專(zhuān)利名稱(chēng)：像素芯片、顯示面板、照明面板、顯示單元和照明單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本技術(shù)涉及用于有源矩陣驅(qū)動(dòng)的像素芯片、包括該像素芯片的顯示面板、以及包括該像素芯片的照明面板。本技術(shù)還涉及包括上述顯示面板的顯示單元和包括上述照明面板的照明単元。
背景技術(shù)：
最近幾年，作為重量輕的薄型顯示器，發(fā)光二極管(LED)用作顯示像素的LED顯示器受到關(guān)注(請(qǐng)參見(jiàn)第2009-272591號(hào)日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi))。LED顯示器的特征在
于不存在對(duì)比度和色斑根據(jù)視角變化的視角相關(guān)性并且在改變顏色時(shí)反應(yīng)速率高。

發(fā)明內(nèi)容
LED顯示器的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與液晶顯示單元中一祥包括簡(jiǎn)單(無(wú)源)矩陣系統(tǒng)和有源矩陣系統(tǒng)。在前一系統(tǒng)中，盡管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但是存在的缺點(diǎn)是在大顯示器的情況下不容易獲得高亮度，因?yàn)槠潆妷河捎诓季€(xiàn)阻抗而降低。同時(shí)，在后一系統(tǒng)中，流入LED的電流由每個(gè)像素的有源器件(通常是TFT (薄膜晶體管))控制，因此，其電壓不因?yàn)椴季€(xiàn)阻抗而降低，并且能夠容易地獲得高亮度。上述TFT內(nèi)置與對(duì)于每個(gè)像素提供的驅(qū)動(dòng)器IC內(nèi)。驅(qū)動(dòng)器IC與LED —起內(nèi)置于像素芯片內(nèi)，并且例如與LED布置在同一平面上。如上所述，像素芯片具有從LED發(fā)出的光容易進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器IC的結(jié)構(gòu)。因此，其缺點(diǎn)是從LED發(fā)出的光進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)器IC內(nèi)的TFT發(fā)生故障，并且使LED導(dǎo)通的電流無(wú)意地流動(dòng)。需要提供能夠防止發(fā)光器件錯(cuò)誤照明的像素芯片、包括作為像素的像素芯片的顯示面板和照明面板、包括顯示面板的顯示單元、以及包括照明面板的照明単元。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例，提供了ー種像素芯片，包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC ;以及遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與連接部分一起，阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器1C。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例，提供了包括在顯示區(qū)域中的布線(xiàn)基底上ニ維布置的多個(gè)像素芯片的顯示面板。包括在顯示面板內(nèi)的每個(gè)像素芯片包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；第一連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC ;以及第一遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與第一連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器1C。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例，提供了包括在照明區(qū)域中的布線(xiàn)基底上ニ維布置的多個(gè)像素芯片的照明面板。包括在照明面板內(nèi)的每個(gè)像素芯片包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC ;以及遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器1C。
根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例，提供了包括具有在顯示區(qū)域中的布線(xiàn)基底上ニ維布置的多個(gè)像素芯片和驅(qū)動(dòng)像素芯片的驅(qū)動(dòng)電路的顯示面板的顯示單元。包括在顯示單元中的每個(gè)像素芯片包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC ;以及遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器ICo根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例，提供了包括具有在照明區(qū)域中的布線(xiàn)基底上ニ維布置的多個(gè)像素芯片和驅(qū)動(dòng)像素芯片的驅(qū)動(dòng)電路的照明面板的照明単元。包括在照明単元內(nèi)的每個(gè)像素芯片包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC ;以及遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器ICo在根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的像素芯片、顯示面板、照明面板、顯示單元以及照明単元中，在作為發(fā)光器件的安裝表面的第一表面與驅(qū)動(dòng)器IC之間提供阻擋從發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器IC的遮光部分。因此，能夠減少發(fā)生因?yàn)閺陌l(fā)光器件發(fā)出的光導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)器IC的錯(cuò)誤操作。在本技術(shù)的實(shí)施例中，遮光部分例如由添加有光吸收材料的樹(shù)脂制成。此外，在本技術(shù)的實(shí)施例中，可以在像素芯片中提供電連接到連接部分的柱形電導(dǎo)體。在這種情況下，該柱形電導(dǎo)體優(yōu)選地布置在驅(qū)動(dòng)器IC的外周邊緣，并且優(yōu)選地以與第一表面交叉的方向延伸。在根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的像素芯片、顯示面板、照明面板、顯示單元以及照明単元中，減少了因?yàn)閺陌l(fā)光器件發(fā)出的光而導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)器IC的錯(cuò)誤操作的發(fā)生。因此，能夠防止由驅(qū)動(dòng)器IC的錯(cuò)誤操作導(dǎo)致的發(fā)光器件的錯(cuò)誤照明。此外，在本技術(shù)的實(shí)施例中，在柱形電導(dǎo)體提供在驅(qū)動(dòng)器IC的外圍邊緣的情況下，允許從發(fā)光器件發(fā)出的光由柱形電導(dǎo)體反射。因此，允許防止從發(fā)光器件發(fā)出的光進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器1C。因此，允許防止由驅(qū)動(dòng)器IC的錯(cuò)誤操作導(dǎo)致的發(fā)光器件的錯(cuò)誤照明。應(yīng)當(dāng)明白，上面的一般描述和下面的詳細(xì)描述是舉例說(shuō)明，并且意在有助于進(jìn)ー步理解要求保護(hù)的技木。


