本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電路及顯示面板，且特別涉及一種具有緩沖層的驅(qū)動(dòng)電路及顯示面板。

背景技術(shù)：

目前柵極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)(gatedriveronarray；goa)顯示器多由薄膜晶體管(thinfilmtransistor；tft)所構(gòu)成。在現(xiàn)有的柵極驅(qū)動(dòng)電路中，位于第一層的信號(hào)線與位于第二層的信號(hào)線會(huì)有一部分互相交錯(cuò)。在進(jìn)行蝕刻制程時(shí)(例如是回蝕制程)，位于第二層的信號(hào)線容易在邊角出現(xiàn)缺陷。如此一來(lái)，在后續(xù)形成保護(hù)層的制程中，保護(hù)層會(huì)在缺陷附近出現(xiàn)應(yīng)力集中，而造成保護(hù)層膜層缺陷。

由于保護(hù)層的缺陷的產(chǎn)生，在之后制程中使用的蝕刻溶液通過(guò)上述缺陷而侵蝕位于兩層信號(hào)線之間的絕緣層，而使兩層信號(hào)線之間漏電或是短路，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)的輸出發(fā)生異常。因此，目前亟需一種能解決前述問(wèn)題的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)電路，可以改善導(dǎo)線及信號(hào)線漏電所造成的信號(hào)異常。

本發(fā)明提供一種顯示面板，可以改善導(dǎo)線及信號(hào)線漏電所造成的信號(hào)異常。

本發(fā)明提出一種驅(qū)動(dòng)電路，包括輸出電路、下拉模塊、多條導(dǎo)線、至少一第一信號(hào)線以及緩沖層。多條導(dǎo)線電性連接于輸出電路以及下拉模塊之間。第一信號(hào)線用以將輸出電路以及下拉模塊耦接于驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，其中第一信號(hào)線與部分的導(dǎo)線之間具有第一重疊區(qū)域。緩沖層設(shè)置在第一信號(hào)線與部分的導(dǎo)線之間。緩沖層包括重疊部以及延伸部，重疊部至少位于第一重疊區(qū)域中，延伸部位于重疊部的外側(cè)，且重疊部的厚度大于延伸部的厚度。

本發(fā)明提出一種顯示面板，包括像素區(qū)以及位于像素區(qū)至少一側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)。顯示面板包括像素陣列以及柵極驅(qū)動(dòng)電路。像素陣列位于像素區(qū)中。像素陣列包括多條數(shù)據(jù)線、多條掃描線以及與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)。柵極驅(qū)動(dòng)電路位于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)中，且與像素陣列電性連接。柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括輸出電路、下拉模塊、多條導(dǎo)線、至少一第一信號(hào)線以及緩沖層。輸出電路的一端與像素陣列連接。多條導(dǎo)線連接于輸出電路以及下拉模塊之間。第一信號(hào)線用以將輸出電路以及下拉模塊耦接于驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)。第一信號(hào)線與部分的導(dǎo)線之間具有第一重疊區(qū)域。緩沖層設(shè)置在第一信號(hào)線與部分的導(dǎo)線之間。緩沖層包括重疊部以及延伸部。重疊部至少位于第一重疊區(qū)域中。延伸部位于重疊部的外側(cè)。重疊部的厚度大于延伸部的厚度。

基于上述，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路中，第一信號(hào)線耦接于驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，且第一信號(hào)線與導(dǎo)線之間設(shè)置有緩沖層。此緩沖層的設(shè)計(jì)可以分散應(yīng)力，以避免驅(qū)動(dòng)電路中的第一信號(hào)線與導(dǎo)線之間產(chǎn)生漏電。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。

圖2是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的具體等效電路示意圖。

圖3a是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的示意圖。

圖3b是沿著圖3a剖線aa’的剖面示意圖。

圖4是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的示意圖。

圖5是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的示意圖。

圖6是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的示意圖。

圖7是依照本發(fā)明的一比較例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖8是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖9是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖10是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖11a是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖11b是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖12是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示面板的上視示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

10：輸出電路

20、20a、20b：穩(wěn)壓控制電路

30、30a、30b：穩(wěn)壓電路

40：下拉電路

50：下傳電路

100、l1、l2、l3、l4、l5、l6：導(dǎo)線

110、210、210a、210b、210c、210d：絕緣層

120、bf：緩沖層

122、or：重疊部

122a、or1：摻雜部

122b、or2：非晶部

er、124：延伸部

124a：延伸連接部

124b：延伸邊緣部

200：信號(hào)線

212a、212b、212c、212d：第一應(yīng)力區(qū)

214：第二應(yīng)力區(qū)

dc：驅(qū)動(dòng)電路

t11、t12、t21、t31、t32、t33、t34、t35、t41、t42、t43、t44、t51、t52、t53、t54、t55、t56、t61、t62、t63、t64、t65、t66：薄膜晶體管

bs：基板

pm：下拉模塊

aa：主動(dòng)區(qū)

gl：輸出信號(hào)線

ql：第一信號(hào)線

q1、204：頂層

q2、202：底層

c1：第二信號(hào)線

c2、c3：第三信號(hào)線

bf1、bf2、bf3、bf4、bf5、bf6：部分

d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8、d9、d10：距離

ls1、ls2、ls3、ls4、ls5、ls6、ls7、ls8、ls9、ls10：長(zhǎng)側(cè)邊

sw1、sw2、sw3、sw4、sw5、sw6、sw7、sw8、sw9、sw10：邊緣

t1、t2：轉(zhuǎn)折部

r1、r2、r3、r4、r5、r6：重疊區(qū)域

os1、os2：邊界

a1、a2、w1、w2：寬度

ds1、ds2：間距

h1、h2、h3：厚度

1000：顯示面板

1100：像素區(qū)

1200：驅(qū)動(dòng)電路區(qū)

sl1、sln：掃描線

dl1、dlm：數(shù)據(jù)線

p：像素結(jié)構(gòu)

pa：像素陣列

dd：源極驅(qū)動(dòng)電路

gd：柵極驅(qū)動(dòng)電路

具體實(shí)施方式

為了詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，在以下的實(shí)施例中，是以應(yīng)用于顯示面板的驅(qū)動(dòng)電路為例來(lái)說(shuō)明。但本發(fā)明所提出的驅(qū)動(dòng)電路不限于應(yīng)用在顯示面板中，其他電子裝置的驅(qū)動(dòng)電路亦可以應(yīng)用本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路。

