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      主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器的制作方法

      文檔序號(hào):2522592閱讀:315來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型屬于顯示器設(shè)計(jì)領(lǐng)域,尤其涉及一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器。
      背景技術(shù)
      主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯不器(Active-MatrixOrganic Light-EmittingDisplay1AMOLED)的像素電路一般采用兩個(gè)薄膜晶體管與一個(gè)儲(chǔ)存電容(即2T1C)的電路架構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D1,圖1為現(xiàn)有技術(shù)中,主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路示意圖,其包括N型的開(kāi)關(guān)晶體管102、P型的驅(qū)動(dòng)晶體管104及儲(chǔ)存電容Cs。開(kāi)關(guān)晶體管102的柵極端接至掃描線110、源極端接至數(shù)據(jù)線120、漏極端接至儲(chǔ)存電容Cs的一端。儲(chǔ)存電容Cs的另一端則接至一電源電壓Vdd。驅(qū)動(dòng)晶體管104的柵極端接至儲(chǔ)存電容Cs的一端,源極端接至電源電壓Vdd,漏極端接至有機(jī)發(fā)光二極管106的陽(yáng)極端,有機(jī)發(fā)光二極管106的陰極端則耦接至系統(tǒng)的接地端電壓Vss,Vss通常為一負(fù)電壓?,F(xiàn)有技術(shù)提供的的上述像素電路的驅(qū)動(dòng)原理為:掃描線110提供一掃描信號(hào)Vscan控制開(kāi)關(guān)晶體管102導(dǎo)通后,會(huì)使數(shù)據(jù)線120上代表影像灰階數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata對(duì)儲(chǔ)存電容Cs充電。位于儲(chǔ)存電容Cs中的電壓位準(zhǔn),決定流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管104的電流大小,使得有機(jī)發(fā)光二極管106可依據(jù)該電流發(fā)光。在上述的驅(qū)動(dòng)過(guò)程中,在程序化及發(fā)光階段,驅(qū)動(dòng)晶體管104及有機(jī)發(fā)光二極管106都一直保持在導(dǎo)通的階段。因此,有機(jī)發(fā)光二極管106 —直處在偏壓的狀態(tài),此將會(huì)造成有機(jī)發(fā)光二極管106隨時(shí)間劣化,因而加速組件老化速度,且使得兩端臨界電壓衰退,造成畫(huà)面亮度衰減、畫(huà)面燒附(image burn-1n)、生命周期縮短等問(wèn)題。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路中,有機(jī)發(fā)光二極管由于在驅(qū)動(dòng)過(guò)程中一直處在偏壓狀態(tài)而出現(xiàn)的隨時(shí)間劣化,加速組件老化速度,且兩端臨界電壓衰退,造成畫(huà)面亮度衰減、畫(huà)面燒附、生命周期縮短等問(wèn)題。為達(dá)成上述目的,本實(shí)用新型提供的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器包含一第一掃描線、一第二掃描線以及一像素單兀。該第一掃描線用于提供一第一掃描信號(hào)。該第二掃描線相鄰于該第一掃描線,其用于提供一第二掃描信號(hào)。該像素單元為該第二掃描信號(hào)所驅(qū)動(dòng)發(fā)光。該像素單元還包含一驅(qū)動(dòng)晶體管、一開(kāi)關(guān)晶體管以及一發(fā)光二極管。該開(kāi)關(guān)晶體管電性連接于該第二掃描線,用于接收該第二掃描信號(hào)以控制該驅(qū)動(dòng)晶體管。該發(fā)光二極管具有一陽(yáng)極端及一陰極端,該發(fā)光二極管的該陽(yáng)極端電性連接于該驅(qū)動(dòng)晶體管,該發(fā)光二極管的該陰極端接收該第一掃描信號(hào)。在一較佳實(shí)施例中,該發(fā)光二極管的該陰極端電性連接于該第一掃描線。在一較佳實(shí)施例中,該像素單元進(jìn)一步包含一儲(chǔ)存電容。[0009]在一較佳實(shí)施例中,該第一掃描線為該第二掃描線的上一條掃描線,且該第一掃描信號(hào)及該第二掃描信號(hào)各具有一高位準(zhǔn)及一低位準(zhǔn),且各高位準(zhǔn)依序產(chǎn)生。進(jìn)一步地說(shuō),該第一掃描信號(hào)為該高位準(zhǔn)時(shí),該發(fā)光二極管為截止?fàn)顟B(tài)。為達(dá)成上述目的,本實(shí)用新型另外提供一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器,其包含多條掃描線及多個(gè)像素單元。該些掃描線具有一第一掃描線至一第N掃描線,分別提供一第一掃描信號(hào)至一第N掃描信號(hào),其中N為正整數(shù)。