專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置以及元件基板，在其多個(gè)像素上設(shè)有用以將電流供給發(fā)光元件的部件和發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
由于發(fā)光元件本身發(fā)光，因此，視見(jiàn)性高，液晶顯示裝置(LCD)中必需的背光源不再需要，適于薄型化，同時(shí)視角也無(wú)限制。所以 ，近年來(lái)，作為替代CRT及LCD的顯示裝置，采用發(fā)光元件的發(fā)光裝置正受到關(guān)注。另外，在本說(shuō)明書中發(fā)光元件指通過(guò)電流或電壓控制亮度的兀件。包括用于 OLED (Organic Light Emitting Diode) FED (Field EmissionDisplay)的MIM型電子源元件(電子發(fā)射元件)等。另外，所謂發(fā)光裝置包括面板和處于在該面板上實(shí)際安裝了包括控制器的IC等的狀態(tài)下的模塊。本發(fā)明還涉及ー種對(duì)應(yīng)于在制造該發(fā)光裝置的過(guò)程中面板完成前的形態(tài)的元件基板，該元件基板在多個(gè)各像素上設(shè)有用于將電流供給發(fā)光元件的部件。發(fā)光元件之一的OLED (Organic Light Emitting Diode)具有包括獲得通過(guò)施加電場(chǎng)而發(fā)光(Electroluminescence)的電場(chǎng)發(fā)光材料的層(以下記為電場(chǎng)發(fā)光層)、陽(yáng)極層和陰極層。電場(chǎng)發(fā)光層設(shè)于陽(yáng)極與陰極之間，由單層或多層構(gòu)成。這些層中有時(shí)也含有無(wú)機(jī)化合物。電場(chǎng)發(fā)光層中的發(fā)光包括從一重態(tài)激發(fā)狀態(tài)返回到基態(tài)時(shí)的發(fā)光(熒光)和從三重態(tài)激發(fā)狀態(tài)返回到基態(tài)時(shí)的發(fā)光(磷光)。下面簡(jiǎn)單地說(shuō)明普通發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動(dòng)。圖7所示的像素具有開關(guān)用晶體管700、驅(qū)動(dòng)用晶體管701、電容元件702和發(fā)光元件703。開關(guān)用晶體管700的柵極與掃描線705連接，源極和漏極中的ー個(gè)與信號(hào)線704連接，另ー個(gè)與驅(qū)動(dòng)用晶體管701的柵極連接。驅(qū)動(dòng)用晶體管701的源極與電源線706連接，漏極與發(fā)光元件703的陽(yáng)極連接。發(fā)光元件703的陰極與對(duì)向電極707連接。為保持驅(qū)動(dòng)用晶體管701的柵極和源極間的電位差而設(shè)有電容元件702。另外，電源將各自指定的電壓施加在電源線706、對(duì)向電極707上，使其相互具有電位差。掃描線705的信號(hào)使開關(guān)用晶體管700導(dǎo)通時(shí)，將輸入信號(hào)線704的視頻信號(hào)輸入到驅(qū)動(dòng)用晶體管701的柵極。該輸入的視頻信號(hào)的電位與電源線706的電位差為驅(qū)動(dòng)用晶體管701的柵扱-源極間電壓Vgs，將電流供給發(fā)光元件，使發(fā)光元件703發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容
然而，例如采用多晶硅的晶體管的電場(chǎng)效應(yīng)的遷移率高，導(dǎo)通電流大，因此作為發(fā)光裝置的晶體管是適合的。另外，采用多晶硅的晶體管存在因晶粒邊界上形成的缺陷而使其特性易產(chǎn)生偏差這ー問(wèn)題。如果在圖7所示的像素上驅(qū)動(dòng)用晶體管701的漏極電流對(duì)各像素有偏差，則即使視頻信號(hào)的電位相同，各像素之間的驅(qū)動(dòng)用晶體管701的漏極電流也不同，最終存在導(dǎo)致發(fā)光元件703的亮度不勻這ー問(wèn)題。
作為控制漏極電流偏差的部件，有特愿2003-008719號(hào)中已提出的增大驅(qū)動(dòng)用晶體管701的L/W(L :隧道長(zhǎng)度，W :隧道寬度)的方法。這里，驅(qū)動(dòng)用晶體管701的飽和區(qū)內(nèi)的漏極電流Ids按式(I)給出。Ids = β (Vgs-Vth) 2/2... (I)根據(jù)式1，由于驅(qū)動(dòng)用晶體管701的飽和區(qū)內(nèi)的漏極電流Ids，對(duì)應(yīng)于Vgs的微小變化而受到顯著影響，因此在發(fā)光元件703發(fā)光期間必須注意使驅(qū)動(dòng)用晶體管701的柵扱-源極間保持的電壓Vgs不變化。因此必須増大設(shè)于驅(qū)動(dòng)用晶體管701的柵扱-源極之間的電容元件702的電容，將開關(guān)用晶體管700的截止電流抑制得低。在晶體管制造過(guò)程中，很難同時(shí)滿足既將開關(guān)用晶體管700的截止電流抑制得低又為了對(duì)大電容充電而提高導(dǎo)通電流這兩者。
另外，還存在伴隨開關(guān)用晶體管700的開關(guān)及信號(hào)線、掃描線的電位變化等驅(qū)動(dòng)用晶體管701的Vgs也會(huì)變化這一問(wèn)題。這起因于驅(qū)動(dòng)用晶體管701的柵極上的寄生電容。作為ー個(gè)課題，本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而提出一種發(fā)光裝置及元件基板，它不必將開關(guān)用晶體管700的截止電流抑制得低，也不必增大電容元件702的電容，就能夠不易受寄生電容影響、并且抑制起因于驅(qū)動(dòng)用晶體管701的特性偏差的像素之間的發(fā)光元件703的亮度不勻。在本發(fā)明中，預(yù)先固定驅(qū)動(dòng)用晶體管的柵極電位，使上述驅(qū)動(dòng)用晶體管在飽和區(qū)工作，使電流常時(shí)流動(dòng)的狀態(tài)。與上述驅(qū)動(dòng)用晶體管串聯(lián)而配置在線性區(qū)工作的電流控制用晶體管，通過(guò)開關(guān)用晶體管，將傳送像素發(fā)光/不發(fā)光信號(hào)的視頻信號(hào)輸入到上述電流控制用晶體管的柵極。由于上述電流控制用晶體管在線性區(qū)工作，因此上述電流控制用晶體管的源極-漏極間電壓Vds小，上述電流控制用晶體管的柵極-源極間電壓Vgs的微小變動(dòng)不會(huì)影響流經(jīng)發(fā)光元件的電流。流經(jīng)發(fā)光元件的電流由在飽和區(qū)工作的上述驅(qū)動(dòng)用晶體管確定。(發(fā)明效果)即使不増大設(shè)于電流控制用晶體管的柵扱-源極間的電容元件的電容或者不將開關(guān)用晶體管的截止電流抑制得低，也不會(huì)影響流經(jīng)發(fā)光元件的電流。另外，還不受電流控制用晶體管的柵極上的寄生電容的影響。因此，能夠減少偏差的要因，使圖像畫質(zhì)顯著提聞。另外，對(duì)于開關(guān)用晶體管，不必將截止電流抑制得低，因此能夠簡(jiǎn)化晶體管制造過(guò)程，能夠?qū)档统杀?、成品率提高有大的貢獻(xiàn)。


圖I是表示本發(fā)明ー實(shí)施方式的示圖。圖2是表不本發(fā)明ー實(shí)施方式的不圖。圖3是概要表示外部電路和面板的示圖。圖4是表示信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路之一結(jié)構(gòu)例的示圖。圖5是表示本發(fā)明的上面圖之一例的示圖。圖6是表示可采用本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的示圖。圖7是表示傳統(tǒng)例的示圖。
圖8是表示本發(fā)明的上面圖之一例的示圖。圖9是表示本發(fā)明的剖面結(jié)構(gòu)之一例的示圖。圖10是表示本發(fā)明的工作定時(shí)之一例的示圖。圖11是表示本發(fā)明的剖面結(jié)構(gòu)之一例的示圖。圖12是表不本發(fā)明ー實(shí)施方式的不圖。圖13是表示本發(fā)明的上面圖之一例的示圖。圖14是表不本發(fā)明ー實(shí)施方式的不圖。圖15是表不本發(fā)明ー實(shí)施方式的不圖。
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圖16是表示本發(fā)明的上面圖之一例的示圖。圖17是表示本發(fā)明的上面圖之一例的示圖。圖18是表示本發(fā)明的剖面結(jié)構(gòu)之一例的示圖。圖19是表示本發(fā)明的剖面結(jié)構(gòu)之一例的示圖。圖20是表示本發(fā)明的上面圖之一例的示圖。圖21是表示本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)方法的示圖。圖22是表示有源矩陣型發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)方法的示圖。圖23是視頻信號(hào)按照使用電壓或使用電流而分類的驅(qū)動(dòng)方法ー覽表。實(shí)施發(fā)明的最佳方式以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，專業(yè)人員應(yīng)不難理解本發(fā)明可采用許多不同的實(shí)施方式，且其形式和細(xì)節(jié)可以有各種變更，只要不背離本發(fā)明的宗g及范圍。因此，不應(yīng)限定于本實(shí)施方式的記載內(nèi)容進(jìn)行解釋。(實(shí)施方式I)圖I表示本發(fā)明的發(fā)光裝置含有的像素的ー實(shí)施方式。