所包括的附圖有助于進(jìn)一歩理解本公開(kāi)，并且附圖包括在本說(shuō)明書(shū)中，作為本說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖示出實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本技術(shù)的原理。圖IA和圖IB分別是示出根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的像素芯片的配置示例的俯視圖和首I]視圖。圖2A至圖2D是用于解釋圖IA和圖IB所示的像素芯片的制造步驟的示例的剖視圖。圖3A至圖3C是用于解釋圖2A至圖2D的步驟之后的步驟的剖視圖。圖4A至圖4C是用于解釋圖3A至圖3C的步驟之后的步驟的剖視圖。圖5A至圖5C是用于解釋圖4A至圖4C的步驟之后的步驟的剖視圖。、
圖6A至圖6C是用于解釋圖5A至圖5C的步驟之后的步驟的剖視圖。圖7A至圖7C是用于解釋圖6A至圖6C的步驟之后的步驟的剖視圖。圖8A和圖8B是用于解釋圖7A至圖7C的步驟之后的步驟的剖視圖。圖9A和圖9B是用于解釋圖8A和圖8B的步驟之后的步驟的剖視圖。圖IOA和圖IOB是用于解釋圖9A和圖9B的步驟之后的步驟的剖視圖。圖IlA和圖IlB是用于解釋圖IOA和圖IOB的步驟之后的步驟的剖視圖。圖12是示出圖IA和圖IB的像素芯片的配置的修改的剖視圖。圖13是示出圖IA和圖IB的像素芯片的配置的另ー修改的剖視圖。 圖14A至圖14D是用于解釋圖IA和圖IB的像素芯片的制造步驟的另ー示例的剖視圖。圖15A至圖15C是用于解釋圖14A至圖14D的步驟之后的步驟的剖視圖。圖16A和圖16B是用于解釋圖15A至圖15C的步驟之后的步驟的剖視圖。圖17A和圖17B是用于解釋圖16A和圖16B的步驟之后的步驟的剖視圖。圖18A和圖18B是用于解釋圖17A和圖17B的步驟之后的步驟的剖視圖。圖19A和圖19B是用于解釋圖18A和圖18B的步驟之后的步驟的剖視圖。圖20A和圖20B是用于解釋圖19A和圖19B的步驟之后的步驟的剖視圖。圖21A和圖21B是用于解釋圖20A和圖20B的步驟之后的步驟的剖視圖。圖22A和圖22B是用于解釋圖21A和圖21B的步驟之后的步驟的剖視圖。圖23A和圖23B是示出圖IA和圖IB的像素芯片的配置的修改的俯視圖和底視圖。圖24是示出根據(jù)本技術(shù)第二實(shí)施例的顯示單元的配置示例的透視圖。圖25是示出圖24的安裝基底的表面的布局示例的平面圖。圖26是示出圖24的安裝基底的表面的另一布局示例的平面圖。圖27是示出圖24的顯示單元的配置示例的功能框圖。圖28是示出圖24的顯示單元的另ー配置示例的功能框圖。圖29是示出圖25或者圖26的像素芯片與布線(xiàn)基底之間的連接的典型外觀的剖視圖。圖30是示出根據(jù)本技術(shù)第三實(shí)施例的照明単元的配置示例的透視圖。圖31是示出圖30的安裝基底的表面的布局示例的平面圖。圖32是示出圖30的安裝基底的表面的另一布局示例的平面圖。圖33是圖30的照明單元的配置示例的功能框圖。圖34是示出圖30的照明單元的另ー配置示例的功能框圖。圖35是示出圖31或者圖32的像素芯片與布線(xiàn)基底之間的示例的外觀示例的剖視圖。圖36是示出圖IA和圖IB或者圖23A和圖23B的像素芯片的配置的另ー修改的首1J視圖。圖37是示出圖12或者圖23A和圖23B的像素芯片的配置的另ー修改的剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面將參考附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)的實(shí)施例。以下面的順序進(jìn)行描述
I.第一實(shí)施例(像素芯片)2.修改(像素芯片)3.第二實(shí)施例(顯示單元)4.第三實(shí)施例(照明単元)[I.第一實(shí)施例][配置]首先，將描述根據(jù)本技術(shù)第一實(shí)施例的像素芯片I。圖IA示出像素芯片I的頂面配置的示例。圖IB示出沿圖IA的線(xiàn)A-A所取的剖視圖配置的示例。像素芯片I適于應(yīng)用為被稱(chēng)為L(zhǎng)ED顯示器的顯示單元的顯示像素。 例如，如圖IA和圖IB所示，像素芯片I包括芯片式發(fā)光器件10。像素芯片I還包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件10的芯片式驅(qū)動(dòng)器IC 20。發(fā)光器件10配置一個(gè)通道(ー個(gè)像素)。因此，像素芯片I是單通道型的。如圖IB所示，發(fā)光器件10具有例如三個(gè)類(lèi)型的發(fā)光器件IlRUlG和11B。在下面的描述中，發(fā)光器件11用作發(fā)光器件IlRUlG和IlB的統(tǒng)稱(chēng)。包括在發(fā)光器件10中的發(fā)光器件11的類(lèi)型的數(shù)量并不局限于三個(gè)，而可以是ー個(gè)、ニ個(gè)或者四個(gè)或者更多個(gè)。此外，包括在發(fā)光器件10中的發(fā)光器件11的數(shù)量并不局限于三個(gè)，并且可以是ー個(gè)、ニ個(gè)或者四個(gè)或者更多個(gè)。在發(fā)光器件10中包括多個(gè)發(fā)光器件11的情況下，各個(gè)發(fā)光器件11安裝在公共表面(安裝表面SI)上。各個(gè)發(fā)光器件11布置在像素芯片I中，并且例如以相互之間的給定間隔布置。包括在發(fā)光器件10中的各個(gè)發(fā)光器件11布置在驅(qū)動(dòng)IC 20之上。從允許將各個(gè)發(fā)光器件11點(diǎn)連接到驅(qū)動(dòng)IC20的布線(xiàn)盡可能短的觀點(diǎn)出發(fā)，包括在發(fā)光器件10中的各個(gè)發(fā)光器件11優(yōu)選地布置在與驅(qū)動(dòng)器IC 20的頂面相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。發(fā)光器件IlR發(fā)出紅頻帶內(nèi)的光，發(fā)光器件IlG發(fā)出綠頻帶內(nèi)的光，且發(fā)光器件IlB發(fā)出藍(lán)頻帶內(nèi)的光。發(fā)光器件11是以給定波帶從頂面發(fā)光的固體發(fā)光器件，并且具體地說(shuō)是LED芯片。因此，發(fā)光器件11之上的表面(即像素芯片I的頂面)是光輸出表面。在這種情況下，LED芯片指的是處于從用于晶體生長(zhǎng)的晶片蝕刻的狀態(tài)的芯片，而并非指以模制樹(shù)脂等覆蓋的封裝類(lèi)型。LED芯片的長(zhǎng)度例如是從5 μ m至100mm，且包括5 μ m和100mm，并且被稱(chēng)為微LED。LED芯片的平面形狀例如是近似方形。LED芯片具有小薄片(flake)狀態(tài)。LED芯片的寬高比(高度/寬度)例如等于或者大于O. I而小于I。例如，盡管未示出，但是各個(gè)發(fā)光器件11具有其中第一導(dǎo)電型層、有源層以及第ニ導(dǎo)電型層順序?qū)盈B(layered)的半導(dǎo)體層。在發(fā)光器件IlG和IlB中，第一導(dǎo)電型層、有源層和第二導(dǎo)電型層例如由InGaN半導(dǎo)體材料制成。同時(shí)，在發(fā)光器件IlR中，第一導(dǎo)電型層、有源層和第二導(dǎo)電型層例如由AlGaInP半導(dǎo)體材料制成。各個(gè)發(fā)光器件11在第二導(dǎo)電型層的頂面上具有第一電極12 (請(qǐng)參見(jiàn)圖1B)。第一電極12接觸第二導(dǎo)電型層，并且電連接到第二導(dǎo)電型層。各個(gè)發(fā)光器件11在第一導(dǎo)電型層的底面上具有第二電極13(請(qǐng)參見(jiàn)圖1B)。第二電極13接觸第一導(dǎo)電型層，并且電連接到第一導(dǎo)電型層。第一電極12和第二電極13每個(gè)都可以由單個(gè)電極構(gòu)成，或可以由多個(gè)電極構(gòu)成。第一電極12和第二電極13包括諸如Ag(銀)之類(lèi)的高反射金屬材料。盡管未示出，但是各個(gè)發(fā)光器件11可以具有覆蓋其側(cè)面、其頂面上未形成第一電極12的區(qū)域以及其底面上未形成第二電極13的區(qū)域的絕緣薄膜。
