用于有源存儲像素反轉的像素電路、顯示電路和顯示裝置以及驅動像素電路的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種像素電路，該像素電路包括視頻操作模式、存儲器操作模式和反轉操作模式。該像素電路包括：像素存儲節(jié)點，用于存儲將由液晶單元輸出的數(shù)據(jù)；像素寫入電路，配置成接收顯示數(shù)據(jù)并將該顯示數(shù)據(jù)提供給像素存儲節(jié)點以存儲在像素存儲節(jié)點上。此外，該像素電路包括：保持電路，可操作地耦合至像素寫入電路并配置成使從像素存儲節(jié)點通過像素寫入電路的電荷泄漏最少；以及內部反轉電路，可操作地耦合至保持電路和像素存儲節(jié)點并配置成使存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的電壓和施加至液晶單元的電壓反轉，該液晶單元接收存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)。
【專利說明】用于有源存儲像素反轉的像素電路、顯示電路和顯示裝置以及驅動像素電路的方法
[0001]【技術領域】
[0002]本發(fā)明涉及有源矩陣顯示裝置，更具體地涉及具有非常低更新率的有源矩陣顯示裝置，其中該顯示裝置的像素包括用于將數(shù)據(jù)保持達延長周期的裝置。此外，本發(fā)明涉及驅動這樣的顯示裝置的方法。
【背景技術】
[0003]典型的有源矩陣液晶顯示器(IXD)包括諸如圖1所示像素之類的像素的陣列。每個像素包括兩個晶體管8和10、儲能電容器16和液晶(LC)單元14。為了將數(shù)據(jù)電壓寫入該像素，將GL輸入升高至高態(tài)，并在SL輸入上驅動數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)電壓經(jīng)由晶體管8和10進入該像素，并且隨后在GL輸入被置為低態(tài)時保持在像素存儲節(jié)點12上。在像素存儲節(jié)點上保持的該電壓稱為像素電壓，并且控制LC單元的狀態(tài)，由此控制該像素的亮度。
[0004]然而，這樣的像素是不完美的:晶體管8和10在處于截止狀態(tài)時呈現(xiàn)漏電流。該漏電流導致像素電壓隨時間降級。為了解決該問題，將顯示數(shù)據(jù)重新寫入該像素以使保持時間期間的像素劣化最少。60Hz的幀刷新率是典型的。對顯示器的該恒定刷新導致顯著的功耗，這尤其是因為將數(shù)據(jù)連接至每個像素的SL輸入的列電極必須被重復充電。一種降低該功耗的方法是降低幀刷新率。只有在像素電極電壓的降級減小的情況下，才有可能降低幀率.可通過增大儲能電容器的大小或減小漏電流來減小像素電壓降級。由于較大的儲能電容器會導致像素面積增大，且會增加在數(shù)據(jù)寫入期間對像素充電所花費的時間，因此較大的儲能電容器不合乎需要。因此，降低幀刷新率的優(yōu)選方法是減小漏電流。
[0005]日本專利申請?zhí)亻_N0.5-142573 (Sato，1991年11月22日)、美國專利6064362(Brownlow，2000年5月16日)以及7573451 (Tobita, 2009年8月11日)公開了減小像素電壓劣化的技術的不同實現(xiàn)方式。該技術包括“自舉法”:單位增益電壓增益放大器的輸入連接至像素儲存節(jié)點12，其輸出連接至晶體管8與10之間的連接點，導致像素電極電壓出現(xiàn)在串聯(lián)連接的晶體管8和10的連接點處。如果緩沖放大器是理想的并且不從像素存儲節(jié)點12汲取電荷，則由于晶體管10的漏源電壓將被減小至零伏，因此可消除從像素存儲節(jié)點12的泄漏。
[0006]在IXD的情況下，液晶14上的電壓的極性必須被周期性地反轉。這防止了 LC材料的降級。典型地，在60Hz顯示器中，數(shù)據(jù)驅動電路在每次被寫入時使每個像素的電壓反轉。通過保持公共電極電壓VC0M恒定并改變寫入像素存儲節(jié)點的電壓(稱為dc VC0M驅動)，或通過改變施加至VC0M的電壓并更少量地改變寫入像素存儲節(jié)點的電壓(稱為ac VC0M驅動)，可實現(xiàn)反轉。在任一情況下，在交替的反轉循環(huán)上，像素存儲節(jié)點與VC0M之間的電位差應當具有相同絕對值但具有相反的極性。
[0007]期望在像素內部執(zhí)行LC電壓的反轉。從驅動電路反轉數(shù)據(jù)需要列電極和像素電容被充電。這比像素內反轉要消耗更多功率，因此在電池供電的系統(tǒng)中是不合需要的。
[0008]上述先前技術都沒有公開用于在像素內反轉所存儲數(shù)據(jù)的裝置。代替地，數(shù)據(jù)驅動電路必須以適當?shù)乃俾蕦懭胄碌慕?jīng)反轉的數(shù)據(jù)以防止LC降級。
[0009]美國專利號6897843(Ayres，2005年5月24日)和美國專利申請2009/0002582A1(Sano，2009 年 I 月 I 日)以及 2007/0182689A1 (Miyazawa，2007 年 8 月 9 日)公開 了能執(zhí)行對所存儲數(shù)據(jù)的反轉而無需從驅動電路寫入新數(shù)據(jù)的像素電路。該反轉操作還用于刷新像素電壓。上述電路都不包括任何用于防止反轉操作之間的像素電壓的降級的裝置。因此反轉頻率由像素漏電流設定，并且不能被減小以減小像素消耗的功率。
[0010]Y.Asaoka等人所著的“與超低功率驅動技術組合的無起偏器的反射性IXD”(SID09論文集第395-8頁，2009年5月31日至6月5日舉行的會議)和美國專利6940483(Maeda，2005年9月6日)均描述了具有單獨的存儲器和反轉部件的像素電路。存儲器部件由SRAM (靜態(tài)隨機存取存儲器)形成，該SRAM是眾所周知類型的不會產(chǎn)生泄漏的電子存儲器。如同美國專利申請2007/0182689A1 (Miyazawa，2007年8月9日)中那樣，在不反轉所存儲數(shù)據(jù)的情況下，LC電壓被反轉。該電路的優(yōu)勢在于，所存儲數(shù)據(jù)被無限地保持而不會泄漏，因此只要LC材料允許，反轉速率就可被降低，從而減小功耗。然而，SRAM單元由相對大數(shù)量的晶體管形成，這些晶體管占據(jù)相對大的布局面積。這限制了利用該方法可實現(xiàn)的最大顯示分辨率。

【發(fā)明內容】

[0011]技術問題
