專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
所描述的技術(shù)總體上涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。更具體地講，所描述的技術(shù)總體上涉及一種包括具有多個(gè)薄膜晶體管和至少一個(gè)電容器的像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
背景技術(shù)：
顯示裝置是一種用來顯示圖像的裝置，近來，包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的顯示裝置受到關(guān)注。與液晶顯示器(LED)不同，OLED具有自發(fā)射的特性并且不需要光源，所以可以減少整個(gè)顯示裝置的厚度和重量。OLED表現(xiàn)出諸如低功耗、高亮度和高響應(yīng)速度的高品質(zhì)特性。通 常，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括設(shè)置在基底上且延一定方向延伸的柵極布線、延伸為與柵極布線交叉的數(shù)據(jù)布線、連接到柵極布線和數(shù)據(jù)布線的像素電路以及連接到像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管。然而，隨著對高分辨率顯示器的需求的增長，包括在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器中的柵極布線、數(shù)據(jù)布線、像素電路和有機(jī)發(fā)光二極管的數(shù)量也在增加，因此，產(chǎn)生了各種問題，例如，布線的分布(具體地講，柵極布線的數(shù)量超過數(shù)據(jù)布線的數(shù)量)、在布線中產(chǎn)生的電壓降以及品質(zhì)的劣化(例如，斑點(diǎn))。在該背景部分公開的上述信息僅是為了加強(qiáng)對所描述技術(shù)的背景的理解，因此其可能包含不形成在這個(gè)國家對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
所描述的技術(shù)致力于提供一種用于改善顯示品質(zhì)的高分辨率有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。一個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括:第一絕緣層，形成在基底的上方；多條第一柵極布線，沿第一方向延伸，設(shè)置在第一絕緣層上；第二絕緣層，形成在所述多條第一柵極布線和第一絕緣層的上方；多條第二柵極布線，沿第一方向延伸，設(shè)置在第二絕緣層上；第三絕緣層，形成在所述多條第二柵極布線和第二絕緣層的上方；多條數(shù)據(jù)布線，沿與第一方向交叉的第二方向延伸，設(shè)置在第三絕緣層上；像素電路，連接到第一柵極布線、第二柵極布線和數(shù)據(jù)布線；有機(jī)發(fā)光二極管，連接到像素電路。第一柵極布線可以不與第二柵極布線疊置。第二柵極布線包括第一掃描線和與第一掃描線分離的重置電源線，第一柵極布線包括第二掃描線和發(fā)光控制線，數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線和與數(shù)據(jù)線分離的驅(qū)動電源線。像素電路包括:第一電容器，連接到重置電源線和驅(qū)動電源線；第一薄膜晶體管，連接在驅(qū)動電源線和有機(jī)發(fā)光二極管之間；第二薄膜晶體管，連接在數(shù)據(jù)線和第一薄膜晶體管之間。第一電容器包括:第一電容器電極，形成在第一絕緣層上并且連接到重置電源線；第二電容器電極，形成在第二絕緣層上并且連接到驅(qū)動電源線。第一電容器可以包括連接到第二電容器電極的有源電極，有源電極對應(yīng)于第一電容器電極設(shè)置在基底和第一絕緣層之間。第二電容器電極沿第一方向延伸。第一薄膜晶體管包括:第一有源層，第一絕緣層形成在第一有源層的上方；第一柵電極，連接到第一電容器電極并且設(shè)置在第一絕緣層上；第一源電極，連接到驅(qū)動電源線；第一漏電極，連接到有機(jī)發(fā)光二極管。第二薄膜晶體管包括:第二有源層，第一絕緣層形成在第二有源層的上方；第二柵電極，連接到第一掃描線并且設(shè)置在第一絕緣層上；第二源電極，連接到數(shù)據(jù)線；第二漏電極，連接到第一薄膜晶體管的第一源電極?？蛇x擇地，第二薄膜晶體管可以包括:第二有源層，第一絕緣層形成在第二有源層的上方；第二柵電極，連接到第一掃描線并且設(shè)置在第二絕緣層上；第二源電極，連接到數(shù)據(jù)線；第二漏電極，連接到第一薄膜晶體管的第一源電極。像素電路還包括第二電容器，第二電容器包括形成在第一絕緣層上并且連接到第一電容器電極的第三電容器電極和形成在第二絕緣層上并且連接到第一掃描線的第四電容器電極。像素電路還包括第三薄膜晶體管，第三薄膜晶體管包括設(shè)置在基底和第一絕緣層之間的第三有源層、連接到第一掃描線并且設(shè)置在第二絕緣層上的第三柵 電極、連接到第一薄膜晶體管的第一漏電極的第三源電極以及連接到第一薄膜晶體管的第一柵電極的第二漏電極。第一柵極布線包括第二掃描線，像素電路還包括第四薄膜晶體管，第四薄膜晶體管包括設(shè)置在基底和第一絕緣層之間的第四有源層、連接到第二掃描線并且設(shè)置在第一絕緣層上的第四柵電極、連接到重置電源線的第四源電極以及連接到第一薄膜晶體管的第一柵電極的第四漏電極。第一柵極布線還包括發(fā)光控制線，像素電路還包括第五薄膜晶體管，第五薄膜晶體管包括設(shè)置在基底和第一絕緣層之間的第五有源層、連接到發(fā)光控制線并且設(shè)置在第一絕緣層上的第五柵電極、連接到驅(qū)動電源線的第五源電極以及連接到第一薄膜晶體管的第一源電極的第五漏電極。像素電路還包括第六薄膜晶體管，第六薄膜晶體管包括設(shè)置在基底和第一絕緣層之間的第六有源層、連接到發(fā)光控制線并且設(shè)置在第一絕緣層上的第六柵電極、連接到第一薄膜晶體管的第一漏電極的第六源電極以及連接到有機(jī)發(fā)光二極管的第六漏電極。另一實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括:第一絕緣層，形成在基底的上方；多條第一柵極布線，沿第一方向延伸，設(shè)置在第一絕緣層上；第二絕緣層，形成在所述多條第一柵極布線和第一絕緣層的上方；多條第二柵極布線，沿第一方向延伸，設(shè)置在第二絕緣層上；第三絕緣層，形成在所述多條第二柵極布線和第二絕緣層的上方；多條數(shù)據(jù)布線，沿與第一方向交叉的第二方向延伸，設(shè)置在第三絕緣層上；像素電路，包括連接到第一柵極布線、第二柵極布線和數(shù)據(jù)布線的至少一個(gè)電容器和多個(gè)薄膜晶體管；有機(jī)發(fā)光二極管，通過像素電路連接到第一電源，并且還連接到第二電源。在所述多個(gè)薄膜晶體管中，源電極連接到第一電源且漏電極連接到有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極設(shè)置在第二絕緣層上。在所述多個(gè)薄膜晶體管中，源電極連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏電極且漏電極連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極的補(bǔ)償薄膜晶體管的柵電極設(shè)置在第二絕緣層上。在所述多個(gè)薄膜晶體管中，與所述驅(qū)動薄膜晶體管和所述補(bǔ)償薄膜晶體管分離的至少一個(gè)開關(guān)薄膜晶體管的柵電極設(shè)置在第一絕緣層上。電容器的第一電極設(shè)置在第一絕緣層上，電容器的面對第一電極的第二電極第二絕緣層上。根據(jù)示例性實(shí)施例，提供了具有改善的顯示品質(zhì)的高分辨率有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。


