本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及amoled像素驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(activematrixorganiclightemittingdiode，amoled)能夠發(fā)光是由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)在飽和狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的電流所驅(qū)動(dòng)，傳統(tǒng)的amoled驅(qū)動(dòng)電路常為2t1c驅(qū)動(dòng)電路。請(qǐng)參閱圖1，該2t1c電路包括兩個(gè)tft與一個(gè)電容(capacitor)，其中，t1為像素電路的驅(qū)動(dòng)管，t2為開(kāi)關(guān)管，掃描線gate開(kāi)啟開(kāi)關(guān)管t2，數(shù)據(jù)電壓date對(duì)存儲(chǔ)電容cst充放電，發(fā)光期間開(kāi)關(guān)管t2關(guān)閉，電容上存儲(chǔ)的電壓使驅(qū)動(dòng)管t1保持導(dǎo)通，導(dǎo)通電流使oled發(fā)光。若要實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定顯示，就要保持通過(guò)oled的電流穩(wěn)定；但由于制作工藝的限制，使得驅(qū)動(dòng)tft的閾值電壓均勻性非常差且有漂移，導(dǎo)致輸入相同的灰階電壓時(shí)產(chǎn)生不同的驅(qū)動(dòng)電流，驅(qū)動(dòng)電流不一致性使得發(fā)光器件的工作狀態(tài)不穩(wěn)定，加之發(fā)光器件的老化使其開(kāi)啟電壓增大，最終導(dǎo)致面板亮度均勻性很差，發(fā)光效率不高。

對(duì)于2t1c驅(qū)動(dòng)電路存在的上述問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)有進(jìn)一步的改進(jìn)，通過(guò)添加新的tft或新的信號(hào)的方式來(lái)減弱甚至可以消除閾值電壓漂移帶來(lái)的影響。但，改進(jìn)之后的電路通常需要很多的tft、電壓控制線以及額外的電源，控制時(shí)序也相對(duì)比較復(fù)雜，大大增加了成本。

故，有必要提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，解決現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)電路架構(gòu)復(fù)雜的問(wèn)題，同時(shí)消除驅(qū)動(dòng)管閾值電壓對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的影響。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路采用如下技術(shù)方案：

一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，其包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、電容及有機(jī)發(fā)光二極管；

所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)，源極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)；

所述第二薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號(hào)，源極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)；

所述第三薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號(hào)，源極電性連接于有機(jī)發(fā)光二極管的陰極，漏極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)；

所述第四薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號(hào)，源極接入電源正電壓，漏極電性連接于有機(jī)發(fā)光二極管的陰極；

所述第五薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號(hào)，源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)，漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)；

所述第六薄膜晶體管的柵極接入第四掃描信號(hào)，源極接入電源負(fù)電壓，漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)；

所述電容的一端連接于第一節(jié)點(diǎn)，另一端接地；

所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極接入電源正電壓，陰極電性連接于第四薄膜晶體管的漏極及第三薄膜晶體管的源極。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)以及第四掃描信號(hào)均通過(guò)外部時(shí)序控制器提供。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)以及第四掃描信號(hào)相組合先后對(duì)應(yīng)于一電位初始化階段，一電位存儲(chǔ)階段、及一發(fā)光顯示階段。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為n型薄膜晶體管；

在所述電位初始化階段，所述第一掃描信號(hào)提供低電位，所述第二掃描信號(hào)提供高電位，所述第三掃描信號(hào)提供高電位，所述第四掃描信號(hào)提供低電位；

在所述電位存儲(chǔ)階段，所述第一掃描信號(hào)提供高電位，所述第二掃描信號(hào)提供高電位，所述第三掃描信號(hào)提供低電位，所述第四掃描信號(hào)提供低電位，所述數(shù)據(jù)信號(hào)提供顯示數(shù)據(jù)電位；

在所述發(fā)光顯示階段，所述第一掃描信號(hào)提供低電位，所述第二掃描信號(hào)提供低電位，所述第三掃描信號(hào)提供高電位，所述第四掃描信號(hào)提供高電位。

在本發(fā)明還提供了一種amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，技術(shù)方案如下：