[0012]先前技術描述了三種類型的像素電路:像素電路，其具有減小泄漏的電路以使得新數(shù)據(jù)以減小的速率被寫入；像素電路，其反轉像素中的數(shù)據(jù)以使得數(shù)據(jù)僅在所顯示的圖像需要改變時被寫入；以及像素電路，其將數(shù)據(jù)存儲在SRAM中并使用所存儲的數(shù)據(jù)來控制外部基準電壓的連接，由此基準電壓交替改變以實現(xiàn)LC電壓的反轉。
[0013]這些方法中的每一個都具有缺點:僅減小泄漏的像素電路必須以由LC的特性規(guī)定的速率從驅動電路接收新的經(jīng)反轉的數(shù)據(jù)，因此需要對列電極的相對頻繁的充電并且增大了顯示器的功耗；僅反轉像素中的數(shù)據(jù)的像素電路必須以相對高頻率執(zhí)行反轉，使得之前的數(shù)據(jù)尚未通過泄漏顯著降級，還導致功耗增大；SRAM像素大，并且不能用于高分辨率顯示器。
[0014]問題的解決方案
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，具有視頻操作模式、存儲器操作模式和反轉操作模式的像素電路包括:像素存儲節(jié)點，用于存儲將由顯示元件輸出的數(shù)據(jù)；像素寫入電路，配置成接收顯示數(shù)據(jù)并將顯示數(shù)據(jù)提供給像素存儲節(jié)點以存儲在像素存儲節(jié)點上；保持電路，可操作地耦合至像素寫入電路并配置成使從像素存儲節(jié)點通過像素寫入電路的電荷的泄漏最少；以及內部反轉電路，可操作地耦合至保持電路和像素存儲節(jié)點，并配置成反轉存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的電壓和施加至顯示元件的電壓，該顯示元件接收存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，顯示電路包括如本申請中所述的多個像素電路，所述多個像素電路按照行和列的形式設置。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，顯示裝置包括:如本申請所述的顯示電路；以及具有多個單元的顯示裝置，每個單元可操作地耦合至多個像素電路中的相應的像素電路。[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提出了一種驅動像素電路的方法，該像素電路具有視頻操作模式、存儲器操作模式和反轉操作模式，該像素電路包括像素存儲節(jié)點、像素寫入電路、保持電路以及內部反轉電路，該像素存儲節(jié)點用于存儲將由顯示元件輸出的數(shù)據(jù)，該像素寫入電路將數(shù)據(jù)寫入到像素存儲節(jié)點上，該保持電路可操作地耦合至像素寫入電路并配置成使從像素存儲節(jié)點通過像素寫入電路的電荷的泄漏最少，該內部反轉電路可操作地耦合至保持電路且包括用于將數(shù)據(jù)存儲到像素存儲節(jié)點上的單元節(jié)點，并配置成反轉存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的電壓和施加至顯示元件的電壓，該顯示元件接收存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)，該方法包括:當像素電路處于反轉模式時，將該單元節(jié)點與像素存儲節(jié)點隔離；將像素存儲節(jié)點充電至高態(tài)；以及基于單元節(jié)點中存儲的數(shù)據(jù)對像素存儲節(jié)點選擇性地放電，使得像素存儲節(jié)點上的電壓是存儲在單元節(jié)點上的電壓的邏輯補。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種驅動像素電路的方法，該像素電路具有視頻操作模式、存儲器操作模式和反轉操作模式，該像素電路包括像素存儲節(jié)點、像素寫入電路、保持電路以及內部反轉電路，該像素存儲節(jié)點用于存儲將由液晶單元輸出的數(shù)據(jù)，該像素寫入電路包括用于接收數(shù)據(jù)的列寫入端子和用于使列寫入端子上的數(shù)據(jù)能被傳輸至像素存儲節(jié)點的行選擇端子，該保持電路可操作地耦合至像素寫入電路并配置成使從像素存儲節(jié)點通過像素寫入電路的電荷的泄漏最少，該保持電路包括第一供給晶體管和第二供給晶體管，第一供給晶體管包括η溝道晶體管且第二供給晶體管包括ρ溝道晶體管，并且其中第一供給晶體管的漏極電連接至第二電源端子，第一供給晶體管的源極電連接至第二供給晶體管的源極，且第二供給晶體管的漏極電連接至第三電源端子，該內部反轉電路可操作地耦合至保持電路且包括用于將數(shù)據(jù)存儲在像素存儲節(jié)點上的單元節(jié)點，該內部反轉電路配置成反轉存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的電壓和施加至液晶單元的電壓，該液晶單元接收存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)，該方法包括:當像素電路處于反轉模式時，將單元節(jié)點與像素存儲節(jié)點隔離；將像素存儲節(jié)點充電至低態(tài)；以及基于單元節(jié)點中存儲的電壓，將像素存儲節(jié)點選擇性地連接至第五電源端子。
[0020]為了完成上述和相關目的，本發(fā)明包括在下文中完整描述和在權利要求書中特別指出的特征。以下描述和附圖詳細陳述了本發(fā)明的特定說明性實施例。然而，這些實施例僅指示其中可以使用本發(fā)明的原理的多種方式中的幾種。結合附圖考慮本發(fā)明的以下詳細描述，則本發(fā)明的其他目的、優(yōu)點、以及新穎特征將變得明顯。
[0021]附圖簡述
[0022]在附圖中，相似的附圖標記指示相似的部件或特征:
[0023]圖1是來自常規(guī)技術的像素電路的示意圖。
[0024]圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的包含示例性的像素配置的有源矩陣顯示器的示意圖。
[0025]圖3是圖2中示出的像素配置的示意圖。
[0026]圖4a是示出在視頻模式期間操作圖3的像素的方法的時序圖。
[0027]圖4b是示出在反轉模式期間操作圖3的像素的方法的時序圖。
[0028]圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的像素配置的示意圖。
[0029]圖6是示出操作圖5的像素的方法的時序圖。
[0030]附圖標記說明[0031]8 晶體管
[0032]10 晶體管
[0033]11 像素寫入電路
[0034]Ila輸入節(jié)點
