本發(fā)明涉及顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備。

背景技術(shù)：
有機(jī)EL顯示裝置的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)大致可分為無(wú)源矩陣系統(tǒng)和有源矩陣系統(tǒng)的。在無(wú)源矩陣系統(tǒng)中，包括有機(jī)EL元件的像素電路被連接到每一條按線順序（line-sequentially）掃描的掃描線和信號(hào)線的交叉部分，有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)選擇的掃描線和選擇的信號(hào)線。在這種無(wú)源矩陣系統(tǒng)中，由于配置復(fù)雜裝置不是必須的，因此裝置的制造工藝比有源矩陣系統(tǒng)更簡(jiǎn)單。如在例如日本未經(jīng)審查的專利申請(qǐng)公開第2006-215274號(hào)中描述的，在有源矩陣系統(tǒng)中，被設(shè)置具有有機(jī)EL元件、采樣晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容等的像素電路被設(shè)置在掃描線和信號(hào)線的交叉部分。在按線順序掃描的掃描線和信號(hào)線的交叉部分，信號(hào)線的信號(hào)電位被保持在存儲(chǔ)電容中，有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流具有與存儲(chǔ)電容所保持的信號(hào)電位對(duì)應(yīng)的大小。在有源矩陣系統(tǒng)中，由于在掃描線未被選擇的時(shí)刻提供驅(qū)動(dòng)電流，因此與無(wú)源矩陣系統(tǒng)相比，幀周期較長(zhǎng)，并可以增大顯示裝置的尺寸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
根據(jù)本說(shuō)明書所描述的一個(gè)實(shí)施例，一種顯示裝置包括像素電路和通過(guò)掃描線提供控制信號(hào)給像素電路的掃描線驅(qū)動(dòng)電路。掃描線驅(qū)動(dòng)電路生成在參考電位和控制電位之間轉(zhuǎn)換的控制信號(hào)，控制電位依賴于溫度條件改變。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種顯示裝置，包括：多個(gè)像素電路；以及通過(guò)掃描線提供控制信號(hào)給該多個(gè)像素電路的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，其中該掃描線驅(qū)動(dòng)電路包括：提供控制電位的電壓供應(yīng)電路；以及通過(guò)在參考電位和控制電位之間切換生成控制信號(hào)的輸出緩沖器，當(dāng)工作溫度增加時(shí)，電壓供應(yīng)電路增加控制電位和參考電位之間的差異。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，該顯示裝置包括：多個(gè)像素電路；以及通過(guò)掃描線提供控制信號(hào)給該多個(gè)像素電路的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，其中該掃描線驅(qū)動(dòng)電路包括：提供控制電位的電壓供應(yīng)電路；以及通過(guò)在參考電位和控制電位之間切換生成控制信號(hào)的輸出緩沖器，該方法包括：當(dāng)通過(guò)在參考電位和控制電位之間切換生成控制信號(hào)時(shí)，當(dāng)工作溫度上升時(shí)增加控制電位和參考電位之間的差異。根據(jù)本說(shuō)明書所描述的至少一個(gè)實(shí)施例，由于控制電位和參考電位之間的差異隨著工作溫度的上升而增加，因此可以抑制由工作溫度上升而引起的控制信號(hào)的鈍化（blunting）。因此，可以抑制輸入到像素電路中的控制信號(hào)的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間根據(jù)顯示裝置的工作溫度的變化。附圖說(shuō)明圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的像素電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)模式的時(shí)序圖。圖4是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的像素陣列的顯示區(qū)域的圖。圖5是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中遷移率修正操作使用的控制信號(hào)的波形圖。圖6是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的光掃描儀的結(jié)構(gòu)的框圖。圖7是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的輸出緩沖器的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖8是示出相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的一個(gè)實(shí)例中的門脈沖的波形與溫度相關(guān)性的波形圖。圖9是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的門脈沖的波形與溫度相關(guān)性的波形圖。圖10是示出相同溫度下的門脈沖的波形圖。圖11是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的串?dāng)_率和溫度之間的關(guān)系的曲線圖。圖12是示出作為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備的實(shí)例的電子書閱讀器的透視圖。圖13是示出作為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備的實(shí)例的個(gè)人計(jì)算機(jī)的透視圖。圖14是示出作為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備的實(shí)例的電視機(jī)的透視圖。圖15是示出作為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備的實(shí)例的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)的透視圖。圖16是示出作為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備的實(shí)例的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)的平面圖。圖17是示出作為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備的實(shí)例的數(shù)字?jǐn)z像機(jī)的透視圖。圖18是示出作為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備的實(shí)例的移動(dòng)電話終端的透視圖。圖19是示出作為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備的實(shí)例的上述移動(dòng)電話終端的透視圖。具體實(shí)施方式在如在以上的背景中介紹的系統(tǒng)中，多條掃描線中的每一條連接輸出脈沖信號(hào)的光掃描儀，光掃描儀將用于控制有機(jī)EL元件發(fā)光的控制信號(hào)以脈沖信號(hào)的形式提供給多條掃描線中的每一條。通常地，在光掃描儀的輸出電路中，由于控制信號(hào)的波形通過(guò)輸出緩沖器（如，反相器電路）整形，因此控制信號(hào)的波形響應(yīng)于顯示器工作溫度的變化而產(chǎn)生變形。