步驟1、提供一amoled像素驅(qū)動(dòng)電路；

所述amoled像素驅(qū)動(dòng)電路包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、電容及有機(jī)發(fā)光二極管；

所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)，源極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)；

所述第二薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號(hào)，源極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)；

所述第三薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號(hào)，源極電性連接于有機(jī)發(fā)光二極管的陰極，漏極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)；

所述第四薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號(hào)，源極接入電源正電壓，漏極電性連接于有機(jī)發(fā)光二極管的陰極；

所述第五薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號(hào)，源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)，漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)；

所述第六薄膜晶體管的柵極接入第四掃描信號(hào)，源極接入電源負(fù)電壓，漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)；

所述電容的一端連接于第一節(jié)點(diǎn)，另一端接地；

所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極接入電源正電壓，陰極電性連接于第四薄膜晶體管的漏極及第三薄膜晶體管的源極；

步驟2、進(jìn)入電位初始化階段；

所述第一掃描信號(hào)控制第五薄膜晶體管關(guān)閉，所述第二掃描信號(hào)控制第二、及第四薄膜晶體管打開(kāi)，所述第三掃描信號(hào)控制第三薄膜晶體管打開(kāi)，所述第四掃描信號(hào)控制第六薄膜晶體管關(guān)閉，第一節(jié)點(diǎn)寫(xiě)入電源正電壓并存儲(chǔ)在電容中，有機(jī)發(fā)光二極管不發(fā)光；

步驟3、進(jìn)入電位存儲(chǔ)階段；

所述第一掃描信號(hào)控制第五薄膜晶體管打開(kāi)，所述第二掃描信號(hào)控制第二、及第四薄膜晶體管打開(kāi)，所述第三掃描信號(hào)控制第三薄膜晶體管關(guān)閉，所述第四掃描信號(hào)控制第六薄膜晶體管關(guān)閉，所述數(shù)據(jù)信號(hào)提供顯示數(shù)據(jù)電位，第二節(jié)點(diǎn)寫(xiě)入顯示數(shù)據(jù)電位，利用電容放電使得第一節(jié)點(diǎn)的電壓為第二節(jié)點(diǎn)的電壓與第一薄膜晶體管的閾值電壓之和，并將第一節(jié)點(diǎn)的電壓存儲(chǔ)在電容中，有機(jī)發(fā)光二極管不發(fā)光；

步驟4、進(jìn)入發(fā)光顯示階段；

所述第一掃描信號(hào)控制第五薄膜晶體管關(guān)閉，所述第二掃描信號(hào)控制第二、及第四薄膜晶體管關(guān)閉，所述第三掃描信號(hào)控制第三薄膜晶體管打開(kāi)，所述第四掃描信號(hào)控制第六薄膜晶體管打開(kāi)，利用電容的存儲(chǔ)作用，使得第一節(jié)點(diǎn)的電壓保持在顯示數(shù)據(jù)電位與第一薄膜晶體管的閾值電壓之和，第二節(jié)點(diǎn)寫(xiě)入電源負(fù)電壓，第一薄膜晶體管打開(kāi)，有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光，且流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流與第一薄膜晶體管的閾值電壓無(wú)關(guān)。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法中，所述第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)以及第四掃描信號(hào)均通過(guò)外部時(shí)序控制器提供。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法中，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法中，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為n型薄膜晶體管；

在所述電位初始化階段，所述第一掃描信號(hào)提供低電位，所述第二掃描信號(hào)提供高電位，所述第三掃描信號(hào)提供高電位，所述第四掃描信號(hào)提供低電位；

在所述電位存儲(chǔ)階段，所述第一掃描信號(hào)提供高電位，所述第二掃描信號(hào)提供高電位，所述第三掃描信號(hào)提供低電位，所述第四掃描信號(hào)提供低電位，所述數(shù)據(jù)信號(hào)提供顯示數(shù)據(jù)電位；

在所述發(fā)光顯示階段，所述第一掃描信號(hào)提供低電位，所述第二掃描信號(hào)提供低電位，所述第三掃描信號(hào)提供高電位，所述第四掃描信號(hào)提供高電位。

