本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柵極驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

GOA(Gate Drive On Array)技術(shù)，是利用薄膜晶體管(thin film transistor,TFT)陣列(Array)的制程來(lái)將柵極驅(qū)動(dòng)器制作在薄膜晶體管陣列基板上，以實(shí)現(xiàn)逐行掃描的驅(qū)動(dòng)方式。

由于GOA技術(shù)有利于顯示屏柵極驅(qū)動(dòng)側(cè)的窄邊框設(shè)計(jì)以及成本的降低，因?yàn)榈玫綇V泛地應(yīng)用和研究。

隨著氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(例如，IGZO，銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管)的發(fā)展，氧化物半導(dǎo)體相應(yīng)的面板周邊集成電路也成為關(guān)注的焦點(diǎn)。由于氧化物薄膜晶體管的載流子遷移率是非晶硅薄膜晶體管的20-30倍，因此可大大提高薄膜晶體管對(duì)像素電極的充放電速率?？梢钥闯觯趸锉∧ぞw管可以提高像素的響應(yīng)速度，實(shí)現(xiàn)更快的刷新率，從而能夠大大提高像素的行掃描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成為可能。氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的GOA電路未來(lái)有可能取代非晶硅的GOA電路。

然而，現(xiàn)有技術(shù)中針對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的GOA電路的開(kāi)發(fā)較少，這是因?yàn)樾枰朔芏嘤捎谘趸锉∧ぞw管電性本身帶來(lái)的問(wèn)題。具體地，由于IGZO屬于N型半導(dǎo)體，空穴數(shù)目很少，因此IGZO-TFT通常表現(xiàn)出較佳的負(fù)偏壓應(yīng)力(NBTS)特性。然而，IGZO-TFT的正向偏壓應(yīng)力卻并不理想。長(zhǎng)時(shí)間的正向偏壓應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致TFT的閾值電壓(Vth)產(chǎn)生正向漂移，從而使得IGZO-TFT器件的打開(kāi)速度變慢，進(jìn)而對(duì)GOA電路產(chǎn)生嚴(yán)重影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：現(xiàn)有技術(shù)中IGZO-TFT的正向偏壓應(yīng)力并不理想。長(zhǎng)時(shí)間的正向偏壓應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致TFT的閾值電壓產(chǎn)生正向漂移，從而使得IGZO-TFT器件的打開(kāi)速度變慢，進(jìn)而對(duì)GOA電路產(chǎn)生嚴(yán)重影響。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路。

本發(fā)明的技術(shù)方案為：

一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，其包括以串聯(lián)方式連接的多級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元，每級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置為依據(jù)上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)、下一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)以及時(shí)鐘信號(hào)來(lái)在其輸出端輸出掃描信號(hào)；

每級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元包括：

輸入控制模塊，設(shè)置為受控于所述上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)，以控制第一節(jié)點(diǎn)的電位；

連接所述第一節(jié)點(diǎn)的輸出控制模塊，設(shè)置為根據(jù)所述第一節(jié)點(diǎn)的電位控制本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的電位；

連接所述輸出控制模塊的下拉模塊，設(shè)置為根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)的電位下拉本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的電位；

連接所述下拉模塊的下拉維持模塊，設(shè)置為維持所述第二節(jié)點(diǎn)在非掃描期間的電位，以使本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的電位維持在負(fù)電位；以及

連接所述輸出控制模塊的電流補(bǔ)償模塊，設(shè)置為增加流經(jīng)本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的電流。

優(yōu)選的是，所述下拉維持模塊包括：

第五十一晶體管，其柵極與漏極均連接恒壓高電位輸出端，源極連接第四節(jié)點(diǎn)；

第五十二晶體管，其柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述第四節(jié)點(diǎn)，源極連接第一負(fù)電位輸出端；

第五十三晶體管，其柵極連接所述第四節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述恒壓高電位輸出端，源極連接第二節(jié)點(diǎn)；

第五十四晶體管，其柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述第二節(jié)點(diǎn)，源極連接第三節(jié)點(diǎn)；

第七十三晶體管，其柵極連接所述第四節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述恒壓高電位輸出端，源極連接所述第三節(jié)點(diǎn)；

第七十四晶體管，其柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述第三節(jié)點(diǎn)，源極連接恒壓低電位輸出端；

第八十一晶體管，其柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述恒壓高電位輸出端，源極連接第五節(jié)點(diǎn)；

第八十二晶體管，其柵極連接所述第二節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述恒壓低電位輸出端，源極連接所述第五節(jié)點(diǎn)；

第四十二晶體管，其柵極連接所述第二節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，源極連接所述第五節(jié)點(diǎn)；以及