其結(jié)果是，控制信號(hào)在瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間發(fā)生變化，因此有機(jī)EL元件的發(fā)光狀態(tài)發(fā)生變化。人們希望提供一種可以抑制輸入像素電路的控制信號(hào)在瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間根據(jù)顯示裝置的工作溫度的變化的顯示裝置、一種驅(qū)動(dòng)該顯示裝置的方法以及一種電子設(shè)備。在下文中，將對(duì)根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置被實(shí)施在有機(jī)EL顯示裝置中的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。首先，將參照?qǐng)D1對(duì)被包括在有機(jī)EL顯示裝置中的整體電路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示，顯示裝置10包括像素陣列20、用作掃描線驅(qū)動(dòng)電路的光掃描儀30、掃描儀驅(qū)動(dòng)（drivescanner）40和用作信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)掃描儀50。像素陣列20可以形成在與光掃描儀30、掃描儀驅(qū)動(dòng)40和信號(hào)掃描儀50中至少一個(gè)相同的基板上，也可以形成在與光掃描儀30、掃描儀驅(qū)動(dòng)40和信號(hào)掃描儀50不同的基板。像素陣列20包括多條在行方向上延伸的掃描線WSL1至WSLn、被分別設(shè)置為平行于多條掃描線WSL1至WSLn的多條電壓供應(yīng)線DSL1至DSLn以及在列方向上延伸的信號(hào)線HSL1至HSLm。像素陣列20具有設(shè)置在多條掃描線WSL1至WSLn和多條信號(hào)線HSL1至HSLm彼此相交的每個(gè)位置上的像素電路21。光掃描儀30按從掃描線WSL1到掃描線WSLn的順序輸出門脈沖給多條掃描線WSL1至WSLn中的每一條。光掃描儀30根據(jù)用作控制信號(hào)的門脈沖輸出對(duì)施加到像素電路21上的電位在寫入電位VDDWS和參考電位VSSWS之間進(jìn)行切換，其中寫入電位VDDWS是高于參考電位VSSWS的控制電位。掃描儀驅(qū)動(dòng)40根據(jù)光掃描儀30的門脈沖輸出按從電壓供應(yīng)線DSL1到電壓供應(yīng)線DSLn的順序?qū)κ┘咏o多條電壓供應(yīng)線DSL1至DSLn中的每一條的電位進(jìn)行切換。掃描儀驅(qū)動(dòng)40對(duì)施加到像素電路21上的電位在驅(qū)動(dòng)電位Vccp和初始化電位Vini之間進(jìn)行切換，其中驅(qū)動(dòng)電位Vccp是高電位，初始化電位Vini是低電位。信號(hào)掃描儀50通過(guò)使用來(lái)自外部的視頻信號(hào)以基于逐行的（line-by-line）順序?yàn)樗械南袼仉娐?1產(chǎn)生用作顯示信號(hào)的信號(hào)電位。信號(hào)掃描儀50根據(jù)光掃描儀30的門脈沖輸出將多條信號(hào)線HSL1至HSLm中每一條的電位同時(shí)全部從偏移電位Vofs切換到信號(hào)電位Vsig。接下來(lái)，將參照?qǐng)D2對(duì)像素電路21的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。并且，在多個(gè)像素電路21的每一個(gè)中，雖然連接到像素電路21的掃描線、電壓供應(yīng)線和信號(hào)線彼此不相同，但其它的結(jié)構(gòu)是相同的。因此，在下文中，主要對(duì)連接到掃描線WSL1、電壓供應(yīng)線DSL1和信號(hào)線HSL1的像素電路21進(jìn)行說(shuō)明，省略對(duì)剩下的像素電路21的描述。如圖2所示，像素電路21包括有機(jī)EL元件22、采樣晶體管Trs、驅(qū)動(dòng)晶體管Trd和存儲(chǔ)電容21C。用作采樣晶體管Trs的控制端的柵極連接到掃描線WSL1，用作采樣晶體管Trs的電流端的源極連接到信號(hào)線HSL1，用作采樣晶體管Trs的電流端的漏極連接到用作驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的控制端的柵極N1。用作驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的電流端的源極N2連接到有機(jī)EL元件22的陽(yáng)極，用作驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的電流端的漏極連接到電壓供應(yīng)線DSL1。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1和源極N2之間連接存儲(chǔ)電容21C。有機(jī)EL元件22的陰極連接到地線SSL。并且，地線SSL是所有像素電路21共用的。采樣晶體管Trs根據(jù)施加到掃描線WSL1的寫入電位VDDWS進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。在采樣晶體管Trs進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)且偏移電位Vofs被施加到信號(hào)線HSL1上的狀態(tài)下，電壓供應(yīng)線DSL1的電位從低電位的初始化電位Vini切換到高電位的驅(qū)動(dòng)電位Vccp。通過(guò)電壓供應(yīng)線DSL1電位的這種切換，存儲(chǔ)電容21C可以保持等于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓Vth的電壓。在存儲(chǔ)電容21C保持等于閾值電壓Vth的電壓的狀態(tài)下，采樣晶體管Trs進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，信號(hào)線HSL1的電位從偏移電位Vofs切換到信號(hào)電位Vsig。通過(guò)信號(hào)線HSL1電位的這種切換，對(duì)信號(hào)電位Vsig進(jìn)行采樣，并由存儲(chǔ)電容21C保持。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd在采樣晶體管Trs處于非導(dǎo)通狀態(tài)下從處于驅(qū)動(dòng)電位Vccp的電壓供應(yīng)線DSL1接收電流供給，從而使得根據(jù)由存儲(chǔ)電容21C所保持的電位的漏極電流Ids流過(guò)有機(jī)EL元件22。接下來(lái)，將參照?qǐng)D3對(duì)顯示裝置10的工作進(jìn)行說(shuō)明，主要著力點(diǎn)放在像素電路21的寫入操作。并且，在多個(gè)像素電路21的每一個(gè)中，在連接到像素電路21的掃描線、電壓供應(yīng)線和信號(hào)線中，電位的施加過(guò)程都是相同的。因此，主要對(duì)連接到掃描線WSL1、電壓供應(yīng)線DSL1和信號(hào)線HSL1的像素電路21進(jìn)行說(shuō)明，省略對(duì)剩下的像素電路21的描述。在圖3中，掃描線WSL1的電位變化、電壓供應(yīng)線DSL1的電位變化、信號(hào)線HSL1的電位的變化、驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1的電位變化以及驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極N2的電位變化被顯示在一個(gè)共同的時(shí)間軸上。首先，在時(shí)刻t1，開始為閾值修正操作作準(zhǔn)備。在時(shí)刻t1，在參考電位VSSWS被施加到掃描線WSL1上的狀態(tài)下，電壓供應(yīng)線DSL1的電位從驅(qū)動(dòng)電位Vccp切換到初始化電位Vini。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極N2的電位被初始化為初始化電位Vini。