一般而言，顯示面板1000包括像素區(qū)1100以及位于像素區(qū)1100至少一側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)1200，如圖12所示。以液晶顯示面板為例，驅(qū)動(dòng)電路區(qū)1200通常是設(shè)置在基板bs上。更詳細(xì)而言，顯示面板包括像素陣列pa以及驅(qū)動(dòng)電路，在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路包括柵極驅(qū)動(dòng)電路gd以及源極驅(qū)動(dòng)電路dd。像素陣列pa位于像素區(qū)1100中，而驅(qū)動(dòng)電路位于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)1200中。

像素陣列pa包括多條掃描線sl1～sln、多條數(shù)據(jù)線dl1～dlm、以及與掃描線sl1～sln以及數(shù)據(jù)線dl1～dlm電性連接的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)p。柵極驅(qū)動(dòng)電路gd以及源極驅(qū)動(dòng)電路dd位于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)1200中，且與像素陣列pa電性連接。上述的像素結(jié)構(gòu)p可為已知任一種顯示面板的像素結(jié)構(gòu)。以下實(shí)施例將以柵極驅(qū)動(dòng)電路gd為例來(lái)說(shuō)明，然本發(fā)明不限于僅能用于柵極驅(qū)動(dòng)電路gd，實(shí)際上本發(fā)明也可以用于源極驅(qū)動(dòng)電路dd。

請(qǐng)參考圖1以及圖2。圖1是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。圖2是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的具體等效電路示意圖。請(qǐng)參考圖1，在一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路dc包括輸出電路10以及與輸出電路10耦接的下拉模塊pm。輸出電路10與下拉模塊pm通過(guò)第一信號(hào)線耦接至驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)q(n)，第一信號(hào)線例如是用來(lái)傳遞驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)q(n)。第二信號(hào)線是用來(lái)傳遞時(shí)脈信號(hào)hc給輸出電路10。

在本實(shí)施例中，下拉模塊pm包括穩(wěn)壓控制電路20、穩(wěn)壓電路30、下拉電路40。輸出電路10例如通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至穩(wěn)壓電路30以及下拉電路40，且輸出電路10通過(guò)輸出信號(hào)線而電性連接至像素陣列pa，所述像素陣列pa也就是圖11所示的位于像素區(qū)1100的像素陣列pa。在一實(shí)施例中，輸出電路10根據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)q(n)而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)g(n)傳遞至輸出信號(hào)線，且輸出電路10通過(guò)輸出信號(hào)線而電性連接至像素區(qū)1100中的像素陣列pa。

在一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路dc還包括下傳電路50，下傳電路50通過(guò)第一信號(hào)線耦接至驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)q(n)，并與輸出電路10電性連接。

在此實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路dc例如是柵極驅(qū)動(dòng)電路。也就是說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)電路gd包括輸出電路10、下拉模塊pm、多條導(dǎo)線、至少一第一信號(hào)線。柵極驅(qū)動(dòng)電路gd的輸出電路10根據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)q(n)而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)g(n)傳遞至輸出信號(hào)線，且輸出電路10通過(guò)輸出信號(hào)線而電性連接至像素陣列pa中的掃描線sln。

請(qǐng)參考圖2。圖2為圖1的一實(shí)施例的具體等效電路示意圖，但不以此為限。在一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路dc的輸出電路10包括薄膜晶體管t21。薄膜晶體管t21包括柵極、源極以及漏極。薄膜晶體管t21的第一端(例如是柵極)與第一信號(hào)線連接，并接收驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)q(n)，在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)q(n)例如為高電壓信號(hào)。薄膜晶體管t21的第二端(例如是源極)與第二信號(hào)線連接，并接收時(shí)脈信號(hào)hc。薄膜晶體管t21的第三端(例如是漏極)與輸出信號(hào)線連接，并輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)g(n)。

請(qǐng)參考圖1，在一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路dc的下傳電路50例如通過(guò)第一信號(hào)線及/或?qū)Ь€而與輸出電路10、穩(wěn)壓控制電路20、穩(wěn)壓電路30以及下拉電路40電性連接。第二信號(hào)線傳遞時(shí)脈信號(hào)hc給下傳電路50。

請(qǐng)參考圖2，在一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路dc的下傳電路50包括薄膜晶體管t11以及薄膜晶體管t12。薄膜晶體管t11的第一端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至薄膜晶體管t12。薄膜晶體管t11的第二端電性連接至電壓vgh。薄膜晶體管t11的第三端電性連接至用來(lái)傳遞控制信號(hào)q(n+4)的第一信號(hào)線。薄膜晶體管t12的第一端電性連接至用來(lái)傳遞驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)q(n)的第一信號(hào)線。薄膜晶體管t12的第二端電性連接至用來(lái)傳遞時(shí)脈信號(hào)hc的第二信號(hào)線。薄膜晶體管t12的第三端電性連接至起始信號(hào)st(n)以及薄膜晶體管t11的第一端。

請(qǐng)參考圖1，驅(qū)動(dòng)電路dc的穩(wěn)壓控制電路20例如通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至穩(wěn)壓電路30。第三信號(hào)線傳遞時(shí)脈信號(hào)lc給穩(wěn)壓控制電路20。穩(wěn)壓控制電路20、穩(wěn)壓電路30以及下拉電路40通過(guò)導(dǎo)線而電線連接至恒定電壓vss。

請(qǐng)參考圖2，在一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路dc包括穩(wěn)壓控制電路20a、穩(wěn)壓控制電路20b、穩(wěn)壓電路30a、穩(wěn)壓電路30b以及下拉電路40。