本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，通過(guò)采用6t1c電路搭配簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)時(shí)序，能夠有效補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)管的閾值電壓，使流過(guò)發(fā)光器件的電流不受驅(qū)動(dòng)管閾值電壓的影響，消除了發(fā)光器件自身老化對(duì)顯示亮度的影響，提高面板顯示均勻性，改善畫(huà)面的顯示效果；同時(shí)簡(jiǎn)化構(gòu)架，大大節(jié)約了成本。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下：

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見(jiàn)。

圖1為現(xiàn)有的2t1c結(jié)構(gòu)的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖2為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖3為本發(fā)明amoled像素驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序圖；

圖4為本發(fā)明amoled像素驅(qū)動(dòng)方法的步驟2的示意圖；

圖5為本發(fā)明amoled像素驅(qū)動(dòng)方法的步驟3的示意圖；

圖6為本發(fā)明amoled像素驅(qū)動(dòng)方法的步驟4的示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，該amoled像素驅(qū)動(dòng)電路采用6t1c結(jié)構(gòu)，包括：第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、電容c及有機(jī)發(fā)光二極管d1；

第一薄膜晶體管t1的柵極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)g，源極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)s，漏極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)d；第二薄膜晶體管t2的柵極接入第二掃描信號(hào)scan2，源極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)d，漏極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)g；第三薄膜晶體管t3的柵極接入第三掃描信號(hào)scan3，源極電性連接于有機(jī)發(fā)光二極管d1的陰極，漏極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)d；第四薄膜晶體管t4的柵極接入第二掃描信號(hào)scan2，源極接入電源正電壓ovdd，漏極電性連接于有機(jī)發(fā)光二極管d1的陰極；第五薄膜晶體管t5的柵極接入第一掃描信號(hào)scan1，源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)data，漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)s；第六薄膜晶體管t6的柵極接入第四掃描信號(hào)scan4，源極接入電源負(fù)電壓ovss，漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)s；電容c的一端連接于第一節(jié)點(diǎn)g，另一端接地gnd；有機(jī)發(fā)光二極管d1的陽(yáng)極接入電源正電壓ovdd，陰極電性連接于第四薄膜晶體管t4的漏極及第三薄膜晶體管t3的源極。

第一掃描信號(hào)scan1控制第五薄膜晶體管t5的打開(kāi)與關(guān)閉，第二掃描信號(hào)scan2控制第二、及第四薄膜晶體管t2、t4的打開(kāi)與關(guān)閉，第三掃描信號(hào)scan3控制第三薄膜晶體管t3的打開(kāi)與關(guān)閉，第四掃描信號(hào)scan4控制第六薄膜晶體管t6打開(kāi)與關(guān)閉，數(shù)據(jù)信號(hào)data用于控制有機(jī)發(fā)光二極管d1的發(fā)光亮度，電容c為存儲(chǔ)電容。進(jìn)一步地，通過(guò)第二薄膜晶體管t2的打開(kāi)將第一薄膜晶體管t1短路為二極管進(jìn)行閾值電壓的補(bǔ)償；同時(shí)，本實(shí)施例中采用有機(jī)發(fā)光二極管d1上發(fā)光方式，即有機(jī)發(fā)光二極管d1的陽(yáng)極端與電源正電壓ovdd直接相連，當(dāng)然相應(yīng)的發(fā)光器件也可選擇下發(fā)光方式，即有機(jī)發(fā)光二極管d1的陰極端與電源負(fù)電壓ovss直接相連，但是上發(fā)光方式與下方光方式相比有著更高的開(kāi)口率，整體性能更好。

具體地，圖2中的第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、及第六薄膜晶體管t6均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管，在本優(yōu)選實(shí)施例中，上述6個(gè)薄膜晶體管均采用n型薄膜晶體管，方便電路的架構(gòu)。

具體地，圖2中的第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2、第三掃描信號(hào)scan3以及第四掃描信號(hào)scan4均通過(guò)外部時(shí)序控制器提供。

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路中各個(gè)控制信號(hào)的時(shí)序圖。請(qǐng)共同參照?qǐng)D2與圖3，本實(shí)施例的第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2、第三掃描信號(hào)scan3以及第四掃描信號(hào)scan4相組合先后對(duì)應(yīng)一電位初始化階段1、一電位存儲(chǔ)階段2、及一發(fā)光顯示階段3。