并且，初始化電位Vini是比施加到信號(hào)線HSL1上的偏移電位Vofs足夠低的電位。具體而言，對(duì)初始化電位Vini進(jìn)行設(shè)置以使得驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1與源極N2之間的電位變得大于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓Vth。在時(shí)刻t2，掃描線WSL1的電位從參考電位VSSWS切換到寫入電位VDDWS。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1的電位被初始化為偏移電位Vofs。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1的電位和驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極N2的電位被初始化，由此完成對(duì)閾值電壓修正操作的準(zhǔn)備。接著，在時(shí)刻t3，開始閾值修正操作。在時(shí)刻t3，電壓供應(yīng)線DSL1的電位從初始化電位Vini切換到驅(qū)動(dòng)電位Vccp。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極N2的電位開始轉(zhuǎn)換（transition），以使得驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1和源極N2之間的電位變成閾值電壓Vth。在從時(shí)刻t3到時(shí)刻t4的一段時(shí)間內(nèi)，等于閾值電壓Vth的電壓被寫入連接在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1與源極N2之間的存儲(chǔ)電容21C之中。然后，在時(shí)刻t4，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1與源極N2之間的電壓變成閾值電壓Vth時(shí)，掃描線WSL1的電位從寫入電位VDDWS切換到參考電位VSSWS。并且，對(duì)地線SSL的電位進(jìn)行設(shè)置，以使得在此期間的漏極電流Ids流向存儲(chǔ)電容21C，而不流向有機(jī)EL元件22，也就是說(shuō)，以使得有機(jī)EL元件22的工作區(qū)（operatingarea）處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，在從時(shí)刻t3到時(shí)刻t4的閾值電壓修正時(shí)段T1中，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1和源極N2之間保持等于閾值電壓Vth的電壓，從而完成閾值修正操作。接著，在時(shí)刻t5，開始遷移率修正操作。在時(shí)刻t5，信號(hào)線HSL1的電位從偏移電位Vofs切換到信號(hào)電位Vsig。在時(shí)刻t6，掃描線WSL1的電位從參考電位VSSWS切換到寫入電位VDDWS，因此，采樣晶體管Trs進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。因此，Trd驅(qū)動(dòng)用晶體管Trd的柵極N1的電位變成信號(hào)電位Vsig，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1和源極N2之間的電壓變成閾值電壓Vth加上信號(hào)電位Vsig與偏移電位之差的電壓。即，存儲(chǔ)電容21C保持閾值電壓Vth加上信號(hào)電位Vsig與偏移電位之差的電壓。此時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，而有機(jī)EL元件22的工作區(qū)仍處于截止?fàn)顟B(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的漏極電流流向有機(jī)EL元件22的寄生電容22C，從而開始對(duì)寄生電容22C充電。因此，有機(jī)EL元件22的陽(yáng)極的電位，即驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極N2的電位開始上升。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1和源極N2之間的電壓降低與驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極N2的電位上升量對(duì)應(yīng)的遷移率修正電壓Vmc。因此，由于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的遷移率越大，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1和源極N2之間的電壓的遷移率修正電壓Vmc的絕對(duì)值就變得越大（為一個(gè)負(fù)反饋），因此可以消除每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的遷移率的變化。并且，由于信號(hào)電位Vsig和偏移電位Vofs之間的差異越大，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的漏極電流就越大，并且由于遷移率修正電壓Vmc的絕對(duì)值也變大，遷移率修正電壓Vmc的絕對(duì)值變?yōu)楦鶕?jù)發(fā)光亮度的大小。因此，遷移率修正操作在從時(shí)刻t6到時(shí)刻t7的遷移率修正時(shí)段T2中完成。接著，在時(shí)刻t7，開始發(fā)光操作。在時(shí)刻t7，掃描線的電位從寫入電位VDDWS切換到參考電位VSSWS，因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1從信號(hào)線HSL1分離。根據(jù)這一點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的漏極電流Ids開始流向有機(jī)EL元件22。有機(jī)EL元件22的陽(yáng)極的電位，即驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極N2的電位根據(jù)漏極電流Ids上升。如果驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極N2的電位上升，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1的電位由于存儲(chǔ)電容21C的自舉操作也上升。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1的電位上升的量等于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極N2的電位上升的量。因此，在從時(shí)刻t7開始的發(fā)光時(shí)段T3期間，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極N1和源極N2之間的電壓從開始發(fā)光操作的時(shí)間開始被保持恒定。因此，有機(jī)EL元件22以根據(jù)存儲(chǔ)電容21C保持的電壓的亮度發(fā)光。然后，在閾值電壓Vth的變化和遷移率的變化被修正的狀態(tài)下產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件22的驅(qū)動(dòng)電流。由于此原因，有機(jī)EL元件22的亮度不會(huì)受到驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓Vth或遷移率的變化的影響。下面，對(duì)從光掃描儀30輸出到從掃描線WSL1到WSLn中每一條的門脈沖的波形進(jìn)行說(shuō)明。首先，參照?qǐng)D4和圖5對(duì)由相關(guān)技術(shù)中的光掃描儀輸出的遷移率修正時(shí)段T2中的門脈沖的波形進(jìn)行說(shuō)明。