通過參照以下結(jié)合附圖考慮時(shí)的詳細(xì)描述，對本發(fā)明的更完整的理解及其許多附帶的優(yōu)點(diǎn)將更加清楚，同時(shí)變得更 好理解，在附圖中相同的標(biāo)號指示相同或相似的組件，其中:圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器；圖2是針對圖1中示出的I1-1I線的剖視圖；圖3是圖1中示出的像素的電路圖；圖4是圖3中示出的像素電路和有機(jī)發(fā)光二極管的剖視圖；圖5至圖7是用來描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的效果的曲線圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素電路和有機(jī)發(fā)光二極管的剖視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素電路和有機(jī)發(fā)光二極管的剖視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到的，所描述的實(shí)施例可以以各種不同的方式進(jìn)行修改，而均不脫離本發(fā)明的精神或范圍。為了清楚地描述本發(fā)明，省略了與描述不相關(guān)的部分，在整個(gè)說明書中，相同的標(biāo)號指示相同的元件。在不同的示例性實(shí)施例中，對具有相同構(gòu)造的元件使用相同的標(biāo)號，并且將在第一不例性實(shí)施例中代表性地描述所述相同的標(biāo)號，在其它不例性實(shí)施例中，將僅描述與第一示例性實(shí)施例的元件不同的元件。為了更好的理解和易于描述，附圖中示出的組件的尺寸和厚度是任意確定的，本發(fā)明不限于附圖中示出的示例。
在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。為了便于解釋，夸大了層和區(qū)域中的一些的厚度。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或板的元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。此外，除非明確地做出相反描述，否則詞語“包括”和諸如“包含”的變型將被理解為暗示包括所述元件，但不排除任何其它元件。另外，在整個(gè)說明書中，“在…上”是指元件位于另一元件上或上方或者位于另一元件下或下方，而并不必然表示該元件基于重力方向位于另一元件的上側(cè)。此外，附圖示出的是具有6Tr_2Cap結(jié)構(gòu)的有源矩陣(AM)顯示裝置，其中，像素具有六個(gè)薄膜晶體管(TFT)和兩個(gè)電容器，但是本發(fā)明不限于此。因此，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器針對每個(gè)像素可以包括多個(gè)薄膜晶體管和至少一個(gè)電容器，并且還可以具有另外的布線或者省略現(xiàn)有的用于各種構(gòu)造的布線。在這種情況下，像素代表用來顯示圖像的最小單元，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器通過多個(gè)像素呈現(xiàn)圖像?，F(xiàn)在將參照圖1至圖7來描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。圖2是針對圖1中示出的I1-1I線的剖視圖。如圖1和圖2所示，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000包括柵極驅(qū)動器110、第一柵極布線GW1、第二柵極布線GW2、發(fā)光控制驅(qū)動器120、數(shù)據(jù)驅(qū)動器130、數(shù)據(jù)布線(DW)、顯示器140和像素150。根據(jù)由諸如時(shí)序控制器的外部電路(未示出)提供的控制信號，柵極驅(qū)動器110將掃描信號順序地提供給包括在第一柵極布線GWl或第二柵極布線GW2中的第一掃描線(SC2-SCn)或第二掃描線(SCl-SCn-1)。通過掃描信號選擇每個(gè)像素150并且每個(gè)像素150順序地接收數(shù)據(jù)信號。如圖1和圖2所示，第一柵極布線GWl設(shè)置在基底(SUB)上并且沿第一方向延伸，其中，在第一柵極布線GWl和基底(SUB)之間具有緩沖層(BU)和第一絕緣層GI1。第一柵極布線GWl包括第二掃描線(SCn-1)和與第二掃描線(SCn-1)分離的發(fā)光控制線(En)。第二掃描線(SCn-1)連接到柵極驅(qū)動器110并且從柵極驅(qū)動器110接收掃描信號。發(fā)光控制線(En)連接到發(fā)光控制驅(qū)動器120，并且從發(fā)光控制驅(qū)動器120接收發(fā)光控制信號。另外，如圖1和圖2所示，第二柵極布線GW2設(shè)置在第一柵極布線GWl上方的單獨(dú)的層上并且沿第一方向延伸，其中，在第一柵極布線GWl和第二柵極布線GW2之間具有第二絕緣層GI2。第二柵極布線GW2不與第一柵極布線GWl疊置。第二柵極布線GW2包括第一掃描線(SCn)和與第一掃描線(SCn)分離的重置電源線(Vinit)。第一掃描線(SCn)連接到柵極驅(qū)動器110并且從柵極驅(qū)動器110接收掃描信號。重置電源線(Vinit)連接到柵極驅(qū)動器110，并且從柵極驅(qū)動器110接收重置功率。重置電源線(Vinit)在第一示例性實(shí)施例中被描述為從柵極驅(qū)動器110接收重置功率，根據(jù)其它示例性實(shí)施例，重置電源線(Vinit)也可以連接到另一附加組件以從所述另一附加組件接收重置功率。