穩(wěn)壓控制電路20a包括薄膜晶體管t51～t56。薄膜晶體管t51的第一端、薄膜晶體管t51的第二端以及薄膜晶體管t53的第二端電性連接至傳遞時(shí)脈信號(hào)lc1的第三信號(hào)線。薄膜晶體管t51的第三端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至薄膜晶體管t52的第二端、薄膜晶體管t53的第一端以及薄膜晶體管t55的第二端。薄膜晶體管t52的第一端與薄膜晶體管t54的第一端電性連接至用來(lái)傳遞控制信號(hào)q(n)的第一信號(hào)線。薄膜晶體管t55的第一端與薄膜晶體管t56的第一端電性連接至用來(lái)傳遞控制信號(hào)q(n-2)的第一信號(hào)線。薄膜晶體管t53的第三端、薄膜晶體管t54的第二端以及薄膜晶體管t56的第二端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至信號(hào)p(n)以及穩(wěn)壓電路30a。薄膜晶體管t52、t54、t55、t56的第三端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至恒定電壓vssq。

穩(wěn)壓電路30a包括薄膜晶體管t42、薄膜晶體管t32以及薄膜晶體管t34。薄膜晶體管t42、薄膜晶體管t32以及薄膜晶體管t34的第一端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至信號(hào)p(n)以及穩(wěn)壓控制電路20a。薄膜晶體管t42的第二端電性連接至用來(lái)傳遞控制信號(hào)q(n)的第一信號(hào)線。薄膜晶體管t32的第二端電性連接至穩(wěn)壓電路30b以及輸出信號(hào)線。薄膜晶體管t34的第二端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至穩(wěn)壓電路30b以及下傳電路50。薄膜晶體管t42以及薄膜晶體管t34的第三端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至恒定電壓vssq。薄膜晶體管t32的第三端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至恒定電壓vssg。

穩(wěn)壓控制電路20b包括薄膜晶體管t61～t66。薄膜晶體管t61的第一端、薄膜晶體管t61的第二端以及薄膜晶體管t63的第二端電性連接至傳遞時(shí)脈信號(hào)lc2的第三信號(hào)線。薄膜晶體管t61的第三端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至薄膜晶體管t62的第二端、薄膜晶體管t63的第一端以及薄膜晶體管t65的第二端。薄膜晶體管t62的第一端與薄膜晶體管t64的第一端電性連接至用來(lái)傳遞控制信號(hào)q(n)的第一信號(hào)線。薄膜晶體管t65的第一端與薄膜晶體管t66的第一端電性連接至用來(lái)傳遞控制信號(hào)q(n-2)的第一信號(hào)線。薄膜晶體管t63的第三端、薄膜晶體管t64的第二端以及薄膜晶體管t66的第二端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至信號(hào)k(n)以及穩(wěn)壓電路30b。薄膜晶體管t62、t64、t65、t66的第三端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至恒定電壓vssq。

在一實(shí)施例中，傳遞至穩(wěn)壓控制電路20b的時(shí)脈信號(hào)lc2與傳遞至穩(wěn)壓控制電路20a的時(shí)脈信號(hào)lc1為反向信號(hào)。

穩(wěn)壓電路30b包括薄膜晶體管t43、薄膜晶體管t33以及薄膜晶體管t35。薄膜晶體管t43、薄膜晶體管t33以及薄膜晶體管t35的第一端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至信號(hào)k(n)以及穩(wěn)壓控制電路20b。薄膜晶體管t43的第二端電性連接至用來(lái)傳遞控制信號(hào)q(n)的第一信號(hào)線。薄膜晶體管t33的第二端電性連接至穩(wěn)壓電路30a以及輸出信號(hào)線。薄膜晶體管t35的第二端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至穩(wěn)壓電路30a以及下傳電路50。薄膜晶體管t43以及薄膜晶體管t35的第三端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至恒定電壓vssq。薄膜晶體管t33的第三端電性通過(guò)導(dǎo)線而連接至恒定電壓vssg。

下拉電路40包括薄膜晶體管t31與薄膜晶體管t41。薄膜晶體管t31的第一端例如電性連接至下四級(jí)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)g(n+4)。薄膜晶體管t31的第二端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至輸出電路10以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)g(n)。薄膜晶體管t31的第三端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至恒定電壓vssg。薄膜晶體管t41的第一端電性連接至信號(hào)st(n+4)。薄膜晶體管t41的第二端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至輸出電路10以及下傳電路50。薄膜晶體管t41的第三端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至恒定電壓vssq。

在一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路dc還包括薄膜晶體管t44。薄膜晶體管t44的第一端電性連接至信號(hào)st。薄膜晶體管t44的第二端電性連接至用來(lái)傳遞控制信號(hào)q(n)的第一信號(hào)線。薄膜晶體管t44的第三端通過(guò)導(dǎo)線而電性連接至恒定電壓vssq。

圖3a繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的局部電路布局的示意圖(例如是圖2的驅(qū)動(dòng)電路的一局部區(qū)域的電路布局示意圖)。圖3b是沿著圖3a剖線aa’的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖3a與圖3b，導(dǎo)線l1～l4位于基板bs上，輸出信號(hào)線gl、第一信號(hào)線ql、第二信號(hào)線c1以及第三信號(hào)線(未繪示)位于導(dǎo)線l1～l4上，且與導(dǎo)線l1～l4之間夾有絕緣層110。導(dǎo)線l1～l4與輸出信號(hào)線gl、第一信號(hào)線ql、第二信號(hào)線c1以及第三信號(hào)線(未繪示)屬于不同的金屬層。在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql包括頂層q1以及介于頂層q1和絕緣層110之間的底層q2。在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql的頂層q1的材料例如包括銅，且第一信號(hào)線ql的底層q2的材料例如包括鉬。在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql的頂層q1的厚度大于底層q2的厚度。在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql的頂層q1的側(cè)邊與底層q2的側(cè)邊可以切齊，然而本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql的底層q2的側(cè)邊可以內(nèi)縮于頂層q1的側(cè)邊。在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql的底層q2在垂直投影面上的寬度小于頂層q1在垂直投影面上的寬度，然而本發(fā)明不以此為限。在一實(shí)施例中，輸出信號(hào)線gl、第一信號(hào)線ql、第二信號(hào)線c1以及第三信號(hào)線(未繪示)可以由相同的材料以及疊層疊層構(gòu)成。在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql例如是用來(lái)傳遞驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)(例如是驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)q(n))。在一實(shí)施例中，第二信號(hào)線c1例如是用來(lái)傳遞時(shí)脈信號(hào)(例如是時(shí)脈信號(hào)hc)。在一實(shí)施例中，輸出信號(hào)線gl例如是用來(lái)傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)(例如是驅(qū)動(dòng)信號(hào)g(n))。在一實(shí)施例中，輸出信號(hào)線gl例如是柵極信號(hào)線，且輸出信號(hào)線會(huì)與像素陣列pa中的掃描線sln電性連接。雖然在圖3a中僅繪出四條導(dǎo)線以及三條信號(hào)線，然而本發(fā)明不以此為限。在一實(shí)施例中，三條信號(hào)線可以與一條導(dǎo)線彼此交錯(cuò)。在另一實(shí)施例中，一條信號(hào)線可以與一條以上的導(dǎo)線彼此交錯(cuò)。此外，雖然在圖3a中繪出三條信號(hào)線位于四條導(dǎo)線上，然而本發(fā)明不以此為限。在一實(shí)施例中，一條信號(hào)線可以與位于四條導(dǎo)線下方且之間夾有絕緣層，而另兩條導(dǎo)線位于四條導(dǎo)線上且之間夾有絕緣層。