并且，圖4是示出在對(duì)門脈沖的波形進(jìn)行說(shuō)明的過(guò)程中使用的像素區(qū)域的圖。在圖4中，用白色示出顯示裝置10上顯示為白色的區(qū)域，用黑色示出顯示裝置10上顯示為黑色的區(qū)域。如圖4所示，在像素陣列20的左端部分，一個(gè)在其中有機(jī)EL元件22不發(fā)光的窗口區(qū)域被設(shè)置為分隔端部分（partitionendportion）Ewi。類似地，在像素陣列20的左端部分，一個(gè)顯示為白色的區(qū)域被設(shè)置為白色端部分Ewh（whiteendportion）。該分隔端部分Ewi與該白色端部分Ewh彼此相鄰。并且，在像素陣列20的中心部分，一個(gè)在其中有機(jī)EL元件22不發(fā)光的窗口區(qū)域被設(shè)置為分隔中心部分Cwi。在像素陣列20的中心部分，一個(gè)顯示為白色的區(qū)域被設(shè)置為白色中心部分（Cwh。該分隔中心部分Cwi與該白色中心部分Cwh彼此相鄰。如圖5所示，在像素陣列20的中心部分處的門脈沖波形Ctr（由點(diǎn)劃線所包圍的區(qū)域）中，電壓上升時(shí)間較長(zhǎng)，并且波形較之在像素陣列20的左端部分處的門脈沖的波形Etr（由點(diǎn)劃線所包圍的區(qū)域）變得更為遲滯（dull）。具體地，白色中心部分Cwh處的門脈沖的波形，與白色端部分Ewh處的門脈沖的波形相比，電壓上升時(shí)間較長(zhǎng)，波形變得更為遲滯。類似地，分隔中心部分Cwi處的門脈沖的波形，較之分隔端部分Ewi處的門脈沖的波形，電壓上升時(shí)間較長(zhǎng)，波形變得更為遲滯。并且，窗口區(qū)域中門脈沖的波形比白色區(qū)域處門脈沖的波形的電壓上升時(shí)間更長(zhǎng)，波形變得更加遲滯。具體地，分隔中心部分Cwi處門脈沖的波形較之白色中心部分Cwh處門脈沖的波形，電壓上升時(shí)間較長(zhǎng)，波形變得更為遲滯。類似地，分隔端部分Ewi處門脈沖的波形較之白色端部Ewh處門脈沖的波形，電壓上升時(shí)間更長(zhǎng)，波形變得更為遲滯。瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間中的這種差異是由例如下列事實(shí)造成的：門脈沖的傳輸路徑的長(zhǎng)度彼此是不同的。此外，瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間中的這種差異是由例如下列事實(shí)造成的：采樣晶體管Trs的柵極和源極之間的負(fù)載能力在有機(jī)EL元件22的發(fā)光時(shí)間和有機(jī)EL元件22的非發(fā)光時(shí)間之間是不同的。在這里，當(dāng)瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間太短時(shí)，靠近光掃描儀的像素電路21和遠(yuǎn)離光掃描儀的像素電路21之間的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間之差會(huì)變大。因此，在掃描線的延伸方向上彼此相鄰的像素電路21中會(huì)產(chǎn)生各個(gè)圖像相互混合的串?dāng)_現(xiàn)象。例如，當(dāng)門脈沖的電壓上升時(shí)間太短時(shí)，白色中心部分Cwh處門脈沖的遲滯程度變得較之在其他區(qū)域中更加嚴(yán)重。此時(shí)，如果有機(jī)EL元件22中的寄生電容22C被設(shè)置為電容值C0，那么如上所述的遷移率修正電壓Vmc通過(guò)如下表達(dá)式確定：Vmc=Ids*C0/T2。然后，由于在白色中心部分Cwh處，遷移率修正時(shí)段T2變得較之在其他區(qū)域中更長(zhǎng)，因此遷移率修正電壓Vmc的絕對(duì)值變得比需要的更大。結(jié)果導(dǎo)致在白色中心部分Cwh處的圖像被較為陰暗地顯示，從而導(dǎo)致分隔中心部分Cwi處的圖像和白色中心部分Cwh處的圖像相互混合。另一方面，當(dāng)瞬態(tài)響應(yīng)的時(shí)間太長(zhǎng)時(shí)，對(duì)像素電路21的寫入在掃描線選擇時(shí)間內(nèi)不夠，因此，有機(jī)EL元件22不以根據(jù)信號(hào)電位Vsig的亮度發(fā)光。例如，當(dāng)門脈沖中的電壓上升時(shí)間太長(zhǎng)時(shí)，在上述遷移率修正時(shí)段T2內(nèi)未能完成將信號(hào)電位Vsig寫入存儲(chǔ)電容21C。因此導(dǎo)致在白色中心部分Cwh處的圖像被黑暗顯示，或在遷移率修正時(shí)段T2內(nèi)寫入存儲(chǔ)電容21C的電壓（即有機(jī)EL元件22的亮度）變得不同于最初想要的程度（extent）。這樣，光掃描儀輸出的門脈沖具有一個(gè)最佳的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間是必要的。另一方面，在光掃描儀的輸出電路中，門脈沖的波形通常通過(guò)輸出緩沖器（如反相器電路）整形。然而，隨著顯示裝置10的工作溫度的上升，這種門脈沖的波形趨向于變得遲滯。其結(jié)果是導(dǎo)致例如，即使瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間在顯示裝置10的工作溫度是低溫時(shí)是最佳的，但當(dāng)顯示裝置10的工作溫度是高溫時(shí)，瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間最終也會(huì)變得太長(zhǎng)?；蛘?，即使瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間在顯示裝置10的工作溫度是高溫度時(shí)是最佳的，但當(dāng)顯示裝置10的工作溫度是低溫時(shí)，瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間最終也會(huì)變得太短。因此，為了抑制由顯示裝置10的工作溫度引起的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間的變化，在上述的光掃描儀30中，輸出緩沖器的電壓供應(yīng)電路具有溫度修正功能。下面，將參照?qǐng)D6對(duì)具有溫度修正功能的光掃描儀30的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。如圖6所示，光掃描儀30包括移位寄存器31、邏輯電路32和輸出緩沖器33。移位寄存器31使用時(shí)鐘CLK根據(jù)移位開始脈沖STVR的輸入開始移位操作。移位開始脈沖STVR在單個(gè)場(chǎng)周期內(nèi)輸入一次。邏輯電路32通過(guò)使用移位寄存器31的輸出脈沖產(chǎn)生門脈沖的波形。例如，第一級(jí)邏輯電路321通過(guò)使用第一級(jí)移位寄存器SR1的輸出脈沖產(chǎn)生門脈沖的波形，第n級(jí)邏輯電路32n通過(guò)使用第n級(jí)移位寄存器SRn的輸出脈沖產(chǎn)生門脈沖的波形。輸出緩沖器33將由邏輯電路32產(chǎn)生的門脈沖轉(zhuǎn)換成像素電路21中的工作控制電平，因而對(duì)波形進(jìn)行整形。例如，第一級(jí)輸出緩沖器331將由第一級(jí)邏輯電路321產(chǎn)生的門脈沖轉(zhuǎn)換成像素電路21中的工作控制電平，并將波形整形后的門脈沖輸出到掃描線WSL1。第n級(jí)輸出緩沖器33n將由第n級(jí)邏輯電路32n產(chǎn)生的門脈沖轉(zhuǎn)換成像素電路21中的工作控制電平，并將波形整形后的門脈沖輸出給掃描線WSLn。下面，將參照?qǐng)D7對(duì)輸出緩沖器33的結(jié)構(gòu)的進(jìn)行說(shuō)明。并且，在多個(gè)輸出緩沖器331至33n的每一個(gè)中，雖然連接到輸出緩沖器的邏輯電路32和掃描線彼此不同，但其他的結(jié)構(gòu)是相同的。因此，在下文中，主要對(duì)連接到第一級(jí)邏輯電路321和掃描線WSL1的輸出緩存器331的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明，省略對(duì)剩下的輸出緩沖器的描述。