專利名稱：減少電磁干擾發(fā)射的等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示范性實(shí)施例涉及減少等離子體顯示裝置的電磁干擾(EMI)發(fā)射，更具 體而言，涉及通過底架(base chassis)和驅(qū)動(dòng)電路之間的連接結(jié)構(gòu)減少等離子體顯示裝置 的電磁干擾發(fā)射。
背景技術(shù)：
平板型顯示裝置已經(jīng)主要在便攜器件中廣泛使用，并且由于技術(shù)的發(fā)展，在大顯 示裝置領(lǐng)域日益取代陰極射線管(CRT)顯示器。在這樣的平板型顯示裝置中，等離子體顯示面板(PDP)使用氣體放電期間產(chǎn)生的 等離子體發(fā)射的光顯示文字和/或圖形。與其他類型的平板型顯示裝置相比，PDP具有高 亮度和高發(fā)光效率以及寬視角的優(yōu)點(diǎn)，因此近年來被廣泛使用。然而，PDP的一個(gè)缺點(diǎn)是當(dāng)?shù)入x子體顯示裝置被驅(qū)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生電磁波噪聲，并引起電 磁干擾(EMI)。S卩，由于大約200V的高電壓和2A或更高的均方根(RMS)電流提供到PDP的 電極，引起氣體放電的驅(qū)動(dòng)波的能量導(dǎo)致面板的電極通過天線發(fā)射EMI。EMI產(chǎn)生阻礙期望的電磁信號(hào)的接收的電磁波噪聲干擾，因此可能引起電器件的 故障。而且，EMI以電能的形式被吸收到活體中并引起活體溫度升高，因此破壞活體的組織 /功能。因此，需要減少PDP驅(qū)動(dòng)期間產(chǎn)生的EMI的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實(shí)施例能夠克服上述缺點(diǎn)和上面未描述的其他缺點(diǎn)。而且，本發(fā) 明的示范性實(shí)施例不是必須克服上述缺點(diǎn)，并且一個(gè)或多個(gè)示范性實(shí)施例可不克服上述問 題中的任何一個(gè)。示范性實(shí)施例提供一種等離子體顯示裝置，其具有在底架和驅(qū)動(dòng)電路之間的連接 結(jié)構(gòu)以減少EMI發(fā)射。根據(jù)示范性實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種等離子體顯示裝置，包括面板；驅(qū)動(dòng) 所述面板的至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路；底架；將所述驅(qū)動(dòng)電路連接到所述底架的至少一個(gè)導(dǎo)電連 接元件；和將所述驅(qū)動(dòng)電路連接到所述底架的至少一個(gè)非導(dǎo)電連接元件。所述導(dǎo)電連接元件可以將所述驅(qū)動(dòng)電路安裝在所述底架上并在所述驅(qū)動(dòng)電路與 底架之間導(dǎo)電。 底架可以通過至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件與驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)電，并且驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的電流 的一部分可以通過該至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件傳輸?shù)降准?，?qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的剩余電流可以在 驅(qū)動(dòng)電路中循環(huán)，因此消減面板產(chǎn)生的EMI。 該等離子體顯示裝置還可以包括設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路和底架之間并連接到驅(qū)動(dòng)電路 的導(dǎo)電板，底架可以通過該至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件連接到導(dǎo)電板，從而在底架和驅(qū)動(dòng)電路 之間形成電路，底架還可以通過至少一個(gè)非導(dǎo)電連接元件連接到導(dǎo)電板。
由所述驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的電流可以被傳輸?shù)剿鰧?dǎo)電板，并且被傳輸?shù)剿鰧?dǎo)電板 的電流的一部分可以通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件被傳輸?shù)剿龅准?，傳輸?shù)剿鰧?dǎo)電 板的剩余電流在所述導(dǎo)電板中循環(huán)，從而消減由所述面板產(chǎn)生的EMI。驅(qū)動(dòng)電路可以包括X電極驅(qū)動(dòng)電路和Y電極驅(qū)動(dòng)電路，并且所述底架可以通過所 述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件與所述X電極驅(qū)動(dòng)電路和所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)電。該等離子體顯示裝置還可以包括第一導(dǎo)電板，所述第一導(dǎo)電板設(shè)置在所述X電 極驅(qū)動(dòng)電路與所述底架之間并連接到所述X電極驅(qū)動(dòng)電路；和第二導(dǎo)電板，所述第二導(dǎo)電 板設(shè)置在所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路與所述底架之間并連接到所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路，并且所述底 架可以通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件連接到所述第一導(dǎo)電板，從而與所述X電極驅(qū)動(dòng)電 路形成電連接，所述底架可以通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件連接到所述第二導(dǎo)電板，從 而與所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路形成電連接，并且所述底架還可以通過所述至少一個(gè)非導(dǎo)電連接 元件連接到所述第一導(dǎo)電板和所述第二導(dǎo)電板。該驅(qū)動(dòng)電路可以包括X電極驅(qū)動(dòng)電路和Y電極驅(qū)動(dòng)電路，并且該等離子體顯示裝 置還可以包括導(dǎo)電板，所述導(dǎo)電板設(shè)置在所述X電極驅(qū)動(dòng)電路和所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路與所 述底架之間，并連接到所述X電極驅(qū)動(dòng)電路和所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路。