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      一種像素驅(qū)動電路的制作方法

      文檔序號:2597297閱讀:246來源:國知局
      專利名稱:一種像素驅(qū)動電路的制作方法
      技術(shù)領域
      本實用新型屬于平面顯示技術(shù)領域,具體涉及ー種像素驅(qū)動電路的設計。
      背景技術(shù)
      有源矩陣有機發(fā)光二極體面板(ActiveMatrix/Organic Light Emitting Diode,AMOLED)是有源矩陣有機發(fā)光二極體面板。相比傳統(tǒng)的液晶面板,AMOLED具有反應速度較快、對比度更高、視角較廣等特點。傳統(tǒng)的電壓編程型AMOLED像素驅(qū)動電路包含兩個薄膜晶體管和一個存儲電容,其中一個開關TFT,一個驅(qū)動TFT。當掃描線開啟時,外部電路送入電壓信號經(jīng)由開關TFT存儲在存儲電容中,此電壓信號控制驅(qū)動TFT導通電流大小,也就決定了 OLED的灰階;當掃描 線關閉時,存儲于存儲電容中的電壓仍能保持驅(qū)動TFT在導通狀態(tài),故能在ー個畫面時間內(nèi)維持OLED的固定電流。這里,OLED的亮度與流經(jīng)其的電流I成比例關系,I=K(Vgs-Vth)2,其中,Vgs為柵源電壓,Vth為閾值電壓,K為系數(shù)項,可以看出,Vth的變化會引起電流I的變化,最終體現(xiàn)為OLED亮度的變化。另外,在發(fā)光時,OLED和驅(qū)動管接在同一回路中,OLED兩端的電壓Voled的變化就引起驅(qū)動管Vgs的變化,由上式可知,Vgs的變化也會引起電流I的變化,最終也體現(xiàn)為OLED亮度的變化。但是,由于エ藝和老化的原因,Vth和Voled的變化是不可避免的,具體為閾值電壓Vth的漂移,OLED兩端的電壓Voled的上升,從而造成AMOLED屏顯示品質(zhì)的下降?,F(xiàn)有的大多數(shù)像素驅(qū)動電路的補償都只是針對閾值電壓Vth漂移的補償,很少涉及到同時對 Voled 的上升的補償。在文獻Joon-Chul Goh ;Jin Jang ;Kyu-Sik Cho ;Choong-KiKim. ANew a_Si:H Thin-Film Transistor Pixel Circuit for Active-Matrix OrganicLight-Emitting Diodes, IEEE Electron Device Letters,2003,24 (9) : 583-585,提出了一種AMOLED像素驅(qū)動電路,同樣的,這種像素驅(qū)動電路也只能補償Vth漂移。

      實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提出了一種像素驅(qū)動電路。本實用新型的技術(shù)方案是ー種像素驅(qū)動電路,包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、存儲電容和發(fā)光器件,其中,第一晶體管的源極、第三晶體管的源極和第六晶體管的漏極連接在一起,并通過發(fā)光器件與電源線相連;第一晶體管的柵極與存儲電容的一端相連,存儲電容的另一端與第五晶體管的漏極相連,第五晶體管的源極接數(shù)據(jù)線,第五晶體管的柵極接第一控制掃描線;第四晶體管的漏極與第一晶體管的柵極相連,第四晶體管的源極與第一晶體管的漏極、第二晶體管的源極相連,第四晶體管的柵極接第一控制掃描線;第二晶體管的柵極接第二控制掃描線,第二晶體管的漏極接負電源;第三晶體管的柵極接第二控制掃描線,第三晶體管的漏極與第五晶體管的漏極相連;第六晶體管的源極接電源線,第六晶體管的柵極接外部的控制信號。本實用新型的有益效果本實用新型的像素驅(qū)動電路借助六個晶體管并且通過存儲電容的存儲作用,可以同時對閾值電壓Vth漂移和發(fā)光器件兩端的電壓Voled的上升進行補償,進而可以提高發(fā)光器件的顯示品質(zhì)。說明書附圖
      圖I為本實用新型的像素驅(qū)動電路的電路示意圖。圖2為本實用新型的像素驅(qū)動電路的波形示意圖。
      具體實施方式
      以下結(jié)合附圖和具體的實施方式對本實用新型作進ー步的闡述。本實用新型的像素驅(qū)動電路如圖I所示,包括第一晶體管TD、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6、存儲電容CC和發(fā)光器件,其中,第一晶體管TD的源極、第三晶體管T3的源極和第六晶體管T6的漏極連接在一起,并通過發(fā)光器件與電源線Vdd相連;第一晶體管TD的柵極與存儲電容CC的一端A相連,存儲電容的另一端B與第五晶體管T5的漏極相連,第五晶體管T5的源極接數(shù)據(jù)線Vdata,第五晶體管T5的柵極接第一控制掃描線SI ;第四晶體管T4的漏極與第一晶體管TD的柵極相連,第四晶體管T4的源極與第一晶體管Tl的漏極、第二晶體管T2的源極相連,第四晶體管T4的柵極接第一控制掃描線SI ;第二晶體管T2的柵極接第二控制掃描線S2,第二晶體管T2的漏極接負電源Vss ;第三晶體管T3的柵極接第二控制掃描線S2,第三晶體管T3的漏極與第五晶體管T5的漏極相連;第六晶體管T6的源極接電源線,第六晶體管的柵極T6接外部的控制信號Cl。