另外，如圖1和圖2所示，對應(yīng)于由諸如時(shí)序控制器的外部裝置提供的控制信號，發(fā)光控制驅(qū)動器120將發(fā)光控制信號順序地提供給發(fā)光控制線(El-En)。然后，像素150的發(fā)光由發(fā)光控制信號控制。即，發(fā)光控制信號控制像素150的發(fā)光時(shí)間。這里，根據(jù)像素150的內(nèi)部構(gòu)造，可以省略發(fā)光控制驅(qū)動器120。另外，如圖1和圖2所示，對應(yīng)于由諸如時(shí)序控制器的外部裝置提供的控制信號，數(shù)據(jù)驅(qū)動器130將數(shù)據(jù)信號提供給數(shù)據(jù)布線(DW)中的數(shù)據(jù)線(DAm)。每當(dāng)掃描信號被提供給第一掃描線(SCn)時(shí)，提供給數(shù)據(jù)線(DAm)的數(shù)據(jù)信號被提供給由該選擇信號選擇的像素150。像素150被充以與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓，并且發(fā)射具有對應(yīng)亮度的光。數(shù)據(jù)布線(DW)設(shè)置在第二柵極布線GW2上方的單獨(dú)的層中并且沿與第一方向交叉的第二方向延伸，其中，在數(shù)據(jù)布線(DW)與第二柵極布線GW2之間具有第三絕緣層(ILD)。數(shù)據(jù)布線(DW)包括數(shù)據(jù)線(DAl-DAm)和與數(shù)據(jù)線(DAl-DAm)分離的驅(qū)動電源線(ELVDDL)。數(shù)據(jù)線(DAm)連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器130，并且從數(shù)據(jù)驅(qū)動器130接收數(shù)據(jù)信號。驅(qū)動電源線(ELVDDL)連接到第一電源(ELVDD)，并且從第一電源(ELVDD)接收驅(qū)動功率。第一電源(ELVDD)可以來自外部。顯示器140包括設(shè)置在第一柵極布線GW1、第二柵極布線GW2和數(shù)據(jù)布線(DW)交叉的區(qū)域處的多個(gè)像素150。在這種情況下，像素150包括:有機(jī)發(fā)光二極管，用來發(fā)射亮度與驅(qū)動電流對應(yīng)的光，所述驅(qū)動電流對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號；像素電路(圖3)，用來控制流動到有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流。像素電路連接到第一柵極布線GW1、第二柵極布線GW2和數(shù)據(jù)布線DW，有機(jī)發(fā)光二極管連接到像素電路。顯示器140的有機(jī)發(fā)光二極管連接到第一電源(ELVDD)并且顯示器140的有機(jī)發(fā)光二極管連接到也可以來自外部的第二電源(ELVSS)，其中，在顯示器140的有機(jī)發(fā)光二極管與第一電源(ELVDD)之間具有像素電路。第一電源(ELVDD)和第二電源(ELVSS)向顯示器140的像素150提供驅(qū)動功率和公共功率，根據(jù)提供給像素150的驅(qū)動功率和公共功率，像素150發(fā)射亮度與來自第一電源(ELVDD)的經(jīng)過有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流對應(yīng)的光，其中，驅(qū)動電流對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號。
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如所描述的，對于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000，第一柵極布線GWl包括設(shè)置在同一層上的、沿第一方向與像素150交叉且互不疊置的第二掃描線(SCn-1)和發(fā)光控制線(En)，第二柵極布線GW2包括設(shè)置在同一層上的、沿第一方向與像素150交叉且互不疊置的第一掃描線(SCn)和重置電源線(Vinit)，但是第一柵極布線GWl和第二柵極布線GW2設(shè)置在不同的層上并且在二者之間具有第二絕緣層GI2。因此，設(shè)置在不同層上的相鄰的柵極布線之間的距離(W)窄，并且可以在相同的面積中形成數(shù)量更多的像素150。即，可以形成高分辨率有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000。此外，如圖1和圖2所示的第二電容器電極CE2代表用來構(gòu)造第一電容器Cl(圖3)的電極，當(dāng)使第二電容器電極CE2沿第一方向延伸時(shí)(如果需要)，則第二電容器電極CE2與第二柵極布線GW2形成在同一層上，以使相鄰的柵極布線之間的距離(W)窄并形成高分辨率有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000。還在圖2中示出了設(shè)置在第三絕緣層(ILD)和數(shù)據(jù)布線(DW)上的第四絕緣層(PL)、形成在第四絕緣層(PL)上的像素限定層(TOL)和形成在像素限定層(TOL)上的陰極EL2。現(xiàn)在將參照圖3和圖4詳細(xì)地描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的像素150。
圖3示出了在圖1中示出的像素的電路圖。圖4示出了在圖3中示出的像素電路和有機(jī)發(fā)光二極管的剖視圖。如圖3和圖4所示，像素150包括:有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，連接在第一電源(ELVDD)和第二電源(ELVSS)之間；像素電路152，連接在第一電源(ELVDD)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)之間，并且控制提供給有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的驅(qū)動功率。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽極經(jīng)過像素電路152連接到與第一電源(ELVDD)連接的驅(qū)動電源線(ELVDDL)，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陰極連接到第二電源(ELVSS)。當(dāng)通過像素電路152將驅(qū)動功率從第一電源(ELVDD)提供到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)并且將公共功率從第二電源(ELVSS)提供到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)射亮度與流到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的驅(qū)動電流對應(yīng)的光。像素電路152包括薄膜晶體管T1、薄膜晶體管T2、薄膜晶體管T3、薄膜晶體管T4、薄膜晶體管T5、薄膜晶體管T6、電容器Cl和電容器C2。薄膜晶體管Tl連接在驅(qū)動電源線(ELVDDL)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)之間，并且薄膜晶體管Tl在像素150的發(fā)光期期間將與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的驅(qū)動功率從第一電源(ELVDD)提供到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。即，薄膜晶體管Tl起著像素150的驅(qū)動晶體管的作用。薄膜晶體管Tl包括有源層Al (圖4)、柵電極Gl、源電極SI和漏電極Dl。有源層Al包括多晶硅，并且還包括摻雜有摻雜材料的源區(qū)和漏區(qū)以及設(shè)置在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)。有源層Al設(shè)置在形成在基底(SUB)上的緩沖層(BU)和絕緣層GIl之間。絕緣層GII和絕緣層GI2設(shè)置在柵電極Gl和有源層Al之間。