圖I所示的像素含有發(fā)光元件104、作為控制視頻信號(hào)輸入像素的開關(guān)元件使用的晶體管(開關(guān)用晶體管)101、控制流經(jīng)發(fā)光元件104的電流值的驅(qū)動(dòng)用晶體管102以及控制電流供給發(fā)光元件104的電流控制用晶體管103。另外，如本實(shí)施方式那樣，也可以在像素上設(shè)置用以維持視頻信號(hào)電位的電容元件105。驅(qū)動(dòng)用晶體管102和電流控制用晶體管103有相同的極性。在本發(fā)明中使驅(qū)動(dòng)用晶體管102在飽和區(qū)工作，使電流控制用晶體管103在線性區(qū)工作。另外，驅(qū)動(dòng)用晶體管102的L比W長(zhǎng)，電流控制用晶體管103的L與W相同，或者也可以比W短。使驅(qū)動(dòng)用晶體管102的L與W之比為5以上則更理想。另外，假設(shè)驅(qū)動(dòng)用晶體管102的溝道長(zhǎng)度為L(zhǎng)I、溝道寬度為Wl，電流控制用晶體管103的溝道長(zhǎng)度為L(zhǎng)2、溝道寬度為W2，則在L1/W1 L2/W2 = X I時(shí)，優(yōu)選X為5以上、6000以下。作為一例，可取L1/W1 = 500 μ m/3 μ m、L2/W2 = 3 μ m/100 μ m。另外，作為驅(qū)動(dòng)用晶體管102，可用增強(qiáng)型晶體管，也可用耗盡型晶體管。另外，作為開關(guān)用晶體管101，可用N型晶體管，也可用P型晶體管。開關(guān)用晶體管101的柵極與掃描線Gj (j = I y)連接。開關(guān)用晶體管101的源極和漏極中的ー個(gè)與信號(hào)線Si (i = I X)連接，另ー個(gè)與電流控制用晶體管103的柵極連接。驅(qū)動(dòng)用晶體管102的柵極與第2電源線Wi (i = I X)連接。而且，為了將由第I電源線Vi (i = I X)供給的電流作為驅(qū)動(dòng)用晶體管102及電流控制用晶體管103的漏極電流而供給發(fā)光元件104，使驅(qū)動(dòng)用晶體管102及電流控制用晶體管103與第I電源線Vi (i=I X)、發(fā)光元件104連接。本實(shí)施方式中電流控制用晶體管103的源極與第I電源線Vi(i = I X)連接，驅(qū)動(dòng)用晶體管102的漏極與發(fā)光元件104的像素電極連接。再有，也可以使驅(qū)動(dòng)用晶體管102的源極與第I電源線Vi(i = I X)連接，使電流控制用晶體管103漏極與發(fā)光元件104的像素電極連接。發(fā)光元件104由設(shè)在陽(yáng)極與陰極之間的電場(chǎng)發(fā)光層構(gòu)成。如圖I那樣，如果陽(yáng)極與驅(qū)動(dòng)用晶體管102連接，則陽(yáng)極為像素電極、陰極為對(duì)向電極。為了將正偏壓方向的電流供給發(fā)光元件104，在發(fā)光元件104的對(duì)向電極和各第I電源線Vi (i = I X)上設(shè)置電位差。再有，對(duì)向電極與第3電源線連接。、
電容元件105含有的2個(gè)電極中的一個(gè)與第I電源線Vi (i = I χ)連接，另ー個(gè)與電流控制用晶體管103的柵極連接。為了在開關(guān)用晶體管101處于非選擇狀態(tài)(截止?fàn)顟B(tài))時(shí)，保持電容元件105的電極之間的電位差而設(shè)置電容元件105。再有，圖I表示設(shè)有電容元件105的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不受其限定結(jié)構(gòu)，也可以采用不設(shè)置電容元件105的結(jié)構(gòu)。圖I中驅(qū)動(dòng)用晶體管102及電流控制用晶體管103為P型晶體管，驅(qū)動(dòng)用晶體管102的漏極和發(fā)光元件104的陽(yáng)極連接。相反地，如果驅(qū)動(dòng)用晶體管102和電流控制用晶體管103為N型晶體管，則將驅(qū)動(dòng)用晶體管102的源極和發(fā)光元件104的陰極連接。此時(shí)，發(fā)光元件104的陰極為像素電極，陽(yáng)極為對(duì)向電極。下面說(shuō)明圖I所示的像素的驅(qū)動(dòng)方法?？梢詫DI所示像素的動(dòng)作分為寫入期間、數(shù)據(jù)保持期間進(jìn)行說(shuō)明。首先,在寫入期間選擇掃描線Gj (j = I y)時(shí)，其柵極與掃描線Gj (j = I y)連接的開關(guān)用晶體管101成為導(dǎo)通。然后，輸入信號(hào)線S i(i = l x)的視頻信號(hào)經(jīng)由開關(guān)用晶體管101輸入到電流控制用晶體管103的柵極。再有，由于驅(qū)動(dòng)用晶體管102的柵極與第I電源線Vi (i = I χ)連接，因此通常為導(dǎo)通狀態(tài)。在視頻信號(hào)使電流控制用晶體管103導(dǎo)通時(shí)，經(jīng)由第I電源線Vi (i = I χ)將電流供給發(fā)光元件104。此時(shí)，由于電流控制用晶體管103在線性區(qū)工作，因此由在飽和區(qū)工作的驅(qū)動(dòng)用晶體管102和發(fā)光元件104的電壓電流特性確定流經(jīng)發(fā)光元件104的電流。然后，發(fā)光元件104以與供給的電流相當(dāng)?shù)牧炼劝l(fā)光。另外，在視頻信號(hào)使電流控制用晶體管103截止時(shí)，不對(duì)發(fā)光元件104供給電流，發(fā)光兀件104不發(fā)光。在數(shù)據(jù)保持期間通過(guò)控制掃描線Gj (j = I y)的電位，使開關(guān)用晶體管101截止，在寫入期間保持寫入的視頻信號(hào)的電位。若在寫入期間使電流控制用晶體管103導(dǎo)通，則視頻信號(hào)的電位由電容元件105保持而維持對(duì)發(fā)光元件104的電流供給。相反地，若在寫入期間使電流控制用晶體管103截止，則視頻信號(hào)的電位由電容元件105保持而不對(duì)發(fā)光元件104供給電流。再有，元件基板處于對(duì)應(yīng)于在制造本發(fā)明的發(fā)光裝置的過(guò)程中發(fā)光元件形成前的形態(tài)。在本發(fā)明的發(fā)光裝置中使用的晶體管，既可以是采用單晶硅而形成的晶體管，也可以是采用SOI的晶體管，還可以是采用多晶硅及無(wú)定形硅的薄膜晶體管。另外，可以是采用有機(jī)半導(dǎo)體的晶體管，也可以是采用碳納米管的晶體管。另外，設(shè)于本發(fā)明的發(fā)光裝置的像素內(nèi)的晶體管既可以含有單柵極結(jié)構(gòu)，也可是雙柵極結(jié)構(gòu)以及含有更多柵極的多柵極結(jié)構(gòu)。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于電流控制用晶體管103在線性區(qū)工作，因此電流控制用晶體管103的源極-漏極之間電壓Vds小，電流控制用晶體管103的柵極-源極之間電壓Vgs的微小變動(dòng)不會(huì)影響流經(jīng)發(fā)光元件104的電流。流經(jīng)發(fā)光元件104的電流由飽和區(qū)工作的驅(qū)動(dòng)用晶體管102確定。因此，即使設(shè)于電流控制用晶體管103的柵扱-源極之間的電容元件105的電容不増加或者開關(guān)用晶體管101的截止電流未抑制得低，也不會(huì)影響流經(jīng)發(fā)光元件104的電流。另外，也不受電流控制用晶體管103的柵極上的寄生電容的影響。因此，能夠使偏差的要因減少，并使圖像畫質(zhì)顯著提高。再有，由于有源矩陣型發(fā)光裝置在視 頻信號(hào)輸入后，還能夠在某種程度上維持對(duì)發(fā)光元件的電流供給，因此能夠靈活地適應(yīng)于顯示器的大型化、高清晰化，正在成為今后的主流。已具體提出的有源矩陣型發(fā)光裝置中像素的結(jié)構(gòu)，因發(fā)光裝置的制造廠家不同而異，它們分別凝集著具有特色的技術(shù)研究結(jié)果。圖22系統(tǒng)地表示有源矩陣型發(fā)光裝置中的驅(qū)動(dòng)方法分類。如圖22所示，對(duì)于有源矩陣型發(fā)光裝置中的驅(qū)動(dòng)方法，視頻信號(hào)大致可分類為數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)。而且，分類為模擬信號(hào)的發(fā)光裝置可再分類如下即模擬地調(diào)制流經(jīng)發(fā)光元件的電流值的電流調(diào)制和通過(guò)使變換器的導(dǎo)通、截止長(zhǎng)度變化而顯示灰度的時(shí)間調(diào)制。電流調(diào)制的發(fā)光裝置可分類為有晶體管特性修正電路和沒(méi)有晶體管特性修正電路。所謂晶體管特性修正電路是指修正驅(qū)動(dòng)用晶體管的特性偏差的電路，它有僅修正閾值的電路及修正電流值(閾值、遷移率等都包括)的電路。含有分類為電流調(diào)制的修正晶體管特性修正電路的發(fā)光裝置可再分類為以電壓設(shè)計(jì)程序進(jìn)行閾值修正和以電流設(shè)計(jì)程序進(jìn)行電流值修正。電壓設(shè)計(jì)程序是按電壓輸入視頻信號(hào)，修正驅(qū)動(dòng)用晶體管的閾值偏差。而電流設(shè)計(jì)程序是修正驅(qū)動(dòng)用晶體管的電流值(閾值、遷移率也都包括)偏差。按電流輸入視頻信號(hào)。由于發(fā)光元件是電流驅(qū)動(dòng)元件，其發(fā)光亮度通過(guò)電流決定，因此作為數(shù)據(jù)直接使用電流值。以電流設(shè)計(jì)程序進(jìn)行電流值修正的發(fā)光裝置，可再分類為使用電流反射鏡型和非電流反射鏡型。電流反射鏡型在采用電流反射鏡電路的像素電路中分別配置設(shè)定電流的晶體管和對(duì)發(fā)光元件供給電流的晶體管。作為反射鏡型的2個(gè)晶體管的特性一致是ー個(gè)大前堤。非電流反射鏡型的類型的發(fā)光裝置不使用電流反射鏡電路，而通過(guò)I個(gè)晶體管進(jìn)行電流設(shè)定和對(duì)發(fā)光元件供給電流。