第三十二晶體管，其柵極連接所述第二節(jié)點(diǎn)，漏極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端，源極連接所述第一負(fù)電位輸出端；

其中，所述恒壓低電位輸出端的電位低于所述第一負(fù)電位輸出端的電位。

優(yōu)選的是，所述恒壓高電位輸出端的電位為20-30V。

優(yōu)選的是，所述恒壓低電位輸出端的電位和所述第一負(fù)電位輸出端的電位均為-5--8V。

優(yōu)選的是，所述電流補(bǔ)償模塊包括第二十三晶體管和第二十四晶體管；

其中，所述第二十三晶體管的柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端，源極連接所述第二十四晶體管的源極；所述第二十四晶體管的柵極和漏極均連接所述第四節(jié)點(diǎn)。

優(yōu)選的是，所述輸入控制模塊包括第十一晶體管；其中，所述第十一晶體管的柵極連接所述恒壓高電位輸出端，漏極連接上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端，源極連接所述第一節(jié)點(diǎn)。

優(yōu)選的是，所述輸出控制模塊包括：

第二十一晶體管，其柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述時(shí)鐘信號(hào)的輸出端，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端；

第二十二晶體管，其柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述時(shí)鐘信號(hào)的輸出端，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)輸出端；以及

自舉電容，所述第一節(jié)點(diǎn)通過(guò)所述自舉電容連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端。

優(yōu)選的是，所述下拉模塊包括第四十晶體管和第四十一晶體管：

其中，所述第四十晶體管的柵極和漏極均連接所述第一節(jié)點(diǎn)，源極連接所述第四十一晶體管的漏極；

所述第四十一晶體管的柵極連接下一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

應(yīng)用本發(fā)明，在柵極驅(qū)動(dòng)電路工作一段時(shí)間后，利用電流補(bǔ)償模塊對(duì)本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端得到的電流進(jìn)行補(bǔ)償，從而避免了由晶體管的閾值電壓發(fā)生正向漂移導(dǎo)致的輸出端電位下降的問(wèn)題，保證了對(duì)像素單元的正常充電。因此，本發(fā)明在很大程度上提高了柵極驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性，有利于液晶顯示面板顯示效果的提高。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中由于薄膜晶體管的閾值電壓向右漂移引起的第一節(jié)點(diǎn)和柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的電位輸出異常的示意圖；

圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的原理示意圖；

圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的電路示意圖；以及

圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的波形設(shè)置及關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的輸出波形示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

現(xiàn)有技術(shù)中IGZO-TFT的正向偏壓應(yīng)力并不理想。長(zhǎng)時(shí)間的正向偏壓應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致TFT的閾值電壓(Vth)正向漂移，從而使得IGZO-TFT器件的打開(kāi)速度變慢，進(jìn)而對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生嚴(yán)重影響。

具體地，現(xiàn)有技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元。其中，每級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元包括輸出控制模塊和下拉維持模塊。隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)間的加長(zhǎng)，輸出控制模塊中用于連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的晶體管會(huì)受到嚴(yán)重的應(yīng)力，從而該晶體管的閾值電壓Vth容易發(fā)生正向漂移，導(dǎo)致該晶體管不易被打開(kāi)。由此，在相同電壓下，電流變小，從而導(dǎo)致本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的充電不足、電位下降，進(jìn)而影響液晶顯示面板的的正常顯示效果。此外，下拉維持模塊中的第四節(jié)點(diǎn)的電位會(huì)抬升。

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中由于薄膜晶體管的閾值電壓向右漂移引起的第二節(jié)點(diǎn)和柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的電位輸出異常的示意圖。參照?qǐng)D1，第四節(jié)點(diǎn)S(N)的電位比正常情況下的電位(虛線表示)高，從而導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)的電位比正常情況下的電位(虛線表示)低，從而使輸出端充電不足，影響了液晶顯示器的顯示效果。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路。

圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的原理示意圖。圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的電路示意圖。

本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路包括以串聯(lián)方式連接的多級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元。其中，每級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置為依據(jù)上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)、下一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)以及時(shí)鐘信號(hào)來(lái)在其輸出端輸出掃描信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)電路所包括的各極柵極驅(qū)動(dòng)單元的電路結(jié)構(gòu)相同。

參照?qǐng)D2，柵極驅(qū)動(dòng)單元包括輸入控制模塊100、輸出控制模塊200、下拉模塊300、下拉維持模塊400和電流補(bǔ)償模塊500。

