GK101996567SQ20101024929
公開日2011年3月30日 申請日期2010年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月10日
發(fā)明者孫永基, 樸臺淳, 林成煥 申請人:三星電子株式會社