請(qǐng)參閱圖4至圖6，并結(jié)合圖2與圖3，本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過(guò)程如下：

請(qǐng)參閱圖3與圖4，在電位初始化階段1，由于第二掃描信號(hào)scan2、第三掃描信號(hào)scan3提供高電位，控制第二、第三、及第四薄膜晶體管t2、t3、t4打開(kāi)；第一掃描信號(hào)scan1、第四掃描信號(hào)scan4提供低電位，第五、第六薄膜晶體管t5、t6關(guān)閉；第一節(jié)點(diǎn)g即第一薄膜晶體管t1的柵極經(jīng)由打開(kāi)的第四、第三、第二薄膜晶體管t4、t3、t2寫(xiě)入電源正電壓ovdd并存儲(chǔ)在電容c中，有機(jī)發(fā)光二極管d1不發(fā)光，完成對(duì)第一節(jié)點(diǎn)g即第一薄膜晶體管t1的柵極電位的初始化。

請(qǐng)參閱圖3與圖5，在電位存儲(chǔ)階段2，由于第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2提供高電位，控制第二、第四、第五薄膜晶體管t2、t4、t5打開(kāi)；第三掃描信號(hào)scan3、第四掃描信號(hào)scan4為低電位，第三、第六薄膜晶體管t3、t6關(guān)閉；數(shù)據(jù)信號(hào)提供顯示數(shù)據(jù)電位vdata；由于第五薄膜晶體管t5的打開(kāi)，使第二節(jié)點(diǎn)s即第一薄膜晶體管t1的源極寫(xiě)入顯示數(shù)據(jù)電位vdata，打開(kāi)的第二薄膜晶體管t2短接第一薄膜晶體管t1的柵極和漏極，第一節(jié)點(diǎn)g即第一薄膜晶體管t1的柵極的電壓經(jīng)第一薄膜晶體管t1的源極不斷放電，直到電位達(dá)到顯示數(shù)據(jù)電位vdata與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓vth之和，即vg＝vs+vth＝vdata+vth，其中，vg是第一薄膜晶體管t1的柵極電壓，vs是第一薄膜晶體管t1的源極電壓，vth是第一薄膜晶體管t1的閾值電壓，此時(shí)第一薄膜晶體管t1的柵極電壓存儲(chǔ)在電容c中，有機(jī)發(fā)光二極管d1不發(fā)光。

請(qǐng)參閱圖3和圖6，在發(fā)光顯示階段3，由于第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2提供低電位，第五、第四、第二薄膜晶體管t5、t4、t2關(guān)閉；第三掃描信號(hào)scan3、第四掃描信號(hào)scan4提供高電位，控制第三、第六薄膜晶體管t3、t6打開(kāi)，利用電容c的存儲(chǔ)作用，使得第一節(jié)點(diǎn)g即第一薄膜晶體管t1的柵極的電壓保持為顯示數(shù)據(jù)電位vdata與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓vth之和，第二節(jié)點(diǎn)s即第一薄膜晶體管t1的源極經(jīng)由打開(kāi)的第六薄膜晶體管t6寫(xiě)入電源負(fù)電壓ovss，此時(shí)vs＝ovss，即vgs＝vg–vs＝vdata+vth–ovss，第一薄膜晶體管t1打開(kāi)，有機(jī)發(fā)光二極管d1發(fā)光；

進(jìn)一步地，已知流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流滿足：

id1＝k(vgs-vth)²(1)

其中，id1為流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流，常數(shù)k為本征導(dǎo)電因子，vgs為第一薄膜晶體管t1的柵極與源極的電壓差。

而(2)

將式(2)代入式(1)，

id1＝k(vgs-vth)²

＝k(vdata+vth-ovss-vth)²

＝k(vdata-ovss)²

由此可見(jiàn)，流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流id1與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓vth、及有機(jī)發(fā)光二極管的閾值電壓無(wú)關(guān)，僅與數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata以及電源負(fù)壓ovss有關(guān)，補(bǔ)償了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值漂移，解決了由閾值電壓漂移導(dǎo)致的流過(guò)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定的問(wèn)題，消除了發(fā)光器件自身老化對(duì)顯示亮度的影響，提高面板顯示均勻性。

