專(zhuān)利名稱(chēng)：Ddc接口隔離保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種視頻信號(hào)接口電路，尤其涉及一種DDC接口隔離保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
DDC接口是現(xiàn)今主流視頻接口，比如DVI、VGA等接口必須包含的一個(gè)子接口。也就是說(shuō)，前述視頻接口，除了包含一個(gè)傳輸視頻信號(hào)的主通道以外，還需要包含一個(gè)子通道， 用來(lái)傳輸DDC信號(hào)，它們被封裝在同一根線纜、同一個(gè)插頭中。通過(guò)DDC接口，信號(hào)源，比如顯卡，可以和信號(hào)接收設(shè)備，比如顯示器，做雙向的數(shù)據(jù)交互，通過(guò)這種交互，信號(hào)源可以獲知接收設(shè)備的詳細(xì)配置信息，從而輸出適合接收設(shè)備顯示需求的視頻信號(hào)。對(duì)于現(xiàn)有視頻信號(hào)接收設(shè)備來(lái)說(shuō)，DDC接口的一般使用方法是在每個(gè)輸入接口的DDC接口上，連接一個(gè)基于8位I2C總線的串行非易失性可擦寫(xiě)存儲(chǔ)體，比如MC02。在這個(gè)存儲(chǔ)體中，按照VESA國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的格式，存儲(chǔ)了接收設(shè)備的詳細(xì)信息，主要包括能接收的視頻信號(hào)格式、顯示器型號(hào)等信息，這種格式化的信息被稱(chēng)之為E-EDID信息?？梢钥闯?，現(xiàn)今廣泛使用的，基于簡(jiǎn)單連接的DDC實(shí)現(xiàn)，有諸多問(wèn)題由于DDC接口上只是簡(jiǎn)單的連接了一個(gè)存儲(chǔ)體，E-EDID信息只能在視頻接收設(shè)備出廠時(shí)，由外部設(shè)備寫(xiě)入，接收設(shè)備無(wú)法自己更新其內(nèi)容，無(wú)法升級(jí)。24C02這種基于E2技術(shù)的串行非易失性可擦寫(xiě)存儲(chǔ)體，在外界干擾下很容易丟失數(shù)據(jù)，基于前述原因，接收設(shè)備無(wú)法恢復(fù)E-EDID信息， 一旦丟失，只能返廠維修，維修成本太高。視頻接口連線直接連接到存儲(chǔ)體，外界干擾，以及視頻源于視頻接收設(shè)備的信號(hào)壓差，都有可能對(duì)存儲(chǔ)體造成沖擊，導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種DDC接口隔離保護(hù)電路，從而在原有功能的基礎(chǔ)上，增加視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心對(duì)E-EDID信息存儲(chǔ)體的訪問(wèn)功能，同時(shí)增加了保護(hù)電路，確保各部分電路之間，在電氣特性上不會(huì)有沖突，數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作上也不會(huì)有沖突， 防止丟失數(shù)據(jù)，便于維修。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型有如下技術(shù)方案本實(shí)用新型的一種DDC接口隔離保護(hù)電路，在視頻信號(hào)輸入接口上的DDC接口與視頻信號(hào)接收設(shè)備E-EDID信息存儲(chǔ)體的I2C接口之間的每條信號(hào)線上，連接有雙向隔離器，該雙向隔離器連接有上拉電阻，所述視頻信號(hào)接收設(shè)備E-EDID信息存儲(chǔ)體連接有上拉電阻；在視頻信號(hào)接收設(shè)備E-EDID信息存儲(chǔ)體的I2C接口與視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心的I2C接口之間的每條信號(hào)線上，連接有雙向隔離器，所述視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心連接有下拉電阻和場(chǎng)效應(yīng)管；上述雙向隔離器都受視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心的控制，其中，視頻信號(hào)輸入接口所連接的信號(hào)源和視頻信號(hào)接收設(shè)備的本地控制核心，都能夠作為主動(dòng)設(shè)備，去訪問(wèn)視頻信號(hào)接收設(shè)備的E-EDID信息存儲(chǔ)體。其中，所述雙向隔離器由兩個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管反向連接構(gòu)成；兩個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接在一起。[0009]其中，所述視頻信號(hào)輸入接口所連接的信號(hào)源，與視頻信號(hào)接收設(shè)備的本地控制核心這兩個(gè)主動(dòng)設(shè)備，在同一時(shí)間，只能有一個(gè)訪問(wèn)到E-EDID信息存儲(chǔ)體；訪問(wèn)權(quán)的切換由視頻信號(hào)接收設(shè)備的本地控制核心來(lái)控制。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于本實(shí)用新型在原有功能的基礎(chǔ)上，增加視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心對(duì)E-EDID 信息存儲(chǔ)體的訪問(wèn)功能，同時(shí)增加了保護(hù)電路，確保各部分電路之間，在電氣特性上不會(huì)有沖突，數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作上也不會(huì)有沖突，防止丟失數(shù)據(jù)，便于維修。

圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。圖中1.PC機(jī)，2.顯卡，3.視頻信號(hào)線，4.顯示器，5.視頻輸入接口，6.板載控制核心，Ul. E-EDID信息存儲(chǔ)體，R1、R2、R3.上拉電阻，R4.下拉電阻，Ql、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、 Q7、Q8、Q9. NMOS 場(chǎng)效應(yīng)管。
具體實(shí)施方式
以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。參見(jiàn)圖1，一般情況下，視頻傳輸都有一個(gè)視頻源，一個(gè)接收器，本實(shí)用新型的一種 DDC接口隔離保護(hù)電路中，我們以標(biāo)準(zhǔn)PC機(jī)1中的顯卡2作為視頻信號(hào)源，顯示器4作為信號(hào)接收器來(lái)說(shuō)明本隔離電路的功能，和運(yùn)作方式。視頻輸入接口 5上的DDC接口，包含信號(hào)線DDC_SCL和DDC_SDA，分別通過(guò)一個(gè)雙向隔離器與E-EDID信息存儲(chǔ)體Ul的I2C接口，包括管腳SCL、SDA連接。信號(hào)線DDC_SCL 與SCL之間的隔離器由NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Ql、Q2反向連接構(gòu)成，信號(hào)線DDC_SDA與SDA之間的隔離器由NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5、Q6構(gòu)成。4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Ql、Q2、Q5、Q6的柵極連接在一起，由上拉電阻R3拉高到+5V，使這4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Ql、Q2、Q5、Q6默認(rèn)為開(kāi)啟，也就是說(shuō)，常態(tài)下，信號(hào)線DDC_SCL與SCL，以及信號(hào)線DDC_SDA與SDA之間是連通的。E-EDID信息存儲(chǔ)體(Ul)的管腳SCL、SDA由上拉電阻R1、R2拉高到+5V，讓E-EDID 信息存儲(chǔ)體Ul的I2C接口信號(hào)在常態(tài)下保持高電平，也就是空閑電平。在隔離器開(kāi)/關(guān)的短暫過(guò)程中，這兩個(gè)上拉電阻，能確保E-EDID信息存儲(chǔ)體Ul上不會(huì)出現(xiàn)異常狀態(tài)。E-EDID信息存儲(chǔ)體Ul的管腳SCL、SDA，分別通過(guò)一個(gè)雙向隔離器與板載控制核心 6 (視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心)的I2C接口，包含信號(hào)線MCU_SCL和MCU_SDA連接在一起。其中，管腳SCL與MCU_SCL之間的隔離器由NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4反向連接構(gòu)成，管腳SDA與MCU_SDA之間的隔離器由NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q7、Q8構(gòu)成。4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、 Q7、Q8的柵極連接在一起，由下拉電阻R4下拉到地電平，使這4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、 Q7、Q8默認(rèn)為關(guān)閉，也就是說(shuō)，常態(tài)下，管腳SCL與MCU_SCL，以及管腳SDA與MCU_SDA之間是斷開(kāi)的。板載控制核心6的信號(hào)線DDC_CTRL連接到4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、Q7、Q8的柵極。常態(tài)下，信號(hào)線DDC_CTRL不輸出電壓，或輸出低電壓，使4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、 Q7、Q8保持關(guān)閉。信號(hào)線DDC_CTRL同時(shí)連接NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q9的柵極，NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q9 的源極接地，漏極接4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Ql、Q2、Q5、Q6的柵極。常態(tài)下，由于信號(hào)線DDC_CTRL不輸出電壓，或輸出低電壓，NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q9保持關(guān)閉狀態(tài)，對(duì)4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管 Q1、Q2、Q5、Q6的柵極電壓無(wú)影響。