[0035]Ilb輸出節(jié)點
[0036]Ilc中間節(jié)點
[0037]12 像素存儲節(jié)點
[0038]14 液晶單元
[0039]16 像素存儲節(jié)點電容器
[0040]22圖像元件(像素)的矩陣
[0041]24數(shù)據(jù)驅動電路
[0042]26掃描驅動電路
[0043]30晶體管
[0044]31保持電路
[0045]32晶體管
[0046]34單元節(jié)點電容器
[0047]36晶體管
[0048]37反轉電路
[0049]54晶體管
[0050]56 晶體管
[0051]實施例描述
[0052]圖2中示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的第一實施例。圖像元件(像素)的矩陣22按照M行和N列來設置。每個像素行連接至相應的行電極，每個像素列連接至相應的列電極，并且列電極連接至數(shù)據(jù)驅動電路24的N個輸出，且行電極連接至掃描驅動電路26的M個輸出。
[0053]圖3中示出了根據(jù)第一實施例的像素電路。該電路由η溝道晶體管8、10、30、32和36、電容器16和34以及諸如液晶單元之類的顯示元件14組成。晶體管8和10 (分別是第一和第二輸入晶體管)的柵極連接至GL輸入(行選擇端子);晶體管8的源極連接至SL輸入(列寫入端子);晶體管8的漏極連接至晶體管10的源極、晶體管36 (反轉晶體管)的漏極以及晶體管30 (供給晶體管)的源極；晶體管10的漏極連接至電容器16 (像素存儲電容器)的第一電極、液晶單元14的第一電極以及晶體管32和36的源極；晶體管32的柵極連接至SMP輸入(預充電端子)；晶體管32 (預充電晶體管)的漏極連接至晶體管30的柵極和電容器34 (單元存儲電容器)的第一電極；晶體管36的柵極連接至INV輸入(反轉端子)；液晶單元14的第二電極連接至VCOM輸入(第一電源端子);晶體管30的漏極連接至Vdd輸入(第二電源端子)；電容器16的第二電極連接至VCSl輸入(第三電源端子)；以及電容器34的第二電極連接至VCS2輸入(第四電源端子)。VCOM輸入可以是所有像素共用的，并且可以是在IXD的對向襯底上的電極。VCSl和VCS2輸入可分別連接至同一行中的所有像素的VCSl和VCS2輸入。VCSl和VCS2輸入可連接到一起。
[0054]晶體管8和10形成示例性的像素寫入電路11，該像素寫入電路11配置成接收數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)提供給像素存儲節(jié)點和液晶單元14。示例性的像素寫入電路11包括輸入節(jié)點11a、輸出節(jié)點lib以及電氣地設置在輸入節(jié)點與輸出節(jié)點之間的中間節(jié)點11c。
[0055]晶體管8和30形成示例性的保持電路31,保持電路31配置成使從液晶單元/像素存儲節(jié)點12通過像素寫入電路11的電荷泄漏最少。更具體地，如下述所討論的，可起到開關裝置作用的晶體管30以及像素寫入電路11的晶體管8將中間節(jié)點11c上的電壓維持在與像素存儲節(jié)點12上的電壓基本相同的電平。以此方式，使從像素存儲節(jié)點12通過像素寫入電路11的泄漏最少。
[0056]晶體管36、32和30形成反轉電路37，該反轉電路37配置成使液晶單元14上的電壓以及像素存儲節(jié)點12上存儲的數(shù)據(jù)的電壓反轉。像素存儲單元上和液晶單元上的電壓的反轉稱為“邏輯”反轉(例如從高態(tài)到低態(tài)或從低態(tài)到高態(tài))。反轉電路37的操作在下面進行更詳細的描述。
[0057]如下所述，圖3的電路中的多個晶體管具有雙重角色，即它們是不同功能電路的部分。例如，晶體管8不僅是寫入電路11的部分，也是保持電路31的部分。類似地，雖然晶體管30、32和36形成反轉電路37的核心，但圖3中的所有晶體管可至少部分地參與反轉功能。然而，在其他配置中，晶體管可能不具有雙重角色。根據(jù)本發(fā)明的裝置和方法包括其中晶體管專用于特定功能的實施例以及其中晶體管具有多重角色(例如晶體管用于該電路的兩個或更多個不同功能部分)的實施例。
[0058]像素具有三種操作模式:視頻模式，其中數(shù)據(jù)以完全幀率(典型為60Hz)從驅動電路寫入；存儲器模式，其中像素保持其數(shù)據(jù)；以及反轉模式，其中像素反轉所存儲的數(shù)據(jù)。在視頻模式中，Vdd和SMP被保持為高，INV被保持為低，并且其他信號像常規(guī)的有源矩陣顯示器那樣操作。圖4a示出用于視頻模式操作的時序圖。
[0059]在存儲器模式中，Vdd和SMP被保持為高，INV被保持為低，VCOM、VCS1和VCS2保持他們的初始狀態(tài)，并且SL和GL輸入被保持在基本相同的低電平。晶體管8和30用于將晶體管8的漏極和晶體管10的源極上的電壓維持在與像素存儲節(jié)點12上的電壓相似的電平。典型地，“相似的電平”具有100mV量級，不過這取決于晶體管性能、電壓范圍等等。因此，晶體管10具有非常低的漏一源電壓，并且來自該像素的漏電流被最小化。
[0060]該像素中的唯一直流路徑從Vdd經(jīng)由晶體管8到30的導電路徑到SL輸入。因此晶體管8和30通過基本相同的電流。在該情況下，存在通向節(jié)點11c的3條路徑:通過晶體管30、8和10。通過晶體管10的電流是來自該像素的泄漏，我們尋求使該泄漏最少。典型地，該電流約是通過晶體管30的電流的100分之一，不過這仍然取決于該電路的性能。如果晶體管被設計成大小相等，則它們將保持基本相同的偏置條件以通過該電流。偏置條件取決于像素電壓(數(shù)據(jù))。在一些情況下，晶體管具有相同的偏置條件，而在其他情況下，它們的柵-源電壓將相差0( 100mV),同時它們的漏-源電壓將相差若干伏。如果GL和SL輸入被保持在基本相同的低電壓(理想情況下，它們處于相同的電壓一僅有的差別將因為GL和SL輸入由不同的電路來控制而出現(xiàn)，因此它們可能由于噪聲等等而時不時處于稍微不同的電壓)，則晶體管8的柵-源電壓基本為零(理想情況下正好為零，但實際上由于以上剛說明的噪聲的原因，它將總是大約為零);如果像素存儲節(jié)點12上的電壓正好處于Vdd電壓與施加至GL和SL輸入的電壓之間的中位，并且如果晶體管30的源極也正好處于Vdd電壓和施加至GL和SL輸入的電壓之間的中位，則晶體管8和30將具有相同的偏置條件(即相同的漏-源和柵-源電壓)。在該情況下，晶體管10的漏-源電壓為零，并且不會有漏電流從像素存儲節(jié)點12流出。