另ー方面，分類為數(shù)字信號(hào)的發(fā)光裝置可分類為面積灰度調(diào)制和時(shí)間灰度調(diào)制。面積灰度調(diào)制是在像素內(nèi)設(shè)置子像素，其發(fā)光面積按I : 2 : 4 : 8···進(jìn)行加權(quán)，根據(jù)對(duì)其選擇，進(jìn)行灰度顯示。時(shí)間灰度調(diào)制是將I幀分為幾個(gè)子幀，在各自的發(fā)光時(shí)間中分別按1:2:4: 8…進(jìn)行加權(quán)，根據(jù)對(duì)其選擇，進(jìn)行灰度顯示。時(shí)間灰度調(diào)制可分類為DPS (Display Period Separated)驅(qū)動(dòng)和SES(Simultaneous Erasing Scan)驅(qū)動(dòng)。DPS驅(qū)動(dòng)的子巾貞分別由數(shù)據(jù)寫入期間(AddressingPeriod)和發(fā)光期間(Lighting Period) 2個(gè)部分構(gòu)成。DPS驅(qū)動(dòng)記載于“M. Mizukami, etal. ,6-Bit Digital VGA OLED, SID' 00 Digest, ρ·912” 中。SES 驅(qū)動(dòng)通過(guò)使用消去用晶體管，能使數(shù)據(jù)寫入期間和發(fā)光期間重疊，能使發(fā)光元件的發(fā)光期間變長(zhǎng)。SES驅(qū)動(dòng)記載于“K. Inukai, et al. ,4. O-in. TFT-OLED Displays and a Novel Digital Driving Method,SID' OODigest，p. 924” 中。SES驅(qū)動(dòng)可再分類為恒流驅(qū)動(dòng)和恒壓驅(qū)動(dòng)。恒流驅(qū)動(dòng)通過(guò)一定電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件，且與發(fā)光元件的電阻變化無(wú)關(guān)，使一定電流流過(guò)。而恒壓驅(qū)動(dòng)則是按一定電壓驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件。恒流驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置可再分類為有晶體管特性修正電路和無(wú)晶體管特性修正電路。國(guó)際公開序號(hào)W003/027997中記載的發(fā)光裝置驅(qū)動(dòng)(CCTl)和特愿2002-056555號(hào)公報(bào)中記載的發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)(CCSP)就是有晶體管特性修正電路的發(fā)光裝置。無(wú)晶體管特性修正電路的發(fā)光裝置，可再分類為驅(qū)動(dòng)晶體管長(zhǎng)溝道長(zhǎng)度和發(fā)光時(shí)柵極電位固定法的發(fā)光裝置。驅(qū)動(dòng)晶體管長(zhǎng)溝道長(zhǎng)度的發(fā)光裝置記載于特愿2002-025065號(hào)公報(bào)中。驅(qū)動(dòng)晶體管長(zhǎng)溝道長(zhǎng)度，可抑制恒流驅(qū)動(dòng)時(shí)驅(qū)動(dòng)用晶體管的特性偏差。通過(guò)使柵極長(zhǎng)度為超長(zhǎng)度，由于不使用閾值附近的Vgs，能夠降低流經(jīng)各像素的發(fā)光元件的電流值偏差。發(fā)光時(shí)柵極電位固定法是在發(fā)光元件的發(fā)光期間、將驅(qū)動(dòng)用晶體管的柵極固定在驅(qū)動(dòng)用晶體管導(dǎo)通的電位，從而使驅(qū)動(dòng)用晶體管的Vgs—定，以改善顯示不良狀況。數(shù)據(jù)輸·入到與驅(qū)動(dòng)用晶體管串聯(lián)的電流控制用晶體管的柵極。而且，在發(fā)光時(shí)柵極電位固定法的發(fā)光裝置中也有驅(qū)動(dòng)晶體管為長(zhǎng)溝道長(zhǎng)度的發(fā)光裝置。本發(fā)明的發(fā)光裝置，類屬于發(fā)光時(shí)柵極電位固定法的驅(qū)動(dòng)晶體管長(zhǎng)溝道長(zhǎng)度的裝置。圖23表示在視頻信號(hào)為數(shù)字的發(fā)光裝置中按視頻信號(hào)使用的是電壓或者使用的是電流而分類的驅(qū)動(dòng)方法ー覽表。如圖23所示，在發(fā)光元件發(fā)光時(shí)輸入像素的視頻信號(hào)有恒壓(CV)和恒流(CC)兩種。在視頻信號(hào)為恒壓(CV)的發(fā)光裝置中有施加于發(fā)光兀件的電壓為一定(CVCV)和流經(jīng)發(fā)光元件的電流為一定(CVCC)兩種。另外，在視頻信號(hào)為恒流(CC)的發(fā)光裝置中有施加于發(fā)光兀件的電壓為一定(CCCV)和流經(jīng)發(fā)光兀件的電流為一定(CCCC)兩種。(實(shí)施方式2)在本實(shí)施方式中對(duì)于本發(fā)明的發(fā)光裝置含有的像素與圖I的不同進(jìn)行說(shuō)明。圖2所不的像素含有發(fā)光兀件204、開關(guān)用晶體管201、驅(qū)動(dòng)用晶體管202、電流控制用晶體管203和用于強(qiáng)制性地使電流控制用晶體管203截止的晶體管(消去用晶體管)206。在像素上除了上述元件以外，還可以設(shè)置電容元件205。驅(qū)動(dòng)用晶體管202和電流控制用晶體管203含有相同的極性。本發(fā)明中使驅(qū)動(dòng)用晶體管202在飽和區(qū)工作，使電流控制用晶體管203在線性區(qū)工作。另外，驅(qū)動(dòng)用晶體管202的L比W長(zhǎng)，電流控制用晶體管203的L與W相同，或者也可以比W短。更優(yōu)選使驅(qū)動(dòng)用晶體管202的L與W之比為5以上。另外，在驅(qū)動(dòng)用晶體管202中既可以使用增強(qiáng)型晶體管，也可以使用耗盡型晶體管。另外，開關(guān)用晶體管201及消去用晶體管206既可以使用N型晶體管，也可以使用P型晶體管。開關(guān)用晶體管201的柵極與第I掃描線Gaj (j = I y)連接。開關(guān)用晶體管201的源極和漏極中的ー個(gè)與信號(hào)線Si (i = I χ)連接，另ー個(gè)與電流控制用晶體管203的柵極連接。而消去用晶體管206的柵極與第2掃描線Gej (j = I y)連接，其源極和漏極中的一個(gè)與第I電源線Vi(i = I X)連接，另ー個(gè)與電流控制用晶體管203的柵極連接。驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵極與第2電源線Wi (i = I χ)連接。而且，為了將由第I電源線Vi (i = I χ)供給的電流作為驅(qū)動(dòng)用晶體管202及電流控制用晶體管203的漏極電流而供給發(fā)光元件204，使驅(qū)動(dòng)用晶體管202及電流控制用晶體管203與第I電源線Vi (i=I χ)、發(fā)光元件204連接。在本實(shí)施方式中電流控制用晶體管203的源極與第I電源線Vi (i = i X)連接，驅(qū)動(dòng)用晶體管202的漏極與發(fā)光元件204的像素電極連接。再有，也可以將驅(qū)動(dòng)用晶體管202的源極與第I電源線Vi(i = I χ)連接，將電流控制用晶體管203漏極與發(fā)光元件204的像素電極連接。發(fā)光元件204由設(shè)于陽(yáng)極與陰極之間的電場(chǎng)發(fā)光層構(gòu)成。如圖2那樣，如果陽(yáng)極與驅(qū)動(dòng)用晶體管202連接，則陽(yáng)極為像素電極，陰極為對(duì)向電極。為了將正偏壓方向的電流供給發(fā)光元件204，在發(fā)光元件204的對(duì)向電極和備第I電源線Vi (i = I χ)上設(shè)置電位差。再有，對(duì)向電極與第3電源線連接。
電容元件205的2個(gè)電極中的一個(gè)與第I電源線Vi (i = I χ)連接，另ー個(gè)與電流控制用晶體管203的柵極連接。在圖2中驅(qū)動(dòng)用晶體管202和電流控制用晶體管203為P型晶體管，驅(qū)動(dòng)用晶體管202的漏極和發(fā)光元件204的陽(yáng)極連接。相反地，如果驅(qū)動(dòng)用晶體管202及電流控制用晶體管203為N型晶體管，則驅(qū)動(dòng)用晶體管202的源極和發(fā)光元件204的陰極連接。此時(shí)，發(fā)光元件204的陰極為像素電極，陽(yáng)極為對(duì)向電扱。對(duì)于圖2所示的像素可以分為寫入期間、數(shù)據(jù)保持期間、消去期間來(lái)說(shuō)明其動(dòng)作。寫入期間和數(shù)據(jù)保持期間的開關(guān)用晶體管201、驅(qū)動(dòng)用晶體管202及電流控制用晶體管203的動(dòng)作，與圖I的情況相同。圖21 (A)表示在寫入期間通過(guò)視頻信號(hào)使電流控制用晶體管203導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作，圖21 (B)表示在寫入期間使電流控制用晶體管203截止時(shí)的動(dòng)作。而圖21 (C)表示在維持期間使電流控制用晶體管203導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作，圖21 (D)表示消去期間的動(dòng)作。再有，為了在圖21(A) 圖21(D)中使各動(dòng)作易于理解，將作為開關(guān)元件使用的開關(guān)用晶體管201、電流控制用晶體管203和消去用晶體管206都作為開關(guān)表示。首先，如果在寫入期間選擇第I掃描線Gaj (j = I y)，則柵極與第I掃描線Gaj (j = I y)連接著的開關(guān)用晶體管201導(dǎo)通。