發(fā)光裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，特別是涉及一種具有LED芯片及齊納二極管的發(fā)光裝 置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著技術(shù)的演進(jìn)，LED燈具體積小、重量輕及高瓦數(shù)成為主要發(fā)展趨勢?，F(xiàn)有技術(shù) 中，發(fā)光裝置使用的基板為氧化鋁基板，并以薄膜制程在氧化鋁基板上形成銀線路，固晶區(qū) 會因為銀線路的硫化問題導(dǎo)致發(fā)光裝置的光衰問題。另外，發(fā)光裝置的效率提升和成本降 低（熒光粉用量等）都是相關(guān)業(yè)者的研發(fā)目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于提供一種出光效率較佳且生產(chǎn)成本較低的發(fā)光裝置。
[0004] 本發(fā)明發(fā)光裝置，包含一基板、一上金屬層、一下金屬層、多個LED芯片、至少一齊 納二極管、多條導(dǎo)線，及一封裝體。該基板具有一頂面及一底面，該頂面具有一中央?yún)^(qū)域，該 中央?yún)^(qū)域的輪廓略呈一圓形疊加一多邊形，以形成一圓形固晶區(qū)和至少一多邊形延伸區(qū)。 該上金屬層具有多個導(dǎo)接墊，所述多個導(dǎo)接墊包含至少一第一導(dǎo)接墊和至少一第二導(dǎo)接 墊，該第一導(dǎo)接墊和該第二導(dǎo)接墊設(shè)置于該基板上且圍繞該中央?yún)^(qū)域設(shè)置。該下金屬層具 有多個焊接墊，所述焊接墊包含至少一第一焊接墊和至少一第二焊接墊，該第一焊接墊和 該第二焊接墊被覆于該基板的該底面且分別電連接于該第一導(dǎo)接墊及該第二導(dǎo)接墊。所述 LED芯片設(shè)置于該中央?yún)^(qū)域的該圓形固晶區(qū)。該齊納二極管設(shè)置于該中央?yún)^(qū)域的該多邊形 延伸區(qū)。所述導(dǎo)線用于連接所述LED芯片、該齊納二極管、該第一導(dǎo)接墊及該第二導(dǎo)接墊以 形成至少一回路。該封裝體設(shè)于該基板的該頂面并覆蓋所述LED芯片。
[0005] 在一些實施態(tài)樣中，該中央?yún)^(qū)域的輪廓略呈一圓形疊加一矩形，以形成該圓形固 晶區(qū)和該多邊形延伸區(qū)，該多邊形延伸區(qū)是由該圓形固晶區(qū)延伸且略呈三角形的多個三角 形延伸區(qū)。
[0006] 在一些實施態(tài)樣中，該第一導(dǎo)接墊和該第二導(dǎo)接墊沿該圓形設(shè)置而成弧狀排列的 至少一弧狀線路或沿該矩形設(shè)置而成一字型排列的至少一一字型線路。
[0007] 在一些實施態(tài)樣中，該上金屬層具有八個導(dǎo)接墊，該第一導(dǎo)接墊和該第二導(dǎo)接墊 分別包含兩個弧狀線路和兩個一字型線路，該第一導(dǎo)接墊的該兩個弧狀線路與該第二導(dǎo)接 墊的該兩個弧狀線路兩兩相對設(shè)置且以弧狀排列來圍繞該圓形固晶區(qū)，該第一導(dǎo)接墊的該 兩個一字型線路與該第二導(dǎo)接墊的該兩個一字型線路兩兩相對設(shè)置且以一字型排列來圍 繞該多邊形延伸區(qū)。
[0008] 在一些實施態(tài)樣中，各該弧狀線路具有一墊本體及一由該墊本體向外凸伸的凸 部，該墊本體呈長條狀且沿該圓形固晶區(qū)外緣弧狀地延伸，該凸部呈半圓形。