因此，柵電極Gl與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上，并 且連接到電容器Cl的電容器電極CE1。源電極SI通過薄膜晶體管T5連接到驅(qū)動電源線(ELVDDL)。漏電極Dl通過薄膜晶體管T6連接到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。薄膜晶體管T2連接在數(shù)據(jù)線(DAm)和薄膜晶體管Tl之間，當(dāng)從第一掃描線(SCn)提供掃描信號時(shí)，薄膜晶體管T2將通過數(shù)據(jù)線(DAm)提供的數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)较袼?50。BP,薄膜晶體管T2起著像素150的開關(guān)晶體管的作用。薄膜晶體管T2包括有源層A2、柵電極G2、源電極S2和漏電極D2。有源層A2包括多晶硅，并且還包括摻雜有摻雜材料的源區(qū)和漏區(qū)以及設(shè)置在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)。有源層A2設(shè)置在形成在基底(SUB)上的緩沖層(BU)和絕緣層GIl之間。柵電極G2連接到第一掃描線(SCn)，并且與柵極布線GWl設(shè)置在同一層上。S卩，絕緣層GIl設(shè)置在柵電極G2和有源層A2之間。源電極S2連接到數(shù)據(jù)線(Dam)。漏電極D2連接到薄膜晶體管Tl的源電極SI。薄膜晶體管T3連接在薄膜晶體管Tl的漏電極Dl與柵電極Gl之間，當(dāng)向像素150提供數(shù)據(jù)信號時(shí)，薄膜晶體管T3以二極管的方式連接薄膜晶體管Tl，以補(bǔ)償薄膜晶體管Tl的閾值電壓。即，薄膜晶體管T3起著像素150的補(bǔ)償晶體管的作用。薄膜晶體管T3包括有源層A3、柵電極G3、源電極S3和漏電極D3。有源層A3包括多晶硅，并且有源層A3還包括摻雜有摻雜材料的源區(qū)和漏區(qū)以及設(shè)置在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)。有源層A3設(shè)置在形成在基底(SUB)上的緩沖層(BU)和絕緣層GIl之間。柵電極G3連接到掃描線(SCn)，并且柵電極G3與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上。即，絕緣層GIl和絕緣層GI2設(shè)置在柵電極G3和有源層A3之間。源電極S3連接到薄膜晶體管Tl的漏電極Dl。漏電極D3連接到薄膜晶體管Tl的柵電極G1。薄膜晶體管T4連接在重置電源線(Vinit)和薄膜晶體管Tl的柵電極Gl之間，并且薄膜晶體管T4將通過重置電源線(Vinit)提供的重置功率傳輸?shù)较袼?50，以在數(shù)據(jù)信號被輸入到像素150的數(shù)據(jù)編程期之前的從掃描線(SCn-1)提供掃描信號的重置期期間重置薄膜晶體管Tl，從而可以在數(shù)據(jù)編程期期間將數(shù)據(jù)信號順序地提供給像素150。S卩，薄膜晶體管T4起著像素150的開關(guān)晶體管的作用。薄膜晶體管T4包括有源層A4、柵電極G4、源電極S4和漏電極D4。有源層A4包括多晶硅，并且還包括摻雜有摻雜材料的源區(qū)和漏區(qū)以及設(shè)置在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)。有源層A4設(shè)置在形成在基底(SUB)上的緩沖層(BU)和絕緣層GIl之間。柵電極G4連接到掃描線(SCn-1)，并且與柵極布線GWl設(shè)置在同一層上。S卩，絕緣層GIl設(shè)置在柵電極G4和有源層A4之間。源電極S4連接到重置電源線(Vinit)。漏電極D4連接到薄膜晶體管Tl的柵電極G1。薄膜晶體管T5連接在驅(qū)動電源線(ELVDDL)和薄膜晶體管Tl之間，并且薄膜晶體管T5在像素150的非發(fā)光期期間 截?cái)嗟谝浑娫?ELVDD)與薄膜晶體管Tl之間的連接并在像素150的發(fā)光期期間連接在第一電源(ELVDD)與薄膜晶體管Tl之間。即，薄膜晶體管T5起著像素150的開關(guān)晶體管的作用。薄膜晶體管T5包括有源層A5、柵電極G5、源電極S5和漏電極D5。有源層A5包括多晶硅，并且還包括摻雜有摻雜材料的源區(qū)和漏區(qū)以及設(shè)置在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)。有源層A5設(shè)置在形成在基底(SUB)上的緩沖層(BU)和絕緣層GIl之間。柵電極G5連接到發(fā)光控制線(En)，并且與柵極布線GWl設(shè)置在同一層上。S卩，絕緣層GIl設(shè)置在柵電極G5和有源層A5之間。源電極S5連接到驅(qū)動電源線(ELVDDL)。漏電極D5連接到薄膜晶體管Tl的源電極SI。薄膜晶體管T6連接在薄膜晶體管Tl和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)之間，并且薄膜晶體管T6在像素150的非發(fā)光期期間截?cái)啾∧ぞw管Tl與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)之間的連接并在像素150的發(fā)光期期間連接在薄膜晶體管Tl與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)之間。SP，薄膜晶體管T6起著像素150的開關(guān)晶體管的作用。薄膜晶體管T6包括有源層A6、柵電極G6、源電極S6和漏電極D6。有源層A6包括多晶硅，并且還包括摻雜有摻雜材料的源區(qū)和漏區(qū)以及設(shè)置在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)。有源層A6設(shè)置在形成在基底(SUB)上的緩沖層(BU)和絕緣層GIl之間。
柵電極G6連接到發(fā)光控制線(En)，并且與柵極布線GWl設(shè)置在同一層上。S卩，絕緣層GIl設(shè)置在柵電極G6和有源層A6之間。源電極S6連接到薄膜晶體管Tl的漏電極D1。漏電極D6連接到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器100的薄膜晶體管Tl至薄膜晶體管T6的源電極SI至源電極S6和漏電極Dl至漏電極D6與有源層Al至有源層A6形成在不同的層上，但不限于此。也就是說，根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器100的薄膜晶體管Tl至薄膜晶體管T6的源電極SI至源電極S6和漏電極Dl至漏電極D6可以選擇性地與有源層Al至有源層A6形成在同一層上。即，薄膜晶體管的源電極和漏電極可以用被選擇性地?fù)诫s了摻雜材料的多晶硅形成。電容器Cl存儲在數(shù)據(jù)編程期期間提供到像素150的數(shù)據(jù)信號并且將該數(shù)據(jù)信號保持一幀的時(shí)間段，并且電容器Cl連接在與第一驅(qū)動電源(ELVDD)連接的驅(qū)動電源線(ELVDDL)和薄膜晶體管Tl的連接到重置電源線(Vinit)的柵電極Gl之間。S卩，電容器Cl起著存儲電容器的作用。電容器Cl包括電容器電極CEl和電容器電極CE2。