所述底架可以通過所 述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件連接到所述導(dǎo)電板，從而與所述X電極驅(qū)動(dòng)電路和所述Y電極驅(qū) 動(dòng)電路形成電連接，并且所述底架還可以通過所述至少一個(gè)非導(dǎo)電連接元件連接到所述導(dǎo) 電板。該等離子體顯示裝置還可以包括控制器，控制所述驅(qū)動(dòng)電路；和隔離IC，電隔離 所述控制器與所述驅(qū)動(dòng)電路之間的接地電位。根據(jù)另一示范性實(shí)施例的方面，提供了一種等離子體顯示裝置，包括面板；驅(qū)動(dòng) 所述面板的驅(qū)動(dòng)電路；和底架，通過一個(gè)或兩個(gè)單點(diǎn)接地電連接到所述驅(qū)動(dòng)電路。


通過結(jié)合附圖詳細(xì)描述示范性實(shí)施例，上述和/或其他示范性方面將更為明顯， 在附圖中圖1是示出根據(jù)示范性實(shí)施例的等離子體顯示裝置的側(cè)截面圖；圖2是示出涂覆有功能材料的上板玻璃的視圖；圖3是提供來根據(jù)波長(zhǎng)解釋功能材料的作用的視圖；圖4是示出制造上面板的工藝的視圖；圖5是示出制造下面板的工藝的視圖；圖6是示出涂覆功能材料的工藝的流程圖；圖7是示出涂覆有功能材料的面板的視圖；圖8是示出散熱片(TSS)與底架之間的耦接結(jié)構(gòu)的視圖；圖9是提供來解釋使用襯墊屏蔽EMI的方法的視圖；圖10是示出根據(jù)另一示范性實(shí)施例的底架的視圖；圖11是提供來解釋驅(qū)動(dòng)等離子體顯示裝置的方法的視圖；圖12是示出根據(jù)另一實(shí)施例的底架的視圖；圖13是示出根據(jù)再一示范性實(shí)施例的底架的視圖14是示出根據(jù)再一示范性實(shí)施例的底架的視圖；圖15是圖14的底架的透視圖；圖16是示出根據(jù)再一示范性實(shí)施例的底架的視圖；且圖17是示出增加了隔離IC的底架的視圖。
具體實(shí)施例方式下面，將結(jié)合附圖更詳細(xì)地描述示范性實(shí)施例。在下面的描述中，當(dāng)不同的附圖中描述相同的附圖標(biāo)記時(shí)，這些相同的附圖標(biāo)記 用于相同的元件。在說明書中定義的內(nèi)容，例如具體的結(jié)構(gòu)和元件，是提供來幫助全面理解 本發(fā)明的。因此，很明顯沒有這些具體限定的內(nèi)容也可以實(shí)施示范性實(shí)施例。而且，沒有具 體描述現(xiàn)有技術(shù)中已知的功能或元件，因?yàn)椴槐匾募?xì)節(jié)會(huì)使說明書變得含糊不清。圖1是示出根據(jù)示范性實(shí)施例的等離子體顯示裝置100的側(cè)截面圖。等離子體顯 示裝置100滿足用于EMI的適當(dāng)?shù)碾姶挪?biāo)準(zhǔn)且提供能夠被使用者觀看的圖像。等離子體顯示裝置100包括面板110、散熱片(TSS) 120、襯墊130、底架140、驅(qū)動(dòng) 電路150和后蓋160。面板110以惰性氣體放電引起的真空紫外線激發(fā)熒光材料，因此實(shí)現(xiàn)圖像。面板 110包括上面板111和下面板113。上面板111和下面板113在其邊緣處用密封材料112 結(jié)合，從而形成單個(gè)面板110。在上面板111與下面板113 (其邊緣以密封材料112密封) 之間的內(nèi)部空間中，布置多個(gè)放電單元且每個(gè)放電單元填充有Ne和Xe的混合物。功能材料114涂覆在上面板111的上部分上以提供表面反射防止、色彩校正和近 紅外射線吸收。功能材料114可以直接涂覆在上面板111的上部分。這將參考圖2至圖7 解釋。圖2是示出涂覆有功能材料的上面板111的視圖。在圖2中，為了描述的方便，示 出了下面板113與上面板111和功能材料114，但是沒有示出密封材料112。如圖2所示，功能材料114涂覆在上面板111的與下面板113相反的上側(cè)，即被使 用者觀看的一側(cè)。功能材料114被分為防止表面反射的第一材料、校正色彩并改善色純度 的第二材料和吸收近紅外射線的第三材料。作為防止表面反射的第一材料，可以使用具有防止光學(xué)反射特性的Si02、ZrO和/ 或Ti02。通過以這樣的材料涂覆上面板111，防止了觀看者的耀眼和表面上的刮痕和靜電。作為校正色彩和改善色純度的第二材料，可以使用吸收具有580nm至590nm波長(zhǎng) 的光的顏料。通過以這種材料涂覆上面板111，防止了具有580nm至590nm波長(zhǎng)的光輸出到 使用者，因此改善了色彩再現(xiàn)性和正確的白偏差(white deviation)。作為吸收近紅外射線的第三材料，可以使用引發(fā)多層膜的光學(xué)干涉的銀(Ag)或 吸收具有近紅外帶寬(從SOOnm至1200nm)的波長(zhǎng)的光的顏料。通過以這種材料涂覆上面 板111，可以防止具有SOOnm至1200nm波長(zhǎng)的光輸出到使用者，因此防止了與遙控器的波長(zhǎng) 帶寬的干擾引起的等離子體顯示裝置100的故障。因?yàn)槿缟纤觯烹妴卧畛溆蠳e，所以校正色彩和改善色純度的第二材料涂覆 在上面板111上。而且，因?yàn)槿缟纤?，放電單元填充有Xe，所以吸收近紅外射線的第三材 料涂覆在上面板111上。即，在放電操作期間，Ne產(chǎn)生具有580nm至590nm波長(zhǎng)的光，Xe產(chǎn)生近紅外射線帶寬的波長(zhǎng)的光，但是Ne和Xe產(chǎn)生的波長(zhǎng)降低了等離子體顯示裝置100的 色純度并可能引起與遙控器干擾從而導(dǎo)致故障。通過在上面板111的上部分上涂覆能夠解決上述問題的功能材料，等離子體顯示 裝置100過濾掉具有580nm至590nm的波長(zhǎng)的光和具有800nm至1200nm的波長(zhǎng)的光。圖 3是提供來根據(jù)波長(zhǎng)解釋功能材料的作用的視圖。因此，使用者可以觀看高質(zhì)量的圖像而沒有故障。根據(jù)示范性實(shí)施例的等離子體顯示裝置100不需要在上面板111的上部分(即等 離子體顯示裝置100的前表面)上的額外的構(gòu)造或材料來屏蔽EMI。這是因?yàn)橐r墊130的 使用和底架140的結(jié)構(gòu)能夠屏蔽EMI，其詳細(xì)描述將在下面提供。此后，將參考圖4至7描述在上面板111上涂覆功能材料114的工藝。圖4是示出制造上面板111的工藝的視圖。為了制造上面板111，提供上玻璃400 并在上玻璃400的上部分上構(gòu)圖銦錫氧化物(ITO)電極410。該ITO電極410是透明電極， 其用于防止在X電極和Y電極之間產(chǎn)生的光(將在后面描述)由于不透明的X電極和Y電 極而變得不可見。