然后輸入信號(hào)線Si (i = I χ)的視頻信號(hào)通過(guò)開關(guān)用晶體管201，輸入電流控制用晶體管203的柵極。另外，由于驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵極與第I電源線Vi (i = I χ)連接，因此通常為導(dǎo)通狀態(tài)。在電流控制用晶體管203通過(guò)視頻信號(hào)導(dǎo)通時(shí)，如圖21(A)所示，通過(guò)第I電源線Vi(i = I χ)，將電流供給發(fā)光元件204。由于此時(shí)電流控制用晶體管203在線性區(qū)エ作，因此飽和區(qū)工作的驅(qū)動(dòng)用晶體管202和發(fā)光元件204的電壓電流特性決定流經(jīng)發(fā)光元件204的電流。然后，發(fā)光元件204以與供給的電流相當(dāng)?shù)拇笮〉牧炼劝l(fā)光。另外，如圖21(B)所示，在電流控制用晶體管203通過(guò)視頻信號(hào)截止時(shí)，不對(duì)發(fā)光元件204供給電流，發(fā)光元件204不發(fā)光。在數(shù)據(jù)保持期間，通過(guò)控制第I掃描線Gaj (j = I y)的電位，使開關(guān)用晶體管201截止，保持在寫入期間寫入的視頻信號(hào)的電位。若在寫入期間使電流控制用晶體管203導(dǎo)通，則視頻信號(hào)的電位通過(guò)電容元件205而被維持，因此，如圖21 (C)所示，保持對(duì)發(fā)光元件的電流供給。相反地，若在寫入期間使電流控制用晶體管203截止，則視頻信號(hào)的電位通過(guò)電容元件205保持，因此不對(duì)發(fā)光元件204供給電流。如圖21(D)所示，在消去期間選擇第2掃描線Gej(j = I y)，使消去用晶體管206導(dǎo)通，電源線Vi(i = I χ)的電位通過(guò)消去用晶體管206，供給電流控制用晶體管203的柵極。因此，由于電流控制用晶體管203截止，能夠產(chǎn)生強(qiáng)制性地不將電流供給發(fā)光元件204的狀態(tài)。(實(shí)施例)以下，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明?！矊?shí)施例I〕下面說(shuō)明有源矩陣型顯示裝置中使用本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)時(shí)的結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)。 圖3表示外部電路的框圖和面板的概略圖。如圖3所示，有源矩陣型顯示裝置含有外部電路3004和面板3010。外部電路3004含有A/D轉(zhuǎn)換部3001、電源部3002及信號(hào)生成部3003。A/D轉(zhuǎn)換部3001將以模擬信號(hào)輸入的圖像數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)(視頻信號(hào))，供給信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路3006。電源部3002從由電池及插座供給的電源生成各自要求的電壓值電源，供給信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路3006、掃描線驅(qū)動(dòng)電路3007、發(fā)光元件3011、信號(hào)生成部3003等。信號(hào)生成部3003中，除了輸入電源、圖像信號(hào)及同步信號(hào)等并進(jìn)行各種信號(hào)轉(zhuǎn)換之外，還生成用于驅(qū)動(dòng)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路3006及掃描線驅(qū)動(dòng)電路3007的時(shí)鐘信號(hào)等。來(lái)自外部電路3004的信號(hào)及電源通過(guò)FPC，從面板3010內(nèi)的FPC連接部3005輸入到內(nèi)部電路等。另外，面板3010中，在基板3008上配置FPC連接部3005、內(nèi)部電路，還設(shè)有發(fā)光元件3011。內(nèi)部電路含有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路3006、掃描線驅(qū)動(dòng)電路3007及像素部3009。作為例子，在圖3中采用了實(shí)施方式I中記載的像素，但上述像素部3009可采用本發(fā)明實(shí)施方式中列舉的任何一種像素結(jié)構(gòu)。在基板中央配置像素部3009，在其外圍配置信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路3006及掃描線驅(qū)動(dòng)電路3007。在像素部3009的整個(gè)面上形成發(fā)光元件3011及上述發(fā)光元件的對(duì)向電極。圖4是更詳細(xì)地表示信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路3006的框圖。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路3006含有由采用多級(jí)D-雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器4001而形成的移位寄存器4002、數(shù)據(jù)閂鎖電路(LAT) 4003、閂鎖電路(LAT) 4004、電平移動(dòng)器4005及緩沖器4006 等。輸入的信號(hào)為時(shí)鐘信號(hào)線(S-CK)、反轉(zhuǎn)時(shí)鐘信號(hào)線(S-CKB)、起動(dòng)脈沖(S-SP)、視頻信號(hào)(DATA)及閂鎖脈沖(Latch Pulse)。首先，按照時(shí)鐘信號(hào)、時(shí)鐘反轉(zhuǎn)信號(hào)及起動(dòng)脈沖的定時(shí)，依次從移位寄存器4002輸出取樣脈沖。將取樣脈沖輸入到數(shù)據(jù)閂鎖電路4003，在該定時(shí)取得視頻信號(hào)并加以保持。從第一列開始依次進(jìn)行此動(dòng)作。如果在最后I級(jí)的數(shù)據(jù)閂鎖電路4003中結(jié)束視頻信號(hào)的保持，則在水平回掃線期間輸入閂鎖脈沖，將在數(shù)據(jù)閂鎖電路4003中保持的視頻信號(hào)一起傳送給閂鎖電路4004。然后，在電平移動(dòng)器4005中進(jìn)行電平移動(dòng)、在緩沖器4006中整形后，向信號(hào)線SI至Sn同時(shí)輸出。此時(shí)，將H電平、L電平輸入到由掃描線驅(qū)動(dòng)電路3007選定的像素，控制發(fā)光元件3011的發(fā)光/不發(fā)光。本實(shí)施例給出的有源矩陣型顯示裝置的面板3010和外部電路3004是獨(dú)立的，但也可以將它們?cè)谕换迳弦惑w化形成。另外，顯示裝置中以使用OLED為例，但也可以是采用OLED之外的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。另外，在信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路3006內(nèi)也可不設(shè)電平移動(dòng)器4005和緩沖器4006?！矊?shí)施例2〕 本實(shí)施例說(shuō)明圖2所示的像素的上面圖的實(shí)施例。圖5表示本實(shí)施例的像素上面圖。5001對(duì)應(yīng)于信號(hào)線，5002對(duì)應(yīng)于第I電源線，5011對(duì)應(yīng)于第2電源線，5004對(duì)應(yīng)于第I掃描線，5003對(duì)應(yīng)于第2掃描線。在本實(shí)施例中，信號(hào)線5001、第I電源線5002和第2電源線5011由同一導(dǎo)電膜形成,第I掃描線5004和第2掃描線5003由同一導(dǎo)電膜形成。另外，5005是開關(guān)用晶體管，第I掃描線5004的一部分作為其柵扱。另外，5006是消去用晶體管，第2掃描線5003的一部分作為其柵極。5007對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)用晶體管，5008對(duì)應(yīng)于電流控制用晶體管。為了使驅(qū)動(dòng)用晶體管5007的L/W大于電流控制用晶體管5008的L/W，其活性層是彎曲的。例如使驅(qū)動(dòng)用晶體管5007的尺寸是L = 200 [nm], W = 4[nm]，使電流控制用晶體管5008的尺寸是L = 6[nm],ff = 12[nm]。5009對(duì)應(yīng)于像素電極，在電場(chǎng)發(fā)光層和陰極(均未圖示)重疊的區(qū)域(發(fā)光區(qū))5010中發(fā)光。再有，本發(fā)明的上面圖僅為一基本實(shí)施例，本發(fā)明當(dāng)然不受其限定?！矊?shí)施例3〕在本實(shí)施例中說(shuō)明圖2所示的像素的、與圖5不同的一上面圖的實(shí)施例。圖8表示本實(shí)施例的像素上面圖。8001對(duì)應(yīng)于信號(hào)線，8002對(duì)應(yīng)于第I電源線，8011對(duì)應(yīng)于第2電源線，8004對(duì)應(yīng)于第I掃描線、8003對(duì)應(yīng)于第2掃描線。在本實(shí)施例中信號(hào)線8001、第I電源線8002和第2電源線8011由同一導(dǎo)電膜形成,第I掃描線8004和第2掃描線8003由同一導(dǎo)電膜形成。另外，8005是開關(guān)用晶體管，第I掃描線8004的一部分作為其柵極發(fā)揮功能。另外，8006是消去用晶體管、第2掃描線8003的一部分作為其柵極發(fā)揮功能。