像素芯片I還包括將各個(gè)發(fā)光器件11的電極(第一電極12和第二電極13)電連接到驅(qū)動(dòng)器IC 20的布線(xiàn)(連接部分)。如圖IB所示，布線(xiàn)穿過(guò)在像素芯片I中形成的許多絕緣層(絕緣層31至35和37)。例如，如圖IB所示，各個(gè)發(fā)光器件11的第二電極13通過(guò)焊接層48、布線(xiàn)層47、布線(xiàn)層46、通孔45、布線(xiàn)層44、通孔43、布線(xiàn)層42和焊接層41電連接到驅(qū)動(dòng)器IC 20。同時(shí)，例如，如圖IB所示，各個(gè)發(fā)光器件11的第一電極12通過(guò)布線(xiàn)層51、通孔52、布線(xiàn)層47、布線(xiàn)層46、通孔45、布線(xiàn)層44、通孔43、布線(xiàn)層42和焊接層41電連接到驅(qū)動(dòng)器IC 20。布線(xiàn)層42、44、46、47和51是在 給定平面(plane)上圖形化的導(dǎo)電布線(xiàn)，并且例如由諸如銅之類(lèi)的金屬材料制成。布線(xiàn)層51可以由透明導(dǎo)電材料(例如，IT0)制成。通孔43,45和52在層疊方向?qū)⒃谙袼匦酒琁中形成的布線(xiàn)層42、44、46、47和51互相電連接，并且是在與安裝表面SI交叉的方向上延伸的柱狀導(dǎo)電材料。通孔43、45和52例如由諸如銅的金屬材料制成。在制造過(guò)程中，在將驅(qū)動(dòng)器IC 20安裝在布線(xiàn)層42上時(shí)，焊接層41用于將驅(qū)動(dòng)器IC 20電連接到布線(xiàn)層42。焊接層41例如由諸如錫的金屬材料制成。絕緣層31至37由諸如樹(shù)脂的絕緣材料制成。絕緣層31至33和35至37例如由具有光學(xué)透明性的材料制成。絕緣層34包括具有遮光作用的材料，并且例如由添加了光吸收材料的樹(shù)脂制成。例如，如圖IB所示，像素芯片I包括多個(gè)焊盤(pán)電極(pad electrode) 54，用于向像素芯片I的底面上的發(fā)光器件10和驅(qū)動(dòng)器IC 20輸入功率和控制信號(hào)。換句話(huà)說(shuō)，像素芯片I的底面是像素芯片I的輸入/輸出端表面。例如，如圖IA和圖IB所示，多個(gè)焊盤(pán)電極54布置在與驅(qū)動(dòng)器IC 20不相對(duì)的區(qū)域內(nèi)(具體地說(shuō)，像素芯片I的底面外的外邊緣)。例如，如圖IB所示，像素芯片I包括位于各個(gè)焊盤(pán)電極54的表面(像素芯片I的底面暴露的表面)上的焊球55。通孔53分別與各焊盤(pán)電極54的表面之外的像素芯片I的底面處暴露的表面的相對(duì)表面接觸。因此，各個(gè)通孔53布置在驅(qū)動(dòng)器IC 20的外周邊緣。例如，如圖IB所示，驅(qū)動(dòng)器IC 20布置在與發(fā)光器件10相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。驅(qū)動(dòng)器IC20例如通過(guò)焊接層41、布線(xiàn)層42、通孔43、布線(xiàn)層44和通孔53電連接到焊盤(pán)電極54。此夕卜，例如，如圖IB所示，各個(gè)發(fā)光器件11的第一電極12通過(guò)布線(xiàn)層51、通孔52、布線(xiàn)層47、布線(xiàn)層46、通孔45、布線(xiàn)層44和通孔53電連接到焊盤(pán)電極54。焊盤(pán)電極54和焊球55例如由金屬材料制成。在該實(shí)施例中，上述絕緣層34的頂面是各個(gè)發(fā)光器件11的安裝表面SI。例如，利用位于它們之間的焊接層48，各個(gè)發(fā)光器件11安裝在安裝表面SI上。絕緣層34具有直接位于各個(gè)發(fā)光器件11 (或者各個(gè)焊接層48)下的孔徑。在該孔徑中提供布線(xiàn)層47。焊接層48可以覆蓋布線(xiàn)層47的整個(gè)頂面，也可以?xún)H覆蓋布線(xiàn)層47的頂面的一部分。布線(xiàn)層47至少填充絕緣層34的孔徑，并且在某些情況下，可以在絕緣層34的孔徑之上延伸。此外，在該實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器IC 20布置在與各個(gè)發(fā)光器件11的安裝表面SI相對(duì)在安裝表面SI之下(S卩，位于各個(gè)發(fā)光器件11之下)的區(qū)域內(nèi)。將各個(gè)發(fā)光器件11電連接到驅(qū)動(dòng)器IC 20的布線(xiàn)布置在各個(gè)發(fā)光器件11與驅(qū)動(dòng)IC 20之間，并且焊接層48和布線(xiàn)層47作為布線(xiàn)的一部分覆蓋絕緣層34的孔徑。此外，在該實(shí)施例中，絕緣層34與布線(xiàn)層47和焊接層48 —起具有阻擋從各發(fā)光器件11發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器IC 20的功能。例如，在從頂面觀看像素芯片I的情況下，例如，如圖IB所示，絕緣層34整體地形成在像素芯片I上，并且布線(xiàn)層47和焊接層48完全覆蓋絕緣層34的孔徑。在絕緣層34、布線(xiàn)層47和焊接層48如上面舉例說(shuō)明地配置的情況下，存在從各發(fā)光器件11發(fā)出的光通過(guò)其傳播到像素芯片I中的表面SI之下的層的路徑。如果目的僅是阻擋從各發(fā)光器件11發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器IC 20，則不需要在像素芯片I上整體地形成絕緣層34，并且絕緣層34之外的不與驅(qū)動(dòng)器IC 20相對(duì)的部分可以具有光學(xué)透明性。[制造方法]接著，將描述制造像素芯片I的方法的示例。圖2A至圖2B示出制造像素芯片I的方法的示例。首先，制備在其表面上具有剝離(exfoliation)層101的支撐基底100 (圖2A)。接著，布線(xiàn)層46和絕緣層33形成在剝離層101的表面上(圖2B)。此時(shí)，在位于絕緣層33之外的布線(xiàn)層46的正上方的區(qū)域內(nèi)形成孔徑。接著，在絕緣層33的孔徑內(nèi)形成通孔45，并且在絕緣層33的表面上形成布線(xiàn)層44和絕緣層32 (圖2C)。此時(shí)，在絕緣層32之外的布線(xiàn)層44的正上方的區(qū)域內(nèi)形成孔 徑。接著，在絕緣層32的孔徑內(nèi)形成通孔43，并且在絕緣層32的表面上形成布線(xiàn)層42 (圖2D)。此外，在其間具有焊接層41的情況下，將驅(qū)動(dòng)器IC 20布置在布線(xiàn)層42的表面之上。