在構(gòu)圖ITO電極410之后，匯流電極(X電極和Y電極)420在ITO電極410的上 部分上被構(gòu)圖。χ電極和Y電極交替接收維持電壓并關(guān)于被選擇的像素進(jìn)行維持放電。在構(gòu)圖匯流電極(bus electrode) 420之后，在上玻璃400的上部分上構(gòu)圖黑條紋 430。黑條紋430形成在像素之間并用于保持像素彼此間隔開。在構(gòu)圖黑條紋430之后，涂覆電介質(zhì)層440和MgO保護(hù)層450。電介質(zhì)層440和 MgO保護(hù)層450保持后面將描述的尋址電極與上述匯流電極420之間的電絕緣，從而穩(wěn)定產(chǎn) 生等離子體并防止電極被等離子體侵蝕。在上述工藝中制造了上面板111。圖5是示出制造下面板113的工藝的視圖。為了制造下面板113，提供下玻璃500 并在下玻璃500的上部分上構(gòu)圖尋址電極510。尋址電極510用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)來選擇將 被顯示的像素。在構(gòu)圖尋址電極510之后，涂覆電介質(zhì)層520。電介質(zhì)層520用于通過保持尋址電 極510與匯流電極420之間的電絕緣而穩(wěn)定產(chǎn)生等離子體，并防止電極被等離子體侵蝕，如 上所述。分隔物530形成在電介質(zhì)層520的上部分上。分隔物530用于將熒光材料(后面 將描述)彼此分隔，從而區(qū)別R像素、G像素和B像素。在形成分隔物530之后，熒光材料540涂覆在分隔物530之間。在上述工藝中制造了下面板113。如果上面板11和下面板113被完全制成，通過例如上面板111和下面板113的組 裝、密封、氣體注入、老化和點(diǎn)亮測(cè)試(lighting test)工藝完成面板110，并且開始在面板 110的上面板111的上部分上涂覆功能材料114的工藝。此后，將參考圖6描述涂覆功能材 料114的工藝。圖6是示出涂覆功能材料114的工藝的流程圖。為了涂覆功能材料114，制備面板110 (S610)并對(duì)面板110的上面板111進(jìn)行表面 清潔(S620)。
如果完成了表面清潔(S620)，功能材料114涂覆在上面板111的被清潔的表面上 (S630)。更具體地，功能材料114直接涂覆在構(gòu)成上面板111的上玻璃400上。此后，清潔匯流電極420和尋址電極510將在其上被構(gòu)圖的端子(S640)。如果完成了端子清潔(S640)，確定功能材料114是否正確涂覆(S650)。如果功能 材料114的涂覆沒有異常(S650-Y)，進(jìn)行熱處理(S660)和點(diǎn)亮測(cè)試(S670)，從而完成功能 材料114的涂覆。圖7是示出涂覆有功能材料114的面板110的視圖。上述功能材料114(用于防 止表面反射的第一材料、用于色彩校正和色純度改善的第二材料和用于近紅外射線吸收的 第三材料)被混合并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)箱710中作為第一材料。功能材料114涂覆在上面板111 上，其方式為材料114通過噴射孔720噴射。通過以噴射方式涂覆功能材料114，可以解決貼附功能膜時(shí)產(chǎn)生氣泡的問題以及 相應(yīng)于每個(gè)功能的膜應(yīng)該分別涂覆/干燥/切割造成的工藝變復(fù)雜的問題。而且，可以防止在等離子體顯示裝置100的前表面上產(chǎn)生EMI，而不向面板110增 加額外的構(gòu)造或材料來屏蔽EMI?？梢酝ㄟ^使用襯墊130以及通過底架140的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn) 對(duì)前表面上的EMI的屏蔽。而且，通過在一個(gè)存儲(chǔ)箱710中存儲(chǔ)防止表面反射的第一材料、校正色彩和改善 色純度的第二材料以及吸收近紅外射線的第三材料，并一次涂覆這些材料，而不是單獨(dú)涂 覆這些材料，可以減少上面板111上的界面，隨著界面數(shù)量的減少，光透射的損失減少，從 而可以提高等離子體顯示裝置100的效率。當(dāng)然，每種功能材料可以單獨(dú)存儲(chǔ)在不同的存儲(chǔ)箱內(nèi)并涂覆在面板110上，而不 是被混合并作為一種材料存儲(chǔ)在單個(gè)存儲(chǔ)箱710內(nèi)。向回參考圖1，上面已經(jīng)描述了面板110的前表面涂覆了功能材料114，TSS 120貼 附到面板110的后表面。TSS 120用于防止由等離子體顯示裝置100中產(chǎn)生并僅被傳輸?shù)狡聊坏囊徊糠值?熱引起的圖像質(zhì)量的惡化。即，通過貼附TSS 120，等離子體顯示裝置100中產(chǎn)生的熱變得 穩(wěn)定并均勻傳輸?shù)秸麄€(gè)屏幕。而且，TSS 120通過將用于屏蔽EMI的襯墊130被耦接到底架140。這將參考圖8 和9詳細(xì)描述。圖8是提供來解釋TSS 120與底架140之間的耦接結(jié)構(gòu)的視圖。如圖8所示，TSS 120和底架140不是直接連接到彼此，而是通過襯墊130間接連接到彼此。襯墊130由具有粘性的材料制成從而耦接TSS 120和底架140。而且，襯墊130可 以由例如金屬織物的導(dǎo)電材料制成，以通過襯墊130將底架140中產(chǎn)生的電流傳輸?shù)絋SS 120。TSS 120和底架140不是直接連接或貼附到彼此，因?yàn)樗鼈兺ㄟ^襯墊130彼此耦 接。因此，在等離子體顯示裝置100的前表面上產(chǎn)生的EMI減少或者被更有效地屏蔽。這 將參考圖9描述。圖9是提供來解釋使用襯墊130屏蔽EMI的方法的視圖。TSS 120和底架140通 過襯墊130間接耦合到彼此。即，底架140通過襯墊130接地到TSS 120。由于襯墊130僅貼附到底架140表面的一部分而不是整個(gè)表面，來自底架140的電流被分為第一電流和在底架140中循環(huán)的第二電流，該第一電流通過貼附襯墊130的表 面的部分被引導(dǎo)到接地的TSS 120。通過貼附襯墊130的表面流到TSS 120的第一電流在TSS 120被接地，且在底架 140中循環(huán)的第二電流消減EMI。通過以襯墊130耦接TSS 120和底架140，而不是直接連接它們，在底架140中發(fā) 射的EMI可以被消減，從而與TSS 120和底架140彼此直接連接的情況相比，可以進(jìn)一步減 少EMI發(fā)射噪聲。在上述解釋中，底架140中產(chǎn)生的電流被傳輸?shù)絋SS 120。然而，底架140自身不 產(chǎn)生電流，電流是由貼附到底架140的后表面的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生并被傳輸?shù)降准?40的。艮口， 底架140可以被當(dāng)作地，以將驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的電流接地，且通過襯墊130耦接到底架140的 TSS 120可以被當(dāng)作地，以將驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的電流接地。