8007對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)用晶體管,8008對(duì)應(yīng)于電流控制用晶體管。為了使驅(qū)動(dòng)用晶體管8007的L/W大于電流控制用晶體管8008的L/W，其活性層是彎曲的。例如使驅(qū)動(dòng)用晶體管8007的尺寸是L = 200[nm]、W = 4[nm],使電流控制用晶體管8008的尺寸是L = 6[nm]、W = 12 [nm]。8009對(duì)應(yīng)于像素電極，在與電場(chǎng)發(fā)光層及陰極(均未圖示)重疊的區(qū)域(發(fā)光區(qū))8010發(fā)光。另外，8012是電容部件，由第2電源線8011與電流控制用晶體管8008之間的柵極絕緣膜構(gòu)成。另外，本發(fā)明的上面圖僅為一基本實(shí)施例，本發(fā)明當(dāng)然不受其限定。〔實(shí)施例4〕在本實(shí)施例中說(shuō)明像素的剖面結(jié)構(gòu)。圖9 (A)是表示驅(qū)動(dòng)用晶體管9021為P型、由發(fā)光元件9022發(fā)出的光通過(guò)陽(yáng)極9023側(cè)時(shí)的像素的剖面圖。在圖9 (A)中，發(fā)光元件9022的陽(yáng)極9023和驅(qū)動(dòng)用晶體管9021在電氣上連接，在陽(yáng)極9023上依次疊層電場(chǎng)發(fā)光層9024、陰極9025。陰極9025可采用眾所周知的材料，只要能形成功函數(shù)小且反射光的導(dǎo)電膜。例如優(yōu)選Ca、Al、CaF、MgAg, AlLi等。而且，電場(chǎng)發(fā)光層9024既可由單層構(gòu)成，也可疊層多層而構(gòu)成。在由多層構(gòu)成時(shí)，在陽(yáng)極9023上按空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層的順序疊層。再有，這些層不必全都設(shè)置。陽(yáng)極9023用透光的透明導(dǎo)電膜形成，例如除ITO之外，還可采用在氧化銦中混合了 2 20%氧化鋅(ZnO)的透明導(dǎo)電膜。陽(yáng)極9023、電場(chǎng)發(fā)光層9024和陰極9025重疊而成的部分對(duì)應(yīng)于發(fā)光元件9022。圖9 (A)所示的像素中，如空白箭頭所示，由發(fā)光元件9022發(fā)出的光從陽(yáng)極9023側(cè)透過(guò)。圖9 (B)是表示驅(qū)動(dòng)用晶體管9001為N型、由發(fā)光元件9002發(fā)出的光透過(guò)陽(yáng)極9005側(cè)的像素的剖面圖。在圖9(B)中，發(fā)光元件9002的陰極9003和驅(qū)動(dòng)用晶體管9001在電氣上連接，在陰極9003上依次疊層電場(chǎng)發(fā)光層9004、陽(yáng)極9005。只要陰極9003是功函數(shù)小且反射光的導(dǎo)電膜，則可采用眾所周知的材料。例如優(yōu)選Ca、Al、CaF、MgAg, AlLi等。而且，電場(chǎng)發(fā)光層9004既可由單層構(gòu)成，也可疊層多層而構(gòu)成。在由多層構(gòu)成時(shí)，在陰極9003上按電子注入層、電子輸送層、發(fā)光層、空穴輸送層、空穴注入層的順序疊層。再有，這些層不必全都設(shè)置。陽(yáng)極9005用透光的透明導(dǎo)電膜形成，例如除ITO之外，還可采用在氧化銦中混合了 2 20%氧化鋅(ZnO)的透明導(dǎo)電膜。
陰極9003、電場(chǎng)發(fā)光層9004和陽(yáng)極9005重疊而成的部分對(duì)應(yīng)于發(fā)光元件9002。對(duì)于圖9 (B)所示的像素，如空白箭頭所示，由發(fā)光元件9002發(fā)出的光從陽(yáng)極9005側(cè)透過(guò)。再有，在本實(shí)施例中表示了將驅(qū)動(dòng)用晶體管與發(fā)光元件在電氣上連接的例子，但也可以是在驅(qū)動(dòng)用晶體管與發(fā)光元件之間連接有電流控制用晶體管的結(jié)構(gòu)?！矊?shí)施例5〕用圖10說(shuō)明一例采用本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)定時(shí)。圖10(A)是使用數(shù)字時(shí)間灰度調(diào)制方式、表現(xiàn)4比特灰度時(shí)的例子。數(shù)據(jù)保持期間Tsl Ts4 的長(zhǎng)度之比為 Tsl : Ts2 : Ts3 : Ts4 = 23 : 22 : 21 : 2° = 8 : 4 : 2 : I。下面說(shuō)明各動(dòng)作。首先，在寫入期間Tbl中，從第I行依次選擇第I掃描線，使開關(guān)用晶體管導(dǎo)通。然后，通過(guò)信號(hào)線將視頻信號(hào)輸入各像素，根據(jù)該電位控制各像素發(fā)光/不發(fā)光。在視頻信號(hào)寫入結(jié)束的行中立即移至數(shù)據(jù)保持期間Tsl。進(jìn)行相同的動(dòng)作直至最后I行，期間Tal結(jié)束。此時(shí)，從數(shù)據(jù)保持期間Tsl結(jié)束的行依次移至寫入期間Tb2。這里，在含有小于寫入期間的數(shù)據(jù)保持期間的子幀期間(這里，與Ts4相當(dāng))，在數(shù)據(jù)保持期間結(jié)束后，為了使下一期間不立即開始，設(shè)置消去期間2102。在消去期間將發(fā)光元件強(qiáng)制性地設(shè)為非發(fā)光狀態(tài)。這里，說(shuō)明了表現(xiàn)4比特灰度的情況，但比特?cái)?shù)及灰度數(shù)不受其限定。另外，發(fā)光的順序不必是Tsl Ts4，也可以是隨機(jī)的，還可以分割為多個(gè)而發(fā)光。另外，圖10⑶表示寫入脈沖及消去脈沖的例子。如消去脈沖I所示，上述消去脈沖也可I行I行地輸入脈沖，在消去期間中由電容部件等保持，如消去脈沖2所示，也可在消去期間中連續(xù)輸入H電平。另外，圖10(B)所示的脈沖是開關(guān)用晶體管及消去用晶體管都是N型的情況，如果上述開關(guān)用晶體管及上述消去用晶體管都是P型，則圖10(B)所示的脈沖的H電平和L電平都反轉(zhuǎn)?！矊?shí)施例6〕采用本發(fā)明的發(fā)光裝置能夠用于各種電子設(shè)備的顯示部。優(yōu)選在特別要求低功耗的移動(dòng)設(shè)備中使用本發(fā)明的顯示裝置。具體地說(shuō)，作為上述電子設(shè)備，可以列舉手提信息終端(手提電話，移動(dòng)電腦，手提型游戲機(jī)或電子圖書等)、攝像機(jī)，數(shù)碼相機(jī)，目鏡型顯示器，顯示器，導(dǎo)航系統(tǒng)等。這些電子設(shè)備的具體例子示于圖6中。圖6 (A)是顯示器，它包括框體6001、聲音輸出部6002、顯示部6003等。本發(fā)明的顯示裝置能夠用于顯示部6003。顯示裝置包括個(gè)人電腦用、電視廣播接收用、廣告顯示用等全部的信息顯示裝置。圖6 (B)是移動(dòng)電腦，它包括本體6101、記錄筆6102、顯示部6103、操作按鈕6104、外部接ロ 6105等。本發(fā)明的發(fā)光裝置能夠用于顯示部6103。圖6 (C)是游戲機(jī)，它包括本體6201、顯示部6202、操作按鈕6203等。本發(fā)明的發(fā)光裝置能夠用于顯示部6202。圖6 (D)是手提電話，它包括本體6301、聲音輸出部6302、聲音輸入部6303、顯示部6304、操作開關(guān)6305、天線6306等。本發(fā)明的發(fā)光裝置能夠用于顯示部6304。
總之，本發(fā)明的發(fā)光裝置的應(yīng)用范圍極其廣泛，可用于所有領(lǐng)域的電子設(shè)備。[實(shí)施例7]用圖11說(shuō)明本發(fā)明的發(fā)光裝置的像素剖面結(jié)構(gòu)。圖11表示形成于基板7000上的驅(qū)動(dòng)用晶體管7001。驅(qū)動(dòng)用晶體管7001用第I層間絕緣膜7002覆蓋，在第I層間絕緣膜7002上形成有由樹脂等形成的彩色濾光膜7003和通過(guò)接觸孔與驅(qū)動(dòng)用晶體管7001的漏極在電氣上連接的布線7004。另外，還可在驅(qū)動(dòng)用晶體管7001與布線7004之間設(shè)置電流控制用晶體管。而且，為了覆蓋彩色濾光膜7003及布線7004，在第I層間絕緣膜7002上形成第2層間絕緣膜7005。再有，第I層間絕緣膜7002或第2層間絕緣膜7005，可采用等離子體CVD法或?yàn)R射法，將氧化硅、氮化硅或氧化氮化硅膜以單層或疊層使用。另外，在氮摩爾比高于氧摩爾比的氧化氮化硅膜上，也可將氧摩爾比高于氮摩爾比的氧化氮化硅膜加以疊層后的膜作為第I層間絕緣膜7002或第2層間絕緣膜7005使用?；蛘咭部梢圆捎糜袡C(jī)樹脂膜，作為第I層間絕緣膜7002或第2層間絕緣膜7005。在第2層間絕緣膜7005上形成通過(guò)接觸孔與布線7004在電氣上連接的布線7006。布線7006的一部分作為發(fā)光元件的陽(yáng)極發(fā)揮功能。布線7006在與彩色濾光膜7003重疊的位置上形成，將第2層間絕緣膜7005夾于中間。另外，在第2層間絕緣膜7005上形成用作障壁的有機(jī)樹脂膜7008。有機(jī)樹脂膜7008含有開ロ部，在該開ロ部通過(guò)使作為陽(yáng)極而發(fā)揮功能的布線7006、電場(chǎng)發(fā)光層7009和陰極7010重合，形成發(fā)光元件7011。電場(chǎng)發(fā)光層7009含有單獨(dú)發(fā)光層的結(jié)構(gòu)或者將含有發(fā)光層的多層加以層疊的結(jié)構(gòu)。另外，也可以在有機(jī)樹脂膜7008及陰極7010上形成保護(hù)膜。此時(shí)，與其它絕緣膜比較，保護(hù)膜采用難以使水分及氧等導(dǎo)致發(fā)光元件劣化加速的物質(zhì)透過(guò)的膜。典型地，優(yōu)選例如采用DLC膜、氮化碳膜、用RF濺射法形成的氮化硅膜等。