如圖7所示，輸出緩沖器331包括連接到邏輯電路321的輸出端的第一反相器電路INV1和第二反相器電路INV2。第一反相器電路INV1具有通過(guò)連接PMOS晶體管和NMOS晶體管的漏極提供的輸出端。第一反相器電路INV1中PMOS晶體管的源極連接到電壓供應(yīng)電位VDDWS0。第一反相器電路INV1中NMOS晶體管的源極連接到參考電位VSSWS。第一反相器電路INV1也可以是簡(jiǎn)單的僅由PMOS晶體管或NMOS晶體管構(gòu)成的門電路。第二反相器電路INV連接到第一反相器電路INV1的輸出端。第二反相器電路INV2是輸出緩沖器331中的最后一級(jí)反相器電路，并具有通過(guò)連接PMOS晶體管和NMOS晶體管的漏極提供的輸出端。第二反相器電路INV2的輸出端連接到掃描線WSL1。第二反相器電路INV2中PMOS晶體管的源極通過(guò)控制電位線VDL連接到電壓供應(yīng)電路35。第二反相器電路INV2中NMOS晶體管的源極連接到參考電位VSSWS。第二反相器電路INV2也可以是簡(jiǎn)單的僅由PMOS晶體管或NMOS晶體管構(gòu)成的門電路。并且，輸出緩沖器331也可以具有省略第一反相器電路INV1并將邏輯電路321的輸出端連接到第二反相器電路INV2的輸入端的結(jié)構(gòu)，還可以被配置具有三級(jí)或更多級(jí)的反相器電路。簡(jiǎn)言之，輸出緩沖器331可以具有將最后一級(jí)反相器電路連接到電壓供應(yīng)電路35的結(jié)構(gòu)。電壓供應(yīng)電路35包括電阻元件R1和與電阻元件R1串聯(lián)、并包括寄生電阻R2的用于溫度修正的晶體管Trc。電阻元件R1連接到第一電壓供應(yīng)36，第一電壓供應(yīng)36提供作為比寫入電位VDDWS高的第一電位的電壓供應(yīng)電位VDDWS0。電壓供應(yīng)電路35和輸出緩沖器331分別包括被形成在同一基板上、并具有層疊在共同基礎(chǔ)層上的半導(dǎo)體層的晶體管。電阻元件R1和溫度修正晶體管Trc之間的連接節(jié)點(diǎn)N12通過(guò)控制電位線VDL連接到第二反相器電路INV2中的PMOS晶體管的源極。溫度修正晶體管Trc是二極管接法NMOS晶體管，其漏極連接至電阻元件R1，源極和漏極連接到第二電壓供應(yīng)37。第二電壓供應(yīng)37提供作為比寫入電位VDDWS低的第二電位的參考電位VSSWS給溫度修正晶體管Trc。在電壓供應(yīng)電路35中，溫度修正晶體管Trc和電串聯(lián)連接到溫度修正晶體管Trc的電阻元件R1構(gòu)成電阻分壓電路。電阻分壓電路包括溫度修正晶體管Trc的導(dǎo)通電阻和寄生電阻R2的串聯(lián)電路，電阻元件R1和溫度修正晶體管Trc之間連接節(jié)點(diǎn)N12的電位在對(duì)電壓供應(yīng)電位VDDWS0和參考電位VSSWS之間的電位差進(jìn)行電阻分壓。也就是說(shuō)，連接節(jié)點(diǎn)N12的電位由溫度修正晶體管Trc的導(dǎo)通電阻和寄生電阻R2的合成電阻值與電阻元件R1的電阻值之間的電阻分壓比確定。如果顯示裝置10的工作溫度上升，那么溫度修正晶體管Trc的導(dǎo)通電阻上升，從而導(dǎo)致溫度修正晶體管Trc中的壓降變大。因此，電阻元件R1和溫度修正晶體管Trc之間的連接節(jié)點(diǎn)N12的電位上升，從而導(dǎo)致提供給第二反相器電路INV2的寫入電位VDDWS也上升。如上所述，隨著顯示裝置10的工作溫度的上升，門脈沖的波形趨向于變得更為遲滯。然而，門脈沖波形的鈍化（blunting）通過(guò)寫入電位VDDWS的上升抑制。例如，電阻元件R1的電阻值設(shè)為Ry（Ω），溫度修正晶體管Trc的導(dǎo)通電阻和寄生電阻R2的合成電阻值設(shè)為Rx（Ω）。并且，在顯示裝置10的工作溫度為25℃時(shí)的合成電阻值設(shè)為Rx（Ω），在顯示裝置10的工作溫度為75℃時(shí)的合成電阻值設(shè)為1.2*Rx（Ω）。此外，溫度修正晶體管Trc的導(dǎo)通電阻約等于寄生電阻R2。在此情形中，當(dāng)顯示裝置10的工作溫度為25℃時(shí)，寫入電位VDDWS可用下列表達(dá)式（1）表示，當(dāng)顯示裝置10的工作溫度為75℃時(shí)，寫入電位VDDWS可用下列表達(dá)式（2）表示。VDDWS=Rx/（Rx+Ry）*VDDWS0...（1）VDDWS=1.2*Rx/（1.2*Rx+Ry）*VDDWS0...（2）在電壓供應(yīng)電位VDDWS0設(shè)為12（V）、Rx設(shè)為1（Ω）、Ry設(shè)為0.005（Ω），以及工作溫度為25℃的情況下，基于上述表達(dá)式（1）可得到寫入電位VDDWS為11.43（V）。在電壓供應(yīng)電位VDDWS0設(shè)為12（V）、Rx設(shè)為1（Ω）、Ry設(shè)為0.005（Ω），以及工作溫度為75℃的情況下，基于上述表達(dá)式（2）可得到寫入電位VDDWS為11.52（V）。這樣，在顯示裝置10的工作溫度從25℃上升至75℃的情況下，電壓供應(yīng)電路35的輸出電壓主動(dòng)變化，從而使得寫入電位VDDWS較之工作溫度為25℃的情形上升約0.1（V）。在顯示裝置10的工作溫度從25℃上升至75℃的情況下，門脈沖的波形通常趨向于變得更為遲滯。然而，寫電位VDDWS上升約0.1（V），借此可以抑制門脈沖的波形的鈍化。實(shí)例下面，將參照?qǐng)D8至11結(jié)合相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的門脈沖的溫度相關(guān)性對(duì)由光掃描儀30輸出的門脈沖的溫度相關(guān)性進(jìn)行說(shuō)明。并且，第二反相器電路INV2的PMOS晶體管的源極直接連接到電壓供應(yīng)電位VDDWS0的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的光掃描儀，相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的門脈沖通過(guò)這種光掃描儀獲得。圖8是示出關(guān)技術(shù)的實(shí)例中在各溫度下的門脈沖的波形圖，圖9是示出在各溫度下由光掃描儀30輸出的門脈沖的波形圖（用作舉例）。圖10是示出當(dāng)顯示裝置的工作溫度為-10℃時(shí)相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的門脈沖的波形圖，以及當(dāng)顯示裝置的工作溫度同樣為-10℃時(shí)本發(fā)明的實(shí)例中的門脈沖的波形圖。圖11示出了有關(guān)本發(fā)明的實(shí)例和相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的每一個(gè)的像素陣列20的中心部分的串?dāng)_率。并且，對(duì)上述電阻分壓電路中的Rx和Ry進(jìn)行設(shè)置以使得當(dāng)顯示裝置10的工作溫度為60℃時(shí)，本發(fā)明的實(shí)例中的門脈沖的波形和相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的門脈沖的波形彼此接近。如圖8所示，在相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的門脈沖中，隨著顯示裝置的工作溫度從-10℃上升至60℃，電壓上升時(shí)間變長(zhǎng)。此時(shí)，雖然作為門脈沖的幅度的峰值電壓通常維持在測(cè)量溫度的范圍內(nèi)，但隨著工作溫度上升，脈沖寬度逐漸變寬。如圖9所示，在本發(fā)明的實(shí)例中的門脈沖中，隨著顯示裝置的工作溫度從-10℃上升至60℃，電壓上升時(shí)間會(huì)稍微變長(zhǎng)。然而，與相關(guān)技術(shù)的實(shí)例相比，當(dāng)工作溫度從-10℃變化到25℃時(shí)可辨識(shí)的電壓上升時(shí)間的增加以及當(dāng)工作溫度從25℃變化到60℃時(shí)可辨識(shí)的電壓上升時(shí)間的增加的任何增加都被充分地抑制。