請(qǐng)參閱圖4至圖6，并結(jié)合圖2與圖3，基于上述amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，本發(fā)明還提供了一種amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一amoled像素驅(qū)動(dòng)電路；

該amoled像素驅(qū)動(dòng)電路包括：第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、電容c及有機(jī)發(fā)光二極管d1；第一薄膜晶體管t1的柵極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)g，源極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)s，漏極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)d；第二薄膜晶體管t2的柵極接入第二掃描信號(hào)scan2，源極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)d，漏極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)g；第三薄膜晶體管t3的柵極接入第三掃描信號(hào)scan3，源極電性連接于有機(jī)發(fā)光二極管d1的陰極，漏極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)d；第四薄膜晶體管t4的柵極接入第二掃描信號(hào)scan2，源極接入電源正電壓，漏極電性連接于有機(jī)發(fā)光二極管d1的陰極；第五薄膜晶體管t5的柵極接入第一掃描信號(hào)scan1，源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)data，漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)s；第六薄膜晶體管t6的柵極接入第四掃描信號(hào)scan4，源極接入電源負(fù)電壓ovss，漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)s；電容c的一端連接于第一節(jié)點(diǎn)g，另一端接地gnd；有機(jī)發(fā)光二極管d1的陽(yáng)極接入電源正電壓ovdd，陰極電性連接于第四薄膜晶體管t4的漏極及第三薄膜晶體管t3的源極。

第一掃描信號(hào)scan1控制第五薄膜晶體管t5的打開(kāi)與關(guān)閉，第二掃描信號(hào)scan2控制第二、及第四薄膜晶體管t2、t4的打開(kāi)與關(guān)閉，第三掃描信號(hào)scan3控制第三薄膜晶體管t3的打開(kāi)與關(guān)閉，第四掃描信號(hào)scan4控制第六薄膜晶體管t6打開(kāi)與關(guān)閉，數(shù)據(jù)信號(hào)data用于控制有機(jī)發(fā)光二極管d1的發(fā)光亮度，電容c為存儲(chǔ)電容。進(jìn)一步地，通過(guò)第二薄膜晶體管t2的打開(kāi)將第一薄膜晶體管t1短路為二極管進(jìn)行閾值電壓的補(bǔ)償；同時(shí)，本實(shí)施例中采用有機(jī)發(fā)光二極管d1上發(fā)光方式，即有機(jī)發(fā)光二極管d1的陽(yáng)極端與電源正電壓ovdd直接相連，當(dāng)然相應(yīng)的發(fā)光器件也可選擇下發(fā)光方式，即有機(jī)發(fā)光二極管d1的陰極端與電源負(fù)電壓ovss直接相連，但是上發(fā)光方式與下方光方式相比有著更高的開(kāi)口率，整體性能更好。

具體地，圖2中的第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、及第六薄膜晶體管t6均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管，在本優(yōu)選實(shí)施例中，上述6個(gè)薄膜晶體管均采用n型薄膜晶體管，方便電路的架構(gòu)。

具體地，圖2中的第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2、第三掃描信號(hào)scan3以及第四掃描信號(hào)scan4均通過(guò)外部時(shí)序控制器提供。

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路中各個(gè)控制信號(hào)的時(shí)序圖。請(qǐng)共同參照?qǐng)D2與圖3，本實(shí)施例的第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2、第三掃描信號(hào)scan3以及第四掃描信號(hào)scan4相組合先后對(duì)應(yīng)一電位初始化階段1、一電位存儲(chǔ)階段2、及一發(fā)光顯示階段3。

步驟2、進(jìn)入電位初始化階段1；

請(qǐng)參閱圖3與圖4，由于第二掃描信號(hào)scan2、第三掃描信號(hào)scan3提供高電位，控制第二、第三、及第四薄膜晶體管t2、t3、t4打開(kāi)；第一掃描信號(hào)scan1、第四掃描信號(hào)scan4提供低電位，第五、第六薄膜晶體管t5、t6關(guān)閉；第一節(jié)點(diǎn)g即第一薄膜晶體管t1的柵極經(jīng)由打開(kāi)的第四、第三、第二薄膜晶體管t4、t3、t2寫(xiě)入電源正電壓ovdd并存儲(chǔ)在電容c中，有機(jī)發(fā)光二極管d1不發(fā)光，完成對(duì)第一節(jié)點(diǎn)g點(diǎn)即第一薄膜晶體管t1的柵極電位的初始化。