第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4之間具有重疊區(qū)域r1；更詳而言之，第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4之間彼此交錯(cuò)而形成重疊區(qū)域r1。緩沖層bf的第一部分bf1設(shè)置在第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4之間。在一實(shí)施例中，緩沖層bf的第一部分bf1位于第一信號(hào)線ql以及絕緣層110之間。

在一實(shí)施例中，緩沖層bf的第一部分bf1包括至少位于重疊區(qū)域r1中的重疊部or以及位于重疊部or外側(cè)的延伸部er。在一實(shí)施例中，延伸部er位于重疊部or的兩側(cè)邊，然而本發(fā)明不以此為限，在其他實(shí)施例中，延伸部er位于重疊部or的周圍。重疊部or的厚度大于延伸部er的厚度。在一些較佳的實(shí)施例中，緩沖層bf的第一部分bf1的重疊部or在垂直投影面上凸出第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4的重疊區(qū)域r1。緩沖層bf的材料例如包括硅(例如是非晶硅、多晶硅、單晶硅以及經(jīng)摻雜非晶硅疊層疊層)、絕緣材料(例如包括氮化鍺(genx))或其他合適的材料。在一實(shí)施例中，重疊部or例如為雙層結(jié)構(gòu)。重疊部or包括摻雜部or1以及非晶部or2。在一實(shí)施例中，摻雜部or1的材料包括摻雜的非晶硅(例如是n型摻雜)，延伸部er與非晶部or2的材料包括未摻雜的非晶硅。雖然在本實(shí)施例中，僅繪示出緩沖層bf的第一部分bf1包括重疊部or以及延伸部er，然而本發(fā)明不以此為限。在一些實(shí)施例中，緩沖層bf的其他部分也包括重疊部or以及延伸部er。

在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql具有第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1以及第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2，緩沖層bf的第一部分bf1具有第一邊緣sw1以及第二邊緣sw2。第一邊緣sw1沿著第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1的延伸方向延伸，第一邊緣sw1與第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1之間在垂直投影面上具有第一距離d1。在此，所述垂直投影面指的是垂直投影至基板bs上表面上。第二邊緣sw2沿著第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2的延伸方向延伸，且第二邊緣sw2與第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2之間在垂直投影面上具有第二距離d2。在本實(shí)施例中，d1＝d2。在本實(shí)施例中，第一邊緣sw1平行第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1，第二邊緣sw2平行第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2。

在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql垂直投影到基板bs表面的寬度a1與重疊部or垂直投影到基板bs表面的寬度a2的比值a1/a2例如介于0.05～1之間。在一實(shí)施例中，a1/a2例如介于0.7～0.9之間。

在一實(shí)施例中，重疊部or具有第一邊界os1及第二邊界os2，第一邊界os1在垂直投影面上介于第一邊緣sw1與第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1之間，第二邊界os2在垂直投影面上介于第二邊緣sw2與第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2之間。在一實(shí)施例中，第一邊界os1在垂直投影面上沿著第一邊緣sw1的延伸方向延伸，例如第一邊界os1平行第一邊緣sw1。第二邊界os2在垂直投影面上沿著第二邊緣sw2的延伸方向延伸，例如第二邊界os2平行第二邊緣sw2。

在一實(shí)施例中，重疊部or在垂直投影面上具有凸出于第一信號(hào)線ql的第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1的寬度w1；也就是說(shuō)，寬度w1為第一邊界os1與第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1之間在垂直投影面上的距離。延伸部er在垂直投影面上具有凸出于第一信號(hào)線ql的第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1的寬度w2；也就是說(shuō)，寬度w2等于第一邊緣sw1與第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1之間在垂直投影面上的距離。在一實(shí)施例中，w1/w2例如介于0.01～0.99之間。在一實(shí)施例中，w1/w2例如介于0.05～0.5之間。在一實(shí)施例中，重疊部or在垂直投影面上凸出第一信號(hào)線ql的第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1的寬度等于重疊部or在垂直投影面上凸出第一信號(hào)線ql的第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2的寬度。在一實(shí)施例中，延伸部er在垂直投影面上凸出第一信號(hào)線ql的第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1的寬度等于延伸部er在垂直投影面上凸出第一信號(hào)線ql的第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2的寬度。

第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l1～l4之間具有重疊區(qū)域r2；更詳而言之，第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4之間彼此交錯(cuò)而形成重疊區(qū)域r1。緩沖層bf的第二部分bf2更設(shè)置在第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l1～l4之間并至少位于重疊區(qū)域r2中。在一些較佳的實(shí)施例中，緩沖層bf的第二部分bf2的重疊部or在垂直投影面上凸出第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l1～l4的重疊區(qū)域r2。

在一實(shí)施例中，第二信號(hào)線c1具有第一長(zhǎng)側(cè)邊ls3以及第二長(zhǎng)側(cè)邊ls4，緩沖層bf的第二部分bf2具有第一邊緣sw3以及第二邊緣sw4。第一邊緣sw3沿著第一長(zhǎng)側(cè)邊ls3的延伸方向延伸，第一邊緣sw3與第一長(zhǎng)側(cè)邊ls3之間在垂直投影面上具有第一距離d3，垂直投影面例如是基板bs面對(duì)第二信號(hào)線c1的表面。第二邊緣sw4沿著第二長(zhǎng)側(cè)邊ls4的延伸方向延伸，且第二邊緣sw4與第二長(zhǎng)側(cè)邊ls4之間在垂直投影面上具有第二距離d4。在本實(shí)施例中，d3＝d4。在本實(shí)施例中，第一邊緣sw3平行第一長(zhǎng)側(cè)邊ls3，第二邊緣sw4平行第二長(zhǎng)側(cè)邊ls4。