接著，形成具有在其中埋入了驅(qū)動(dòng)器IC 20的側(cè)面的一部分的厚度的絕緣層31A(圖3A)。接著，利用例如噴涂，在驅(qū)動(dòng)器IC 20的整個(gè)表面上形成由銅等構(gòu)成的蝕刻阻擋層102(圖3B)。隨后，驅(qū)動(dòng)器IC 20被拋光，直到例如通過(guò)研磨(lapping)獲得給定厚度的驅(qū)動(dòng)器IC 20為止(圖3C)。例如，如圖3C所示，驅(qū)動(dòng)器IC 20被拋光，直到驅(qū)動(dòng)器IC20的頂面與圍繞驅(qū)動(dòng)器IC20形成的蝕刻阻擋層102的頂面處于同一平面為止。此后，去除蝕刻阻擋層102 (圖4A)，然后，形成具有在其中埋入了整個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC20的厚度的絕緣層31B(圖4B)。絕緣層31A和31B對(duì)應(yīng)于上述絕緣層31。接著，利用例如激光處理，形成穿過(guò)絕緣層31和32的過(guò)孔31D(圖4C)。接著，例如，通過(guò)例如電鍍銅，在過(guò)孔(via hole) 31D內(nèi)形成通孔(via)53(圖5A)。接著，在形成了在通孔53上具有孔徑的絕緣層37后，通過(guò)例如電鍍鎳，形成焊盤(pán)電極54 (圖5B)。此外，例如，執(zhí)行電鍍錫或者軟熔，因此，在焊盤(pán)電極54上形成焊球55 (圖5C)。接著，在形成焊球55埋入其內(nèi)的絕緣層103后(圖6A)，以其之間的剝離層104將支撐基底100與絕緣層103接合在一起。此后，支撐基底100被剝離(圖6C)，并且去除剝離層101 (圖7A)。接著，在剝離層101被去除的一側(cè)的表面上形成具有遮光作用的絕緣層34，并且利用布線(xiàn)層47填充絕緣層34上的孔徑(圖7B)。此外，僅在要在布線(xiàn)層47的表面之外順序安裝發(fā)光器件11的部分中形成焊接層48A(圖7C)。接著，發(fā)光器件I IR、IIG和IlB轉(zhuǎn)錄(transcribe)到焊接層48A上(圖8A)。此時(shí)，在某些情況下，發(fā)光器件I IR、IIG和IIB被轉(zhuǎn)錄到焊接層48A上，稍許偏離給定位置。然而，通過(guò)執(zhí)行軟熔等，允許將發(fā)光器件IlRUlG和IlB移動(dòng)到給定位置(圖8B)。接著，在各發(fā)光器件11的頂面(第一電極12)暴露的狀態(tài)下形成各發(fā)光器件11埋入其內(nèi)的絕緣層35后(圖9A)，利用例如激光處理，在絕緣層35上形成過(guò)孔35D(圖9B)。接著，利用鈦/銅噴涂，在過(guò)孔3 內(nèi)形成通孔52，并且形成用于將通孔52連接到各發(fā)光器件11的第一電極12的布線(xiàn)層51 (圖10A)。接著，在形成了布線(xiàn)層51埋入其內(nèi)的絕緣層36后，在給定位置形成到達(dá)剝離層104的隙縫SL(圖10B)。因此，對(duì)各發(fā)光器件10制造樹(shù)脂分隔，并形成像素芯片I。接著，以其間的剝離層106將支撐基底107與絕緣層36上的表面接合在一起后，支撐基底105和剝離層104被去除(圖11A)。此外，絕緣層103也被去除，并且焊球55暴露(圖11B)。因此，可以允許提供有樹(shù)脂分隔的芯片式像素芯片I轉(zhuǎn)錄到電路基底等的給定位置。因此，制造了像素芯片I。[效果]接著，將描述根據(jù)該實(shí)施例的像素芯片I的效果。在該實(shí)施例中，具有阻擋從發(fā)光器件10發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器IC 20的功能的絕緣層34、布線(xiàn)層46和焊接層48提供在發(fā)光器件10與驅(qū)動(dòng)器IC 20之間。因此，可以減少?gòu)陌l(fā)光器件10發(fā)出的光導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)器IC 20的錯(cuò)誤操作的發(fā)生，并且可以防止驅(qū)動(dòng)器IC 20的錯(cuò)誤操作導(dǎo)致的發(fā)光器件10錯(cuò)誤照明。
此外，在該實(shí)施例中，多個(gè)通孔53布置在驅(qū)動(dòng)器IC 20的外圍邊緣。因此，即使從發(fā)光器件10發(fā)出的光泄漏到驅(qū)動(dòng)器IC 20—側(cè)，部分泄漏光也由通孔53反射。換句話(huà)說(shuō)，通孔53還起防止驅(qū)動(dòng)器IC 20的錯(cuò)誤操作導(dǎo)致的發(fā)光器件10的錯(cuò)誤照明的作用。[2.修改例][修改例I]在上面的實(shí)施例中，絕緣層34具有遮光功能。然而，其他絕緣層31至33和35可以具有遮光功能。例如，如圖12所示，絕緣層33可以代替絕緣層34具有遮光功能。另外，如圖13所示，絕緣層34之外，絕緣層31也可以具有遮光功能。另外，代替絕緣層34或者絕緣層34之外，在不中斷發(fā)光器件10的光發(fā)射的區(qū)域內(nèi)，絕緣層35可以具有遮光功能。[修改例2]此外，在根據(jù)上述實(shí)施例的制造方法中，在安裝了驅(qū)動(dòng)器IC 20后，安裝發(fā)光器件10。相反，可以安裝發(fā)光器件10，隨后安裝驅(qū)動(dòng)器IC 20。下面將描述發(fā)光器件10安裝之后安裝驅(qū)動(dòng)器IC 20的情況下的制造方法的示例。圖14A至圖22B示出像素芯片I的制造方法的另一示例。首先，制備在其表面上具有剝離層109的支撐基底108，在該剝離層109的表面上形成具有遮光作用的絕緣層34 (圖14A)。接著，以布線(xiàn)層47填充絕緣層34的孔徑，并且僅將各發(fā)光器件11順序安裝在布線(xiàn)層47之外的部分中形成焊接層48A(圖14B)。接著，發(fā)光器件I IR、IIG和I IR轉(zhuǎn)錄在焊接層48A上(圖14C)。此時(shí)，在某些情況下，發(fā)光器件IlRUlG和IlR稍許偏離給定位置地轉(zhuǎn)錄在焊接層48A上。然而，通過(guò)執(zhí)行軟熔等，發(fā)光器件I IR、IIG和IlR可允許移動(dòng)到給定位置(圖14D)。接著，在各發(fā)光器件11的頂面(第一電極12)暴露的狀態(tài)下形成了各發(fā)光器件11埋入其內(nèi)的絕緣層35之后(圖15A)，利用例如激光處理在絕緣層35上形成過(guò)孔35D。接著，利用例如鈦/銅噴涂，在過(guò)孔3 內(nèi)形成通孔52，并且形成用于將通孔52連接到各發(fā)光器件11的第一電極12的布線(xiàn)層51 (圖15C)。接著，在形成了布線(xiàn)層51埋入其內(nèi)的絕緣層36后，以其間的剝離層110將支撐基底111與絕緣層36 —側(cè)的表面接合(圖16A)。隨后，去除支撐基底108和剝離層109 (圖16B)。接著，在絕緣層34的表面上形成布線(xiàn)層46和絕緣層33 (圖17A)。此時(shí)，在絕緣層33之外的布線(xiàn)層46正上方的區(qū)域內(nèi)形成孔徑。接著，在絕緣層33的孔徑內(nèi)形成通孔45，并且在絕緣層33的表面上形成布線(xiàn)層44和絕緣層32 (圖17B)。此時(shí)，在絕緣層32之外的布線(xiàn)層44正上方的區(qū)域內(nèi)形成孔徑。接著，在絕緣層32的孔徑內(nèi)形成通孔43，在絕緣層32的表面上形成布線(xiàn)層42，此夕卜，將驅(qū)動(dòng)器IC 20布置在布線(xiàn)層42的表面之上，在其間具有焊接層41 (圖18A)。接著，形成具有在其中埋入了驅(qū)動(dòng)器IC 20的側(cè)面的一部分的厚度的絕緣層31A(圖18B)。