此外，根據(jù)示范性實(shí)施例的等離子體顯示裝置100使用雙接地來實(shí)現(xiàn)消除EMI發(fā) 射噪聲的效果，且雙接地在表面的一部分彼此耦接而不是在整個(gè)表面彼此耦接，從而可以 更有效地消除EMI。而且，驅(qū)動(dòng)電路150連接到底架140的與貼附襯墊130的前表面相反的后表面。因 此，為了更有效地將驅(qū)動(dòng)電路150產(chǎn)生的電流接地，襯墊130可以相對(duì)于底架140位于與驅(qū) 動(dòng)電路150相應(yīng)的表面上。S卩，如果驅(qū)動(dòng)電路150連接到底架140的某部分，襯墊130可以 貼附到與底架140的連接有驅(qū)動(dòng)電路150的該某部分相反的部分。因此，驅(qū)動(dòng)電路150產(chǎn) 生的電流可以通過底架140被更有效地傳輸?shù)揭r墊130。雖然在本示范性實(shí)施例中，等離子體顯示裝置100使用包括底架140和TSS 120 的雙接地，但底架140本身可以使用雙接地。此后，將參考圖10到13描述底架140本身使 用雙接地的方法。圖10是示出根據(jù)示范性實(shí)施例的底架140的視圖。如上所述，襯墊130貼附到底架140的一個(gè)側(cè)表面，而驅(qū)動(dòng)電路150通過由導(dǎo)電材 料制成的螺釘1060連接到底架140的另一側(cè)表面。驅(qū)動(dòng)電路150包括X驅(qū)動(dòng)電路1010、Y驅(qū)動(dòng)電路1020、尋址驅(qū)動(dòng)電路1030、電源單 元1040和控制器1050。電源單元1040向X驅(qū)動(dòng)電路1010、Y驅(qū)動(dòng)電路1020、尋址驅(qū)動(dòng)電路1030和控制 器1050提供電力?？刂破?050分別傳輸X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)、Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)和尋址電極驅(qū)動(dòng) 控制信號(hào)到X驅(qū)動(dòng)電路1010、γ驅(qū)動(dòng)電路1020和尋址驅(qū)動(dòng)電路1030，從而X驅(qū)動(dòng)電路1010、 Y驅(qū)動(dòng)電路1020和尋址驅(qū)動(dòng)電路1030操作面板110。此后，將參考圖11描述X驅(qū)動(dòng)電路1010、Y驅(qū)動(dòng)電路1020和尋址驅(qū)動(dòng)電路1030
對(duì)等離子體顯示裝置100的操作。圖11是提供來解釋等離子體顯示裝置100的操作方法的視圖。X驅(qū)動(dòng)電路1010連接到上述匯流電極420的X電極以基于從控制器1050接收的 X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)操作面板110，且Y驅(qū)動(dòng)電路1020連接到匯流電極420的Y電極以基 于從控制器1050接收的Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)操作面板110。X驅(qū)動(dòng)電路1010接收來自控制器1050的X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)并向X電極提供驅(qū)動(dòng)電壓，且Y驅(qū)動(dòng)電路1020接收來自控制器1050的Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)并向Y電極提供 驅(qū)動(dòng)電壓。具體地，X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020交替地向X電極和Y電極輸入維 持電壓從而關(guān)于選擇的像素進(jìn)行維持放電。尋址驅(qū)動(dòng)電路1030向維持電極510提供數(shù)據(jù)信號(hào)以選擇待顯示的像素。匯流電 極(X電極和Y電極)420和尋址電極510布置為相互交叉(crisscross)的圖案，且X電極 和Y電極彼此面對(duì)，兩者中間有放電空間。形成在尋址電極420、X電極和Y電極之間的相 互交叉部分中的放電空間形成放電單元。面板110包括布置為矩陣圖案的多個(gè)像素。X電極、Y電極和尋址電極420布置在 每個(gè)像素上。因此，面板110以尋址與顯示分離(address displays印arate，ADS)的驅(qū)動(dòng) 方法操作，在該ADS驅(qū)動(dòng)方法中，電壓提供到每個(gè)電極從而像素發(fā)光。ADS驅(qū)動(dòng)方法指的是 面板110的每個(gè)子域(sub-field)用單獨(dú)的復(fù)位部分、尋址部分和維持放電部分驅(qū)動(dòng)的方法。復(fù)位部分用于除去壁電荷的先前條件并建立壁電荷以穩(wěn)定進(jìn)行下一尋址放電。尋 址部分選擇在面板中點(diǎn)亮的單元和未點(diǎn)亮的單元，并在點(diǎn)亮的單元(被尋址單元)上進(jìn)行 壁電荷的堆積。維持放電部分向X電極和Y電極交替提供維持電壓并進(jìn)行放電以在被尋址 單元上顯示實(shí)際圖像。如上所述，面板110利用提供到X電極的電壓與提供到Y(jié)電極的電壓之間的差引 起放電，并利用放電獲得的等離子體發(fā)光。向回參考圖10，底架140將安裝在其上的X驅(qū)動(dòng)電路1010、Y驅(qū)動(dòng)電路1020、尋址 驅(qū)動(dòng)電路1030、電源單元1040和控制器1050產(chǎn)生的電流接地。為此，底架140通過由導(dǎo)電材料制成的螺釘1060連接到X驅(qū)動(dòng)電路1010、Y驅(qū)動(dòng) 電路1020、尋址驅(qū)動(dòng)電路1030、電源單元1040和控制器1050，且底架140也由導(dǎo)電材料制成。底架140具有第一狹縫1070和第二狹縫1080從而其本身被用作雙接地。第一狹縫1070通過圍繞底架140的連接有X驅(qū)動(dòng)電路1010的部分切割而以長(zhǎng)凹 陷的形式形成。具體地，第一狹縫1070可以被分為兩個(gè)單獨(dú)的狹縫而不是一個(gè)連續(xù)的狹 縫，并形成為提供電通路從而允許電流在兩個(gè)狹縫之間流動(dòng)。因此，X驅(qū)動(dòng)電路1010產(chǎn)生的電流通過連接X驅(qū)動(dòng)電路1010和底架140的螺釘 1060被傳輸?shù)降准?40，并被第一次接地。具體地，電流通過螺釘1060被傳送到由第一狹 縫1070劃分的底架140的區(qū)域中的位于X驅(qū)動(dòng)電路1010下方的底架140的區(qū)域，并被接 地。