在本實(shí)施例中，緩沖層bf的第二部分bf2與第二信號(hào)線c1之間的重疊關(guān)系，類似于緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號(hào)線ql之間的重疊關(guān)系，然而本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，緩沖層bf的第二部分bf2與第二信號(hào)線c1之間的重疊關(guān)系，不同于緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號(hào)線ql之間的重疊關(guān)系。

位于不同重疊區(qū)域中的緩沖層bf不會(huì)互相連接或是重疊。舉例來(lái)說(shuō)，緩沖層bf的第一部分bf1與第二部分bf2之間是分開(kāi)的，因此，第一部分bf1與第二部分bf2不會(huì)互相導(dǎo)通。

在一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)薄膜晶體管都包括半導(dǎo)體通道層，而緩沖層bf與每一個(gè)薄膜晶體管的半導(dǎo)體通道層都是分開(kāi)的，因此，緩沖層bf不會(huì)影響薄膜晶體管所產(chǎn)生的信號(hào)。在一實(shí)施例中，緩沖層bf例如與驅(qū)動(dòng)電路中的薄膜晶體管的半導(dǎo)體通道層屬于同個(gè)膜層。

在本實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql鄰近于第二信號(hào)線c1。第一信號(hào)線ql具有對(duì)應(yīng)于重疊區(qū)域r2的第一轉(zhuǎn)折部t1以及第二轉(zhuǎn)折部t2。因此，在對(duì)應(yīng)重疊區(qū)域r2的第二信號(hào)線c1與第一信號(hào)線ql之間的第一間距ds1大于遠(yuǎn)離重疊區(qū)域r2的第二信號(hào)線c1與第一信號(hào)線ql之間的第二間距ds2。也就是說(shuō)，在對(duì)應(yīng)重疊區(qū)域r2的第二信號(hào)線c1與第一信號(hào)線ql之間的第一間距ds1大于第二信號(hào)線c1與第一信號(hào)線ql的第一轉(zhuǎn)折部t1/第二轉(zhuǎn)折部t2之間的第二間距ds2。通過(guò)第一轉(zhuǎn)折部t1以及第二轉(zhuǎn)折部t2的設(shè)計(jì)，能使第一信號(hào)線ql以及第二信號(hào)線c1之間具有較大的距離可以設(shè)置緩沖層bf的第一部分bf1與第二部分bf2，且能避免緩沖層bf的第一部分bf1與第二部分bf2互相連接或是接觸。

雖然在本實(shí)施例中，僅有第一信號(hào)線ql具有轉(zhuǎn)折部，然而本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，第二信號(hào)線c1及/或第三信號(hào)線(未繪示)也可以有對(duì)應(yīng)于重疊區(qū)域的轉(zhuǎn)折部。

在本實(shí)施例中，輸出信號(hào)線gl與導(dǎo)線l1～l4之間具有第一輸出信號(hào)重疊區(qū)域r3，且緩沖層bf不設(shè)置在第一輸出信號(hào)重疊區(qū)域r3(例如是第一柵極信號(hào)重疊區(qū)域)中。

雖然在本實(shí)施例中，輸出信號(hào)線gl沒(méi)有與第一信號(hào)線ql以及第二信號(hào)線c1重疊，然而本發(fā)明不以此為限。對(duì)應(yīng)于第一信號(hào)線c1、第二信號(hào)線c1以及第三信號(hào)線的緩沖層bf是互相分離的，換句話說(shuō)，第一信號(hào)線c1、第二信號(hào)線c1以及第三信號(hào)線(未繪示)不會(huì)通過(guò)緩沖層bf而電性連接。

本實(shí)施例的一種驅(qū)動(dòng)電路包括輸出電路10、下拉模塊pm、導(dǎo)線l1～l4、第一信號(hào)線ql以及緩沖層bf。導(dǎo)線l1～l4例如電性連接于輸出電路以及下拉模塊之間。第一信號(hào)線ql用以將輸出電路10以及下拉模塊pm耦接于驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)q(n)，其中第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4之間具有重疊區(qū)域r1。緩沖層bf設(shè)置在第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4之間。緩沖層bf包括重疊部or以及延伸部er，重疊部or至少位于重疊區(qū)域r1中，延伸部er位于重疊部or的外側(cè)，且重疊部or的厚度大于延伸部er的厚度。

基于上述，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路中，緩沖層bf設(shè)置在第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4之間以及第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l1～l4之間。因此，可以改善驅(qū)動(dòng)電路中的第一信號(hào)線ql以及第二信號(hào)線c1漏電所造成的信號(hào)異常。

圖4是圖2的驅(qū)動(dòng)電路的另一局部區(qū)域的電路布局示意圖。在此，圖4的實(shí)施例沿用圖3a、圖3b的實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同或近似的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖4的實(shí)施例與圖3a的實(shí)施例的主要差異在于：除了輸出信號(hào)線gl與導(dǎo)線l1～l4之間具有第一輸出信號(hào)重疊區(qū)域r3，且緩沖層bf不設(shè)置在第一輸出信號(hào)重疊區(qū)域r3(例如是第一柵極信號(hào)重疊區(qū)域)中之外，圖4的實(shí)施例的輸出信號(hào)線gl與第一信號(hào)線ql之間具有第二輸出信號(hào)重疊區(qū)域r3a。

在本實(shí)施例中，緩沖層bf的第三部分bf3更設(shè)置在第二輸出信號(hào)重疊區(qū)域r3a(例如是第二柵極信號(hào)重疊區(qū)域)中。在一些實(shí)施例中，輸出信號(hào)線gl與第二信號(hào)線或第三信號(hào)線之間具有重疊區(qū)域，且緩沖層bf設(shè)置在輸出信號(hào)線gl、第二信號(hào)線或第三信號(hào)線之間的重疊區(qū)域中。