電容器電極CEl連接到薄膜晶體管Tl的連接到重置電源線(Vinit)的柵電極G1，并且電容器電極CEl與柵極布線GWl設(shè)置在同一層上。電容器電極CE2連接到驅(qū)動電源線(ELVDDL)，并且與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上。如圖1所示，電容器電極CE2與相鄰的像素150交叉，然后沿第一方向延伸。S卩，絕緣層GI2設(shè)置在電容器電極CEl·和電容器電極CE2之間。電容器C2補(bǔ)償因有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000中的負(fù)載造成的電壓降，并且電容器C2連接在電容器Cl的電容器電極CEl和掃描線(SCn)之間。S卩，在當(dāng)前掃描信號的電壓電平改變時(shí)，具體地講，在停止當(dāng)前掃描信號的提供時(shí)，電容器C2通過耦合操作來使薄膜晶體管Tl的柵電極Gl處的電壓升高，所以電容器C2起著升壓電容器的作用，用來補(bǔ)償由有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000中的負(fù)載造成的電壓降。電容器C2包括電容器電極CE3和電容器電極CE4。電容器電極CE3連接到電容器Cl的電容器電極CEl，并且與柵極布線GWl設(shè)置在
同一層上。電容器電極CE4連接到掃描線(SCn)，并且與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上。S卩，絕緣層GI2設(shè)置在電容器電極CE3和電容器電極CE4之間。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)連接到薄膜晶體管T6的漏電極D6。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)包括經(jīng)由絕緣層(PL)中的孔設(shè)置在漏電極D6上的陽極ELI。漏電極D6連接到有機(jī)發(fā)射層(OL)，有機(jī)發(fā)射層(OL)進(jìn)而連接到與第二電源(ELVSS)連接的陰極EL2。有機(jī)發(fā)射層(OL)的位置可以通過像素限定層(TOL)來確定，陰極EL2可以設(shè)置在像素限定層(TOL)上方的任一位置處?，F(xiàn)在將描述像素150的操作。在被設(shè)定為重置期的第一時(shí)間段期間，通過掃描線(SCn-1)提供先前的低電平掃描信號。薄膜晶體管T4對應(yīng)于先前的低電平掃描信號而導(dǎo)通，通過薄膜晶體管T4從重置電源線(Vinit)向薄膜晶體管Tl提供重置功率，并且重置薄膜晶體管Tl。
在被設(shè)定為數(shù)據(jù)編程期的第二時(shí)間段期間，通過掃描線(SCn)提供當(dāng)前的低電平掃描信號。薄膜晶體管T2和薄膜晶體管T3對應(yīng)于當(dāng)前的低電平掃描信號而導(dǎo)通。通過因薄膜晶體管T3的二極管連接使薄膜晶體管Tl導(dǎo)通，具體地講，薄膜晶體管Tl在第一時(shí)間段期間被重置，所以薄膜晶體管Tl沿正向方向以二極管的方式連接。因此，從數(shù)據(jù)線(DAm)提供的數(shù)據(jù)信號經(jīng)過薄膜晶體管T2、薄膜晶體管Tl和薄膜晶體管T3，所以電容器Cl存儲對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號與薄膜晶體管Tl的閾值電壓之間的差的電壓。當(dāng)停止當(dāng)前掃描信號的提供并且當(dāng)前掃描信號的電壓電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，施加到薄膜晶體管Tl的電壓根據(jù)電容器C2的耦合操作對應(yīng)于當(dāng)前掃描信號的電壓改變寬度而改變。在這種情況下，施加到薄膜晶體管Tl的柵電極Gl的電壓通過電容器Cl和電容器C2之間的電荷共享而改變，所以施加到柵電極Gl的電壓改變量因電容器Cl和電容器C2之間的電荷共享值以及當(dāng)前掃描信號的電壓改變寬度而是可變的。在被設(shè)定為發(fā)光期的第三時(shí)間段期間，從發(fā)光控制線(En)提供的發(fā)光控制信號從高電平變?yōu)榈碗娖健Ｔ诘谌龝r(shí)間段期間，薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6因低電平發(fā)光控制信號而導(dǎo)通。因此，按照順序?yàn)楸∧ぞw管T5、薄膜晶體管Tl、薄膜晶體管T6和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的路徑，驅(qū)動電流通過驅(qū)動電源線(ELVDDL)從第一電源(ELVDD)流到第二電源(ELVSS)。通過薄膜晶體管Tl來控制驅(qū)動電流，薄膜晶體管Tl產(chǎn)生與提供給薄膜晶體管Tl的柵電極Gl的電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流。在這種情況下，電容器Cl存儲在第二時(shí)間段期間施加到薄膜晶體管Tl的閾值電壓的電壓，所以 薄膜晶體管Tl的閾值電壓在第三時(shí)間段期間得以補(bǔ)償?，F(xiàn)在將參照圖5至圖7來描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000。圖5至圖7是用來描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的效果的曲線圖。參照圖5，X軸代表施加到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極的柵電壓(Vgs)，y軸代表流到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流(Id)，“薄GI”表示位于薄膜晶體管的有源層和柵電極之間的絕緣層是薄的，“厚GI”表示位于驅(qū)動薄膜晶體管的有源層和柵電極之間的絕緣層是厚的。如圖5所示，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的驅(qū)動薄膜晶體管中的有源層和柵電極之間的絕緣層形成為“薄GI”，并且根據(jù)流到有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流(Id)由有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射的光表現(xiàn)為黑色和白色時(shí)，施加到驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極的柵電壓(Vgs)具有第一范圍R1。即，當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管形成為“薄GI”時(shí)，施加到柵電極的柵電壓(Vgs)的驅(qū)動(DR)范圍(圖6)具有第一范圍Rl。此外，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的驅(qū)動薄膜晶體管中的有源層和柵電極之間的絕緣層形成為“厚GI”，并且根據(jù)流到有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流(Id)由有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射的光表現(xiàn)為黑色和白色時(shí)，施加到驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極的柵電壓(Vgs)具有比第一范圍Rl寬的第二范圍R2。即，當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管形成為“厚GI”時(shí)，施加到柵電極的柵電壓(Vgs)的驅(qū)動(DR)范圍(圖6)具有比第一范圍Rl寬的第二范圍R2。