接著，利用例如噴涂，在驅(qū)動(dòng)器IC 20的整個(gè)表面上形成由銅等制成的蝕刻阻擋層102 (圖19A)。隨后，驅(qū)動(dòng)器IC 20被拋光，直到通過(guò)搭接獲得給定厚度的驅(qū)動(dòng)器IC 20為止(圖19B)。例如，如圖19B所示，驅(qū)動(dòng)器IC 20被拋光，直到驅(qū)動(dòng)器IC 20的頂面與圍繞驅(qū)動(dòng)器IC 20形成的蝕刻阻擋層102的頂面處于同一平面為止。此后，去除蝕刻阻擋層102 (圖20A)，然后，形成具有在其中埋入了整個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC 20的厚度的絕緣層3IB (圖20B)。絕緣層3IA和3IB對(duì)應(yīng)于上述絕緣層31。接著，在利用例如激光處理，形成穿過(guò)絕緣層31和32的過(guò)孔31D后(圖21A)，通過(guò)例如銅電鍍，在過(guò)孔3ID內(nèi)形成通孔53(圖21B)。接著，在形成了在通孔53上具有孔徑的絕緣層37后，通過(guò)例如鎳電鍍，形成焊盤(pán)電極54 (圖22A)。此外，例如，執(zhí)行錫電鍍或者軟熔，因此，在焊盤(pán)電極54上形成焊球55 (圖22B)。此后，利用與上述方法相同的方法，對(duì)于各發(fā)光器件10制造樹(shù)脂分隔。因此，制造像素芯片I。[修改例3]在上述實(shí)施例及其修改例中，像素芯片I包括一個(gè)發(fā)光器件10。然而，像素芯片I可以包括兩個(gè)或者兩個(gè)以上的發(fā)光器件10。此后，為了方便，包括兩個(gè)或者兩個(gè)以上的發(fā)光器件10的像素芯片稱(chēng)為像素芯片4。在該示例中，由于一個(gè)發(fā)光器件10配置一個(gè)通道(一個(gè)像素)，所以像素芯片4是多通道型(多個(gè)像素)。像素芯片4可以包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC20，驅(qū)動(dòng)包括在像素芯片4內(nèi)的全部發(fā)光器件10，也可以包括每個(gè)驅(qū)動(dòng)一個(gè)發(fā)光器件10的驅(qū)動(dòng)器IC 20。在此，在像素芯片4包括驅(qū)動(dòng)包括在像素芯片4內(nèi)的所有發(fā)光器件10的一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC 20的情況下，從避免像素芯片4中的密集布線(xiàn)的觀點(diǎn)出發(fā)，各發(fā)光器件10優(yōu)選地布置在不與像素芯片4內(nèi)的驅(qū)動(dòng)器IC 20的頂面相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。此外，在驅(qū)動(dòng)器IC 20設(shè)置在像素芯片4的中心的情況下，各發(fā)光器件10優(yōu)選地布置在不與像素芯片4內(nèi)的驅(qū)動(dòng)器IC 20的頂面相對(duì)以及在像素芯片4的外圍上的區(qū)域。另一方面，在像素芯片4包括每個(gè)驅(qū)動(dòng)一個(gè)發(fā)光器件10的驅(qū)動(dòng)器IC 20的情況下，從避免像素芯片4上的密集布線(xiàn)的觀點(diǎn)出發(fā)，各發(fā)光器件10優(yōu)選地布置在與相應(yīng)驅(qū)動(dòng)器IC 20的頂面相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。圖23A示出像素芯片4的頂面配置的示例。圖23B示出像素芯片4的底面配置的示例。請(qǐng)注意，由于發(fā)光器件10和驅(qū)動(dòng)器IC 20提供在像素芯片4中，所以在圖23A中用虛線(xiàn)示出發(fā)光器件10和驅(qū)動(dòng)器IC 20。同樣，由于驅(qū)動(dòng)器IC 20和布線(xiàn)層42提供在像素芯片4A中，所以在圖23B中用虛線(xiàn)示出驅(qū)動(dòng)器IC 20和布線(xiàn)層42。如圖23A所示，例如，像素芯片4包括四個(gè)發(fā)光器件10和驅(qū)動(dòng)四個(gè)發(fā)光器件10的一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC 20。每個(gè)發(fā)光器件10包括例如三種發(fā)光器件IlRUlG和11B。例如，各發(fā)光器件10設(shè)置在像素芯片4的四角，而驅(qū)動(dòng)器IC 20設(shè)置在像素芯片4的中心(即，在剛好在發(fā)光器件10之下的部分以外的部分處)。
在修改例3中，具有阻擋從每個(gè)發(fā)光器件10發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器IC 20內(nèi)的功能的絕緣層34、布線(xiàn)層46和焊接層48提供在四個(gè)發(fā)光器件10與驅(qū)動(dòng)器IC 20之間。因此，能夠減少由從每個(gè)發(fā)光器件10發(fā)出的光導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)器IC 20的錯(cuò)誤操作的發(fā)生，并且能夠防止驅(qū)動(dòng)器IC 20的錯(cuò)誤操作導(dǎo)致的發(fā)光器件10的錯(cuò)誤照明。[3.第二實(shí)施例][配置]接著，將描述根據(jù)本技術(shù)第二實(shí)施例的顯示單元2。作為顯示像素，顯示單元2包括根據(jù)上述實(shí)施例及其修改例的像素芯片I或者4。圖24是顯示單元2的示意性配置的示例的透視圖。顯示單元2是所稱(chēng)的LED顯示器，在該LED顯示器中，LED用作顯示像素。例如,如圖24所示,顯示單元2包括顯示面板210和驅(qū)動(dòng)顯示面板210的驅(qū)動(dòng)器IC 220。 (顯示面板210)在顯示面板210中，安裝基底210-1和透明基底210-2互相層疊。透明基底210-2的表面是視頻顯示表面，包括在其中心部分的顯示區(qū)210A和作為圍繞顯示區(qū)210A的非顯示區(qū)的框區(qū)。(安裝基底210-1)圖25示出與安裝基底210-1的透明基底210-2—側(cè)的表面之中的顯示區(qū)210A對(duì)應(yīng)的區(qū)域的布局示例。例如，如圖25所示，安裝基底210-1具有在對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)210A的區(qū)域中以給定方向延伸的布線(xiàn)211和212。布線(xiàn)211包括柵極線(xiàn)等，并且布線(xiàn)212包括數(shù)據(jù)線(xiàn)等。布線(xiàn)211與布線(xiàn)212相交叉，并且用作顯示像素的像素芯片I提供在一個(gè)布線(xiàn)211與一個(gè)布線(xiàn)212相交叉的部分中。此時(shí)，多個(gè)像素芯片I在與安裝基底210-1的顯示區(qū)210A對(duì)應(yīng)的區(qū)域中二維布置。像素芯片I電連接到布線(xiàn)211和212。請(qǐng)注意，在像素芯片4用作顯示像素的情況下，用作顯示像素的像素芯片4提供在多個(gè)布線(xiàn)211與多個(gè)布線(xiàn)212相交叉的部分中。此時(shí)，多個(gè)像素芯片4在與安裝基底210-1的顯示區(qū)210A對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)二維布置。