基于上述，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路中，緩沖層bf設(shè)置在輸出信號(hào)線gl與第一信號(hào)線ql之間。因此，可以改善驅(qū)動(dòng)電路中的輸出信號(hào)線gl以及第一信號(hào)線ql漏電所造成的信號(hào)異常。

圖5是圖2的驅(qū)動(dòng)電路的另一局部區(qū)域的電路布局示意圖。在此，圖5的實(shí)施例沿用圖3a、圖3b的實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同或近似的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖5的實(shí)施例與圖3a的實(shí)施例的主要差異在于：圖5的實(shí)施例的第一信號(hào)線ql在對(duì)應(yīng)重疊區(qū)域r2的地方?jīng)]有轉(zhuǎn)折部。

在本實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4之間具有重疊區(qū)域r1。緩沖層bf的第一部分bf1設(shè)置在第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4之間。

在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線ql具有第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1以及第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2，緩沖層bf的第一部分bf1具有第一邊緣sw1以及第二邊緣sw2。第一邊緣sw1沿著第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1的延伸方向延伸，第一邊緣sw1與第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1之間在垂直投影面上具有第一距離d1，垂直投影面例如是基板bs面對(duì)第一信號(hào)線ql的表面。第二邊緣sw2沿著第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2的延伸方向延伸，且第二邊緣sw2與該第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2之間在垂直投影面上具有第二距離d2。在本實(shí)施例中，d1>d2。在本實(shí)施例中，第一邊緣sw1平行第一長(zhǎng)側(cè)邊ls1，第二邊緣sw2平行第二長(zhǎng)側(cè)邊ls2。

第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l1～l4之間具有重疊區(qū)域r2。緩沖層bf的第二部分bf2更設(shè)置在第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l1～l4之間并至少位于重疊區(qū)域r2中。在一些較佳的實(shí)施例中，緩沖層bf的第二部分bf2在垂直投影面上凸出第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l1～l4的重疊區(qū)域r2。

在一實(shí)施例中，第二信號(hào)線c1具有第一長(zhǎng)側(cè)邊ls3以及第二長(zhǎng)側(cè)邊ls4，緩沖層bf的第二部分bf2具有第一邊緣sw3以及第二邊緣sw4。第一邊緣sw3沿著第一長(zhǎng)側(cè)邊ls3的延伸方向延伸，第一邊緣sw3與第一長(zhǎng)側(cè)邊ls3之間在垂直投影面上具有第一距離d3，垂直投影面例如是基板bs面對(duì)第二信號(hào)線c1的表面。第二邊緣sw4沿著第二長(zhǎng)側(cè)邊ls4的延伸方向延伸，且第二邊緣sw4與第二長(zhǎng)側(cè)邊ls4之間在垂直投影面上具有第二距離d4。在本實(shí)施例中，d3>d4。在本實(shí)施例中，第一邊緣sw3平行第一長(zhǎng)側(cè)邊ls3，第二邊緣sw4平行第二長(zhǎng)側(cè)邊ls4。

在本實(shí)施例中，緩沖層bf的第一部分bf1的第二邊緣sw2靠近緩沖層bf的第二部分bf2的第二邊緣sw4。由于d1>d2且d3>d4，因此，緩沖層bf的第一部分bf1與第二部分bf2之間可以有足夠的間距，避免緩沖層bf的第一部分bf1與第二部分bf2互相接觸。

基于上述，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路中，緩沖層bf設(shè)置在第一信號(hào)線ql與導(dǎo)線l1～l4之間以及第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l1～l4之間。因此，可以改善驅(qū)動(dòng)電路中的第一信號(hào)線ql以及第二信號(hào)線c1漏電所造成的信號(hào)異常。

圖6是圖2的驅(qū)動(dòng)電路的另一局部區(qū)域的電路布局示意圖。在此，圖6的實(shí)施例沿用圖3a、圖3b的實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同或近似的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路包括了導(dǎo)線l5、導(dǎo)線l6、第二信號(hào)線c1、第三信號(hào)線c2以及第三信號(hào)線c3。導(dǎo)線l5、導(dǎo)線l6分別與第二信號(hào)線c1、第三信號(hào)線c2以及第三信號(hào)線c3屬于不同的金屬層。本實(shí)施例中的導(dǎo)線l5、導(dǎo)線l6例如與圖3a的導(dǎo)線l1～l4屬于同個(gè)膜層，且第二信號(hào)線c1、第三信號(hào)線c2以及第三信號(hào)線c3例如同屬于另外一個(gè)膜層。導(dǎo)線l5與第二信號(hào)線c1、第三信號(hào)線c2以及第三信號(hào)線c3之間例如夾有絕緣層與緩沖層bf。導(dǎo)線l6與第三信號(hào)線c3之間例如夾有絕緣層與緩沖層bf。在一實(shí)施例中，第二信號(hào)線c1例如是用來(lái)傳遞時(shí)脈信號(hào)(例如是時(shí)脈信號(hào)hc)。在一實(shí)施例中，第三信號(hào)線c2例如是用來(lái)傳遞時(shí)脈信號(hào)(例如是時(shí)脈信號(hào)lc1)。在一實(shí)施例中，第三信號(hào)線c3例如是用來(lái)傳遞時(shí)脈信號(hào)(例如是時(shí)脈信號(hào)lc2)。

第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l5之間具有重疊區(qū)域r4。緩沖層bf的第四部分bf4更設(shè)置在第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l5之間并至少位于重疊區(qū)域r4中。在一些較佳的實(shí)施例中，緩沖層bf的第四部分bf4在垂直投影面上凸出第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l5的重疊區(qū)域r4。

在一實(shí)施例中，第二信號(hào)線c1具有第一長(zhǎng)側(cè)邊ls5以及第二長(zhǎng)側(cè)邊ls6，緩沖層bf的第四部分bf4具有第一邊緣sw5以及第二邊緣sw6。第一邊緣sw5沿著第一長(zhǎng)側(cè)邊ls5的延伸方向延伸，第一邊緣sw5與第一長(zhǎng)側(cè)邊ls5之間在垂直投影面上具有第一距離d5，垂直投影面例如是基板bs面對(duì)第二信號(hào)線c1的表面。第二邊緣sw6沿著第二長(zhǎng)側(cè)邊ls6的延伸方向延伸，且第二邊緣sw6與第二長(zhǎng)側(cè)邊ls6之間在垂直投影面上具有第二距離d6。在本實(shí)施例中，d5>d6，然而本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，d5＝d6。在本實(shí)施例中，第一邊緣sw5平行第一長(zhǎng)側(cè)邊ls5，第二邊緣sw6平行第二長(zhǎng)側(cè)邊ls6。