如所描述的，當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動(DR)范圍具有較寬的第二范圍R2時(shí)，可以控制施加到驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極的柵電壓(Vgs)，從而由有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射的光可以具有足夠的灰階。參照圖6，X軸代表有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的每英寸的像素(ppi)，y軸代表驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動(DR)范圍。如圖6所示，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的每英寸的像素(ppi)增多以實(shí)現(xiàn)高分辨率有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器時(shí)，需要更大的驅(qū)動范圍，從而由有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射的光可以具有足夠的灰階。在薄膜晶體管Tl、薄膜晶體管T2、薄膜晶體管T3、薄膜晶體管T4、薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6中，薄膜晶體管Tl的源電極SI連接到與第一電源(ELVDD)連接的驅(qū)動電源線(ELVDDL)，具有連接到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的漏電極Dl的薄膜晶體管Tl的柵電極Gl與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上，所以絕緣層GIl和絕緣層GI2設(shè)置在柵電極Gl和有源層Al之間而形成“厚G1”，根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000由此可以控制有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)射具有足夠灰階的光。即，提供了具有高分辨率和改善的顯示品質(zhì)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000。對于圖7，X軸代表有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的補(bǔ)償薄膜晶體管的有源層與柵電極之間的絕緣層為單層(單Gl)或雙層(雙GI)，y軸代表在由有機(jī)發(fā)光二極管顯示的圖像上出現(xiàn)的斑點(diǎn)水平(stain level)。如圖7所示，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的補(bǔ)償薄膜晶體管具有雙GI時(shí)，形成在補(bǔ)償薄膜晶體管的柵電極和有源層之間的絕緣層上的不期望的電容(cap)減少，從而與單GI相比，形成在補(bǔ)償薄膜晶體管的柵電極和有源層之間的絕緣層上的電容減少了56%，并且減少了由有機(jī)發(fā)光二極管顯示的圖像上產(chǎn)生的斑點(diǎn)水平。對應(yīng)于上述描述，薄膜晶體管T3的源電極S3連接到薄膜晶體管Tl的漏電極D1，作為補(bǔ)償薄膜晶體管且包括連接到薄膜晶體管Tl的柵電極Gl的漏電極D3的薄膜晶體管T3的柵電極G3與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上，所以絕緣層GIl和絕緣層GI2設(shè)置在柵電極G3和有源層A3之間而形成雙GI，從而根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000在由有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示的圖像上產(chǎn)生的斑點(diǎn)水平最少。即，提供了具有高分辨率和改善的顯示品質(zhì)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000。另外，對于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000，薄膜晶體管T2的柵電極G2、薄膜晶體管T4的柵電極G4、薄膜晶體管T5的柵電極G5和薄膜晶體管T6的柵電極G6與柵極布線GWl設(shè)置在同一絕緣層GIl上，絕緣層GIl被設(shè)置成覆蓋有源層A2、有源層A4、有源層A5和有源層A6而形成薄絕緣層，使得作為開關(guān)薄膜晶體管的薄膜晶體管T2、薄膜晶體管T4、薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的電荷遷移率增大并且閾值電壓降低，從而薄膜晶體管T2、薄膜晶體管T4、薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6可以快速地導(dǎo)通和截止。因此，在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000中流動的電流負(fù)載被最小化，從而改善了由有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000顯示的圖像的顯示品質(zhì)。即，提供了具有高分辨率和改善的顯示品質(zhì)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000。此外,對于根據(jù)第一不例性 實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯不器1000,電容器Cl的電容器電極CEl和電容器C2的電容器電極CE3與柵極布線GWl設(shè)置在同一層上，電容器Cl的電容器電極CE2和電容器C2的電容器電極CE4與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上，所以電容器Cl和電容器C2可以分別由與柵極布線GWl和柵極布線GW2的材料相同的材料形成。因此，由于電容器Cl和電容器C2不需要包括具有規(guī)則的表面照明強(qiáng)度的多晶硅，所以由不期望的電極表面變形使電容變形是不期望的。即，電容器Cl和電容器C2可以存儲初始設(shè)計(jì)的精確電容，所以電容器Cl和電容器C2精確地控制可由薄膜晶體管Tl控制的驅(qū)動電流并且控制顯示品質(zhì)的劣化。