[0061]在像素存儲節(jié)點12上的電壓大于Vdd電壓與施加至GL和SL輸入的電壓之間的中位的情況下，如果晶體管30的源極處于比像素存儲節(jié)點12稍低的電壓下，則晶體管8和30將汲取相同的電流。在該情況下，晶體管8的柵-源電壓基本為零，同時其漏-源電壓比Vdd電壓與施加至GL和SL的電壓之差的一半更大，并且該晶體管比中位電壓的情況汲取稍多的電流。晶體管30優(yōu)選汲取與晶體管8相同的電流，但它具有比晶體管8低的漏-源電壓。該差別通過晶體管30的稍高的柵-源電壓得到補償。這是操作說明的一部分，而不是如何操作該電路的定義。晶體管8的偏置條件通過施加至GL和SL輸入的電平以及像素電壓而被固定。晶體管30必須(按照基爾霍夫定律)提供該電流的大部分(余下部分是通過晶體管10的像素漏電流——約為該電流的100分之一)，因此其偏置條件是強制的。如所實現(xiàn)的那樣，漏-源電壓中的該大差別可通過柵-源電壓中的小差別得到補償，因此節(jié)點Ilc被保持于非常接近像素電壓。
[0062]相反，在像素存儲節(jié)點12上的電壓低于Vdd電壓與施加至GL和SL輸入的電壓之間的中位的情況下，如果晶體管30的源極處于比像素存儲節(jié)點12稍高的電壓下，則晶體管8和30將汲取相同的電流。如之前所述，晶體管8的柵-源電壓基本為零，但其漏-源電壓比Vdd電壓與施加至GL和SL的電壓之差的一半更小，并且該晶體管比中位電壓的情況汲取稍少的電流。晶體管30優(yōu)選汲取與晶體管8實質上相同的電流，但它具有比晶體管8高的漏-源電壓。該差別通過晶體管30的稍低(即負的)的柵-源電壓得到補償。
[0063]由于通過晶體管的電流更強烈取決于其柵-源電壓而不是其漏-源電壓，因此晶體管8和30的漏-源電壓之間的大差別可通過它們的柵-源電壓中的小差別來得到補償。典型地，I伏的漏-源電壓差別可通過數(shù)十毫伏的柵-源電壓差別來得到補償。因此，晶體管30的源極電壓保持為非常接近像素存儲節(jié)點12上的電壓，并且在各種不同的像素電壓上，通過晶體管10的漏電流都被最小化。
[0064]可利用交流或直流VCOM驅動來操作該顯示器。
[0065]反轉操作的時序在圖4b中示出，并且按照兩個階段發(fā)生。首先，將像素的節(jié)點預充電至高電平，同時隔離之前的數(shù)據(jù)并將其存儲在單獨的節(jié)點(單元節(jié)點)上；然后根據(jù)所存儲數(shù)據(jù)的值對經(jīng)過預充電的該節(jié)點選擇性地放電，將其放電至低電平或允許其保持其預充電電壓。施加至VCSl和VCS2引腳的電壓在反轉操作期間不會改變。
[0066]為了實現(xiàn)預充電階段，將SMP切換至低電平，從而隔離電容器34的第一電極上的數(shù)據(jù)電壓。然后將GL升高至高電平，從而使晶體管8和10導通，并且將SL升高至高電平。將GL升高至比SL高的電平使得晶體管8和10完全傳導SL上的電壓，從而將第一電容器16和LC單元14的第一電極充電至SL線路上的電壓。然后將GL降低至其先前的低電平，從而使晶體管8和10截止，并隔離經(jīng)過預充電的節(jié)點。在該階段期間，如果使用ac VCOM驅動，則VCOM引腳上的電壓反轉。
[0067]在該選擇性放電階段中，將INV升高至高電平，從而使晶體管36導通，并且將Vdd切換至低電平。如果存儲在電容器34的第一電極上的數(shù)據(jù)為高，則晶體管30導通，并且第一電容器16和LC單元14的第一電極經(jīng)由晶體管36和30被放電至Vdd上的低電平。如果電容器34的第一電極上存儲的數(shù)據(jù)為低，則晶體管30保持截止，并且第一電容器16和LC單兀14的第一電極保持預充電電壓。在任一,清況下，第一電容器16和LC單兀14的第一電極上的最終電壓是存儲在電容器34的第一電極上的數(shù)據(jù)電壓的邏輯補，并且施加至LC的數(shù)據(jù)已被反轉。
[0068]該操作的最終階段是像素返回至存儲器模式:在預定持續(xù)時間之后，SMP和Vdd被升高至他們的原始高電平，并且INV被切換至其原始低電平。電容器和LC單元上存儲的電荷被共享，從而給出比Vdd的低電平稍高或比預充電電壓稍低的最終電壓。可將第二電容器54設計成顯著小于更大電容器16和LC電容14之和，以使電壓的該變化最小?？勺顑?yōu)化Vdd和預充電電壓的值，使得最終像素電壓等于LC的黑電壓和白電壓。此外，可最優(yōu)化Vdd和預充電電壓的值，以使得最終像素電壓對應于更寬的電壓范圍，使得更高的像素電壓大于黑和白LC電壓中更高的那一個，和/或更低的像素電壓低于黑和白LC電壓中更低的那一個。
[0069]替代的驅動方案包括在選擇性的反轉階段之前改變施加至VCS2輸入的電壓。例如，如果已知在存儲器模式期間的泄漏升高了像素存儲節(jié)點上的電壓，則可在SMP已降低之后降低VCS2上的電壓，使得晶體管30不會因電容器34的上極板上的低電壓而導通。然后一旦反轉操作完成，就可使施加至VCS2輸入的電壓返回至其通常值。
[0070]圖5中示出了第二實施例。該電路與第一實施例中基本相同，不同之處在于晶體管30已被如下連接的η溝道晶體管54 (第一源晶體管)和ρ溝道晶體管56 (第二源晶體管)替換:晶體管54的漏極連接至Vdd輸入；晶體管54的源極連接至晶體管56的源極、晶體管36的漏極、晶體管8的漏極以及晶體管10的源極；晶體管56的漏極連接至Vss輸入(第五電源端子);晶體管54和56的柵極連接到一起且連接至電容器34的第一電極和晶體管32的漏極。
[0071]在存儲器模式下，所有信號與第一實施例所描述的信號相同。此外，Vss輸入連接至低電源。在該模式下，晶體管54和56作為單位增益放大器操作，將像素存儲節(jié)點12上的電壓復制到晶體管54和56的源極，從而使晶體管10的漏一源電壓最小，如第一實施例中那樣。
[0072]反轉操作的時序與第一實施例所描述的相同:如之前所述那樣執(zhí)行預充電；在反轉階段，如之前所述那樣將Vdd置為低，并且當電容器34的第一電極上的電壓為高時晶體管54導通，從而對第一電容器16和LC單兀14的第一電極放電,或者當電容器54的第一電極上的電壓為低時晶體管54保持截止,從而防止第一電容器16和LC單兀14的第一電極的放電。晶體管56始終保持截止。
[0073]此外，第二實施例的電路可按照與所描述的方式互補的方式來使用:在反轉過程期間不將像素預充電至高電壓和將Vdd輸入置為低，而是在反轉過程期間將像素預充電至低電壓并且將Vss輸入通過脈沖方式驅動為高。在該情況下，電容器34的第一電極上的低數(shù)據(jù)將導致晶體管56導通并且第一電容器16和LC單元14的第一電極被充電至Vss輸入上的高電平；電容器34的第一電極上的高數(shù)據(jù)將導致晶體管56保持截止，并且第一電容器16和LC單元14的第一電極將保持他們的低預充電電壓。