在此，在像素芯片4包括以mXn矩陣布置的mXn個(gè)發(fā)光器件10的情況下，像素芯片4提供在m個(gè)布線(xiàn)211與n個(gè)布線(xiàn)212交叉，并且向像素芯片4中的一行分配一個(gè)布線(xiàn)211，而向像素芯片4中的一列分配一個(gè)布線(xiàn)212的部分中。請(qǐng)注意，在圖26中，舉例示出了像素芯片4包括以2X 2的矩陣布置的四個(gè)發(fā)光器件10，并且像素芯片4提供在兩個(gè)布線(xiàn)211與兩個(gè)布線(xiàn)212交叉的部分中的情況。(透明基底210-2)透明基底210-2由玻璃基底、樹(shù)脂基底等構(gòu)成。在透明基底210-2中，像素芯片I一側(cè)的表面可以是平坦的，也可以是粗糙表面。(驅(qū)動(dòng)器IC 220)驅(qū)動(dòng)器IC 220根據(jù)從外部輸入的視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素芯片I。例如，如圖27和圖28所示，驅(qū)動(dòng)器IC 220具有連接到布線(xiàn)212的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路221和連接到布線(xiàn)211的柵極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路222。柵極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路222對(duì)于每條線(xiàn)選擇例如像素芯片I或者4中的發(fā)光器件10。數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路221通過(guò)布線(xiàn)212向由柵極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路222選擇的像素芯片I或者4中的發(fā)光器件10施加信號(hào)電壓。[制造顯示面板210的方法]接著，將描述制造顯示面板210的方法的示例。
首先，例如，制備電路基底(布線(xiàn)基底)，在該電路基底上，多個(gè)布線(xiàn)211和212以及連接到布線(xiàn)211和212并用于安裝像素芯片I或者4的焊盤(pán)電極提供在基底材料上。接著，像素芯片I或者4安裝在電路基底的各焊盤(pán)電極上。此后，電路基底被熱熔，并且利用其間的焊球(第二連接部分)將像素芯片I或者4的焊盤(pán)電極54與電路基底的焊盤(pán)電極接合。因此，像素芯片I或者4通過(guò)焊球55與電路基底電連接，且因此形成安裝基底210-1。此后，例如，如圖29所示，電路基底213與像素芯片I或者4之間的空間以及像素芯片I或者4的側(cè)表面由遮光部件214覆蓋(第二遮光部分)。接著，安裝基底210-1和透明基底210-2彼此相對(duì)，并且互相接合。因此，制造顯示面板210。[顯示單元2的操作和效果]在該實(shí)施例中，像素芯片I或者4通過(guò)布線(xiàn)211和212由驅(qū)動(dòng)器IC 220驅(qū)動(dòng)。因此，電流隨后提供到像素芯片I或者4中的發(fā)光器件10，并且圖像顯示在顯示區(qū)210A上。在該實(shí)施例中，像素芯片I或者4用作顯示像素。因此，可以允許實(shí)現(xiàn)不具有故障 照明的高顯示質(zhì)量的顯示單元。[4.第三實(shí)施例][配置]接著，將描述根據(jù)第三實(shí)施例的照明單元3。作為光源，照明單元3包括根據(jù)上述實(shí)施例及其修改例的像素芯片I。圖30是照明單元3的示意性配置的示例的透視圖。照明單元3就是所稱(chēng)的LED照明，在LED照明中，LED用作光源。例如，如圖30所示，照明單元3包括照明面板310和用于驅(qū)動(dòng)照明面板310的驅(qū)動(dòng)器IC 320。(照明面板310)在照明面板310中，安裝基底310-1和透明基底310-2互相層疊。透明基底310-2的表面是照明光從其中輸出的表面，包括位于其中心部分的照明區(qū)310A。(安裝基底310-1)圖31示出與安裝基底310-1的透明基底310-2—側(cè)的表面之外的照明區(qū)310A對(duì)應(yīng)的區(qū)域的布局示例。例如，如圖31所示，安裝基底310-1具有在對(duì)應(yīng)于照明區(qū)310A的區(qū)域中以給定方向延伸的布線(xiàn)311和312。布線(xiàn)311包括柵極線(xiàn)等，并且布線(xiàn)312包括數(shù)據(jù)線(xiàn)等。布線(xiàn)311與布線(xiàn)312相交叉，并且用作照明像素的像素芯片I提供在一個(gè)布線(xiàn)311與一個(gè)布線(xiàn)312相交叉的部分中。在這種情況下，多個(gè)像素芯片I在與安裝基底310-1的顯示區(qū)310A對(duì)應(yīng)的區(qū)域中二維布置。像素芯片I電連接到布線(xiàn)311和312。順便提一句，在像素芯片4用作照明像素的情況下，用作照明像素的像素芯片4提供在多個(gè)布線(xiàn)311與多個(gè)布線(xiàn)312相交叉的部分中。在這種情況下，多個(gè)像素芯片4在與安裝基底310-1的照明區(qū)310A對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)二維布置。在此，在像素芯片4包括以mXn矩陣布置的mXn個(gè)發(fā)光器件10的情況下，像素芯片4提供在m個(gè)布線(xiàn)311與n個(gè)布線(xiàn)312交叉，并且向像素芯片4中的一行分配一個(gè)布線(xiàn)311,而向像素芯片4中的一列分配一個(gè)布線(xiàn)312的部分中。請(qǐng)注意，在圖32中，舉例示出像素芯片4包括以2X2的矩陣布置的四個(gè)發(fā)光器件10，并且像素芯片4布置在兩個(gè)布線(xiàn)311與兩個(gè)布線(xiàn)312交叉的部分中的情況。(透明基底310-2)透明基底310-2由玻璃基底、樹(shù)脂基底等構(gòu)成。在透明基底310-2中，像素芯片I一側(cè)的表面可以是平坦的，也可以是粗糙表面。
(驅(qū)動(dòng)器IC 320)驅(qū)動(dòng)器IC 320根據(jù)從外部輸入的控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素芯片I。例如，如圖33和圖34所示，驅(qū)動(dòng)器IC 320具有連接到布線(xiàn)312的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路321和連接到布線(xiàn)311的柵極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路322。柵極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路322對(duì)于每條線(xiàn)選擇例如像素芯片I或者4中的發(fā)光器件10。數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路321通過(guò)布線(xiàn)312對(duì)由柵極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路322選擇的像素芯片I或者4中的發(fā)光器件10施加信號(hào)電壓。[制造照明面板310的方法]接著，將描述制造照明面板310的方法的示例。