另夕卜，也可將難以使上述水分及氧等物質(zhì)透過(guò)的膜以及與該膜相比而易使水分及氧等物質(zhì)透過(guò)的膜進(jìn)行疊層，作為保護(hù)膜使用。另外，為了在電場(chǎng)發(fā)光層7009成膜之前，為去除已吸附的水分及氧等，預(yù)先在真空氣氛下加熱有機(jī)樹脂膜7008。具體地說(shuō)，在真空氣氛和100°C 200°C下加熱處理O. 5 I小吋。優(yōu)選3 X KT7Torr以下，如果能在3 X KT8Torr以下則更好。然后，在真空氣氛下加熱處理有機(jī)樹脂膜后，在電場(chǎng)發(fā)光層成膜時(shí)，通過(guò)在真空氣氛下保持直至將要成膜之前，能夠使可Φ性進(jìn)一步提尚。另外，有機(jī)樹脂膜7008的開ロ部中的端部最好在有機(jī)樹脂膜7008上部分重疊而形成的電場(chǎng)發(fā)光層7009上帶有圓形，在該端部上不形成孔眼。具體地說(shuō)，開ロ部中有機(jī)樹脂膜的剖面描 出的曲線的曲率半徑最好為O. 2 2μπι左右。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可以使以后形成的電場(chǎng)發(fā)光層及陰極的涂層良好，可防止布線7006和陰極7010在電場(chǎng)發(fā)光層7009上形成的孔眼中短路。另外，通過(guò)使電場(chǎng)發(fā)光層7009的應(yīng)カ松弛，能夠減少被稱為發(fā)光區(qū)減少的稱為收縮的缺陷，從而提高可靠性。另外，在圖11中表示的是作為有機(jī)樹脂膜7008而采用正型感光性丙烯樹脂的例子。感光性有機(jī)樹脂有正型和負(fù)型，前者是將光、電子、離子等能量射線曝光部位(的樹脂)除去，后者是將曝光部位(的樹脂)留下。在本發(fā)明中也可使用負(fù)型有機(jī)樹脂膜。另外，也可使用感光性聚酰亞胺而形成有機(jī)樹脂膜7008。在使用負(fù)型的丙烯而形成有機(jī)樹脂膜7008時(shí)，開ロ部上的端部成為S狀的剖面形狀。此時(shí)，開ロ部的上端部及下端部上的曲率半徑最好為O. 2 2 μ m。布線7006可使用透明導(dǎo)電膜。除ITO之外，也可以使用在氧化銦中混合有2 20%氧化鋅(ZnO)的透明導(dǎo)電膜。在圖11中作為布線7006使用的是ΙΤ0。也可以采用CMP法及聚こ烯醇系多孔性材料擦凈、研磨布線7006，使其表面平坦化。另外，也可以在采用CMP法研磨后，在布線7006的表面上進(jìn)行紫外線照射、氧等離子體處理。另外，如果陰極7010是膜厚約為光可透過(guò)的厚度、功函數(shù)小的導(dǎo)電膜，則使用眾所周知的其它材料。例如Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等均為理想之選。另外，為了從陰極側(cè)得到光，除了使膜厚減薄的方法之外，還可采用通過(guò)添加Li而減小功函數(shù)的ITO的方法。本發(fā)明采用的發(fā)光元件可以是使光從陽(yáng)極側(cè)和陰極側(cè)兩側(cè)通過(guò)的結(jié)構(gòu)。再有，如果實(shí)際上至圖11前完成，則為了使其不再暴露在大氣中，優(yōu)選密封性高、脫氣少的保護(hù)薄膜(疊層薄膜、紫外線硬化樹脂薄膜等)以及采用透光性覆蓋材7012密封(封ロ)。此時(shí)，如果覆蓋材的內(nèi)部為惰性氣氛，或者在內(nèi)部配置吸濕性材料(例如氧化鋇)，則會(huì)提高發(fā)光元件的可靠性。而且，在本發(fā)明中也可以在覆蓋材7012上設(shè)置彩色濾光膜 7013。再有，本發(fā)明不限于上述制造方法，還可使用眾所周知的方法?！矊?shí)施例8〕本實(shí)施例說(shuō)明在圖2所示的像素中使驅(qū)動(dòng)用晶體管202和電流控制用晶體管203的位置交換后的像素結(jié)構(gòu)。圖12表示本實(shí)施例的像素電路圖。另外，對(duì)于圖2中已表示的元件及布線，在圖12中也附加同一符號(hào)表示。圖12所示的像素和圖2所示的像素在將由第I電源線Vi (i =I χ)供給的電流作為驅(qū)動(dòng)用晶體管202和電流控制用晶體管203的漏極電流而供給發(fā)光元件204這一點(diǎn)是相同的。但是，在圖12中在驅(qū)動(dòng)用晶體管202的源極與第I電源線Vi (i=I χ)連接、電流控制用晶體管的漏極與發(fā)光元件204的像素電極連接這一點(diǎn)上與圖2所示的像素不同。如本實(shí)施例那樣，通過(guò)使驅(qū)動(dòng)用晶體管202的源極與第I電源線Vi連接，從而將驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵扱-源極間電壓Vgs固定。也就是說(shuō)，即使發(fā)光元件204劣化，也仍然是使在飽和區(qū)工作的驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵扱-源極間電壓Vgs保持不變動(dòng)而固定的狀態(tài)。因此，在本實(shí)施例中即使發(fā)光元件204劣化，也可防止飽和區(qū)工作的驅(qū)動(dòng)用晶體管202的漏極電流變動(dòng)?！矊?shí)施例9〕在本實(shí)施例中說(shuō)明圖12所示的像素一上面圖的實(shí)施例。但是，在本實(shí)施例中表示在圖12所示的像素中發(fā)光元件204的像素電極和電流控制用晶體管203的漏極之間設(shè)置電阻的例子。圖13表示本實(shí)施例的像素上面圖。5101對(duì)應(yīng)于信號(hào)線，5102對(duì)應(yīng)于第I電源線，5111對(duì)應(yīng)于第2電流線，5104對(duì)應(yīng)于第I掃描線，5103對(duì)應(yīng)于第2掃描線。 在本實(shí)施例中信號(hào)線5101、第I電源線5102和第2電源線5111由同一導(dǎo)電膜形成,第I掃描線5104和第2掃描線5103由同一導(dǎo)電膜形成。而5105是開關(guān)用晶體管，第I掃描線5104的一部分作為其柵極發(fā)揮功能。而5106是消去用晶體管，第2掃描線5103的一部分作為其柵極發(fā)揮功能。5107對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)用晶體管，5108對(duì)應(yīng)于電流控制用晶體管。而5112對(duì)應(yīng)于電容元件，5113對(duì)應(yīng)于由半導(dǎo)體膜形成的電阻。為了使驅(qū)動(dòng)用晶體管5107的L/W大于電流控制用晶體管5108的L/W，其活性層是彎曲的。例如使驅(qū)動(dòng)用晶體管5107的尺寸是L = 200 [nm]、W = 4[nm]，使電流控制用晶體管5108的尺寸是L = 6 [nm], W = 12 [nm]。5109對(duì)應(yīng)于像素電板，在像素電極5109、電場(chǎng)發(fā)光層(未圖示)和陰極(未圖示)相重疊的區(qū)域(發(fā)光區(qū))中發(fā)光。通過(guò)設(shè)置電阻5113，從而在作為發(fā)光元件的像素電極5109而使用的導(dǎo)電膜成膜后，在將該導(dǎo)電膜圖案化而形成像素電極之前，通過(guò)該導(dǎo)電膜上帯有的電荷可防止驅(qū)動(dòng)用晶體管5107漏極的電位急劇變化而損壞驅(qū)動(dòng)用晶體管5107。另外，能夠用作蒸鍍EL之前的對(duì)策。另外，本發(fā)明的上面圖僅為一基本實(shí)施例，本發(fā)明當(dāng)然不受其限定?！矊?shí)施例10〕在本實(shí)施例中說(shuō)明圖2所示的像素中共用第I掃描線Gaj (j = I y)或第2掃描線Gej (j = I y)的像素再共用第2電源線Wi (i = I χ)時(shí)的像素結(jié)構(gòu)。圖14(A)表示本實(shí)施例的像素的電路圖。另外，對(duì)于圖2中已表示的元件及布線，在圖14㈧中也附加同一符號(hào)表示。但是在圖14㈧中共用第I掃描線Gaj (j = I y)和第2掃描線Gej (j = I y)的像素再共用第2電源線Wj (j = I x)。而第2電源線Wj (j = I χ)與信號(hào)線Si (i = I χ)及第I電源線Vi (i = I χ)交叉、共用同一第2掃描線Gej (j = I y)的像素有互不相同的信號(hào)線Si (i = I χ)。以下，圖14⑶表示在圖14(A)所示的像素中采用將施加于驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵極的電壓按紅色、緑色、藍(lán)色像素區(qū)分、而調(diào)節(jié)白平衡的方法時(shí)的像素結(jié)構(gòu)。在圖14(B)中，在對(duì)應(yīng)于紅色的像素210中，使紅色(R)用第2電源線Wrj與驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵極連接。在對(duì)應(yīng)于緑色的像素211中，使緑色(G)用第2電源線Wgj與驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵極連接。在對(duì)應(yīng)于藍(lán)色的像素212中，使藍(lán)色(B)用第2電源線Wbj與驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵極連接?！矊?shí)施例11〕在本實(shí)施例中說(shuō)明在圖14(A)、圖14⑶所示的像素中，在發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng)用晶體管202的漏極之間設(shè)有電阻時(shí)的像素結(jié)構(gòu)。圖15⑷表示在圖14(A)的像素中設(shè)有電阻的像素結(jié)構(gòu)。而對(duì)于圖14(A)中已表示的元件及布線，在圖15㈧中也附加同一符號(hào)表示。圖15㈧與圖14㈧不同的是，在發(fā)光元件204的像素電極和驅(qū)動(dòng)用晶體管202的漏極之間有電阻209。