[0074]圖6中示出了利用第二實施例的像素電路來執(zhí)行反轉操作的另一方法。不存在預充電階段，使得GL和SL輸入不會改變。像素存儲節(jié)點12因此保持其所存儲的電壓。將SMP設置為低電平，以隔離電容器34的上極板。在反轉階段期間，將INV置為高電平，并且將Vdd和Vss分別置為低電平和高電平，使得晶體管54和56像標準靜態(tài)反相器那樣操作。在該情況下，電容器34的第一電極上的低數(shù)據(jù)將導致晶體管56導通且晶體管54截止，以及第一電容器16和LC單兀14的第一電極被充電至Vss輸入上的高電平；電容器34的第一電極上的高數(shù)據(jù)將導致晶體管54導通和晶體管56截止，并且第一電容器16和LC單元14的第一電極被充電至Vdd輸入上的低電平。在該階段期間，如果使用了 ac VCOM驅動，則VCOM引腳上的電壓反轉。
[0075]對本領域普通技術人員而言，上述電路的許多變型將是明顯的。示例包括:可將晶體管10、50和52的一些或全部改變?yōu)殡p柵極晶體管以減小泄漏(更多數(shù)量的柵極也是可能的，但可能會對數(shù)據(jù)寫入和/或反轉所花費的時間存在不良影響)；可將泄漏減少電路晶體管8和30改變?yōu)殡p柵極晶體管(同樣，更多數(shù)量的柵極也是可能的，但可能會對操作存在不良影響)；可將所描述的η溝道晶體管替換為P溝道晶體管，并且所有信號被反轉；可將LC單元替換為諸如有機發(fā)光二極管(OLED)或電泳或電潤濕元件之類的另一電壓驅動的光學層。
[0076]為了完成上述和相關目的，本發(fā)明進而包括如權利要求中完整描述和特別指出的特征。以下描述和附圖詳細闡明了本發(fā)明的某些說明性實施例。然而，這些實施例僅指出了可采用本發(fā)明原理的各種各樣的方式中的幾種方式。當結合附圖一起考慮時，從下面的本發(fā)明【具體實施方式】可以明顯看出本發(fā)明的其他目的、優(yōu)點和新穎特征。
[0077]雖然已經(jīng)關于某些實施例或多個實施例示出和描述了本發(fā)明，但本領域普通技術人員經(jīng)過閱讀和理解本說明書和附圖之后可想到等效的替換和修改。尤其針對由上述元件(部件，組件，裝置，組合物等)所執(zhí)行的各種功能，用來描述這些元件的術語(包括對“手段”的引用)旨在對應于執(zhí)行所述元件的規(guī)定功能的任何元件(例如功能等效的元件)，即使它們在結構上不等效于執(zhí)行本發(fā)明的示例性的實施方式或多個實施方式中的功能的所公開結構，除非另有說明。此外，雖然已經(jīng)關于若干實施例中的僅一個或多個描述了本發(fā)明的具體特征，但在任何給定或具體應用需要或對任何給定或具體應用有利時，可將這樣的特征與其它實施例的一個或多個其它特征組合。
[0078]補充說明
[0079]根據(jù)本發(fā)明的裝置和方法提供了一種使用如下像素電路的顯示器，該像素電路既能夠使來自像素的電荷泄漏最少，又能夠在內部對像素數(shù)據(jù)電壓進行反轉。由于可將LC反轉速率降低到LC材料所允許的程度，且無需對列電極進行充電就能進行LC反轉，而且當圖像為靜態(tài)時能夠停用驅動電路，因此，能以可能的最低功耗來操作顯示器。根據(jù)本發(fā)明的裝置和方法能夠使用數(shù)量最少的電路元件來實現(xiàn)上述功能。
[0080]根據(jù)本發(fā)明的基本方面，提供了使用如下像素電路的顯示器，該像素電路包括用于使來自像素的電荷泄漏最少的電路元件、以及用于反轉像素電壓的電路元件。
[0081]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種驅動具有這樣的像素的顯示器的方法。
[0082]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，形成用于使電荷泄漏最少的電路的元件中的一些元件也形成用于反轉像素電壓的電路的一部分。
[0083]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，用于提供使來自像素的電荷泄漏最少的功能的電源中的一個或多個在反轉操作的部分期間采用不同的電壓電平。
[0084]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，具有視頻操作模式、存儲器操作模式和反轉操作模式的像素電路包括:像素存儲節(jié)點，用于存儲將由顯示元件輸出的數(shù)據(jù)；像素寫入電路，配置成接收顯示數(shù)據(jù)并將顯示數(shù)據(jù)提供給像素存儲節(jié)點以存儲在像素存儲節(jié)點上；保持電路，可操作地耦合至像素寫入電路并配置成使從像素存儲節(jié)點通過像素寫入電路的電荷的泄漏最少；以及內部反轉電路，可操作地耦合至保持電路和像素存儲節(jié)點，并配置成反轉存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的電壓和施加至顯示元件的電壓，該顯示元件接收存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)。
[0085]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，該像素電路包括顯示元件，該顯示元件包括第一端和第二端，第一端電連接至像素存儲節(jié)點，且第二端電連接至第一電源端子。
[0086]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，該像素寫入電路包括:輸入節(jié)點；輸出節(jié)點；以及中間節(jié)點，該中間節(jié)點電連接在輸入節(jié)點和輸出節(jié)點之間，輸出節(jié)點電連接至像素存儲節(jié)點，并且保持電路包括開關器件，該開關器件被配置成選擇性地將中間節(jié)點耦合至第二電源端子，以及當該像素電路以存儲器模式操作時，該開關器件被配置成將中間節(jié)點上的電壓維持在與像素存儲節(jié)點上的電壓相同的電平。
[0087]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，該像素寫入電路包括第一輸入晶體管和第二輸入晶體管，第一輸入晶體管和第二輸入晶體管各自包括漏極和源極，并且保持電路還包括第一輸入晶體管，其中第一輸入晶體管的漏極和第二輸入晶體管的源極彼此電連接以形成中間節(jié)點，并且第二輸入晶體管的漏極構成輸出節(jié)點。