其中，輸入控制模塊100受控于上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)G(N-1)，以控制第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位。輸出控制模塊200連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)。輸出控制模塊200根據(jù)第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位控制本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)的電位。下拉模塊300連接輸出控制模塊200。下拉模塊300根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)P(N)的電位下拉本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)的電位。下拉維持模塊400連接下拉模塊300。下拉維持模塊400維持第二節(jié)點(diǎn)P(N)在非掃描期間的電位，以使本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)的電位維持在負(fù)電位。電流補(bǔ)償模塊500連接輸出控制模塊200。電流補(bǔ)償模塊500用于增加流經(jīng)本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)的電流。

下面參照?qǐng)D3和圖4詳細(xì)描述各模塊的電路組成以及工作原理。

輸入控制模塊100包括第十一晶體管T11。第十一晶體管T11的柵極連接恒壓高電位輸出端DCH，漏極連接上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N-1)，源極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)。

輸出控制模塊200包括第二十一晶體管T21、第二十二晶體管T22和自舉電容Cbt。其中，第二十一晶體管T21的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接時(shí)鐘信號(hào)的輸出端CK/XCK，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)。第二十二晶體管T22的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接時(shí)鐘信號(hào)的輸出端CK/XCK，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)輸出端ST(N)。第一節(jié)點(diǎn)Q(N)通過(guò)自舉電容Cbt連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)。

下拉模塊300包括第四十晶體管T40和第四十一晶體管T41。其中，第四十晶體管T40的柵極和漏極均連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，源極連接第四十一晶體管T41的漏極。第四十一晶體管T41的柵極連接下一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N+1)，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)。

下拉維持模塊400包括第五十一晶體管T51、第五十二晶體管T52、第五十三晶體管T53、第五十四晶體管T54、第七十三晶體管T73、第七十四晶體管T74、第八十一晶體管T81、第八十二晶體管T82、第四十二晶體管T42和第三十二晶體管T32。

其中，第五十一晶體管T51的柵極與漏極均連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)。第五十二晶體管T52的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)，源極連接第一負(fù)電位輸出端VSS1。第五十三晶體管T53的柵極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)，漏極連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)。第五十四晶體管T55的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，源極連接第三節(jié)點(diǎn)K(N)。第七十三晶體管T73的柵極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)，漏極連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第三節(jié)點(diǎn)K(N)。第七十四晶體管T74的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接第三節(jié)點(diǎn)S(N)，源極連接恒壓低電位輸出端DCL。第八十一晶體管T81的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第五節(jié)點(diǎn)A(N)。第八十二晶體管T82的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，漏極連接恒壓低電位輸出端DCL，源極連接第五節(jié)點(diǎn)A(N)。第四十二晶體管T42的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，漏極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，源極連接第五節(jié)點(diǎn)A(N)。第三十二晶體管T32的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，漏極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)，源極連接第一負(fù)電位輸出端VSS1。

這里，值得說(shuō)明的是，恒壓低電位輸出端DCL的電位小于第一負(fù)電位輸出端VSS1的電位。在本發(fā)明一優(yōu)選的實(shí)施例中，恒壓高電位輸出端DCH的電位的范圍為20-30V。恒壓低電位輸出端DCL的電位和第一負(fù)電位輸出端VSS1的電位的范圍均為-5--8V。附圖中CK和XCK為彼此反相的時(shí)鐘信號(hào)。

下拉維持模塊400采用了特殊的雙重反相器設(shè)計(jì)。其中，第五十一晶體管T51、第五十二晶體管T52、第五十三晶體管T53、第五十四晶體管T54構(gòu)成了主反相器。第七十三晶體管T73和第七十四晶體管T74構(gòu)成了輔助反相器。主反相器的作用是控制第三十二晶體管T32和第四十二晶體管T42兩個(gè)晶體管。輔助反相器的作用是在作用期間提供給主反相器低電位，在非作用期間提供給主反相器一個(gè)適當(dāng)?shù)母唠娢粊?lái)降低第五十四晶體管T54的漏電，從而確保主反相器在非作用期間能夠產(chǎn)生較高的電位。該輔助反相器引用主反相器中的第四節(jié)點(diǎn)S(N)來(lái)控制第七十三晶體管T73，可以減少輔助反相器的元件數(shù)量，不需要額外的元件來(lái)產(chǎn)生類似于第四節(jié)點(diǎn)S(N)節(jié)點(diǎn)的波形控制第七十三晶體管T73。

在作用期間，輔助反相器被第四節(jié)點(diǎn)S(N)的高電壓與恒壓低電位輸出端DCL的低電壓驅(qū)動(dòng)后，第五十二晶體管T52被下拉至第一負(fù)電位輸出端VSS1的電位，第七十四晶體管T74在第一節(jié)點(diǎn)Q(N)為高電位時(shí)開(kāi)啟并被下拉至恒壓高電位輸出端DCH的電位。由此，第三節(jié)點(diǎn)K(N)為更低電位，第二節(jié)點(diǎn)P(N)也被下拉到更低電位。即，輔助反相器在作用期間給主反相器提供了低電位，因而可以杜絕第三十二晶體管T32、第四十二晶體管T42因閾值電壓較低或趨近于0V的物理特性所引發(fā)的漏電情況發(fā)生，確保下拉維持模塊400能夠在作用期間正常拉低。