接著，圖15(B)表示在圖15(A)所示的像素中采用通過(guò)將加于驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵極的電壓按紅色、緑色、藍(lán)色各像素分開來(lái)調(diào)節(jié)白平衡的方法時(shí)的像素結(jié)構(gòu)。圖15(B)中，對(duì)應(yīng)于紅色的像素210中，紅色(R)用第2電源線Wrj與驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵極連接。在對(duì)應(yīng)于緑色像素211中，緑色(G)用第2電源線Wgj與驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵極連接。在對(duì)應(yīng)于藍(lán)色像素212中，藍(lán)色(B)用第2電源線Wbj與驅(qū)動(dòng)用晶體管202的柵極連接。通過(guò)設(shè)置電阻209，使作為發(fā)光元件204的像素電極而使用的導(dǎo)電膜成膜后，在將該導(dǎo)電膜圖案化而形成像素電極之前，通過(guò)該導(dǎo)電膜帶有電荷，可防止因驅(qū)動(dòng)用晶體管202漏極的電位急劇變化而使驅(qū)動(dòng)用晶體管202受到破壞。另外，這也可作為EL被蒸鍍前的靜電對(duì)策。接著，說(shuō)明圖15(A)所示的像素的一上面圖的實(shí)施例。圖16表示本實(shí)施例的像素 的上面圖。5201對(duì)應(yīng)于信號(hào)線，5202對(duì)應(yīng)于第I電源線，5211對(duì)應(yīng)于第2電源線，5204對(duì)應(yīng)于第I掃描線，5203對(duì)應(yīng)于第2掃描線。本實(shí)施例中，信號(hào)線5201和第I電源線5202由同一導(dǎo)電膜形成，第I掃描線5204、第2掃描線5203和第2電源線5211由同一導(dǎo)電膜形成。而5205是開關(guān)用晶體管，第I掃描線5204的一部分作為其柵極而發(fā)揮功能。而5206是消去用晶體管，第2掃描線5203的一部分作為其柵極發(fā)揮功能。5207對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)用晶體管，5208對(duì)應(yīng)于控制用晶體管。另外，5212對(duì)應(yīng)于電容元件，5213對(duì)應(yīng)于由半導(dǎo)體膜形成的電阻。為了使驅(qū)動(dòng)用晶體管5207的L/W大于電流控制用晶體管5208的L/W，其活性層是彎曲的。例如使驅(qū)動(dòng)用晶體管5207的尺寸是L = 200 [nm]，W = 4[nm]，使電流控制用晶體管5208的尺寸是L = 6 [nm]、W = 12 [nm]。5209對(duì)應(yīng)于像素電極，在像素電極5209、電場(chǎng)發(fā)光層(未圖示)和陰極(未圖示)相重疊的區(qū)域(發(fā)光區(qū))中發(fā)光。接著，說(shuō)明圖15(B)所示的像素的一上面圖的實(shí)施例。圖17表示本實(shí)施例的像素的上面圖。5301對(duì)應(yīng)于信號(hào)線，5302對(duì)應(yīng)于第I電源線，5311r對(duì)應(yīng)于與紅色像素對(duì)應(yīng)的第2電源線，5311g對(duì)應(yīng)于與綠色像素對(duì)應(yīng)的第2電源線，5311b對(duì)應(yīng)于與藍(lán)色像素對(duì)應(yīng)的第2電源線，5304對(duì)應(yīng)于第I掃描線，5303對(duì)應(yīng)于第2掃描線。在本實(shí)施例中信號(hào)線5301和第I電源線5302由同一導(dǎo)電膜形成，第I掃描線5304、第2掃描線5303和第2電源線5311r、5311g、5311b都由同一導(dǎo)電膜形成。而5305是開關(guān)用晶體管,第I掃描線5304的一部分作為其柵極發(fā)揮功能。而5306是消去用晶體管，第2掃描線5303的一部分作為其柵極發(fā)揮功能。5307對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)用晶體管，5308對(duì)應(yīng)于電流控制用晶體管，而5312對(duì)應(yīng)于電容元件，5313對(duì)應(yīng)于由半導(dǎo)體膜形成的電阻。為了使驅(qū)動(dòng)用晶體管5307的L/W大于電流控制用晶體管5308的L/W，其活性層是彎曲的。例如使驅(qū)動(dòng)用晶體管5307的尺寸是L = 200[nm]、W = 4[nm],使電流控制用晶體管5308的尺寸是L = 6[nm]、W = 12 [nm]。5309對(duì)應(yīng)于像素電極，在與像素電極5309、電場(chǎng)發(fā)光層(未圖示)和陰極(未圖示)相重疊的區(qū)域(發(fā)光區(qū))中發(fā)光。另外，本發(fā)明的上面圖僅是一基本實(shí)施例，本發(fā)明當(dāng)然不受其限定。
本發(fā)明的發(fā)光裝置中，由于像素所包含的晶體管數(shù)量為4個(gè)，因此，例如，可以將對(duì)角線為4 4. 3英寸的裝置中作為分離相鄰發(fā)光元件的障壁使用的層間膜的寬度設(shè)為20μ ，以 VGA(640X480) 200dpi 設(shè)定 45X 135 μ m 的像素尺寸?！矊?shí)施例12〕圖18(A)表示驅(qū)動(dòng)用晶體管9011為N型、從發(fā)光元件9012發(fā)出的光通過(guò)陰極9013側(cè)通過(guò)的像素剖面圖。在圖18(A)中在與驅(qū)動(dòng)用晶體管9011的漏極在電氣上連接的透明導(dǎo)電膜9017上使發(fā)光元件9012的陰極9013成膜，在陰極9013上按順序疊層電場(chǎng)發(fā)光層9014、陽(yáng)極9015。然后，為了覆蓋陽(yáng)極9015，使用于反射光或遮蔽光的遮蔽膜9016成膜。只要陰極9013是功函數(shù)小且反射光的導(dǎo)電膜，則可采用眾所周知的材料。例如，優(yōu)選Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等。但是，其膜厚設(shè)為達(dá)到透光程度的厚度。例如可以將膜厚為20nm的Al作為陰極9013而使用。而且電場(chǎng)發(fā)光層9014既可以由單層構(gòu)成，也可層疊多層而構(gòu)、成。雖然陽(yáng)極9015不必透光，但例如也可以使用IT0、ITS0、氧化銦中混合有2 20%氧化鋅(ZnO)的IZO等的透明導(dǎo)電膜，還可以使用Ti或TiN。而且遮蔽膜9016例如可使用反射光的金屬等，但不限定于金屬膜。例如也可使用添加了黑色顏料的樹脂等。陰極9013、電場(chǎng)發(fā)光層9014和陽(yáng)極9015相重疊的部分對(duì)應(yīng)于發(fā)光元件9012。圖18(A)所示的像素中，如空白箭頭所示，從發(fā)光元件9012發(fā)出的光通過(guò)陰極9013偵U。圖18(B)表示驅(qū)動(dòng)用晶體管9031為P型、從發(fā)光元件9032發(fā)出的光通過(guò)陰極9035側(cè)的像素剖面圖。圖18(B)中，在與驅(qū)動(dòng)用晶體管9031的漏極在電氣上連接的布線9036上使發(fā)光元件9032的陽(yáng)極9033成膜，在陽(yáng)極9033上按順序疊層電場(chǎng)發(fā)光層9034、陰極9035。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，即使光在陽(yáng)極9033透過(guò)，此光在布線9036上也被反射。與圖18(A)時(shí)同樣，陰極9035只要是功函數(shù)小的導(dǎo)電膜，可使用眾所周知的材料。但是該膜厚設(shè)為達(dá)到透光程度的厚度。例如可將含有膜厚為20nm的Al作為陰極9035而使用。而且與圖18(A)同樣，電場(chǎng)發(fā)光層9034既可以由單層構(gòu)成，也可以層疊多層而構(gòu)成。陽(yáng)極9033不必透光，但與圖18 (A)同樣，可使用透明導(dǎo)電膜形成，也可使用Ti或TiN。陽(yáng)極9033、電場(chǎng)發(fā)光層9034和陰極9035相重疊的部分對(duì)應(yīng)于發(fā)光元件9032。圖18(B)所示的像素中，如空白箭頭所示，從發(fā)光元件9032發(fā)出的光從陰極9035側(cè)透過(guò)。另外，本實(shí)施例中表示了將驅(qū)動(dòng)用晶體管與發(fā)光元件在電氣上連接的例子，但也可采用在驅(qū)動(dòng)用晶體管與發(fā)光元件之間連接電流控制用晶體管的結(jié)構(gòu)。〔實(shí)施例13〕在本實(shí)施例中說(shuō)明驅(qū)動(dòng)用晶體管和電流控制用晶體管都為背柵型的像素的剖面結(jié)構(gòu)。再有，可用于本發(fā)明中的晶體管也可由無(wú)定形硅形成。如果由無(wú)定形硅形成晶體管，則可以不設(shè)置結(jié)晶化過(guò)程，因此能使制造方法簡(jiǎn)化，實(shí)現(xiàn)低成本化。但是對(duì)于由無(wú)定形硅形成的晶體管，N型的遷移率比P型高，更適用于發(fā)光裝置的像素中。在本實(shí)施例中說(shuō)明驅(qū)動(dòng)用晶體管為N型的像素剖面結(jié)構(gòu)。圖19(A)是表示本實(shí)施例的像素剖面圖。6501對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)用晶體管，6502對(duì)應(yīng)于電流控制用晶體管。驅(qū)動(dòng)用晶體管6501包括在有絕緣表面的基板6500上形成的柵極6503、為了覆蓋柵極6503而在基板6500上形成的柵極絕緣膜6504和將柵極絕緣膜6504夾在中間而在與柵極6503重疊的位置上形成的半導(dǎo)體膜6505。