在本發(fā)明的實(shí)例中的門脈沖中，與在相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的門脈沖類似，隨著工作溫度的升高，脈沖寬度會(huì)稍微變長(zhǎng)。然而，與相關(guān)技術(shù)的實(shí)例相比，當(dāng)工作溫度從-10℃變化到25℃時(shí)可辨識(shí)的脈沖寬度的增加以及當(dāng)工作溫度從25℃變化到60℃時(shí)可辨識(shí)的脈沖寬度的增加的任何增加都被充分地抑制。并且，隨著顯示裝置的工作溫度從-10℃上升至60℃，通過(guò)修正上述寫入電位VDDWS，本發(fā)明的實(shí)例中的作為門脈沖的幅度的峰值電壓逐漸增加。如圖10所示，在顯示裝置10的工作溫度為-10℃的情形中，本發(fā)明的實(shí)例中的門脈沖與相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的門脈沖相比，電壓上升時(shí)間較長(zhǎng)。另一方面，如上所述，對(duì)本發(fā)明的實(shí)例中的門脈沖進(jìn)行設(shè)置以使得當(dāng)顯示裝置10的工作溫度為60℃時(shí)，門脈沖的波形接近相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的門脈沖的波形。因此，在本發(fā)明的實(shí)例的門脈沖中，對(duì)脈沖進(jìn)行修正以使得在相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的低溫下的門脈沖的波形接近高溫下的門脈沖的波形。如圖11所示，在從-10℃至60℃的整個(gè)測(cè)量范圍內(nèi)，本發(fā)明的實(shí)例中的串?dāng)_率低于對(duì)比實(shí)例中的串?dāng)_率。對(duì)串?dāng)_率的這種抑制在低溫工作范圍內(nèi)可以被明顯辨識(shí)。這是因?yàn)閷?duì)此實(shí)例中的門脈沖進(jìn)行了如上所述的修正。也就是說(shuō)，這是因?yàn)閷?duì)本實(shí)例中的門脈沖進(jìn)行了修正以使得在相關(guān)技術(shù)的實(shí)例中的低溫下的門脈沖的波形接近高溫下的門脈沖的波形。并且，隨著工作溫度的降低，本發(fā)明的實(shí)例中的串?dāng)_率和對(duì)比實(shí)例中的串?dāng)_率都會(huì)增加。這是因?yàn)榭拷鈷呙鑳x的像素電路21和遠(yuǎn)離光掃描儀的像素電路21之間的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間的差異會(huì)因?yàn)樵谳^低的工作溫度下的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間較短而變大。根據(jù)上述光掃描儀30對(duì)門脈沖進(jìn)行的修正，降低這種串?dāng)_率的溫度相關(guān)性也是可能的。如上所述，根據(jù)上述實(shí)施例，可以獲得下列效果。由于寫入電位VDDWS和參考電位VSSWS之間的差異會(huì)隨著顯示裝置10的工作溫度的上升而變大，因此可以抑制由工作溫度上升而引起的門脈沖鈍化。因此，可以抑制由工作溫度上升而引起的輸入到像素電路21中的寫入電位VDDWS的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間的變化。由于寫入電位VDDWS和參考電位VSSWS之間的差異會(huì)隨著顯示裝置10的工作溫度的下降而變小，因此可以抑制由工作溫度下降而引起的門脈沖變陡。因此，可以抑制由工作溫度下降而引起的輸入到像素電路21中的寫入電位VDDWS的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間的變化。對(duì)寫入電位VDDWS的修正通過(guò)二極管接法的溫度修正晶體管Trc實(shí)現(xiàn)。在這里，在其中布置有多個(gè)像素電路21的像素陣列20中，采樣晶體管Trs或驅(qū)動(dòng)晶體管Trd通常在同一過(guò)程中形成。然后，在采樣晶體管Trs或驅(qū)動(dòng)晶體管Trd形成的過(guò)程中，還可以一起形成溫度修正晶體管Trc。因此，與除了晶體管以外還使用其他元件用于溫度修正的情形相比，可以降低制造顯示裝置10的工作負(fù)載（load）。溫度修正晶體管Trc的導(dǎo)通電阻被設(shè)置為大于電阻元件R1的電阻值。例如，如在本實(shí)例中所述，Rx被設(shè)置為1（Ω），Ry被設(shè)置為0.005（Ω）。作為晶體管設(shè)計(jì)規(guī)則，MOS晶體管的導(dǎo)通電阻通常較小。在此方面，如果是溫度修正晶體管Trc的導(dǎo)通電阻大于電阻元件R1的結(jié)構(gòu)，那么可以抑制溫度修正晶體管Trc的設(shè)計(jì)規(guī)則中的降低，也因此可以抑制微型化溫度修正晶體管Trc的期望。因此，在形成采樣晶體管Trs或驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的同一過(guò)程中形成溫度修正晶體管Trc也變得可能。電壓供應(yīng)電路35僅與作為最后一級(jí)反相器電路的第二反相器電路INV2連接。因此，最少化新添加的元件（如溫度修正晶體管Trc或電阻元件R1）的數(shù)量也是可能的。上述門脈沖確定閾值電壓修正時(shí)段T1的結(jié)束時(shí)間。此外，上述門脈沖確定遷移率修正時(shí)段T2的開始時(shí)間和遷移率修正時(shí)段T2的結(jié)束時(shí)間。即，寫入電位VDDWS的修正結(jié)果在單個(gè)掃描周期內(nèi)施加兩次或更多次。因此，對(duì)瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間的變化的抑制效果變得更加明顯。換言之，由于瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間根據(jù)工作溫度變化而變化的程度存在差異，因此在單個(gè)掃描周期內(nèi)必須進(jìn)行多次電流控制的目標(biāo)會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)嚴(yán)重的問(wèn)題。因此，對(duì)此目標(biāo)，使用電壓供應(yīng)電路35對(duì)電位進(jìn)行溫度修正表現(xiàn)出更加明顯的效果。此外，上述實(shí)施例還可以被修改和實(shí)施如下。為有機(jī)EL元件22提供驅(qū)動(dòng)電流的電路不限于使用采樣晶體管Trs和驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的電路，也可以是電流鏡像電路。如果采用這種結(jié)構(gòu)，即使在晶體管不用作恒流源的情況下，也可以修正晶體管特性或有機(jī)EL元件特性的變化。采樣晶體管Trs和驅(qū)動(dòng)晶體管Trd中的每一個(gè)都不限于N溝道晶體管，采樣晶體管Trs和驅(qū)動(dòng)晶體管Trd中的至少一個(gè)也可以是P溝道晶體管。除了光掃描儀30，還可以將電壓供應(yīng)電路35提供給掃描儀驅(qū)動(dòng)40，并且電壓供應(yīng)電路35還可以提供給信號(hào)掃描儀50。此外，光掃描儀30也可以同時(shí)形成在像素陣列20的左端和右端，并且掃描儀驅(qū)動(dòng)40也可以同時(shí)形成在像素陣列20的左端和右端。顯示裝置10的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)不限于有源矩陣系統(tǒng)，也可以是子場(chǎng)系統(tǒng)，其中單個(gè)幀被劃分成多個(gè)子場(chǎng)，子場(chǎng)響應(yīng)于視頻信號(hào)被導(dǎo)通或關(guān)斷。溫度修正晶體管Trc不限于NMOS晶體管，也可以是PMOS晶體管，還可以具有組合使用NMOS晶體管和PMOS晶體管的結(jié)構(gòu)。此外，除了溫度修正晶體管Trc之外，電阻值根據(jù)溫度上升而上升的元件以及所謂的相對(duì)于溫度具有正相關(guān)的元件也可以是電阻值相對(duì)于溫度上升而上升的熱敏電阻。