該些像素單元具有一第一像素單元至一第N像素單元,分別為該第一掃描信號(hào)至該第N掃描信號(hào)所驅(qū)動(dòng)發(fā)光。其中該第一像素單元包含一第一驅(qū)動(dòng)晶體管、一第一開(kāi)關(guān)晶體管及一第一發(fā)光二極管。該第一開(kāi)關(guān)晶體管電性連接于該第一掃描線,其用于接收該第一掃描信號(hào)以控制該第一驅(qū)動(dòng)晶體管。該第一發(fā)光二極管具有一陽(yáng)極端及一陰極端,該第一發(fā)光二極管的該陽(yáng)極端電性連接于該驅(qū)動(dòng)晶體管,該第一發(fā)光二極管的該陰極端接收該第N掃描信號(hào)。在一較佳實(shí)施例中,該第一發(fā)光二極管的該陰極端電性連接于該第N掃描線。在一較佳實(shí)施例中,該第一像素單元至該第N像素單元進(jìn)一步分別包含一第一儲(chǔ)存電容至一第N儲(chǔ)存電容。在一較佳實(shí)施例中,該第一掃描信號(hào)至該第N掃描信號(hào)各具有一高位準(zhǔn)及一低位準(zhǔn),且各高位準(zhǔn)依序產(chǎn)生。此外,該第N掃描信號(hào)為該高位準(zhǔn)時(shí),該第一發(fā)光二極管為截止?fàn)顟B(tài)。相較于現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管的陰極端連接到固定的接地端電壓Vss,本實(shí)用新型的發(fā)光二極管的陰極端連接到上一條的掃描線,由此給予組件的交流式的反向電壓,因此可抑制有機(jī)發(fā)光二極管本身臨界電壓劣化,改善發(fā)光二極管隨時(shí)間劣化的問(wèn)題,進(jìn)而提升主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器的生命周期。

      圖1是現(xiàn)有技術(shù)中,主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路示意圖;圖2是本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的AMOLED的局部電路示意圖;圖3是圖2較佳實(shí)施例的AMOLED的組件信號(hào)波型示意圖;圖4是本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例的AMOLED的電路示意圖;圖5是圖4較佳實(shí)施例的多條掃描線信號(hào)波型示意圖。
      具體實(shí)施方式
      為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,
      以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明,其中于不同圖式中相同的組件符號(hào)代表相同或相似的組件。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。請(qǐng)參照?qǐng)D2,圖2是本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的AMOLED的局部電路示意圖。本實(shí)用新型的AMOLED包含多條數(shù)據(jù)線、多條掃描線、多條電力線140、及多個(gè)像素單元P。為了清楚說(shuō)明,圖2僅示出兩上下相鄰的像素單元P。請(qǐng)參照?qǐng)D2及圖3,圖3是此較佳實(shí)施例的AMOLED的組件信號(hào)波型示意圖。此較佳實(shí)施例的AMOLED包含一第一掃描線S1、一第二掃描線S2、一第三掃描線S3以及像素單兀P。該第一掃描線SI用于提供一第一掃描信號(hào)VS1。該第二掃描線S2相鄰于該第一掃描線SI,其用于提供一第二掃描信號(hào)VS2。該第三掃描線S3相鄰于該第二掃描線S2,其用于提供一第三掃描信號(hào)VS3。該像素單元P為該第二掃描信號(hào)VS2所驅(qū)動(dòng)發(fā)光。在此較佳實(shí)施例中,像素單元P是以2T1C的像素電路來(lái)表示,且圖中上下兩像素電路皆相同,因此在此僅以虛線標(biāo)示出的像素單元P來(lái)做說(shuō)明。另外,需注意的是,本實(shí)用新型并不限定像素單元僅能以2T1C的電路來(lái)實(shí)施,其它種類(lèi)的像素電路也在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。以下將詳細(xì)介紹像素單元P的運(yùn)作方式。如圖2所示,該像素單元P還包含一驅(qū)動(dòng)晶體管104、一開(kāi)關(guān)晶體管102、一儲(chǔ)存電容Cs (上述即2T1C)以及一發(fā)光二極管106。該開(kāi)關(guān)晶體管102電性連接于該第二掃描線S2,用于接收該第二掃描信號(hào)VS2以控制該驅(qū)動(dòng)晶體管104。詳細(xì)來(lái)說(shuō),該開(kāi)關(guān)晶體管102的柵極端電性連接于該第二掃描線S2,其源極端接至數(shù)據(jù)線D1、漏極端接至驅(qū)動(dòng)晶體管104的柵極端及儲(chǔ)存電容Cs的一端。儲(chǔ)存電容Cs的另一端則接至一電力線140以接收電源電壓。驅(qū)動(dòng)晶體管104的柵極端接至儲(chǔ)存電容Cs的一端,源極端接至該電力線140的電源電壓。與現(xiàn)有的像素電路不同的是,該發(fā)光二極管具有陽(yáng)極端及陰極端,該發(fā)光二極管106的該陽(yáng)極端電性連接于該驅(qū)動(dòng)晶體管104的漏極端,該發(fā)光二極管106的該陰極端接收該第一掃描信號(hào)VS1。