半導(dǎo)體膜6505含有作為源極或漏極而發(fā)揮功能的、添加有付與導(dǎo)電型的雜質(zhì)的2個(gè)摻雜區(qū)6506a、6506b。而且，摻雜區(qū)6506a與布線6508連接。與驅(qū)動(dòng)用晶體管6501同樣，電流控制用晶體管6502包括在含有絕緣表面的基板6500上形成的柵極6510、為了覆蓋柵極6510而在基板6500上形成的柵極絕緣膜6504和使柵極絕緣膜6504夾在中間而在與柵極6510重疊的位置上形成半導(dǎo)體膜6511。半導(dǎo)體膜6511含有作為源極或漏極而發(fā)揮功能的、添加有付與導(dǎo)電型的雜質(zhì)的2個(gè)摻雜區(qū)6512a、6512b。而且摻雜區(qū)6512a通過(guò)布線6513，與驅(qū)動(dòng)用晶體管6501含有的摻雜區(qū)6506b連接。驅(qū)動(dòng)用晶體管6501及電流控制用晶體管6502都通過(guò)由絕緣膜形成的保護(hù)膜6507覆蓋。而且，通過(guò)保護(hù)膜6507上形成的接觸孔，將布線6508與陽(yáng)極 電極6509連接。另外，驅(qū)動(dòng)用晶體管6501和電流控制用晶體管6502以及保護(hù)膜6507都通過(guò)層間絕緣膜6520覆蓋。層間絕緣膜6520含有開ロ部，陽(yáng)極6509在該開ロ部露出。在陽(yáng)極6509上形成電場(chǎng)發(fā)光層6521和陰極6522。再有，圖19(A)說(shuō)明了驅(qū)動(dòng)用晶體管和電流控制用晶體管都為N型時(shí)的情況,但也可以為P型。這種場(chǎng)合，用以控制驅(qū)動(dòng)用晶體管閾值的雜質(zhì)采用P型?！矊?shí)施例14〕在本實(shí)施例中，說(shuō)明圖2所示的像素的上面圖的實(shí)施例。圖20表示本實(shí)施例的像素的上面圖。5401對(duì)應(yīng)于信號(hào)線，5402對(duì)應(yīng)于第I電源線，5411a、5411b對(duì)應(yīng)于第2電源線，5404對(duì)應(yīng)于第I掃描線，5403對(duì)應(yīng)于第2掃描線。在本實(shí)施例中，信號(hào)線5401、第I電源線5402和第2電源線5411a由同一導(dǎo)電膜形成,第I掃描線5404、第2掃描線5403和第2電源線5411b由同一導(dǎo)電膜形成。另外，5405是開關(guān)用晶體管，第I掃描線5404的一部分作為其柵極發(fā)揮功能。另外，5406是消去用晶體管，第2掃描線5403的一部分作為其柵極發(fā)揮功能。5407對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)用晶體管，5408對(duì)應(yīng)于電流控制用晶體管。另外，5412對(duì)應(yīng)于電容元件，5413對(duì)應(yīng)于由半導(dǎo)體膜形成的電阻。為了使驅(qū)動(dòng)用晶體管5407的L/W大于電流控制用晶體管5408的L/W，其活性層是彎曲的。例如，使驅(qū)動(dòng)用晶體管5407的尺寸是L =200 [nm], W = 4 [nm],使電流控制用晶體管 5408 的尺寸是L = 6 [nm], W = 12 [nm]。5409對(duì)應(yīng)于像素電極，在像素電極5409、電場(chǎng)發(fā)光層(未圖示)及陰極(未圖示)相重疊的區(qū)域(發(fā)光區(qū))5410上發(fā)光。另外，本發(fā)明的上面圖僅是一基礎(chǔ)實(shí)施例，本發(fā)明當(dāng)然不受其限定。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括 基板；以及 包括所述基板上的陽(yáng)極和陰極的發(fā)光元件， 其中，所述發(fā)光元件配置成發(fā)出通過(guò)所述陽(yáng)極和所述陰極的光的結(jié)構(gòu)。
2.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括 基板； 所述基板上的晶體管； 覆蓋所述晶體管的第I層間絕緣膜； 所述第I層間絕緣膜上的布線，所述布線電連接到所述晶體管的漏極； 覆蓋所述布線的第2層間絕緣膜；以及 包括所述第2層間絕緣膜上的陽(yáng)極和陰極的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件電連接到所述布線， 其中，所述發(fā)光元件配置成發(fā)出通過(guò)所述陽(yáng)極和所述陰極的光的結(jié)構(gòu)。
3.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括 基板； 所述基板上的晶體管； 覆蓋所述晶體管的第I層間絕緣膜； 所述第I層間絕緣膜上的第I布線，所述第I布線電連接到所述晶體管的漏極； 覆蓋所述第I布線的第2層間絕緣膜； 包括所述第2層間絕緣膜上的陽(yáng)極的第2布線； 所述第2層間絕緣膜上的有機(jī)樹脂膜，所述有機(jī)樹脂膜含有開ロ部；以及 在所述開ロ部?jī)?nèi)與所述第2布線重疊的發(fā)光層和陰極， 其中，所述發(fā)光元件配置成發(fā)出通過(guò)所述陽(yáng)極和所述陰極的光的結(jié)構(gòu)。
4.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括 基板； 所述基板上的第I層間絕緣膜； 所述第I層間絕緣膜上的第I彩色濾光膜； 覆蓋所述第I彩色濾光膜的第2層間絕緣膜； 包括所述第2層間絕緣膜上的陽(yáng)極和陰極的發(fā)光元件； 所述發(fā)光元件上的第2彩色濾光膜；以及 所述第2彩色濾光膜上的覆蓋材， 其中，所述發(fā)光元件配置成發(fā)出通過(guò)所述陽(yáng)極和所述陰極的光的結(jié)構(gòu)。
5.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括 基板； 所述基板上的晶體管； 覆蓋所述晶體管的第I層間絕緣膜； 所述第I層間絕緣膜上的布線，所述布線電連接到所述晶體管的漏極； 所述第I層間絕緣膜上的第I彩色濾光膜； 覆蓋所述布線和所述第I彩色濾光膜的第2層間絕緣膜；包括所述第2層間絕緣膜上的陽(yáng)極和陰極的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件電連接到所述布線； 所述發(fā)光元件上的第2彩色濾光膜；以及 所述第2彩色濾光膜上的覆蓋材， 其中，所述發(fā)光元件配置成發(fā)出通過(guò)所述陽(yáng)極和所述陰極的光的結(jié)構(gòu)。
6.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括 基板； 所述基板上的晶體管； 覆蓋所述晶體管的第I層間絕緣膜； 所述第I層間絕緣膜上的第I布線，所述第I布線電連接到所述晶體管的漏極； 所述第I層間絕緣膜上的第I彩色濾光膜； 覆蓋所述第I布線和所述第I彩色濾光膜的第2層間絕緣膜； 包括所述第2層間絕緣膜上的陽(yáng)極的第2布線，所述第2布線與所述第I彩色濾光膜重疊； 所述第2層間絕緣膜上的有機(jī)樹脂膜，所述有機(jī)樹脂膜含有開ロ部； 在所述開ロ部?jī)?nèi)與所述第2布線重疊的發(fā)光層和陰極； 所述陰極上的第2彩色濾光膜；以及 所述第2彩色濾光膜上的覆蓋材， 其中，所述發(fā)光元件配置成發(fā)出通過(guò)所述陽(yáng)極和所述陰極的光的結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中， 所述陽(yáng)極是透明導(dǎo)電膜。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中， 所述透明導(dǎo)電膜包括ITO。
9.如權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中， 所述陰極包括Ca、Al、CaF、MgAg或AlLi。
10.如權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中， 所述陰極包括ITO。
11.如權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中， 所述發(fā)光裝置包含在從由手提電話、移動(dòng)電腦、游戲機(jī)、電子圖書、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、顯示器和導(dǎo)航系統(tǒng)構(gòu)成的組中選擇的至少ー個(gè)中。
全文摘要
本發(fā)明提出一種發(fā)光裝置及元件基板，可將開關(guān)用晶體管的截止電流抑制得低，不必增大電容元件的容量，就能抑制起因于驅(qū)動(dòng)用晶體管的特性偏差的像素之間的發(fā)光元件的亮度不勻。在本發(fā)明中預(yù)先固定驅(qū)動(dòng)用晶體管的柵極電位，使所述驅(qū)動(dòng)用晶體管在飽和區(qū)工作，處于通常使電流流動(dòng)的狀態(tài)。設(shè)置與所述驅(qū)動(dòng)用晶體管串聯(lián)的在線性區(qū)工作的電流控制用晶體管，經(jīng)由開關(guān)用晶體管將傳送像素發(fā)光/不發(fā)光光信號(hào)的視頻信號(hào)輸入到所述電流控制用晶體管的柵極。
文檔編號(hào)G09G3/14GK102709478SQ201210187148
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2004年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月26日
發(fā)明者安西彩, 山崎優(yōu), 福本良太, 納光明 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所