已經(jīng)被傳輸至位于X驅(qū)動(dòng)電路1010下方的底架的區(qū)域處并在此被接地的電流通 過形成在第一狹縫1070的兩個(gè)分離的狹縫之間的通路被傳輸?shù)降准?40的設(shè)置有Y驅(qū)動(dòng) 電路1020、尋址驅(qū)動(dòng)電路1030、電源單元1040和控制器1050的其他區(qū)域并被第二次接地。X驅(qū)動(dòng)電路1010產(chǎn)生的電流在底架140的位于X驅(qū)動(dòng)電路1010下方的區(qū)域被第 一次接地，并在底架140的其他區(qū)域被第二次接地，從而可以消除EMI發(fā)射噪聲。而且，通 過以第一狹縫1070部分地連接雙接地，可以更有效地消除EMI發(fā)射噪聲。第二狹縫1080的功能與第一狹縫1070的功能相同。即，第二狹縫1080通過圍繞 底架140的連接Y驅(qū)動(dòng)電路1020的部分切割而以長(zhǎng)凹陷的形式形成，并可以被分為兩個(gè)分離的狹縫以提供允許電流在兩個(gè)狹縫之間流動(dòng)的通路。因此，Y驅(qū)動(dòng)電路1020產(chǎn)生的電流通過連接Y驅(qū)動(dòng)電路1020和底架140的螺釘 1060被傳輸?shù)降准?40，并被第一次接地。具體地，電流通過螺釘1060被傳輸?shù)奖坏诙M 縫1080劃分的區(qū)域中的底架140的位于Y驅(qū)動(dòng)電路1020下方的區(qū)域，并被接地。而且，傳輸至底架140的位于Y驅(qū)動(dòng)電路1020下方的區(qū)域處并在此被接地的電流 通過形成在第二狹縫1080的兩個(gè)分離狹縫之間的通道被傳輸?shù)降准?40的設(shè)置有X驅(qū)動(dòng) 電路1010、尋址驅(qū)動(dòng)電路1030、電源單元1040和控制器1050的其他區(qū)域，并被第二次接 地。如上所述，Y驅(qū)動(dòng)電路1020產(chǎn)生的電流在底架140的位于Y驅(qū)動(dòng)電路1020下方 區(qū)域處被第一次接地，并在底架140的其他區(qū)域處被第二次接地，從而可以消除EMI發(fā)射噪 聲。而且，通過以第二狹縫1080部分地連接雙接地，可以更有效地消除EMI發(fā)射噪聲。在上面解釋中，狹縫通過圍繞底架140的連接X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020 的部分切割以長(zhǎng)凹陷的形式形成。然而，這僅僅是為了解釋的方便而給出的示例，狹縫可以 圍繞X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020之一形成，或者可以形成在其他電路即尋址驅(qū)動(dòng) 電路1030、電源單元1040和控制器1050周圍。而且，在上面解釋中，第一狹縫1070和第二狹縫1080的每個(gè)具有兩個(gè)狹縫，從而 通過兩個(gè)狹縫形成一個(gè)電通路。電流通過單個(gè)電通路接地的方法被稱為單點(diǎn)接地法。然而， 形成一個(gè)電通路僅僅是為了描述的方法而給出的示例。因此，第一狹縫1070或第二狹縫1080可以具有兩個(gè)或更多個(gè)狹縫。例如，如果第 一狹縫1070由三個(gè)狹縫構(gòu)成，在第一接地和第二接地之間形成兩個(gè)用于傳輸電流的通路。在形成兩個(gè)電通路的情況下，應(yīng)該理解為在兩個(gè)位置使用了單點(diǎn)接地法，而不是 理解為沒有使用單點(diǎn)接地法。而且，圖10示出的第一狹縫1070和第二狹縫1080的每個(gè)的形狀僅僅是示例，且 第一狹縫1070和第二狹縫1080可以形成為具有不同于圖10所示的狹縫的形狀的其他形 狀，如圖12所示。圖12是示出根據(jù)另一示范性實(shí)施例的底架140的視圖。在圖12，為了解釋的方便 而省略了尋址驅(qū)動(dòng)電路1030、電源單元1040和控制器1050。如果如圖12所示兩個(gè)第一狹縫1070和兩個(gè)第二狹縫1080形成通路，電流可以通 過第一接地和第二接地之間的通路傳輸，從而可以更有效地消除EMI。在上面的解釋中，雖然狹縫提供在底架140上且電流在底架140處以單點(diǎn)接地法 接地(其中電流通過形成在兩個(gè)狹縫之間的一個(gè)通路傳輸)，但是示范性實(shí)施例可以應(yīng)用 于電流在底架140處以單獨(dú)接地法接地但不使用狹縫的情況。這將結(jié)合圖13解釋。圖13是示出根據(jù)再一示范性實(shí)施例的底架140的視圖。如圖13所示，X驅(qū)動(dòng)電 路1010通過單個(gè)螺釘1060而不是多個(gè)螺釘連接到底架140，而且X驅(qū)動(dòng)電路1010還通過 四個(gè)非導(dǎo)電連接元件1310連接到底架140。而且，Y驅(qū)動(dòng)電路1020通過單個(gè)螺釘1060而 不是多個(gè)螺釘連接到底架140，且Y驅(qū)動(dòng)電路1020還通過四個(gè)非導(dǎo)電連接元件1310連接到 底架140。在圖13中，以“〇”標(biāo)注的部分表示用于連接X驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020 與底架140的螺釘1060所處的位置，以“◎”標(biāo)注的部分表示用于連接X驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020與底架140的非導(dǎo)電連接元件1310所處的位置。這里，非導(dǎo)電連接元件1310不是提供來將X驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020產(chǎn) 生的電流傳輸?shù)降准?40的，而是僅用于克服當(dāng)X驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020與底 架140彼此僅通過單個(gè)螺釘1060連接時(shí)它們之間的弱連接。因此，X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū) 動(dòng)電路1020每個(gè)通過螺釘1060連接到底架140，該螺釘1060是單個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)。由于X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020如上所述以單點(diǎn)接地法接地到底架140， X驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020產(chǎn)生的電流僅在一點(diǎn)被傳輸?shù)降准?40并接地。