即，提供了具有高分辨率和改善的顯示品質(zhì)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000。此外,對于根據(jù)第一不例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯不器1000,電容器Cl的電容器電極CEl和電容器C2的電容器電極CE3與柵極布線GWl設(shè)置在同一層上，電容器Cl的電容器電極CE2和電容器C2的電容器電極CE4與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上，所以電容器Cl和電容器C2包括單絕緣層GI2作為絕緣層，并且改善了電容器Cl和電容器C2的各個(gè)電容。因此，由于可以減小電容器Cl和電容器C2的區(qū)域，所以可以在該區(qū)域中形成高分辨率有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000。如所描述的，柵極布線被構(gòu)造有具有互不相同的層的第一柵極布線GWl和第二柵極布線GW2，作為驅(qū)動薄膜晶體管的薄膜晶體管Tl的柵電極和作為補(bǔ)償薄膜晶體管的薄膜晶體管T3的柵電極與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上以具有厚絕緣層，作為開關(guān)薄膜晶體管的薄膜晶體管T2、薄膜晶 體管T4、薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的柵電極與柵極布線GWl設(shè)置在同一層上以具有薄絕緣層，電容器Cl和電容器C2形成為具有與柵極布線GWl設(shè)置在同一層上的第一電極和與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上的第二電極,從而電容器Cl和電容器C2可以分別具有精確的電容并且可以同時(shí)具有薄絕緣層，因此，根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1000可被形成為具有改善的顯示品質(zhì)的高分辨率有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。現(xiàn)在將參照圖8描述根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素電路和有機(jī)發(fā)光二極管的剖視圖。將描述與第一示例性實(shí)施例不同的部分，省略了與第一示例性實(shí)施例對應(yīng)的部分。為了更好的理解和易于描述，除了第一示例性實(shí)施例與第二示例性實(shí)施例之間的不同之外，對于與第一示例性實(shí)施例的構(gòu)成元件相同的構(gòu)成元件，第二示例性實(shí)施例將具有相同的標(biāo)號。如圖8所示，薄膜晶體管T2'的柵電極G2'連接到掃描線(SCn)并且與柵極布線Gff2設(shè)置在同一層上。因此，對于根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1002，薄膜晶體管T2'的連接到與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上的掃描線(SCn)的柵電極G2'與柵極布線GW2設(shè)置在同一層上，因此在形成像素150的整個(gè)布局的情況下，不需要形成用來連接?xùn)烹姌OG2和掃描線(SCn)的附加接觸孔以及連接到接觸孔的附加布線。因此，可以通過在相同的區(qū)域中進(jìn)一步形成像素來制造高分辨率有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器?，F(xiàn)在將參照圖9來描述根據(jù)第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。圖9示出了根據(jù)第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素電路和有機(jī)發(fā)光二極管的剖視圖。
將描述與第一不例性實(shí)施例不同的部分，省略與第二不例性實(shí)施例對應(yīng)的部分。為了更好的理解和易于描述，除了第一示例性實(shí)施例與第二示例性實(shí)施例和第三示例性實(shí)施例之間的不同之外，對于與第二示例性實(shí)施例的構(gòu)成元件相同的構(gòu)成元件，第三示例性實(shí)施例將具有相同的標(biāo)號。如圖9所示，電容器Cl'還包括有源電極(AE)。有源電極(AE)對應(yīng)于電容器電極CEl設(shè)置在基底(SUB)和絕緣層GIl之間，并且連接到電容器電極CE2。根據(jù)第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1003被構(gòu)造有多層電容器，其中，電容器Cl'包括電容器電極CEl、電容器電極CE2和有源電極(AE)，從而改善電容器Cl'的電容。電容器Cl的面積相應(yīng)地減小，因此可以在相同的區(qū)域中形成高分辨率有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1003。根據(jù)第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器1003包括被構(gòu)造有多層電容器的電容器Cl'，并且無需局限于此，在根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器中，電容器C2可以構(gòu)造為包括另一有源電極的多層電容器。雖然已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是實(shí)際的示例性實(shí)施例描述了本公開，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于所公開 的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明意圖覆蓋包括在權(quán)利要求精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括: 第一絕緣層,形成在基底的上方； 多條第一柵極布線，沿第一方向延伸，設(shè)置在第一絕緣層上； 第二絕緣層，形成在所述多條第一柵極 布線和第一絕緣層的上方； 多條第二柵極布線，沿第一方向延伸，設(shè)置在第二絕緣層上； 第三絕緣層，形成在所述多條第二柵極布線和第二絕緣層的上方； 多條數(shù)據(jù)布線，沿與第一方向交叉的第二方向延伸，設(shè)置在第三絕緣層上； 像素電路，連接到第一柵極布線、第二柵極布線和數(shù)據(jù)布線；以及 有機(jī)發(fā)光二極管，連接到像素電路。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第二柵極布線被設(shè)置成不與第一柵極布線疊置。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第二柵極布線包括第一掃描線和與第一掃描線分離的重置電源線，第一柵極布線包括第二掃描線和與第二掃描線分離的發(fā)光控制線，數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線和與數(shù)據(jù)線分離的驅(qū)動電源線。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，像素電路包括: 第一電容器，連接到重置電源線和驅(qū)動電源線； 第一薄膜晶體管，連接在驅(qū)動電源線和有機(jī)發(fā)光二極管之間；以及 第二薄膜晶體管，連接在數(shù)據(jù)線和第一薄膜晶體管之間。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第一電容器包括: 第一電容器電極，形成在第一絕緣層上并且連接到重置電源線；以及 第二電容器電極，形成在第二絕緣層上并且連接到驅(qū)動電源線。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第一電容器還包括連接到第二電容器電極的有源電極，有源電極對應(yīng)于第一電容器電極設(shè)置在基底和第一絕緣層之間。