在此實(shí)施例中,該發(fā)光二極管106的該陰極端可電性連接于該第一掃描線SI,然而,其它例如從驅(qū)動(dòng)芯片(圖中未示出)另外拉線以提供第一掃描信號(hào)VSl的方式也可實(shí)施。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2及圖3,該第一掃描線SI為該第二掃描線S2的上一條掃描線,且該第一掃描信號(hào)SI及該第二掃描信號(hào)S2各具有一高位準(zhǔn)H及一低位準(zhǔn)L,且各高位準(zhǔn)H依序產(chǎn)生,即第一掃描線S1、第二掃描線S2及第三掃描線S3依序掃描。當(dāng)掃描到第一掃描線SI時(shí),由于該發(fā)光二極管106的陰極端與第一掃描線SI電性連接,因此發(fā)光二極管106的接地端電壓Vss2與第二掃描信號(hào)VS2相同,因此該發(fā)光二極管106陰極端的電壓為該高位準(zhǔn)H,其一般為10伏以上,而該發(fā)光二極管106的陽(yáng)極端一般為5伏以下,因此該發(fā)光二極管106為截止?fàn)顟B(tài),即不發(fā)光。接著,當(dāng)掃描到第二掃描線S2時(shí),該發(fā)光二極管106陰極端的電壓為該低位準(zhǔn),一般為-5伏,即作為傳統(tǒng)的接地端電壓Vss。此時(shí)開(kāi)關(guān)晶體管102導(dǎo)通而其源極端接收數(shù)據(jù)線Dl的數(shù)據(jù)信號(hào)D以數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata2表示,而對(duì)儲(chǔ)存電容Cs充電,其中儲(chǔ)存電容Cs的一端的電壓以Vc2表不。接著,當(dāng)掃描到第三掃描線S3時(shí),儲(chǔ)存電容Cs放電,而使得該發(fā)光二極管106可正常發(fā)光。由上可知,本實(shí)用新型的發(fā)光二極管的陰極端連接到上一條的掃描線,由此給予組件的交流式的反向電壓(即高位準(zhǔn)H),因此可抑制有機(jī)發(fā)光二極管本身臨界電壓劣化,改善有機(jī)發(fā)光二極管隨時(shí)間劣化的問(wèn)題,進(jìn)而提升主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器的生命周期。以下將配合附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的AMOLED的另一較佳實(shí)施例。請(qǐng)參照?qǐng)D4,圖4是本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例的AMOLED的電路示意圖。本實(shí)用新型的另一 AMOLED包含多條數(shù)據(jù)線D、多條掃描線S、多條電力線140、及多個(gè)像素單元P。請(qǐng)參照?qǐng)D4及圖5,圖5是此較佳實(shí)施例的多條掃描線信號(hào)波型示意圖。具體來(lái)說(shuō),該些掃描線S具有一第一掃描線SI至一第N掃描線SN,分別提供一第一掃描信號(hào)VSl至一第N掃描信號(hào)VSN,其中N為正整數(shù)。該些像素單元P具有一第一像素單元Pl至一第N像素單元PN,分別為該第一掃描信號(hào)VSl至該第N掃描信號(hào)VSN所驅(qū)動(dòng)發(fā)光。相似地,在此實(shí)施例中,各像素單元P是以2T1C方式實(shí)施。例如該第一像素單元Pl包含一第一驅(qū)動(dòng)晶體管104、一第一開(kāi)關(guān)晶體管102、一第一儲(chǔ)存電容Cs、及一第一發(fā)光二極管106。此外,該第N像素單元PN包含一第N驅(qū)動(dòng)晶體管、一第N開(kāi)關(guān)晶體管、一第N儲(chǔ)存電容、及一第N發(fā)光二極管,為了圖式清楚不一一標(biāo)出。該第一開(kāi)關(guān)晶體管102電性連接于該第一掃描線D1,其用于接收該第一掃描信號(hào)VSl以控制該第一驅(qū)動(dòng)晶體管104。該第一發(fā)光二極管106具有一陽(yáng)極端及一陰極端,該第一發(fā)光二極管的該陽(yáng)極端電性連接于該驅(qū)動(dòng)晶體管104,該第一發(fā)光二極管的該陰極端接收該第N掃描信號(hào)VSN。在此實(shí)施例中,該發(fā)光二極管106的該陰極端可電性連接于該第N掃描線SN,但其走線并不限于以圖式方式連接。另外,其它例如從驅(qū)動(dòng)芯片(圖中未示出)另外拉線以提供第N掃描信號(hào)VSN的方式也可實(shí)施。相似地,該第一掃描信號(hào)VSl至該第N掃描信號(hào)VSN各具有一高位準(zhǔn)H及一低位準(zhǔn)L,且各高位準(zhǔn)H依序產(chǎn)生,即第一掃描線SI至第N掃描線SN依序掃描。此外,當(dāng)掃描到第N掃描線SN時(shí),即該第N掃描信號(hào)VSN為該高位準(zhǔn)時(shí),該第一發(fā)光二極管106為截止?fàn)顟B(tài)。而除了第一像素單元Pl之外,其它第二像素單元P2至第N像素單元PN的發(fā)光二極管的陰極端都接到上一條掃描線,如前一實(shí)施例所述。因此,各個(gè)像素單元P在顯示一幀畫(huà)面時(shí),其發(fā)光二極管均有一電壓反轉(zhuǎn)的截止?fàn)顟B(tài),據(jù)此可避免發(fā)光二極管一直處于偏壓的發(fā)光狀態(tài),而改善有機(jī)發(fā)光二極管隨時(shí)間劣化的問(wèn)題,進(jìn)一步提升主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器的生命周期。