在一實(shí)施例中，緩沖層bf的第四部分bf4與第二信號(hào)線c1之間的重疊關(guān)系，類似于前述實(shí)施例中緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號(hào)線ql之間的重疊關(guān)系，然而本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，緩沖層bf的第四部分bf4與第二信號(hào)線c1之間的重疊關(guān)系，不同于緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號(hào)線ql之間的重疊關(guān)系。

第三信號(hào)線c2與導(dǎo)線l5之間具有重疊區(qū)域r5。緩沖層bf的第五部分bf5更設(shè)置在第三信號(hào)線c2與導(dǎo)線l5之間并至少位于重疊區(qū)域r5中。在一些較佳的實(shí)施例中，緩沖層bf的第五部分bf5在垂直投影面上凸出第三信號(hào)線c2與導(dǎo)線l5的重疊區(qū)域r5。

在一實(shí)施例中，第三信號(hào)線c2具有第一長(zhǎng)側(cè)邊ls7以及第二長(zhǎng)側(cè)邊ls8，緩沖層bf的第五部分bf5具有第一邊緣sw7以及第二邊緣sw8。第一邊緣sw7沿著第一長(zhǎng)側(cè)邊ls7的延伸方向延伸，第一邊緣sw7與第一長(zhǎng)側(cè)邊ls7之間在垂直投影面上具有第一距離d7，垂直投影面例如是基板bs面對(duì)第三信號(hào)線c2的表面。第二邊緣sw8沿著第二長(zhǎng)側(cè)邊ls8的延伸方向延伸，且第二邊緣sw8與第二長(zhǎng)側(cè)邊ls8之間在垂直投影面上具有第二距離d8。在本實(shí)施例中，d7>d8，然而本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，d7＝d8。在本實(shí)施例中，第一邊緣sw7平行第一長(zhǎng)側(cè)邊ls7，第二邊緣sw8平行第二長(zhǎng)側(cè)邊ls8。

在一實(shí)施例中，緩沖層bf的第五部分bf5與第三信號(hào)線c2之間的重疊關(guān)系，類似于前述實(shí)施例中緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號(hào)線ql之間的重疊關(guān)系，然而本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，緩沖層bf的第五部分bf5與第三信號(hào)線c2之間的重疊關(guān)系，不同于緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號(hào)線ql之間的重疊關(guān)系。

第三信號(hào)線c3與導(dǎo)線l5、l6之間具有重疊區(qū)域r6。緩沖層bf的第六部分bf6更設(shè)置在第三信號(hào)線c3與導(dǎo)線l5、l6之間并至少位于重疊區(qū)域r6中。在一些較佳的實(shí)施例中，緩沖層bf的第六部分bf6在垂直投影面上凸出第三信號(hào)線c3與導(dǎo)線l5、l6的重疊區(qū)域r6。

在一實(shí)施例中，第三信號(hào)線c3具有第一長(zhǎng)側(cè)邊ls9以及第二長(zhǎng)側(cè)邊ls10，緩沖層bf的第六部分bf6具有第一邊緣sw9以及第二邊緣sw10。第一邊緣sw9沿著第一長(zhǎng)側(cè)邊ls9的延伸方向延伸，第一邊緣sw9與第一長(zhǎng)側(cè)邊ls9之間在垂直投影面上具有第一距離d9，垂直投影面例如是基板bs面對(duì)第三信號(hào)線c3的表面。第二邊緣sw10沿著第二長(zhǎng)側(cè)邊ls10的延伸方向延伸，且第二邊緣sw10與第二長(zhǎng)側(cè)邊ls10之間在垂直投影面上具有第二距離d10。在本實(shí)施例中，d9＝d10，然而本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，d9>d10。在本實(shí)施例中，第一邊緣sw9平行第一長(zhǎng)側(cè)邊ls9，第二邊緣sw10平行第二長(zhǎng)側(cè)邊ls10。

在一實(shí)施例中，緩沖層bf的第六部分bf6與第三信號(hào)線c3之間的重疊關(guān)系，類似于前述實(shí)施例中緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號(hào)線ql之間的重疊關(guān)系，然而本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，緩沖層bf的第六部分bf6與第三信號(hào)線c3之間的重疊關(guān)系，不同于緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號(hào)線ql之間的重疊關(guān)系。

基于上述，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路中，緩沖層bf設(shè)置在第二信號(hào)線c1與導(dǎo)線l5之間、第三信號(hào)線c2與導(dǎo)線之間、以及第三信號(hào)線c3與導(dǎo)線l5、l6之間。因此，可以改善驅(qū)動(dòng)電路中的第二信號(hào)線c1以及第三信號(hào)線c2、c3漏電所造成的信號(hào)異常。

圖7是現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路的局部電路的剖面示意圖。圖8是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種驅(qū)動(dòng)電路的局部電路的剖面示意圖。圖9是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的一種驅(qū)動(dòng)電路的局部電路的剖面示意圖。圖10是依照本發(fā)明的又一實(shí)施例的一種驅(qū)動(dòng)電路的局部電路的剖面示意圖。

請(qǐng)同時(shí)參考圖7～圖10，導(dǎo)線100設(shè)置在基板bs上。信號(hào)線200設(shè)置在導(dǎo)線100上，且信號(hào)線200與導(dǎo)線100之間夾有絕緣層110。信號(hào)線200例如類似于前述實(shí)施例中的第一信號(hào)線、第二信號(hào)線或第三信號(hào)線。在一實(shí)施例中，信號(hào)線200例如包括頂層204與底層202，其中底層202與絕緣層110接觸。絕緣層210a～210d覆蓋信號(hào)線200，且絕緣層210a～210d包括第一應(yīng)力區(qū)212a～212d以及第二應(yīng)力區(qū)214。第一應(yīng)力區(qū)212a～212d的應(yīng)力大于第二應(yīng)力區(qū)214的應(yīng)力。