當(dāng)板載控制核心6需要訪問(wèn)E-EDID信息存儲(chǔ)體Ul的時(shí)候，要先將信號(hào)線DDC_ CTRL拉高，這樣就可以使4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、Q7、Q8開(kāi)啟，分別連通管腳SCL與MCU_ SCL,以及SDA與MCU_SDA。同時(shí)，NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q9導(dǎo)通，將4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2、Q5、 Q6的柵極拉低到地電平，使這4個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Ql、Q2、Q5、Q6關(guān)閉，斷開(kāi)信號(hào)線DDC_SCL 與SCL，以及DDC_SDA與SDA。板載控制核心6對(duì)E-EDID信息存儲(chǔ)體Ul的訪問(wèn)結(jié)束后，板載控制核心6要拉低信號(hào)線DDC_CTRL，使連通狀態(tài)恢復(fù)常態(tài)。如上所述，便可較為充分的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。以上所述僅為本實(shí)用新型的較為合理的實(shí)施實(shí)例，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍包括但并不局限于此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員任何基于本實(shí)用新型技術(shù)方案上非實(shí)質(zhì)性變性變更均包括在本實(shí)用新型包括范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種DDC接口隔離保護(hù)電路，其特征在于在視頻信號(hào)輸入接口上的DDC接口與視頻信號(hào)接收設(shè)備E-EDID信息存儲(chǔ)體的I2C接口之間的每條信號(hào)線上，連接有雙向隔離器， 該雙向隔離器連接有上拉電阻，所述視頻信號(hào)接收設(shè)備E-EDID信息存儲(chǔ)體連接有上拉電阻；在視頻信號(hào)接收設(shè)備E-EDID信息存儲(chǔ)體的I2C接口與視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心的I2C接口之間的每條信號(hào)線上，連接有雙向隔離器，所述視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心連接有下拉電阻和場(chǎng)效應(yīng)管；上述雙向隔離器都受視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心的控制，其中，視頻信號(hào)輸入接口所連接的信號(hào)源和視頻信號(hào)接收設(shè)備的本地控制核心，都能夠作為主動(dòng)設(shè)備，去訪問(wèn)視頻信號(hào)接收設(shè)備的E-EDID信息存儲(chǔ)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DDC接口隔離保護(hù)電路，其特征在于所述雙向隔離器由兩個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管反向連接構(gòu)成；兩個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DDC接口隔離保護(hù)電路，其特征在于所述視頻信號(hào)輸入接口所連接的信號(hào)源，與視頻信號(hào)接收設(shè)備的本地控制核心這兩個(gè)主動(dòng)設(shè)備，在同一時(shí)間，只能有一個(gè)訪問(wèn)到E-EDID信息存儲(chǔ)體；訪問(wèn)權(quán)的切換由視頻信號(hào)接收設(shè)備的本地控制核心來(lái)控制。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種視頻信號(hào)接口電路，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種DDC接口隔離保護(hù)電路，在視頻信號(hào)輸入接口上的DDC接口與視頻信號(hào)接收設(shè)備E-EDID信息存儲(chǔ)體的I2C接口之間的每條信號(hào)線上，連接有雙向隔離器，該雙向隔離器連接有上拉電阻，所述視頻信號(hào)接收設(shè)備E-EDID信息存儲(chǔ)體連接有上拉電阻；在視頻信號(hào)接收設(shè)備E-EDID信息存儲(chǔ)體的I2C接口與視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心的I2C接口之間的每條信號(hào)線上，連接有雙向隔離器，所述視頻信號(hào)接收設(shè)備本地控制核心連接有下拉電阻和場(chǎng)效應(yīng)管。本實(shí)用新型增加了保護(hù)電路，確保各部分電路之間，在電氣特性上、數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作上不會(huì)有沖突，防止丟失數(shù)據(jù)，便于維修。
文檔編號(hào)G09G5/00GK202075971SQ20112011370
公開(kāi)日2011年12月14日 申請(qǐng)日期2011年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月18日
發(fā)明者陸遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:北京彩訊科技股份有限公司