具體的,這里的發(fā)光器件有機發(fā)光二極管;晶體管為多晶硅薄膜晶體管。外部的控制信號Cl,在充電階段使用,可以避免發(fā)光器件閃爍。本實用新型的像素驅(qū)動電路分為四階段電路動作來實現(xiàn)對Vth和Voled的補償,具體波形示意圖如圖2所示I階段A點電壓為負壓Vss,其值小于Vth,B點電壓為Vdata。2階段Vdd對A點輸入電壓,使得VAC=Vth,B點電壓為Vdata。3階段關閉所有的開關管,Vdata在此過程中跳變。4階段B點的電壓跳變量為Vc-Vdata, A點的電壓跳變量同樣為Vc_Vdata。此時A 點電壓為 Vdd+Vth+VC-Vdata。因I=K (Vgs-Vth)2, Vgs-Vth=Vdd_Vdata。在 Vgs-Vth 的過程中消去了 Vth 和 Vc,而Vdd-Vc=VolecL由上可得,在四階段過程中消除了 Vth和Voled的變異。具體說明如下在2階段,T4導通,A點通過T4充電到Vc+Vth,存儲電容CC的A端記錄了 TD的閾值電壓vth,即VA-Vc=Vth,在4階段中Vth相消去,在每幀圖像都會重復此動作,即消除了Vth的變異。在使用過程中Voled都會慢慢上升,從而導致TD的Vgs的變化,通過T3在4階段來記錄ル,存儲電容CC的B端記錄此時的Vc,此時的存儲電容CC的B端的電壓跳變?yōu)閂c-Vdata,根據(jù)電容的特性,同時存儲電容CC的A端會發(fā)生相應的跳變Vc-Vdata,即實現(xiàn)把此時的Vc轉(zhuǎn)移到存儲電容CC的A端,而A端連接在TD的柵極,Vgs=Vg-Vs=VA-V。,從而消去了^,即消去了 Voled的變異。[0022]綜上可以看出,本實用新型的像素驅(qū)動電路可以同時對閾值電壓Vth漂移和發(fā)光器件兩端的電壓Voled的上升進行補償,進而可以提高發(fā)光器件的顯示品質(zhì)。本領域的普通技術(shù)人員將會意識到,這里所述的實施例是為了幫助讀者理解本實 用新型的原理,應被理解為本實用新型的保護范圍并不局限于這樣的特別陳述和實施例。本領域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本實用新型公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本實用新型實質(zhì)的其它各種具體變形和組合,這些變形和組合仍然在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
      權(quán)利要求1.一種像素驅(qū)動電路,其特征在于,包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、存儲電容和發(fā)光器件,其中,第一晶體管的源極、第三晶體管的源極和第六晶體管的漏極連接在一起,并通過發(fā)光器件與電源線相連;第一晶體管的柵極與存儲電容的一端相連,存儲電容的另一端與第五晶體管的漏極相連,第五晶體管的源極接數(shù)據(jù)線,第五晶體管的柵極接第一控制掃描線;第四晶體管的漏極與第一晶體管的柵極相連,第四晶體管的源極與第一晶體管的漏極、第二晶體管的源極相連,第四晶體管的柵極接第一控制掃描線;第二晶體管的柵極接第二控制掃描線,第二晶體管的漏極接負電源;第三晶體管的柵極接第二控制掃描線,第三晶體管的漏極與第五晶體管的漏極相連;第六晶體管的源極接電源線,第六晶體管的柵極接外部的控制信號。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素驅(qū)動電路,其特征在于,所述的發(fā)光器件具體為有機發(fā)光二極管。
      3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的像素驅(qū)動電路,其特征在于,所述的晶體管為多晶硅薄膜晶體管。
      專利摘要本實用新型公開了一種像素驅(qū)動電路,包括六個晶體管和存儲電容,第一晶體管的源極、第三晶體管的源極和第六晶體管的漏極連接在一起,并通過發(fā)光器件與電源線相連;第一晶體管的柵極與存儲電容的一端相連,存儲電容的另一端與第五晶體管的漏極相連,第五晶體管的源極接數(shù)據(jù)線,第五晶體管和第四晶體管的柵極接第一控制掃描線;第四晶體管的漏極與第一晶體管的柵極相連,第四晶體管的源極與第一晶體管的漏極、第二晶體管的源極相連;第二晶體管和第三晶體管的柵極接第二控制掃描線,第三晶體管的漏極與第五晶體管的漏極相連。本實用新型的驅(qū)動電路借助六個晶體管和存儲電容的存儲作用,可以同時對閾值電壓漂移和發(fā)光器件兩段電壓的上升進行補償。
      文檔編號G09G3/32GK202394497SQ20112045119
      公開日2012年8月22日 申請日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
      發(fā)明者何小祥 申請人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司
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