步驟3、進(jìn)入電位存儲(chǔ)階段2；

請(qǐng)參閱圖3與圖5，由于第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2提供高電位，控制第二、第四、第五薄膜晶體管t2、t4、t5打開(kāi)；第三掃描信號(hào)scan3、第四掃描信號(hào)scan4為低電位，第三、第六薄膜晶體管t3、t6關(guān)閉；數(shù)據(jù)信號(hào)提供顯示數(shù)據(jù)電位；由于t5晶體管的打開(kāi)，使第二節(jié)點(diǎn)s即第一薄膜晶體管t1的源極寫(xiě)入顯示數(shù)據(jù)電位vdata，打開(kāi)的第二薄膜晶體管t2短接第一薄膜晶體管t1的柵極和漏極，第一節(jié)點(diǎn)g即第一薄膜晶體管t1的柵極的電壓經(jīng)第一薄膜晶體管t1的源極不斷放電，直到電位達(dá)到顯示數(shù)據(jù)電位vdata與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓vth之和，即vg＝vs+vth＝vdata+vth，其中，vg是第一薄膜晶體管t1的柵極電壓，vs是第一薄膜晶體管t1的源極電壓，vth是第一薄膜晶體管t1的閾值電壓，此時(shí)第一薄膜晶體管t1的柵極電壓存儲(chǔ)在電容c中，有機(jī)發(fā)光二極管d1不發(fā)光。

步驟4、進(jìn)入發(fā)光顯示階段3；

請(qǐng)參閱圖3和圖6，第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2提供低電位，第五、第四、第二薄膜晶體管t5、t4、t2關(guān)閉；第三掃描信號(hào)scan3、第四掃描信號(hào)scan4提供高電位，控制第三、第六薄膜晶體管t3、t6打開(kāi)，利用電容c的存儲(chǔ)作用，使得第一節(jié)點(diǎn)g即第一薄膜晶體管t1的柵極的電壓保持在顯示數(shù)據(jù)電位與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓之和，第二節(jié)點(diǎn)s即第一薄膜晶體管t1的源極經(jīng)由打開(kāi)的第六薄膜晶體管t6寫(xiě)入電源負(fù)電壓ovss，此時(shí)vs＝ovss，即vgs＝vg–vs＝vdata+vth–ovss，第一薄膜晶體管t1打開(kāi)，有機(jī)發(fā)光二極管d1發(fā)光；

進(jìn)一步地，已知流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流滿足：

id1＝k(vgs-vth)²(1)

其中，id1為流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流，常數(shù)k為本征導(dǎo)電因子，vgs為第一薄膜晶體管t1的柵極與源極的電壓差。

而vgs＝vg-vs＝vdata+vth-ovss(2)

將式(2)代入式(1)，

id1＝k(vgs-vth)²

＝k(vdata+vth-ovss-vth)²

＝k(vdata-ovss)²

由此可見(jiàn)，流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流id1與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓vth、及有機(jī)發(fā)光二極管的閾值電壓無(wú)關(guān)，僅與數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata以及電源負(fù)壓ovss有關(guān)，補(bǔ)償了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值漂移，解決了由閾值電壓漂移導(dǎo)致的流過(guò)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定的問(wèn)題，消除了發(fā)光器件自身老化對(duì)顯示亮度的影響，提高面板顯示均勻性，改善畫(huà)面的顯示效果。

綜上所述，本發(fā)明提供的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，通過(guò)采用6t1c電路搭配簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)時(shí)序，不需要額外的電源，控制信號(hào)也比較少，不僅能夠有效補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)管的閾值電壓，使流過(guò)發(fā)光器件的電流不受驅(qū)動(dòng)管閾值電壓的影響，消除了發(fā)光器件自身老化對(duì)顯示亮度的影響，提高面板顯示均勻性，改善畫(huà)面的顯示效果；同時(shí)簡(jiǎn)化構(gòu)架，大大節(jié)約了成本。

綜上，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。