因此， X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020的每個(gè)產(chǎn)生的電流的一部分被傳輸?shù)降准?40，剩余電 流在X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020中循環(huán)并消減EMI。當(dāng)然，使用四個(gè)非導(dǎo)電連接元件1310僅僅是為了解釋的方便給出的示例，可以使 用五個(gè)或更多或者三個(gè)或更少的非導(dǎo)電連接元件。而且，如果僅通過螺釘1060連接X驅(qū)動(dòng) 電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020與底架140沒有問題，可以不使用非導(dǎo)電連接元件1310。雖然在上面的實(shí)施例中，用于每個(gè)X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020的一個(gè)螺 釘1060用作導(dǎo)電連接元件，如果需要，可以使用兩個(gè)或更多個(gè)螺釘1060。然而，隨著螺釘 1060的數(shù)量增加，減少EMI的效果可能降低。在圖13中，X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020以單點(diǎn)接地接地到底架140。在 圖13中，使用單點(diǎn)接地而沒有使用雙接地。然而，示范性實(shí)施例可以應(yīng)用于單點(diǎn)接地和雙 接地均使用的情況。此后，將參考圖14至16解釋雙接地法中使用單點(diǎn)接地的方法。在圖14至16的實(shí)施例中，可以使用所需數(shù)量的非導(dǎo)電連接元件1310。然而，為了 簡(jiǎn)化的方便，省略對(duì)非導(dǎo)電連接元件1310的圖示和描述。圖14是示出根據(jù)再一示范性實(shí)施例的底架140的視圖。如圖14所示，X驅(qū)動(dòng)電 路1010通過多個(gè)螺釘1060連接到導(dǎo)電板1410，且導(dǎo)電板1410通過單個(gè)螺釘1430連接到 底架140。而且，Y驅(qū)動(dòng)電路1020通過多個(gè)螺釘1060連接到導(dǎo)電板1420，且導(dǎo)電板1420通 過單個(gè)螺釘1430連接到底架140。在圖14中，以“〇”標(biāo)注的部分表示用于連接X驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020 與導(dǎo)電板1410、1420的螺釘1060所處的位置，以“·”標(biāo)注的部分表示用于連接導(dǎo)電板 1410、1420與底架140的螺釘1430所處的位置。圖15是示出圖14的底架140的透視圖，以解釋螺釘1060、1430如何設(shè)置。如圖 15所示，由于X驅(qū)動(dòng)電路1010通過多個(gè)螺釘1060連接到導(dǎo)電板1410，X驅(qū)動(dòng)電路1010產(chǎn) 生的電流通過多個(gè)螺釘1060傳輸?shù)綄?dǎo)電板1410并在第一導(dǎo)電板1410處被第一次接地。而 且，由于導(dǎo)電板1410通過單個(gè)螺釘1430連接到底架140，導(dǎo)電板1410處產(chǎn)生的電流通過單 個(gè)螺釘1430傳輸?shù)降准?40并在底架140處被第二次接地。類似地，由于Y驅(qū)動(dòng)電路1020通過多個(gè)螺釘1060連接到導(dǎo)電板1420，Y驅(qū)動(dòng)電 路1020產(chǎn)生的電流通過多個(gè)螺釘1060傳輸?shù)綄?dǎo)電板1420，并在導(dǎo)電板1420處被第一次接 地。而且，由于導(dǎo)電板1420通過單個(gè)螺釘1430連接到底架140，在導(dǎo)電板1420處產(chǎn)生的電 流通過單個(gè)螺釘1430傳輸?shù)降准?40并在底架140處被第二次接地。由于X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020以單點(diǎn)接地法被接地到底架140，X驅(qū)動(dòng) 電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020的每個(gè)產(chǎn)生的電流在一個(gè)點(diǎn)被傳輸?shù)降准?40并在底架140 處被最終接地，因此，第一次傳輸?shù)綄?dǎo)電板1410、1420的電流在導(dǎo)電板1410、1420中循環(huán)，從而消減EMI。雖然在上述實(shí)施例中，連接到X驅(qū)動(dòng)電路1010的導(dǎo)電板1410和連接到Y(jié)驅(qū)動(dòng)電 路1020的導(dǎo)電板1420單獨(dú)設(shè)置，但這僅僅是示例。示范性實(shí)施例可以應(yīng)用于提供單個(gè)導(dǎo) 電板1610的情況，如圖16所示。圖16是示出根據(jù)再一示范性實(shí)施例的底架140的視圖。如圖16所示，X驅(qū)動(dòng)電路 1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020通過多個(gè)螺釘1060連接到單個(gè)導(dǎo)電板1610。即，X驅(qū)動(dòng)電路1010 和Y驅(qū)動(dòng)電路1020布置在單個(gè)導(dǎo)電板1610上。導(dǎo)電板1610通過單個(gè)螺釘1620連接到底架140。因此，X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020產(chǎn)生的電流傳輸?shù)絾蝹€(gè)導(dǎo)電板1610，且 傳輸?shù)綄?dǎo)電板1610的電流在底架140處以單點(diǎn)接地法接地。因此，X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū) 動(dòng)電路1020產(chǎn)生的電流在一點(diǎn)傳輸?shù)降准?40并在底架140處最后接地，因此，首先傳輸 到導(dǎo)電板1610的電流在導(dǎo)電板1610中循環(huán)從而消減EMI。當(dāng)然，如果需要，可以改變螺釘1060、1620的數(shù)量。在根據(jù)圖10、12、14和15的實(shí)施例的底架140的結(jié)構(gòu)中，由于X驅(qū)動(dòng)電路1010和 Y驅(qū)動(dòng)電路1020在不同的單點(diǎn)處接地到底架140，在X驅(qū)動(dòng)電路1010的地電位電平與Y驅(qū) 動(dòng)電路1020的地電位電平之間可能存在差異。如果在地電位電平之間存在差異，等離子體顯示裝置100可能由于不考慮不同的 地電位電平地傳輸控制信號(hào)的控制器1050而產(chǎn)生故障。圖17是示出向底架140額外提供隔離集成電路(IC)以解決上述問題的視圖。