雖然本實(shí)用新型已用較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本實(shí)用新型,本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者,在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾,其均應(yīng)視為落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求1.一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器,其特征在于,所述顯示器包含: 一提供一第一掃描信號(hào)的第一掃描線; 一相鄰于所述第一掃描線,提供一第二掃描信號(hào)的第二掃描線;以及 一為所述第二掃描信號(hào)所驅(qū)動(dòng)發(fā)光的像素單元,所述像素單元包含: 一驅(qū)動(dòng)晶體管; 一電性連接于所述第二掃描線,接收所述第二掃描信號(hào)以控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的開(kāi)關(guān)晶體管;以及 一發(fā)光二極管,所述發(fā)光二極管具有一陽(yáng)極端及一陰極端,所述發(fā)光二極管的所述陽(yáng)極端電性連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管,所述發(fā)光二極管的所述陰極端接收所述第一掃描信號(hào)。
      2.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器,其特征在于,所述發(fā)光二極管的所述陰極端電性連接于所述第一掃描線。
      3.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器,其特征在于,所述像素單元進(jìn)一步包含一儲(chǔ)存電容。
      4.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器,其特征在于,所述第一掃描線為所述第二掃描線的上一條掃描線。
      5.一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器,其特征在于,所述顯示器包含: 多條掃描線,所述多條掃描線包括分別提供一第一掃描信號(hào)至一第N掃描信號(hào)的一第一掃描線至一第N掃描線,其中N為正整數(shù);以及 多個(gè)像素單元,所述多個(gè)像素單元包括分別為所述第一掃描信號(hào)至所述第N掃描信號(hào)所驅(qū)動(dòng)發(fā)光的一第一像素單元至一第N像素單元,其中所述第一像素單元包含: 一第一驅(qū)動(dòng)晶體管; 一電性連接于所述第一掃描線,接收所述第一掃描信號(hào)以控制所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的第一開(kāi)關(guān)晶體管;以及 一第一發(fā)光二極管,所述第一發(fā)光二極管具有一陽(yáng)極端及一陰極端,所述第一發(fā)光二極管的所述陽(yáng)極端電性連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管,所述第一發(fā)光二極管的所述陰極端接收所述第N掃描信號(hào)。
      6.如權(quán)利要求5所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器,其特征在于,所述第一發(fā)光二極管的所述陰極端電性連接于所述第N掃描線。
      7.如權(quán)利要求5所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器,其特征在于,所述第一像素單元至所述第N像素單元進(jìn)一步分別包含一第一儲(chǔ)存電容至一第N儲(chǔ)存電容。
      專利摘要本實(shí)用新型適用于顯示器設(shè)計(jì)領(lǐng)域,提供了一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示器,其包含一第一掃描線、一第二掃描線以及一像素單元。該第一掃描線用于提供一第一掃描信號(hào)。該第二掃描線相鄰于該第一掃描線,其用于提供一第二掃描信號(hào)。該像素單元為該第二掃描信號(hào)所驅(qū)動(dòng)發(fā)光。該像素單元還包含一發(fā)光二極管。該發(fā)光二極管具有一陽(yáng)極端及一陰極端,該發(fā)光二極管的該陰極端接收該第一掃描信號(hào),以改善發(fā)光二極管隨時(shí)間劣化的問(wèn)題。
      文檔編號(hào)G09G3/32GK202939946SQ20122054807
      公開(kāi)日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2012年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月24日
      發(fā)明者黃金海, 孫伯彰, 陳冠妤, 黃思齊 申請(qǐng)人:深圳華映顯示科技有限公司, 中華映管股份有限公司
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