另外，相對(duì)于溫度具有正相關(guān)的元件的數(shù)量不限于一個(gè)，也可以是兩個(gè)或多個(gè)，在兩個(gè)或多個(gè)元件的情形中，元件可以相對(duì)于電阻元件R1串聯(lián)連接，也可以相對(duì)于電阻元件R1并聯(lián)連接。此外，構(gòu)成電壓供應(yīng)電路的元件不限于相對(duì)于溫度具有正相關(guān)的元件，也可以是相對(duì)于溫度具有負(fù)相關(guān)的元件。簡(jiǎn)言之，電壓供應(yīng)電路以可以具有下述結(jié)構(gòu)：隨著工作溫度的上升，加大控制電位和參考電位之間的差異。電阻分壓電路也可以對(duì)高于參考電位VSSWS且低于電壓供應(yīng)電位VDDWS0的電位與電壓供應(yīng)電位VDDWS0之間的電位差進(jìn)行電阻分壓，并通過(guò)該電位差的電阻分壓比確定連接節(jié)點(diǎn)N12的電位?；蛘?，電阻分壓電路也可以對(duì)低于參考電位VSSWS電壓供應(yīng)的電位與電壓供應(yīng)電位VDDWS0之間的電位差進(jìn)行電阻分壓，并通過(guò)該電位差的電阻分壓比確定連接節(jié)點(diǎn)N12的電位。簡(jiǎn)言之，電阻分壓電路也可以對(duì)高于控制電位的第一電位與低于控制電位的第二電位之間的電位差進(jìn)行電阻分壓，并通過(guò)該電位差的電阻分壓比確定連接節(jié)點(diǎn)N12的電位。輸出緩沖器33包括的反相器電路的數(shù)目也可以是一個(gè)，還可以是三個(gè)或更多?？傊恍枰哂邢铝薪Y(jié)構(gòu)：最后一級(jí)反相器電路補(bǔ)充性地輸出作為控制電位和寫入電位的參考電位。控制信號(hào)也可以在低于參考電位VSSWS的電位與參考電位VSSWS之間切換。此時(shí)，例如，第一反相器電路INV1中PMOS晶體管的源極和第二反相器電路INV2中PMOS晶體管的源極連接到參考電位VSSWS。并且，第一反相器電路INV1中NMOS晶體管的源極連接到電壓供應(yīng)電位VDDWS0。并且，第二反相器電路INV2中NMOS晶體管的源極連接到電阻分壓電路的連接節(jié)點(diǎn)N12。然后，在電阻分壓電路中，電阻元件R1連接到參考電位VSSWS，溫度修正晶體管Trc的源極連接到提供低于參考電位VSSWS的第二電位的第二電壓供應(yīng)37。并且，在上述結(jié)構(gòu)中，電阻元件R1也可以連接到提供低于參考電位VSSWS并高于控制電位的第一電位的第一電壓供應(yīng)36，然后溫度修正晶體管Trc的源極也可以連接到提供低于控制電位的第二電位的第二電壓供應(yīng)37。上述門脈沖也可以具有僅確定閾值電壓修正時(shí)段T1的結(jié)束時(shí)間的配置。例如，遷移率修正時(shí)段T2的開始時(shí)間或遷移率修正時(shí)段T2的結(jié)束時(shí)間也可以基于除由輸出緩沖器33產(chǎn)生的門脈沖之外的信號(hào)確定。上述門脈沖也可以具有僅確定遷移率修正時(shí)段T2的開始時(shí)間或遷移率修正時(shí)段T2的結(jié)束時(shí)間的配置。例如，閾值電壓修正時(shí)段T1的結(jié)束時(shí)間也可以基于除由輸出緩沖器33產(chǎn)生的門脈沖之外的信號(hào)確定。電壓供應(yīng)電路35提供的電位也可以用于除將信號(hào)電位寫入存儲(chǔ)電容之外的其他用途，也可用于例如從多條掃描線中選擇一條掃描線的脈沖信號(hào)。總之，電壓供應(yīng)電路提供的電位也可以具有被用于提供給多條掃描線中的每一條的控制信號(hào)的配置，控制信號(hào)的控制目標(biāo)也可以是除寫入操作之外的任何一個(gè)。顯示裝置10不限于有機(jī)EL顯示裝置，也可以是液晶顯示裝置、LED顯示裝置或等離子顯示裝置?？傊绻鶕?jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置具有電壓供應(yīng)電路被設(shè)置在輸入控制信號(hào)到像素中的掃描儀內(nèi)的配置是可以接受的。電子設(shè)備下面將對(duì)一種被提供具有上述顯示裝置10的電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。此外，顯示裝置10可以應(yīng)用于各種用途，并沒有特別的限制。因此，下面將對(duì)例如一種將顯示裝置10應(yīng)用于具有顯示部分的電子設(shè)備的配置進(jìn)行說(shuō)明。但是，該配置僅是一個(gè)例子，可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)母淖?。如圖12所示，電子書閱讀器100的外殼101中安裝有包括上述顯示裝置10的顯示部分102以及用于操作顯示部分102的顯示模式的操作按鈕103。如圖13所示，鍵盤112和操作部分113安裝在個(gè)人計(jì)算機(jī)110的下部外殼111內(nèi)，包括上述顯示裝置10的顯示部分115安裝在個(gè)人計(jì)算機(jī)110的上部外殼114內(nèi)。如圖14所示，安裝在電視機(jī)120的支撐底座121上的外殼122內(nèi)安裝有包括上述顯示裝置10的顯示部分123。如圖15所示，數(shù)字靜態(tài)相機(jī)130的外殼131的一個(gè)面?zhèn)壬?，形成有捕捉成像目?biāo)的透鏡132和用于允許圖像被捕捉到數(shù)字靜態(tài)相機(jī)130中的成像按鈕133。此外，如圖16所示，在外殼131的另一面?zhèn)壬习惭b有包括上述顯示裝置10的顯示部分134和操作按鈕135。如圖17所示，透鏡142和操作按鈕143安裝在數(shù)字?jǐn)z像機(jī)140的外殼141內(nèi)。另外，顯示部分145的外殼通過(guò)連接部分144連接到外殼141，包括上述顯示裝置10的顯示部分146安裝在顯示部分145的外殼內(nèi)。如圖18所示，操作按鈕152安裝在移動(dòng)電話單元150的下部外殼151內(nèi)，上部外殼154通過(guò)連接部分153連接到下部外殼151。包括上述顯示裝置10的顯示部分155安裝在上部外殼154內(nèi)。此外，如圖19所示，包括上述顯示裝置10的背面?zhèn)蕊@示部分156安裝在與上部外殼154內(nèi)顯示部分155相對(duì)的面上。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置、顯示驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備可以按如下方式配置。（1）一種顯示裝置，包括：多個(gè)像素電路；以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)掃描線提供控制信號(hào)給該多個(gè)像素電路，其中掃描線驅(qū)動(dòng)電路包括提供控制電位的電壓供應(yīng)電路和通過(guò)在參考電位和控制電位之間切換產(chǎn)生控制信號(hào)的輸出緩沖器，電壓供應(yīng)電路隨著工作溫度上升而增加控制電位和參考電位之間的差異。（2）如上述（1）的顯示裝置，其中電壓供應(yīng)電路包括提供高于控制電位的第一電位的第一電壓供應(yīng)、提供低于控制電位的第二電位的第二電壓供應(yīng)以及連接在第一電壓供應(yīng)和第二電壓供應(yīng)之間的電阻分壓電路，電阻分壓電路包括二極管接法的晶體管和電阻元件。（3）如上述（2）的顯示裝置，其中控制電位高于參考電位，第二電位等于參考電位。（4）如上述（2）的顯示裝置，其中控制電位高于參考電位，第二電位等于參考電位。（5）如上述（2）-（4）中任一項(xiàng)的顯示裝置，其中電壓供應(yīng)電路具有位于晶體管和電阻元件之間的輸出端。（6）如上述（2）-（5）中任一項(xiàng)的顯示裝置，其中在電壓供應(yīng)電路中，晶體管的導(dǎo)通電阻大于電阻元件的電阻值，電壓供應(yīng)電路通過(guò)電阻元件和晶體管的電阻分壓產(chǎn)生控制電位。（7）根據(jù)上述（1）-（6）中任一項(xiàng)的顯示裝置，其中工作溫度高時(shí)的控制信號(hào)的幅度低于工作溫度低時(shí)的幅度。