在 圖17中，I耦合器(I-coupler) 1710和1720用作隔離IC的示例。I耦合器1710和1720是數(shù)字隔離元件并進(jìn)行DC-DC轉(zhuǎn)換。因此，I耦合器1710連接在X驅(qū)動(dòng)電路1010與控制器1050之間，且I耦合器1720 連接在Y驅(qū)動(dòng)電路1020與控制器1050之間，從而可以無故障地操作等離子體顯示裝置，即 使在X驅(qū)動(dòng)電路1010的接地電位與Y驅(qū)動(dòng)電路1020的接地電位之間存在差異。S卩，I耦合器1710和1720將控制器1050產(chǎn)生的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為基于X驅(qū)動(dòng)電 路1010的接地電位的控制信號(hào)，并將控制器1050產(chǎn)生的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為基于Y驅(qū)動(dòng)電路 1020的接地電位的控制信號(hào)，使得X驅(qū)動(dòng)電路1010和Y驅(qū)動(dòng)電路1020由根據(jù)X驅(qū)動(dòng)電路 1010的接地電位和Y驅(qū)動(dòng)電路1020的接地電位的控制信號(hào)控制。在上述描述中，雖然描述了使用I耦合器1710和1720校正接地電位電平之間的 差異的方法，這僅僅是示例。示范性實(shí)施例可以應(yīng)用于使用I耦合器1710和1720以外的 元件校正接地電位電平、或者改變底架140的形狀而不使用額外的元件的情況。這種情況的示例如下面所述。在如圖10和12所示狹縫形成在底架140上的情況，通過調(diào)節(jié)狹縫的厚度或者狹 縫之間的間隙來校正接地電位電平。例如，通過擴(kuò)大圖10所示的狹縫之間的間隙，允許電 流從底架140的設(shè)置X驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020的區(qū)域流到其他區(qū)域的通路被擴(kuò)大。因此，X驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020產(chǎn)生的電流可以更平穩(wěn)地流到底架140 的未設(shè)置有X驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020的其他區(qū)域，且因此底架140的設(shè)置有X 驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020的區(qū)域與底架140的其他區(qū)域之間的接地電平的差異可以減小。接著，在如圖14和15所示使用單個(gè)螺釘進(jìn)行單點(diǎn)接地的底架140的情況，通過 調(diào)整螺釘?shù)臄?shù)量校正接地電位電平。例如，如果連接導(dǎo)電板1410、1420與底架140的螺釘 (“ ”)的數(shù)量增加，允許電流從導(dǎo)電板1410和1420流到底架140的通路的數(shù)量增加。因此，X驅(qū)動(dòng)電路1010或Y驅(qū)動(dòng)電路1020產(chǎn)生的電流通過導(dǎo)電板1410和1420更 平穩(wěn)地流到底架140，從而可以減小設(shè)置X驅(qū)動(dòng)電路1010的導(dǎo)電板1410與設(shè)置Y驅(qū)動(dòng)電路 1020的導(dǎo)電板1420之間的電平差異。如上所述，可以通過改變底架140的形狀校正接地電位電平。在上述解釋中，可以通過使用襯墊130耦接TSS 120和底架140、在底架140上形 成狹縫或改變底架140與驅(qū)動(dòng)電路150之間的連接條件來減少?gòu)牡入x子體顯示裝置100的 前表面發(fā)射的EMI。而且，為了減少?gòu)牡入x子體顯示裝置100的前表面發(fā)射的EMI，僅涂覆防止表面反 射的第一材料、校正色彩并改善色純度的第二材料和吸收近紅外射線的第三材料，而不在 上面板111的上部分上提供額外的構(gòu)造或材料來屏蔽EMI。向回參考圖1，將描述減少?gòu)牡入x子體顯示裝置100的后表面發(fā)射的EMI的后蓋 160。如上所述，通過使用襯墊130耦接TSS 120和底架140、在底架140上形成狹縫或 改變底架140與驅(qū)動(dòng)電路150之間的連接條件減少了從等離子體顯示裝置100的前表面發(fā) 射的EMI。后蓋160不覆蓋面板110的前表面、面板110的后表面和底架140的前表面。而 是，后蓋160直接連接到底架140的后表面以覆蓋等離子體顯示裝置100的后表面，并通過 連接后蓋160到底架140來屏蔽EMI和防止對(duì)驅(qū)動(dòng)電路150的破壞。為此，后蓋160由導(dǎo) 電材料制成。如上所述，根據(jù)各個(gè)示范性實(shí)施例，僅使用底架140的結(jié)構(gòu)可以有效地減少當(dāng)PDP 被驅(qū)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的EMI發(fā)射，而不在等離子體顯示裝置100的前表面上提供額外的濾波器 (filter)。而且，可以僅使用底架140與驅(qū)動(dòng)電路150之間的連接結(jié)構(gòu)有效地減少當(dāng)PDP被 驅(qū)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的EMI發(fā)射，而不提供額外的濾波器。上述示范性實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅是示范性的且不應(yīng)理解為限制性的。本發(fā)明的教導(dǎo)可 以容易地應(yīng)用于其他類型的裝置。而且，示范性實(shí)施例的描述旨在示意性，不是用來限制本 發(fā)明的范圍。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的各種替換、改進(jìn)和變化都應(yīng)落入本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示裝置，包括面板；驅(qū)動(dòng)所述面板的驅(qū)動(dòng)電路；和底架，所述底架通過至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件與所述驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)電，并且通過至少一個(gè) 非導(dǎo)電連接元件在所述底架上安裝所述驅(qū)動(dòng)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述導(dǎo)電連接元件將所述驅(qū)動(dòng)電路 安裝在所述底架上并在所述驅(qū)動(dòng)電路和所述底架之間導(dǎo)電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述底架通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電連 接元件與所述驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)電，且所述驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的電流的一部分通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電 連接元件傳輸?shù)剿龅准?