[0009] 在一些實施態(tài)樣中，該下金屬層具有一個第一焊接墊與一個第二焊接墊，該第一 導(dǎo)接墊的該兩個弧狀線路與該第一導(dǎo)接墊的該兩個一字型線路分別經(jīng)由位于該凸部下方 的兩個第一內(nèi)導(dǎo)線和位于該兩個一字型線路下方的兩個第一內(nèi)導(dǎo)線以連接該第一焊接墊， 該第二導(dǎo)接墊的該兩個弧狀線路與該第二導(dǎo)接墊的該兩個一字型線路分別經(jīng)由位于該凸 部下方的兩個第二內(nèi)導(dǎo)線和位于該一字型線路下方的兩個第二內(nèi)導(dǎo)線以連接該第二焊接 墊。
[0010] 在一些實施態(tài)樣中，該下金屬層具有八個焊接墊，該八個焊接墊包含四個第一焊 接墊和四個第二焊接墊，該第一導(dǎo)接墊的該兩個弧狀線路與該第一導(dǎo)接墊的該兩個一字型 線路分別經(jīng)由位于該凸部下方的兩個第一內(nèi)導(dǎo)線和位于該一字型線路下方的兩個第一內(nèi) 導(dǎo)線以連接該第一焊接墊，該第二導(dǎo)接墊的該兩個弧狀線路與該第二導(dǎo)接墊的該兩個一字 型線路分別經(jīng)由位于該凸部下方的兩個第二內(nèi)導(dǎo)線和位于該一字型線路下方的兩個第二 內(nèi)導(dǎo)線以連接該第二焊接墊。
[0011] 在一些實施態(tài)樣中，該上金屬層更包含一固晶墊，該固晶墊覆蓋該圓形固晶區(qū)和 至少一多邊形延伸區(qū)，以承載多個LED芯片和至少一齊納二極管。
[0012] 在一些實施態(tài)樣中，該多個LED芯片和至少一齊納二極管直接設(shè)置在該基板上， 且分別位于該圓形固晶區(qū)和該多邊形延伸區(qū)。
[0013] 在一些實施態(tài)樣中，各該LED芯片與相鄰的LED芯片間的水平距離介于0. 15mm與 0. 6臟間。
[0014] 在一些實施態(tài)樣中，各該導(dǎo)線的兩端的水平距離介于0. 3mm與I. 3mm間。
[0015] 在一些實施態(tài)樣中，所述發(fā)光裝置還包含一設(shè)置于該基板的頂面的圍繞壁及一熒 光層，該圍繞壁設(shè)置在該第一導(dǎo)接墊和該第二導(dǎo)接墊上且環(huán)繞該中央?yún)^(qū)域，該圍繞壁與該 基板的頂面共同界定出一容置空間，該熒光層容置于該容置空間內(nèi)并覆蓋所述LED芯片。
[0016] 在一些實施態(tài)樣中，該圍繞壁覆蓋該第一導(dǎo)接墊和該第二導(dǎo)接墊的局部，且各該 第一導(dǎo)接墊的一凸部外露于該圍繞壁外側(cè)。
[0017] 在一些實施態(tài)樣中，該齊納二極管至少局部受該圍繞壁覆蓋。
[0018] 在一些實施態(tài)樣中，該圓形固晶區(qū)由兩條輔助線以劃分成四個象限，該四個象限 包含一第一象限、一第二象限、一第三象限和一第四象限，該第一象限與該第二象限相鄰， 該第二象限與該第三象限相鄰，該第三象限與該第四象限相鄰，該第四象限與該第一象限 相鄰，位于兩相鄰象限內(nèi)的該LED芯片以該兩條輔助線為基準(zhǔn)以鏡像地分布設(shè)置于該圓形 固晶區(qū)內(nèi)。
[0019] 本發(fā)明的有益效果在于：借由齊納二極管設(shè)置于多邊形延伸區(qū)，使齊納二極管不 會阻擋LED芯片發(fā)出的光線，從而提升發(fā)光裝置的出光效率，再者，借由減少上金屬層的面 積，能增加封裝體與基板頂面的結(jié)合面積，從而提升封裝體與基板的結(jié)合強度，再者，借由 圍繞壁及基板頂面界定出的容置空間容置熒光層，能有效減少熒光粉的用量（相較于使用 噴涂技術(shù)（Spray Coating)產(chǎn)生突光層），從而降低生產(chǎn)成本，再者，借由基板的材料是氧 化鋁與無機物組分的混合物，能有效提升基板的反射率，使LED芯片照射到基板的光線能 更多地被反射出去，從而提升發(fā)光裝置的出光效率，此外，借由網(wǎng)版印刷技術(shù)形成該上金屬 層及該下金屬層也能有效降低基板成本。
【附圖說明】
[0020] 圖1是本發(fā)明發(fā)光裝置的第一實施例的一立體分解圖；