首先，例如，制備電路基底(布線(xiàn)基底)，在該電路基底上，多個(gè)布線(xiàn)311和312以及連接到布線(xiàn)311和312并用于安裝像素芯片I或者4的焊盤(pán)電極提供在基底材料上。接著，像素芯片I或者4安裝在電路基底的各焊盤(pán)電極上。此后，電路基底被熱熔，并且利用其間的焊球?qū)⑾袼匦酒琁或者4的焊盤(pán)電極54與電路基底的焊盤(pán)電極接合。因此，像素芯片I或者4通過(guò)焊球55與電路基底電連接，因此，形成安裝基底310-1。此后，例如，如圖35所示，電路基底313與像素芯片I或者4之間的空間以及像素芯片I或者4的側(cè)面以遮光部件314覆蓋。接著，安裝基底310-1和透明基底310-2彼此相對(duì)，并且互相接合。由此，制造照明面板310。[照明單元3的操作和效果]在該實(shí)施例中，像素芯片I或者4通過(guò)布線(xiàn)311和312由驅(qū)動(dòng)器IC 320驅(qū)動(dòng)。因此，電流隨后提供到像素芯片I或者4，并且從照明區(qū)310A輸出照射光。在該實(shí)施例中，像素芯片I或者4用作照明像素。因此，可以實(shí)現(xiàn)沒(méi)有故障照明的高顯示質(zhì)量的照明單元。盡管參考多個(gè)實(shí)施例及其修改例描述了本技術(shù)，但是本公開(kāi)并不局限于上述實(shí)施例等，并且可以進(jìn)行各種修改。例如，在上述實(shí)施例等中，在安裝基底210-1和310-1上以矩陣狀態(tài)安裝多個(gè)像素芯片I或者4。然而，可以在安裝基底210-1和310-1上以直線(xiàn)狀態(tài)安裝多個(gè)像素芯片I或者4。此外，在上述實(shí)施例等中，對(duì)于安裝基底210-1和310-1，以簡(jiǎn)單矩陣方式布置的布線(xiàn)211和212或者布線(xiàn)311和312用作驅(qū)動(dòng)像素芯片I或者4的布線(xiàn)。然而，可以采用其它布線(xiàn)圖形。例如，在上述實(shí)施例等中，驅(qū)動(dòng)器IC 20由絕緣層31和37覆蓋。然而，整個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC 20或者驅(qū)動(dòng)器IC 20的一部分可以暴露給像素芯片I或者4的外面，如圖36和圖37所示。在這種情況下，絕緣層31和37省略，僅在絕緣層32上形成通孔53，與絕緣層32的底面接觸地形成焊盤(pán)電極54，以及形成焊球55以具有高于驅(qū)動(dòng)器IC 20的高度的高度。由上面描述的本技術(shù)的典型實(shí)施例及修改例至少可以實(shí)現(xiàn)下面的配置。(I) 一種像素芯片，包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC;以及遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器1C。(2)根據(jù)⑴所述的像素芯片，其中遮光部分由添加有光吸收材料的樹(shù)脂制成。(3)根據(jù)⑴或者⑵所述的像素芯片，還包括柱形電導(dǎo)體，電連接到連接部分，并且布置在驅(qū)動(dòng)器IC的外周邊緣；以及焊盤(pán)電極，電連接到柱形電導(dǎo)體，并且用作像素芯片的輸入/輸出端子。(4)根據(jù)(3)所述的像素芯片，還包括發(fā)光表面，位于發(fā)光器件一側(cè)的表面上；以及輸入/輸出端子表面，位于驅(qū)動(dòng)器IC 一側(cè)的表面上，
其中焊盤(pán)電極布置在輸入/輸出端子表面上。(5)根據(jù)⑴至⑷的任意一個(gè)所述的像素芯片，其中一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件配置一個(gè)像素，驅(qū)動(dòng)器IC設(shè)置在像素芯片的中心，以及發(fā)光器件設(shè)置在與驅(qū)動(dòng)器IC的頂面相對(duì)的區(qū)域中。(6)根據(jù)⑴至⑷的任意一個(gè)所述的像素芯片，其中多個(gè)發(fā)光器件配置多個(gè)像素，驅(qū)動(dòng)器IC設(shè)置在像素芯片的中心，以及發(fā)光器件提供在不與驅(qū)動(dòng)器IC的頂面相對(duì)并且位于像素芯片的外圍的區(qū)域內(nèi)。(7) 一種顯示面板，包括在顯示區(qū)中在布線(xiàn)基底上以二維布置的多個(gè)像素芯片，每個(gè)像素芯片包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；第一連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC;以及第一遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與第一連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器1C。(8)根據(jù)(7)所述的顯示面板，還包括第二連接部分，將布線(xiàn)基底電連接到像素芯片；以及第二遮光部分，覆蓋第二連接部分。(9) 一種照明面板，包括在照明區(qū)中在布線(xiàn)基底上以二維布置的多個(gè)像素芯片，每個(gè)像素芯片包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC;以及遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器1C。(10) 一種顯示單元，包括具有在顯示區(qū)中在布線(xiàn)基底上以二維布置的多個(gè)像素芯片和驅(qū)動(dòng)所述像素芯片的驅(qū)動(dòng)電路的顯示面板，每個(gè)像素芯片包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；
驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC;以及遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器1C。(11) 一種照明單元，包括具有在照明區(qū)中在布線(xiàn)基底上以二維布置的多個(gè)像素芯片和驅(qū)動(dòng)所述像素芯片的驅(qū)動(dòng)電路的照明面板，每個(gè)像素芯片包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC;以及遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器1C。本公開(kāi)含有與于2011年4月8日向日本專(zhuān)利局提交的第JP2011-086825號(hào)日本優(yōu)先權(quán)專(zhuān)利申請(qǐng)披露的主題有關(guān)的主題，在此通過(guò)引用包括該專(zhuān)利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以設(shè)想各種修改、組合、部分組合和變型，然而，它們均落入所附權(quán)利要求書(shū)或者其等效物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種像素芯片，包括 一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件； 驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件； 連接部分，布置在所述發(fā)光器件與所述驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將所述發(fā)光器件電連接到所述驅(qū)動(dòng)器IC;以及 遮光部分，布置在所述發(fā)光器件與所述驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與所述連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入所述驅(qū)動(dòng)器1C。