專利名稱：像素電路和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路和顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,0LED)為電流驅(qū)動主動發(fā)光型器件，因其具有自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等獨(dú)特特點(diǎn)，以O(shè)LED為基礎(chǔ)的有機(jī)發(fā)光顯示預(yù)計(jì)今后幾年將成為顯示領(lǐng)域的主流。有機(jī)發(fā)光顯示的每個顯示單元，都是由OLED構(gòu)成的，有機(jī)發(fā)光顯示按驅(qū)動方式可分為有源有機(jī)發(fā)光顯示和無源有機(jī)發(fā)光顯示，其中有源有機(jī)發(fā)光顯示是指每個OLED都由薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)電路來控制流過OLED的電流，OLED和用于驅(qū)動OLED的TFT電路構(gòu)成像素電路。一種典型的像素電路如


圖1所示，包括2個TFT晶體管，I個電容和I個0LED，其中開關(guān)管T2將數(shù)據(jù)線上的電壓傳輸?shù)津?qū)動管Tl的柵極，驅(qū)動管Tl將這個數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的電流，供給OLED器件，其電流可表示為:
權(quán)利要求1.一種像素電路，其特征在于，包括: 發(fā)光兀件； 用于驅(qū)動所述發(fā)光元件的驅(qū)動薄膜晶體管，其漏極輸入電源電壓信號； 第一薄膜晶體管，其源極與所述發(fā)光元件相連接，其漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極相連接，其柵極接收第一控制信號； 第二薄膜晶體管，其源極接收數(shù)據(jù)信號，其漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極相連接，其柵極接收掃描信號； 第三薄膜晶體管，其源極接收參考電壓信號，其柵極接收所述掃描信號； 第四薄膜晶體管，其源極與所述第三薄膜晶體管的漏極相連接，其漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極及所述第二薄膜晶體管的漏極相連接，其柵極接收第二控制信號； 電容，所述電容的一極板連接至第一節(jié)點(diǎn)，另一極板連接至第二節(jié)點(diǎn)，所述第一節(jié)點(diǎn)為所述第一薄膜晶體管漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管源極的連接點(diǎn)，所述第二節(jié)點(diǎn)為所述第四薄膜晶體管源極與所述第三薄膜晶體管漏極的連接點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于， 所述驅(qū)動薄膜晶體管為N型薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于， 所述薄膜晶體管為耗盡型薄膜晶體管，或者增強(qiáng)型薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的像素電路，其特征在于， 所述發(fā)光元件為有機(jī)發(fā)光二極管。
5.一種顯示裝置，其特征在于，設(shè)置有權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的像素電路。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種像素電路和顯示裝置，涉及顯示領(lǐng)域，可有效地補(bǔ)償耗盡型或增強(qiáng)型驅(qū)動TFT閾值電壓非均勻性、漂移，以及OLED非均勻性導(dǎo)致的電流差異。所述像素電路包括發(fā)光元件；驅(qū)動薄膜晶體管，漏極輸入電源電壓信號；第一薄膜晶體管，漏極與驅(qū)動薄膜晶體管的源極相連，源極與發(fā)光元件相連，柵極接收第一控制信號；第二薄膜晶體管，源極接收數(shù)據(jù)信號，漏極與驅(qū)動薄膜晶體管柵極相連，柵極接收掃描信號；第三薄膜晶體管，源極接收參考電壓信號，柵極接收掃描信號；第四薄膜晶體管，源極與第三薄膜晶體管漏極相連，漏極與驅(qū)動薄膜晶體管的柵極及第二薄膜晶體管漏極相連，柵極接收第二控制信號；電容。
文檔編號G09G3/32GK202917146SQ201220594638
公開日2013年5月1日 申請日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月12日
發(fā)明者吳仲遠(yuǎn), 段立業(yè) 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司