在非作用期間，第五十二晶體管T52、第五十四晶體管T54和第七十四晶體管T74均截止關(guān)閉。由于第五十四晶體管T54的柵極與第一節(jié)點(diǎn)Q(N)相連接，源極連接第三節(jié)點(diǎn)K(N)。因此，第五十四晶體管T54的柵極為負(fù)電位，源極為正電位。這樣，第五十四晶體管T54的柵極和源極的電壓差是相對(duì)來(lái)說(shuō)非常負(fù)值的電位，從而可將第五十四晶體管T54關(guān)閉得很好，減少它的漏電。也就是說(shuō)，輔助反相器在非作用期間給主反相器提供了一個(gè)適當(dāng)?shù)母唠娢粊?lái)降低第五十四晶體管T54的漏電，確保下拉維持模塊400在非作用期間處于較高的電位，有效維持第一節(jié)點(diǎn)Q(N)和輸出端G(N)處于低電位。此外，在第三節(jié)點(diǎn)K(N)為高電位時(shí)，還存在電阻分壓的功能，這可以將第二節(jié)點(diǎn)P(N)的電位推得更高，因而可以進(jìn)一步穩(wěn)定第二節(jié)點(diǎn)P(N)的電位。

電流補(bǔ)償模塊500包括第二十三晶體管T23和第二十四晶體管T24。其中，第二十三晶體管T23的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)，源極連接第二十四晶體管T24的源極。第二十四晶體管T24的柵極和漏極均連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)。

下面具體說(shuō)明電流補(bǔ)償模塊500的作用。

本實(shí)施例為了解決由第二十一晶體管T21容易產(chǎn)生閾值電壓Vth正向漂移導(dǎo)致的輸出端G(N)充電不足的問(wèn)題，提供了一種用于對(duì)第二十一晶體管T21進(jìn)行閾值電壓Vth的正向漂移進(jìn)行補(bǔ)償?shù)哪K。應(yīng)用該電流補(bǔ)償模塊500，可以對(duì)流經(jīng)第二十一晶體管T21的電流進(jìn)行補(bǔ)償，從而提高柵極驅(qū)動(dòng)電路的可靠性。

具體地，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電路剛開(kāi)始工作時(shí)，第五十二晶體管T52正常工作。此時(shí)第五十二晶體管T52的電阻很小，因此當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)Q(N)為高電位時(shí)，第五十二晶體管T52分壓很小，從而導(dǎo)致第四節(jié)點(diǎn)S(N)的電位為低電位。這樣，當(dāng)?shù)诙木w管T24關(guān)閉時(shí)，電流補(bǔ)償模塊500不會(huì)產(chǎn)生電流。因此，本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)最終得到的電流僅為流經(jīng)第二十一晶體管T21的電流?？梢钥闯?，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電路剛開(kāi)始工作時(shí)，無(wú)需電流補(bǔ)償模塊500工作，即可保證對(duì)像素單元的正常充電。

當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電路工作一段時(shí)間后，第五十二晶體管T52的閾值電壓Vth發(fā)生正向漂移。此時(shí)第五十二晶體管T52的電阻很大，因此當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)Q(N)為高電位時(shí)，第五十二晶體管T52分壓很大，從而導(dǎo)致第四節(jié)點(diǎn)S(N)的電位抬升。這樣，第二十四晶體管T24和第二十三晶體管T23均處于打開(kāi)狀態(tài)，電流補(bǔ)償模塊500開(kāi)始工作。因此，本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)最終得到的電流為流經(jīng)第二十一晶體管的電流和流經(jīng)電流補(bǔ)償模塊500的電流的總和。可以看出，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電路工作一段時(shí)間后，電流補(bǔ)償模塊500能夠?qū)敵龆薌(N)最終得到的電流進(jìn)行補(bǔ)償，從而能夠保證對(duì)像素單元的正常充電。

應(yīng)用本實(shí)施例所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，在工作一段時(shí)間后，利用電流補(bǔ)償模塊500對(duì)本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)得到的電流進(jìn)行補(bǔ)償，從而避免了由晶體管的閾值電壓發(fā)生正向漂移導(dǎo)致的輸出端電位下降的問(wèn)題，保證了對(duì)像素單元的正常充電。因此，本實(shí)施例在很大程度上提高了柵極驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性，有利于液晶顯示面板顯示效果的提高。

雖然本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。