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素芯片，其中，所述遮光部分由添加有光吸收材料的樹(shù)脂制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素芯片，還包括 柱形電導(dǎo)體，電連接到所述連接部分，并且布置在所述驅(qū)動(dòng)器IC的外周邊緣；以及 焊盤(pán)電極，電連接到所述柱形電導(dǎo)體，并且用作所述像素芯片的輸入/輸出端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素芯片，還包括 發(fā)光表面，位于所述發(fā)光器件一側(cè)的表面上；以及 輸入/輸出端子表面，位于所述驅(qū)動(dòng)器IC 一側(cè)的表面上， 其中所述焊盤(pán)電極布置在所述輸入/輸出端子表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素芯片，其中 所述一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件配置一個(gè)像素， 所述驅(qū)動(dòng)器IC設(shè)置在所述像素芯片的中心，以及 所述發(fā)光器件布置在與所述驅(qū)動(dòng)器IC的頂面相對(duì)的區(qū)域中。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素芯片，其中 所述多個(gè)發(fā)光器件配置多個(gè)像素， 所述驅(qū)動(dòng)器IC設(shè)置在所述像素芯片的中心，以及 所述發(fā)光器件提供在不與所述驅(qū)動(dòng)器IC的頂面相對(duì)并位于所述像素芯片的外圍的區(qū)域內(nèi)。
7.一種顯示面板，包括在顯示區(qū)中在布線(xiàn)基底上二維布置的多個(gè)像素芯片，每個(gè)像素芯片包括 一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件； 驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件； 第一連接部分，布置在所述發(fā)光器件與所述驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將所述發(fā)光器件電連接到所述驅(qū)動(dòng)器IC;以及 第一遮光部分，布置在所述發(fā)光器件與所述驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與所述第一連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入所述驅(qū)動(dòng)器1C。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板，還包括 第二連接部分，將所述布線(xiàn)基底電連接到所述像素芯片；以及 第二遮光部分，覆蓋所述第二連接部分。
9.一種照明面板，包括在照明區(qū)中在布線(xiàn)基底上二維布置的多個(gè)像素芯片，每個(gè)像素芯片包括 一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件； 連接部分，布置在所述發(fā)光器件與所述驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將所述發(fā)光器件電連接到所述驅(qū)動(dòng)器IC;以及 遮光部分，布置在所述發(fā)光器件與所述驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與所述連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入所述驅(qū)動(dòng)器1C。
10.一種顯示単元，包括具有在顯示區(qū)中在布線(xiàn)基底上ニ維布置的多個(gè)像素芯片和驅(qū)動(dòng)所述像素芯片的驅(qū)動(dòng)電路的顯示面板，每個(gè)像素芯片包括 一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件； 驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件； 連接部分，布置在所述發(fā)光器件與所述驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將所述發(fā)光器件電連接到 所述驅(qū)動(dòng)器IC;以及 遮光部分，布置在所述發(fā)光器件與所述驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與所述連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入所述驅(qū)動(dòng)器1C。
11.ー種照明単元，包括具有在照明區(qū)中在布線(xiàn)基底上ニ維布置的多個(gè)像素芯片和驅(qū)動(dòng)所述像素芯片的驅(qū)動(dòng)電路的照明面板，每個(gè)像素芯片包括 一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件； 驅(qū)動(dòng)器1C，驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件； 連接部分，布置在所述發(fā)光器件與所述驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將所述發(fā)光器件電連接到所述驅(qū)動(dòng)器IC;以及 遮光部分，布置在所述發(fā)光器件與所述驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與所述連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入所述驅(qū)動(dòng)器1C。
全文摘要
提供了一種能夠防止發(fā)光器件的錯(cuò)誤照明的像素芯片、包括作為像素的像素芯片的顯示面板、包括作為像素的像素芯片的照明面板、包括顯示面板的顯示單元以及包括照明面板的照明單元。該像素芯片包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)器IC，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件；連接部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且將發(fā)光器件電連接到驅(qū)動(dòng)器IC；以及遮光部分，布置在發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)器IC之間，并且與連接部分一起阻擋從每個(gè)發(fā)光器件發(fā)出的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器IC。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102737578SQ201210096189
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月8日
發(fā)明者大鳥(niǎo)居英 申請(qǐng)人:索尼公司