7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第二電容器電極形成為沿第一方向延伸。
8.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第一薄膜晶體管包括: 第一有源層，第一絕緣層形成在第一有源層的上方； 第一柵電極，連接到第一電容器電極并且設(shè)置在第二絕緣層上； 第一源電極，連接到驅(qū)動電源線；以及 第一漏電極，連接到有機(jī)發(fā)光二極管。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第二薄膜晶體管包括: 第二有源層，第一絕緣層形成在第二有源層的上方； 第二柵電極，連接到第一掃描線并且設(shè)置在第一絕緣層上； 第二源電極，連接到數(shù)據(jù)線；以及 第二漏電極，連接到第一薄膜晶體管的第一源電極。
10.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第二薄膜晶體管包括: 第二有源層，第一絕緣層形成在第二有源層的上方； 第二柵電極，連接到第一掃描線并且設(shè)置在第二絕緣層上； 第二源電極，連接到數(shù)據(jù)線；以及第二漏電極，連接到第一薄膜晶體管的第一源電極。
11.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，像素電路還包括第二電容器，第二電容器包括形成在第一絕緣層上并且連接到第一電容器電極的第三電容器電極和形成在第二絕緣層上并且連接到第一掃描線的第四電容器電極。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，像素電路還包括第三薄膜晶體管，第三薄膜晶體管包括設(shè)置在基底和第一絕緣層之間的第三有源層、連接到第一掃描線并且設(shè)置在第二絕緣層上的第三柵電極、連接到第一薄膜晶體管的第一漏電極的第三源電極以及連接到第一薄膜晶體管的第一柵電極的第三漏電極。
13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第一柵極布線包括第二掃描線，像素電路還包括第四薄膜晶體管，第四薄膜晶體管包括設(shè)置在基底和第一絕緣層之間的第四有源層、連接到第二掃描線并且設(shè)置在第一絕緣層上的第四柵電極、連接到重置電源線的第四源電極以及連接到第一薄膜晶體管的第一柵電極的第四漏電極。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第一柵極布線還包括發(fā)光控制線，像素電路還包括第五薄膜晶體管，第五薄膜晶體管包括設(shè)置在基底和第一絕緣層之間的第五有源層、連接到發(fā)光控制線并且設(shè)置在第一絕緣層上的第五柵電極、連接到驅(qū)動電源線的第五源電極以及連接到第一薄膜晶體管的第一源電極的第五漏電極。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，像素電路還包括第六薄膜晶體管，第六薄膜晶體管包括設(shè)置在基底和第一絕緣層之間的第六有源層、連接到發(fā)光控制線并且設(shè)置在第一絕緣層上的第六柵電極、連接到第一薄膜晶體管的第一漏電極的第六源電極以及連接到有機(jī)發(fā)光二極管的第六漏電極。
16.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括: 第一絕緣層,形成在 基底的上方； 多條第一柵極布線，沿第一方向延伸，設(shè)置在第一絕緣層上； 第二絕緣層，形成在所述多條第一柵極布線和第一絕緣層的上方； 多條第二柵極布線，沿第一方向延伸，設(shè)置在第二絕緣層上； 第三絕緣層，形成在所述多條第二柵極布線和第二絕緣層的上方； 多條數(shù)據(jù)布線，沿與第一方向交叉的第二方向延伸，設(shè)置在第三絕緣層上； 像素電路，包括連接到第一柵極布線、第二柵極布線和數(shù)據(jù)布線的至少一個(gè)電容器和多個(gè)薄膜晶體管；以及 有機(jī)發(fā)光二極管，通過像素電路連接到第一電源，并且還連接到第二電源。
17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，在所述多個(gè)薄膜晶體管中，源電極連接到第一電源且漏電極連接到有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極設(shè)置在第二絕緣層上。
18.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，在所述多個(gè)薄膜晶體管中，源電極連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏電極且漏電極連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極的補(bǔ)償薄膜晶體管的柵電極設(shè)置在第二絕緣層上。
19.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，在所述多個(gè)薄膜晶體管中，與所述驅(qū)動薄膜晶體管和所述補(bǔ)償薄膜晶體管分離的至少一個(gè)開關(guān)薄膜晶體管的柵電極設(shè)置在第一絕緣層上。
20.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，電容器的第一電極設(shè)置在第一絕緣層上，電 容器的面對第一電極的第二電極第二絕緣層上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括第一柵極布線，設(shè)置在基底上并且沿第一方向延伸，第一絕緣層位于第一柵極布線和基底之間；第二柵極布線，設(shè)置在位于第一絕緣層上方的第二絕緣層上，并且沿第一方向延伸；數(shù)據(jù)布線，設(shè)置在位于第二絕緣層上方的第三絕緣層上，并且沿與第一方向交叉的第二方向延伸；像素電路，連接到第一柵極布線、第二柵極布線和數(shù)據(jù)布線；有機(jī)發(fā)光二極管，連接到像素電路。
文檔編號G09G3/32GK103247660SQ20131000234
公開日2013年8月14日 申請日期2013年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月10日
發(fā)明者安致旭, 太勝奎, 李承珪 申請人:三星顯示有限公司