，并且所述?qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的剩余電流在所述驅(qū)動(dòng)電路中循環(huán)，從 而消減由所述面板產(chǎn)生的電磁干擾。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電路與所述底架 之間并連接到所述驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)電板，其中所述底架通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件連接到所述導(dǎo)電板，以與所述驅(qū)動(dòng)電路 導(dǎo)電，并且所述底架通過所述至少一個(gè)非導(dǎo)電連接元件連接到所述導(dǎo)電板以在所述底架上 安裝所述驅(qū)動(dòng)電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示裝置，其中由所述驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的電流被傳輸 到所述導(dǎo)電板，并且被傳輸?shù)剿鰧?dǎo)電板的電流的一部分通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件 被傳輸?shù)剿龅准?，且傳輸?shù)剿鰧?dǎo)電板的剩余電流在所述導(dǎo)電板中循環(huán)，從而消減由所 述面板產(chǎn)生的電磁干擾。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)電路包括X電極驅(qū)動(dòng)電路 和Y電極驅(qū)動(dòng)電路，并且所述底架通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件與所述X電極驅(qū)動(dòng)電路 和所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)電。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示裝置，還包括第一導(dǎo)電板，所述第一導(dǎo)電板設(shè) 置在所述X電極驅(qū)動(dòng)電路與所述底架之間并連接到所述χ電極驅(qū)動(dòng)電路；及第二導(dǎo)電板，所 述第二導(dǎo)電板設(shè)置在所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路與所述底架之間并連接到所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路，其中所述底架通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件連接到所述第一導(dǎo)電板，以與所述X電 極驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)電，所述底架通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件連接到所述第二導(dǎo)電板，以與 所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)電，并且所述底架通過所述至少一個(gè)非導(dǎo)電連接元件連接到所述第 一導(dǎo)電板和所述第二導(dǎo)電板，以在所述底架上安裝所述X電極驅(qū)動(dòng)電路和所述Y電極驅(qū)動(dòng) 電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)電路包括X電極驅(qū)動(dòng)電路 和Y電極驅(qū)動(dòng)電路，其中所述等離子體顯示裝置還包括導(dǎo)電板，所述導(dǎo)電板設(shè)置在所述X電極驅(qū)動(dòng)電路和 所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路與所述底架之間，并連接到所述X電極驅(qū)動(dòng)電路和所述Y電極驅(qū)動(dòng)電 路，其中所述底架通過所述至少一個(gè)導(dǎo)電連接元件連接到所述導(dǎo)電板，以與所述X電極驅(qū) 動(dòng)電路和所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)電，并且所述底架通過所述至少一個(gè)非導(dǎo)電連接元件連接 到所述導(dǎo)電板，以在所述底架上安裝所述X電極驅(qū)動(dòng)電路和所述Y電極驅(qū)動(dòng)電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括 控制器，控制所述驅(qū)動(dòng)電路；和隔離耦合器，電隔離所述控制器與所述驅(qū)動(dòng)電路之間的接地電平。
10.一種等離子體顯示裝置，包括 面板；驅(qū)動(dòng)所述面板的驅(qū)動(dòng)電路；和 底架，通過一個(gè)或兩個(gè)點(diǎn)與所述驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)電。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種減少電磁干擾發(fā)射的等離子體顯示裝置，具有在底架與驅(qū)動(dòng)電路之間的連接結(jié)構(gòu)以減少電磁干擾發(fā)射。等離子體顯示裝置包括面板、驅(qū)動(dòng)電路和底架，底架通過導(dǎo)電連接元件和非導(dǎo)電連接元件連接到驅(qū)動(dòng)電路。
文檔編號(hào)G09F9/313GK101996568SQ20101024931
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月10日
發(fā)明者孫永基, 鄭宰旭, 金弘鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社