在圖7的比較例(現(xiàn)有技術(shù))中，信號(hào)線200與絕緣層110之間沒(méi)有設(shè)置緩沖層。而在圖8～圖10的實(shí)施例中，信號(hào)線200與絕緣層110之間設(shè)置有緩沖層120。緩沖層120包括重疊部122與延伸部124。重疊部122包括摻雜部122a以及非晶部122b。在圖8與圖9的實(shí)施例中，重疊部122在垂直投影面(例如是基板bs面對(duì)信號(hào)線200的表面)上凸出信號(hào)線200的一側(cè)。圖8的實(shí)施例中的重疊部122凸出信號(hào)線200的一側(cè)的寬度大于圖9的實(shí)施例中的重疊部122凸出信號(hào)線200的一側(cè)的寬度。在本實(shí)施例中，圖8的重疊部122的w1/w2約為0.3，圖9的重疊部122的w1/w2為0.1。在圖10的實(shí)施例中，重疊部122則與信號(hào)線200的側(cè)面切齊，換句話說(shuō)，在圖10的實(shí)施例中，重疊部122沒(méi)有凸出信號(hào)線200的一側(cè)。

當(dāng)信號(hào)線200與絕緣層110之間設(shè)置有緩沖層120時(shí)(圖8～圖10)，靠近信號(hào)線200邊界處(緩沖層120、信號(hào)線200以及絕緣層210交界)的第一應(yīng)力區(qū)212b～212d的寬度，會(huì)大于沒(méi)有設(shè)置有緩沖層120時(shí)(圖7)，靠近信號(hào)線200邊界處(緩沖層120、信號(hào)線200以及絕緣層110交界)的第一應(yīng)力區(qū)212a的寬度。換句話說(shuō)，當(dāng)設(shè)置有緩沖層120時(shí)，第一應(yīng)力區(qū)212b～212d被分散開(kāi)來(lái)。此外，第一應(yīng)力區(qū)212b～212d的應(yīng)力(圖8～圖10)小于第一應(yīng)力區(qū)212a(圖7)的應(yīng)力，因此，絕緣層210b～210d比較不容易在后續(xù)制程中由于應(yīng)力集中而產(chǎn)生破洞。

此外，由圖8～圖10可以發(fā)現(xiàn)，在重疊部122凸出信號(hào)線200的一側(cè)的寬度較大的圖8中，第一應(yīng)力區(qū)212b的寬度相對(duì)的大于圖9的第一應(yīng)力區(qū)212c的寬度，而第一應(yīng)力區(qū)212c的寬度又大于第一應(yīng)力區(qū)212d的寬度。由此可知，在重疊部122凸出信號(hào)線200的圖9的實(shí)施例可以較佳的分散絕緣層210c的應(yīng)力，使絕緣層210c較不容易在后續(xù)制程中由于應(yīng)力集中而產(chǎn)生破洞。圖8的實(shí)施例則可以更佳的分散絕緣層210b的應(yīng)力，使絕緣層210b更不容易在后續(xù)制程中由于應(yīng)力集中而產(chǎn)生破洞。

圖11a是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種驅(qū)動(dòng)電路的局部電路的剖面示意圖。在此必須說(shuō)明的是，圖11a的實(shí)施例沿用圖8的實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同或近似的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖11a的實(shí)施例與圖8實(shí)施例的差異在于，圖11a的緩沖層120的延伸部124包括延伸邊緣部124b以及延伸連接部124a。

在本實(shí)施例中，延伸連接部124a位在延伸邊緣部124b與重疊部122之間。

在一實(shí)施例中，在形成信號(hào)線200之后且在形成絕緣層210之前，例如會(huì)進(jìn)行一蝕刻制程(例如是等離子體蝕刻制程)。前述的蝕刻制程是以信號(hào)線200為罩幕而進(jìn)行蝕刻，由于蝕刻率差異性的緣故，因而使得越靠近信號(hào)線200的緩沖層120會(huì)有越厚的厚度(亦即蝕刻率較低)，較遠(yuǎn)離信號(hào)線200的緩沖層120的厚度較薄(亦即蝕刻率較高)。在一實(shí)施例中，重疊部122的厚度為h1，延伸連接部124a的厚度為h2，延伸邊緣部124b的厚度為h3，h1>h2>h3。

基于上述，本實(shí)施例中的信號(hào)線200與絕緣層110之間設(shè)置有緩沖層，因此，絕緣層210的應(yīng)力可以被分散開(kāi)來(lái)，使絕緣層210比較不容易在后續(xù)制程中由于應(yīng)力集中而產(chǎn)生破洞。

圖11b是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種驅(qū)動(dòng)電路的局部電路的剖面示意圖。在此必須說(shuō)明的是，圖11b的實(shí)施例沿用圖11a的實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同或近似的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖11b的實(shí)施例與圖11a的實(shí)施例的差異在于，圖11b的緩沖層120的重疊部122不包括摻雜部122a。

在本實(shí)施例中，緩沖層120例如為單層結(jié)構(gòu)，重疊部122的厚度為h1，延伸連接部124a的厚度為h2，延伸邊緣部124b的厚度為h3，h1>h2>h3。

基于上述，本實(shí)施例中的信號(hào)線200與絕緣層110之間設(shè)置有緩沖層，因此，絕緣層210的應(yīng)力可以被分散開(kāi)來(lái)，使絕緣層210比較不容易在后續(xù)制程中由于應(yīng)力集中而產(chǎn)生破洞。

綜上所述，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路中，信號(hào)線與導(dǎo)線之間設(shè)置有緩沖層，因此，可以改善驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)線與導(dǎo)線漏電所造成的信號(hào)異常。在一實(shí)施例中，信號(hào)線是用來(lái)傳遞時(shí)脈信號(hào)或驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，緩沖層包括重疊部與延伸部，其中重疊部的厚度大于延伸部的厚度，且重疊部在垂直投影面上凸出信號(hào)線的一側(cè)。因此，信號(hào)線上的絕緣層所受到的應(yīng)力可以被分散開(kāi)來(lái)，使絕緣層比較不容易在后續(xù)制程中由于應(yīng)力集中而產(chǎn)生破洞。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的變動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。