（8）如上述（1）-（7）中任一項(xiàng)的顯示裝置，其中輸出緩沖器包括多個(gè)反相器電路，該多個(gè)反相器電路中連接到掃描線的反相器電路與電壓供應(yīng)電路連接。（9）如上述（1）-（8）中任一項(xiàng)的顯示裝置，其中電壓供應(yīng)電路和輸出緩沖器形成在相同的基板上。（10）如上述（1）-（9）中任一項(xiàng)的顯示裝置，還包括：信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)信號(hào)線提供顯示信號(hào)給多個(gè)像素電路，其中像素電路包括采樣晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、發(fā)光元件和存儲(chǔ)電容，采樣晶體管連接到信號(hào)線和存儲(chǔ)電容，并允許根據(jù)控制信號(hào)導(dǎo)通，從而將顯示信號(hào)的信號(hào)電位寫入存儲(chǔ)電容，驅(qū)動(dòng)晶體管連接在電壓供應(yīng)線和發(fā)光元件之間，并根據(jù)寫入到存儲(chǔ)電容中的電位為發(fā)光元件提供驅(qū)動(dòng)電流。（11）一種顯示裝置，包括：多個(gè)像素電路；以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)掃描線提供控制信號(hào)給該多個(gè)像素電路，其中掃描線驅(qū)動(dòng)電路包括輸出控制信號(hào)的輸出緩沖器、提供控制電位給控制電位線的電壓供應(yīng)電路以及提供參考電位的參考電位線，輸出緩沖器連接到控制電位線和參考電位線，電壓供應(yīng)電路包括提供高于控制電位的第一電位的第一電壓供應(yīng)、提供低于控制電位的第二電位的第二電壓供應(yīng)以及連接在第一電壓供應(yīng)和第二電壓供應(yīng)之間的電阻分壓電路，電阻分壓電路包括二極管接法的晶體管和電阻元件。（12）一種顯示裝置，其中包括：多個(gè)像素電路；以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)掃描線提供控制信號(hào)給該多個(gè)像素電路，掃描線驅(qū)動(dòng)電路生成在參考電位和控制電位之間轉(zhuǎn)換的控制信號(hào)，控制電位依賴于溫度條件改變。（13）如（12）所述的顯示裝置，其中改變控制電位來(lái)減少隨著溫度條件的變化會(huì)發(fā)生的控制信號(hào)從參考電位轉(zhuǎn)換到控制電位的差異。（14）如（13）所述的顯示裝置，其中減少轉(zhuǎn)換的差異包括減少控制信號(hào)隨著它在參考電位和控制電位之間轉(zhuǎn)換時(shí)的電壓上升時(shí)間的差異。（15）如（13）所述的顯示裝置，其中控制電位隨著工作溫度的上升而增加以減少隨著工作溫度的上升會(huì)發(fā)生的控制信號(hào)從參考電位轉(zhuǎn)換到控制電位的差異。（16）如（12）所述的顯示裝置，其中掃描線驅(qū)動(dòng)電路包括提供控制電位的電壓供應(yīng)電路以及通過(guò)在參考電位和控制電位之間切換來(lái)產(chǎn)生控制信號(hào)的輸出緩沖器。（17）如（16）所述的顯示裝置，其中電壓供應(yīng)電路包括至少一個(gè)連接在第一電位和第二電位之間的具有依賴于溫度的電阻值的電路元件,并且控制電位是第一電位和電阻值的函數(shù)。（18）如（17）所述的顯示裝置，其中第一電位從第一電壓供應(yīng)線提供，第二電位從第二電壓供應(yīng)線提供，依賴于溫度的電阻值由具有連接到第二電壓供應(yīng)線的柵極和第一電流端的二極管接法的晶體管提供，固定電阻元件連接在一個(gè)節(jié)點(diǎn)和第一電壓供應(yīng)線之間，控制電位從該節(jié)點(diǎn)提供，該節(jié)點(diǎn)位于二極管接法的晶體管的第二電流端和固定電阻元件之間。（19）如（12）所述的顯示裝置，其中各個(gè)像素電路包括：驅(qū)動(dòng)晶體管；采樣晶體管；以及存儲(chǔ)電容，其中驅(qū)動(dòng)晶體管被配置為根據(jù)通過(guò)采樣晶體管施加到存儲(chǔ)電容的圖像信號(hào)電壓提供電流給發(fā)光元件，控制信號(hào)被提供給采樣晶體管的控制端，并且改變控制電位來(lái)減少隨著溫度條件的變化會(huì)發(fā)生的控制信號(hào)從參考電位轉(zhuǎn)換到控制電位的差異。（20）如（19）所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的特性進(jìn)行修正，其中減少控制信號(hào)的轉(zhuǎn)換的差異提供在一定溫度范圍內(nèi)的對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的特性的一致修正（consistentcorrection）。（21）如（12）所述的顯示裝置，其中控制電位是寫入電位。（22）如（19）所述的顯示裝置，其中改變控制電位來(lái)減少隨著溫度條件的變化會(huì)發(fā)生的控制信號(hào)從參考電位轉(zhuǎn)換到控制電位的差異。（23）如（22）所述的顯示裝置，其中減少轉(zhuǎn)換的差異包括減少控制信號(hào)隨著它在參考電位和控制電位之間轉(zhuǎn)換時(shí)的電壓上升時(shí)間的差異。（24）如（22）所述的顯示裝置，其中控制電位隨著工作溫度的上升而增加以減少隨著工作溫度的上升會(huì)發(fā)生的控制信號(hào)從參考電位轉(zhuǎn)換到控制電位的差異。（25）如（19）所述的顯示裝置，其中掃描線驅(qū)動(dòng)電路包括提供控制電位的電壓供應(yīng)電路以及通過(guò)在參考電位和控制電位之間切換來(lái)產(chǎn)生控制信號(hào)的輸出緩沖器。（26）如（25）所述的顯示裝置，其中電壓供應(yīng)電路包括至少一個(gè)連接在第一電位和第二電位之間的具有依賴于溫度的電阻值的電路元件,并且控制電位是第一電位和電阻值的函數(shù)。（27）一種電子設(shè)備，包括（12）中的顯示裝置。（28）一種顯示裝置，包括：多個(gè)像素電路；以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)掃描線提供控制信號(hào)給多個(gè)像素電路，其中掃描線驅(qū)動(dòng)電路包括：輸出緩沖器，輸出控制信號(hào)；電壓供應(yīng)電路，提供控制電位給控制電位線；以及參考電位線，提供參考電位，輸出緩沖器連接在控制電位線和參考電位線之間，并且電壓供應(yīng)電路包括：電阻分壓電路，連接在第一電壓供應(yīng)線和第二電壓供應(yīng)線之間，第一電壓供應(yīng)線提供高于控制電位的第一電位，第二電壓供應(yīng)線提供低于控制電位的第二電位，電阻分壓電路包括二極管接法的晶體管和電阻元件。（29）一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，該顯示裝置包括多個(gè)像素電路以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路，該方法包括：通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路、經(jīng)由掃描線并通過(guò)生成在參考電位和控制電位之間轉(zhuǎn)換的控制信號(hào)為多個(gè)像素電路提供控制信號(hào)，控制電位依賴于溫度條件改變。本申請(qǐng)包含與2012年5月2日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)?zhí)亻_2012-105250號(hào)所公開的主題有關(guān)的主題，該優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用被包括于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，隨著設(shè)計(jì)要求和其他因素的不同，可以出現(xiàn)各種修改、組合、子組合和變更，只要它們?nèi)月湓谒綑?quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)。