[0021] 圖2是該第一實施例移除封裝體后的一俯視圖；
[0022] 圖3是本發(fā)明發(fā)光裝置的下金屬層的第一實施例的示意圖；
[0023] 圖4是本發(fā)明發(fā)光裝置的下金屬層的第二實施例的示意圖；
[0024] 圖5是本發(fā)明發(fā)光裝置的第二實施例的一立體分解圖；
[0025] 圖6是該第二實施例的一立體圖；
[0026] 圖7是該第二實施例的一俯視圖；
[0027] 圖8是該第二實施例的一前視圖；
[0028] 圖Θ是圖8的一局部放大圖，說明該第二實施例的尺寸；
[0029] 圖10是本發(fā)明發(fā)光裝置的第三實施例的一立體分解圖；
[0030] 圖11是該第三實施例的一俯視圖；
[0031] 圖12是本發(fā)明發(fā)光裝置的第四實施例的一立體分解圖；
[0032] 圖13是該第四實施例的一俯視圖；
[0033] 圖14說明本發(fā)明LED芯片排列組合的第二種實施態(tài)樣；
[0034] 圖15說明本發(fā)明LED芯片排列組合的第三種實施態(tài)樣；
[0035] 圖16說明本發(fā)明LED芯片排列組合的第四種實施態(tài)樣；
[0036] 圖17說明本發(fā)明LED芯片排列組合的第五種實施態(tài)樣；
[0037] 圖18說明本發(fā)明LED芯片排列組合的第六種實施態(tài)樣；及
[0038] 圖19說明本發(fā)明LED芯片排列組合的第七種實施態(tài)樣。
【具體實施方式】
[0039] 下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0040] 在本發(fā)明被詳細(xì)描述前，應(yīng)當(dāng)注意在以下的說明內(nèi)容中，類似的元件是以相同的 編號來表不。
[0041] [第一實施例]
[0042] 參閱圖1、圖2及圖3,本發(fā)明發(fā)光裝置100的第一實施例包含一基板1、一上金屬 層21、一下金屬層22、多個LED芯片3、至少一個齊納二極管4、多條導(dǎo)線5,及一封裝體6。
[0043] 基板1呈正方形，其具有一頂面11、一底面12、及連接頂面11與底面12的多個第 一通孔13與多個第二通孔14、多個第一內(nèi)導(dǎo)線71及多個第二內(nèi)導(dǎo)線72。頂面11具有一 中央?yún)^(qū)域，該中央?yún)^(qū)域的輪廓呈一圓形疊加一多邊形，以形成一圓形固晶區(qū)111和至少一 多邊形延伸區(qū)112,在本實施例中，該中央?yún)^(qū)域的輪廓呈一圓形疊加一矩形，以形成該圓形 固晶區(qū)111和該多邊形延伸區(qū)112,該多邊形延伸區(qū)112是由該圓形固晶區(qū)111延伸且略 呈三角形的多個三角形延伸區(qū)。本實施例中多邊形延伸區(qū)112的數(shù)目為四，也就是說本實 施例形成略呈三角形的四個三角形延伸區(qū)。第一通孔13、第二通孔14、第一內(nèi)導(dǎo)線71及第 二內(nèi)導(dǎo)線72在本實施例中的數(shù)目皆為四，各個第一內(nèi)導(dǎo)線71分別設(shè)置于各個第一通孔13 內(nèi)，各個第二內(nèi)導(dǎo)線72分別設(shè)置于各個第二通孔14內(nèi)。
[0044] 基板1的材料是氧化鋁（Al2O3)與一無機物組分的混合物，該無機物組分是選自 于鋯、鈣、鋇、鎂或其氧化物、其鋁酸鹽或其鋁硅酸鹽。舉例來說，該無機物組分可以是Zr、 Zr02、BaAl2Si20s、A120 3、CaAl2Si2O8或MgAl20 4。借由氧化鋁混合無機物組分，基板1的反射 率能有效地提升（相較于無混合其他物質(zhì)的氧化鋁），為一高反射的基板1。本實施例的基 板1借由混合該無機物組分能有效提高光的反射率。借此，LED芯片