[0088]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，開關器件包括供給晶體管，該供給晶體管具有源極和漏極，該供給晶體管的漏極電連接至第二電源端子，且該供給晶體管的源極電連接至該中間節(jié)點。
[0089]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，第一輸入晶體管和供給晶體管通過幾乎相同的電流。
[0090]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，該內部反轉電路包括:供給晶體管；單元存儲節(jié)點，該單元存儲節(jié)點用于存儲在像素存儲節(jié)點上存儲的數(shù)據(jù)；反轉晶體管，具有源極和漏極，其中反轉晶體管的源極電連接至該存儲節(jié)點，且反轉晶體管的漏極電連接至供給晶體管的源極；以及預充電晶體管，包括源極和漏極，其中預充電晶體管的源極電連接至像素存儲節(jié)點，且預充電晶體管的漏極電連接至單元存儲節(jié)點，從而實現(xiàn)單元存儲節(jié)點與像素存儲節(jié)點的選擇性耦合。
[0091]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，內部反轉電路包括預充電電容器，該預充電電容器的第一端電連接至預充電晶體管的漏極。
[0092]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，第一輸入晶體管和所述第二輸入晶體管各自包括與行選擇端子電連接的柵極，且第一輸入晶體管的源極電連接至列寫入端子。
[0093]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，預充電晶體管包括電連接至預充電端子的柵極。
[0094]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，反轉晶體管包括電連接至反轉啟用端子的柵極。
[0095]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，該像素電路還包括像素存儲電容器，該像素存儲電容器的第一端電連接至像素存儲節(jié)點。
[0096]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，供給晶體管包括第一供給晶體管和第二供給晶體管，第一供給晶體管包括η溝道晶體管且第二供給晶體管包括ρ溝道晶體管，并且其中第一供給晶體管的漏極電連接至第二電源端子，第一供給晶體管的源極電連接至第二供給晶體管的源極，并且第二供給晶體管的漏極電連接至第五電源端子。[0097]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，顯示電路包括如本申請中所述的多個像素電路，所述多個像素電路按照行和列的形式設置。
[0098]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，顯示裝置包括:如本申請所述的顯示電路；以及具有多個單元的顯示裝置，每個單元可操作地耦合至多個像素電路中的相應的像素電路。
[0099]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提出了一種驅動像素電路的方法，該像素電路具有視頻操作模式、存儲器操作模式和反轉操作模式，該像素電路包括像素存儲節(jié)點、像素寫入電路、保持電路以及內部反轉電路，該像素存儲節(jié)點用于存儲將由顯示元件輸出的數(shù)據(jù)，該像素寫入電路配置成將數(shù)據(jù)寫入到像素存儲節(jié)點上，該保持電路可操作地耦合至像素寫入電路并配置成使從像素存儲節(jié)點通過像素寫入電路的電荷的泄漏最少，該內部反轉電路可操作地耦合至保持電路且包括用于存儲像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的單元節(jié)點，并配置成反轉存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的電壓和施加至顯示元件的電壓，該顯示元件接收存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)，該方法包括:當像素電路處于反轉模式時，將該單元節(jié)點與像素存儲節(jié)點隔離；將像素存儲節(jié)點充電至高態(tài)；以及基于單元節(jié)點中存儲的數(shù)據(jù)對像素存儲節(jié)點選擇性地放電，使得像素存儲節(jié)點上的電壓是存儲在單元節(jié)點上的電壓的邏輯補。
[0100]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，該內部反轉電路包括預充電端子，該預充電端子用于將像素數(shù)據(jù)節(jié)點選擇性地耦合至單元節(jié)點，其中隔離該單元節(jié)點包括將預充電端子驅動至低態(tài)以將單元節(jié)點與像素存儲節(jié)點隔離。
[0101]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，像素寫入電路包括列寫入端子和行選擇端子，列寫入端子用于接收數(shù)據(jù)，行選擇端子用于使列寫入端子上的數(shù)據(jù)能被轉移到像素存儲節(jié)點，并且其中對像素存儲節(jié)點充電包括將行選擇端子和列寫入端子二者驅動至高態(tài)達到預定持續(xù)時間以對像素單元節(jié)點充電，然后至少將行選擇端子驅動至低態(tài)。
[0102]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，保持電路耦合至電源端子并且被配置成從該電源端子選擇性地提供電壓至像素寫入電路，反轉電路耦合至反轉端子，該反轉端子用于使像素存儲節(jié)點和顯示元件上的電壓反轉，并且選擇性地放電包括:在將行選擇端子和列寫入端子驅動至低態(tài)之后，將反轉端子驅動至高態(tài)并將電源端子驅動至低態(tài)，并在預定持續(xù)時間之后將反轉端子驅動至低態(tài)且將電源端子驅動至高態(tài)。
[0103]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，該方法還包括在存儲器操作模式中，將行選擇端子和反轉端子驅動至低態(tài)，并將電壓端子和預充電端子驅動至高態(tài)。
[0104]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，選擇由電源端子提供的電壓和預充電電壓，使得在反轉之后像素存儲節(jié)點上的電壓對應于LC黑或白電壓。
[0105]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，選擇由電源端子提供的電壓和預充電電壓，使得在反轉之后像素存儲節(jié)點上的電壓是如下情況中的至少一種:大于黑或白電壓中更大的那一個；小于黑或白電壓中更小的那一個。
[0106]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，單元節(jié)點包括電容器，該電容器的一端連接至第四電源且另一端選擇性地耦合至像素存儲節(jié)點，該方法包括在選擇性地對像素存儲節(jié)點放電之前改變施加至第四電源的電壓。
[0107]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種驅動像素電路的方法，該像素電路具有視頻操作模式、存儲器操作模式和反轉操作模式，該像素電路包括像素存儲節(jié)點、像素寫入電路、保持電路以及內部反轉電路，該像素存儲節(jié)點用于存儲將由液晶單元輸出的數(shù)據(jù)，該像素寫入電路包括用于接收數(shù)據(jù)的列寫入端子和用于使列寫入端子上的數(shù)據(jù)能被傳輸至像素存儲節(jié)點的行選擇端子，該保持電路可操作地耦合至像素寫入電路并配置成使從像素存儲節(jié)點通過像素寫入電路的電荷的泄漏最少，該保持電路包括第一供給晶體管和第二供給晶體管，第一供給晶體管包括n溝道晶體管且第二供給晶體管包括ρ溝道晶體管，并且其中第一供給晶體管的漏極電連接至第二電源端子，第一供給晶體管的源極電連接至第二供給晶體管的源極，且第二供給晶體管的漏極電連接至第三電源端子，該內部反轉電路可操作地耦合至保持電路且包括用于將數(shù)據(jù)存儲在像素存儲節(jié)點上的單元節(jié)點，該內部反轉電路配置成使存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的電壓和施加至液晶單元的電壓反轉，該液晶單元接收存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)，該方法包括:當像素電路處于反轉模式時，將單元節(jié)點與像素存儲節(jié)點隔離；將像素存儲節(jié)點充電至低態(tài)；以及基于單元節(jié)點中存儲的電壓，將像素存儲節(jié)點選擇性地連接至第五電源端子。
[0108]工業(yè)實用性
[0109]本發(fā)明可用于提供便攜式的電池供電裝置中所使用的低功率的高分辨率顯示器。這樣的顯示器具有增加該裝置在電池的一次充電中可操作的時間的同時還能夠顯示高質量的圖像的優(yōu)點。
【權利要求】
1.一種像素電路，所述像素電路具有視頻操作模式、存儲器操作模式和反轉操作模式，所述像素電路包括:像素存儲節(jié)點，用于存儲將由顯示元件輸出的數(shù)據(jù)；像素寫入電路，配置成接收顯示數(shù)據(jù)，并將所述顯示數(shù)據(jù)提供給像素存儲節(jié)點以存儲在像素存儲節(jié)點上；保持電路，操作地耦合至像素寫入電路，并配置成使從像素存儲節(jié)點通過像素寫入電路的電荷泄漏最少；以及內部反轉電路，操作地耦合至保持電路和像素存儲節(jié)點，并配置成使存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的電壓和施加至顯示元件的電壓反轉，所述顯示元件接收存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)。
2.如權利要求1所述的像素電路，其特征在于，還包括所述顯示元件，所述顯示元件包括第一端和第二端，第一端電連接至所述像素存儲節(jié)點，且第二端電連接至第一電源端子。
3.如權利要求1至2中的任一項所述的像素電路，其特征在于，所述像素寫入電路包括輸入節(jié)點、輸出節(jié)點以及中間節(jié)點，該中間節(jié)點電連接在輸入節(jié)點與輸出節(jié)點之間，其中輸出節(jié)點電連接至所述像素存儲節(jié)點，以及所述保持電路包括開關器件，該開關器件被配置成將所述中間節(jié)點選擇性地耦合至第二電源端子，以及其中當所述像素電路以存儲器`模式操作時，所述開關器件被配置成將中間節(jié)點上的電壓維持在與像素存儲節(jié)點上的電壓相同的電平。
4.如權利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述像素寫入電路包括第一輸入晶體管和第二輸入晶體管，第一輸入晶體管和第二輸入晶體管各自包括漏極和源極，并且保持電路還包括所述第一輸入晶體管，其中第一輸入晶體管的漏極和第二輸入晶體管的源極彼此電連接以形成中間節(jié)點，并且所述第二輸入晶體管的漏極構成輸出節(jié)點。
5.如權利要求3至4中的任一項所述的像素電路，其特征在于，所述開關器件包括供給晶體管，所述供給晶體管具有源極和漏極，所述供給晶體管的漏極電連接至所述第二電源端子，并且所述供給晶體管的源極電連接至所述中間節(jié)點。
6.如權利要求5所述的像素電路，其特征在于，所述第一輸入晶體管和所述供給晶體管通過基本相同的電流。
7.如權利要求5至6中的任一項所述的像素電路，其特征在于，所述內部反轉電路包括:所述供給晶體管；單元存儲節(jié)點，用于存儲在所述像素存儲節(jié)點上存儲的數(shù)據(jù)；反轉晶體管，具有源極和漏極，其中所述反轉晶體管的源極電連接至所述存儲節(jié)點，且所述反轉晶體管的漏極電連接至所述供給晶體管的源極；以及預充電晶體管，包括源極和漏極，其中所述預充電晶體管的源極電連接至所述像素存儲節(jié)點，且所述預充電晶體管的漏極電連接至所述單元存儲節(jié)點，以實現(xiàn)所述單元存儲節(jié)點與所述像素存儲節(jié)點的選擇性耦合。
8.如權利要求7所述的像素電路，其特征在于， 所述內部反轉電路還包括預充電電容器，所述預充電電容器的第一端電連接至所述預充電晶體管的漏極。
9.如權利要求7至8中的任一項所述的像素電路，其特征在于， 所述第一輸入晶體管和所述第二輸入晶體管各自包括電連接至行選擇端子的柵極，且第一輸入晶體管的源極電連接至列寫入端子。
10.如權利要求9所述的像素電路，其特征在于， 所述預充電晶體管包括電連接至預充電端子的柵極。
11.如權利要求9至10中的任一項所述的像素電路，其特征在于， 所述反轉晶體管包括電連接至反轉啟用端子的柵極。
12.如權利要求1至11中的任一項所述的像素電路，其特征在于， 還包括像素存儲電容器，所述像素存儲電容器的第一端電連接至所述像素存儲節(jié)點。
13.如權利要求5至12中的任一項所述的像素電路，其特征在于， 所述供給晶體管包括第一供給晶體管和第二供給晶體管，第一供給晶體管包括η溝道晶體管且第二供給晶體管包括P溝道晶體管，并且其中第一供給晶體管的漏極電連接至所述第二電源端子，第一供給晶體管的源極電連接至第二供給晶體管的源極，并且第二供給晶體管的漏極電連接至第五電源端子。
14.一種包括多個如權利要求1至13中的任一項所述的像素電路的顯示電路，所述多個像素電路以行和列的形式排列。
15.一種顯示裝置，包括: 如權利要求14所述的顯示電路；以及 顯示器件，所述顯示器件包括多個單元，每個單元操作地耦合至所述多個像素電路中的相應一個像素電路。
16.—種驅動像素電路的方法，所述像素電路具有視頻操作模式、存儲器操作模式和反轉操作模式，所述像素電路包括: 像素存儲節(jié)點，用于存儲將由顯示元件輸出的數(shù)據(jù)； 像素寫入電路，配置成將數(shù)據(jù)寫入所述像素存儲節(jié)點； 保持電路，操作地耦合至所述像素寫入電路，并配置成使從所述像素存儲節(jié)點通過所述像素寫入電路的電荷泄漏最少；以及 內部反轉電路，操作地耦合至所述保持電路且包括用于將數(shù)據(jù)存儲在像素存儲節(jié)點上的單元節(jié)點，所述內部反轉電路配置成使存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的電壓和施加至顯示元件的電壓反轉，所述顯示元件接收存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)， 所述方法包括: 當所述像素電路處于所述反轉操作模式時， a)將所述單元節(jié)點與像素存儲節(jié)點隔離； b)將所述像素存儲節(jié)點充電至高態(tài)；以及 c)基于所述單元節(jié)點中存儲的數(shù)據(jù)對所述像素存儲節(jié)點選擇性地放電，使得像素存儲節(jié)點上的電壓是存儲在單元節(jié)點上的電壓的邏輯補。
17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述內部反轉電路包括預充電端子，所述預充電端子用于將所述像素數(shù)據(jù)節(jié)點選擇性地耦合至所述單元節(jié)點，其中隔離所述單元節(jié)點包括將預充電端子驅動至低態(tài)以將所述單元節(jié)點與所述像素存儲節(jié)點隔離。
18.如權利要求17所述的方法，其特征在于，所述像素寫入電路包括列寫入端子和行選擇端子，所述列寫入端子用于接收數(shù)據(jù)，所述行選擇端子用于使所述列寫入端子上的數(shù)據(jù)能被轉移到像素存儲節(jié)點，以及其中對所述像素存儲節(jié)點充電包括將行選擇端子和列寫入端子二者驅動至高態(tài)達到預定持續(xù)時間以對所述像素單元節(jié)點充電，然后至少將所述行選擇端子驅動至低態(tài)。
19.如權利要求18所述的方法，其特征在于，所述保持電路耦合至電源端子并且配置成從所述電源端子選擇性地提供電壓至所述像素寫入電路，并且所述反轉電路耦合至反轉端子，所述反轉端子用于使所述像素存儲節(jié)點和所述顯示元件上的電壓反轉，以及其中選擇性地放電包括:在將所述行選擇端子和所述列寫入端子驅動至低態(tài)之后，將所述反轉端子驅動至高態(tài)并將所述電源端子驅動至低態(tài)，并在預定持續(xù)時間之后將所述反轉端子驅動至低態(tài)且將所述電源端子驅動至高態(tài)。
20.如權利要求19所述的方法，其特征在于， 還包括在存儲器操作模式中，將所述行選擇端子和所述反轉端子驅動至低態(tài)，并將所述電壓端子和所述預充電端子驅動至高態(tài)。
21.如權利要求20所述的方法，其特征在于，選擇由所述電源端子提供的電壓和所述預充電電壓，使得在反轉之后所述像素存儲節(jié)點上的電壓對應于LC黑或白電壓。
22.如權利要求20至21中的任一項所述的方法，其特征在于，選擇由所述電源端子提供的電壓和所述預充電電壓，使得在反轉之后所述像素存儲節(jié)點上的電壓是如下情況中的至少一種:大于黑或白電壓中更大的那一個；小于黑或白電壓中更小的那一個。
23.如權利要求16至22中的任一項所述的方法，其特征在于，所述單元節(jié)點包括電容器，所述電容器的一端連接至第四電源且另一端選擇性地耦合至像素存儲節(jié)點，所述方法包括在步驟c)之前改變施加至第四電源的電壓。
24.一種驅動像素電路的方法，所述像素電路具有視頻操作模式、存儲器操作模式和反轉操作模式，所述像素電路包括:像素存儲節(jié)點，用于存儲將由液晶單元輸出的數(shù)據(jù)；像素寫入電路，包括列寫入端子和行選擇端子，所述列寫入端子用于接收數(shù)據(jù)，所述行選擇端子用于使所述列寫入端子上的數(shù)據(jù)能被轉移到所述像素存儲節(jié)點；保持電路，操作地耦合至像素寫入電路并配置成使從所述像素存儲節(jié)點通過所述像素寫入電路的電荷的泄漏最少，所述保持電路包括第一供給晶體管和第二供給晶體管，第一供給晶體管包括η溝道晶體管且第二供給晶體管包括ρ溝道晶體管，并且其中第一供給晶體管的漏極電連接至第二電源端子，第一供給晶體管的源極電連接至第二供給晶體管的源極，且第二供給晶體管的漏極電連接至第三電源端子；以及內部反轉電路，操作地耦合至所述保持電路且包括用于將數(shù)據(jù)存儲在所述像素存儲節(jié)點上的單元節(jié)點，所述內部反轉電路配置成使存儲在像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)的電壓和施加至液晶單元的電壓反轉，所述液晶單元接收存儲在所述像素存儲節(jié)點上的數(shù)據(jù)， 所述方法包括: 當所述像素電路處于所述反轉操作模式時， a)將所述單元節(jié)點與像素存儲節(jié)點隔離； b)將所述像素存儲節(jié)點充電至低態(tài)；以及 c)基于所述單元節(jié)點中存儲的電壓，將所述像素存儲節(jié)點選擇性地連接至所述第五電源端子。
【文檔編號】G09G3/20GK103718237SQ201280037915
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2012年8月3日 優(yōu)先權日:2011年8月4日
【發(fā)明者】P·澤貝迪 申請人:夏普株式會社