顯示面板及其驅(qū)動方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及其驅(qū)動方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，常規(guī)的顯示面板已逐漸被便攜式平板顯示面板取代。而有機發(fā)光顯示面板憑借其高亮度、寬視角、良好的對比度低功耗、高速的響應(yīng)速度更加引起人們的廣泛關(guān)注。
[0003]然而，當AMOLED (Active-matrix organic light emitting d1de，有源矩陣有機發(fā)光二極管)顯示面板向高分辨率發(fā)展時，由于像素面積的減小，布線空間不夠成為了業(yè)內(nèi)的最大難題，尤其在像素電路中薄膜晶體管的數(shù)量不可減少的情形下，減少電源線開拓了另一種趨勢。另外，由于LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶娃技術(shù))工藝水平的影響，像素中薄膜晶體管的閾值電壓會出現(xiàn)不同程度偏移，進而造成顯示畫面亮度不均。有鑒于此，設(shè)計一種包括像素電路的AMOLED顯示面板，以消除上述諸多缺陷，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一項課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的主要目的在于提供一種顯示面板及其驅(qū)動方法和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中在克服顯示畫面亮度不均的同時不能同時減少像素面積的問題。
[0005]為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示面板，包括設(shè)置于顯示基板上的橫縱交錯的多根柵極掃描線、多根數(shù)據(jù)線和多個像素電路，所述像素電路形成于相鄰的兩柵極掃描線和兩數(shù)據(jù)線界定出的像素區(qū)域中，所述像素電路包括:
[0006]存儲電容；
[0007]驅(qū)動晶體管，柵極與所述存儲電容的第一端連接，第一極接入第一電源電壓；
[0008]初始化模塊，第一端與本級柵極掃描線連接，第二端與所述存儲電容的第一端連接，用于在每一顯示周期的初始化時間段控制由本級柵極掃描線為所述存儲電容的第一端提供初始化電壓；
[0009]補償模塊，用于在每一顯示周期的閾值補償時間段控制所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述驅(qū)動晶體管的第二極導(dǎo)通；
[0010]數(shù)據(jù)寫入模塊，用于在每一顯示周期的閾值補償時間段控制數(shù)據(jù)電壓寫入所述存儲電容的第二端；
[0011]復(fù)位模塊，第一端與本級柵極掃描線連接，第二端與所述存儲電容的第二端連接，用于在每一顯示周期的發(fā)光時間段控制所述本級柵極掃描線與所述存儲電容的第二端導(dǎo)通；以及，
[0012]發(fā)光控制模塊，用于在每一顯示周期的發(fā)光時間段控制所述驅(qū)動晶體管的第二極與發(fā)光元件導(dǎo)通；
[0013]所述驅(qū)動晶體管在每一顯示周期的發(fā)光時間段導(dǎo)通以驅(qū)動發(fā)光元件發(fā)光。
[0014]實施時，所述初始化模塊包括:初始化晶體管，柵極與上一級柵極掃描線連接，第一極與本級柵極掃描線連接，第二極與所述存儲電容的第一端連接。
[0015]實施時，所述補償模塊包括:補償晶體管，柵極與本級柵極掃描線連接，第一極與所述驅(qū)動晶體管的第二極連接，第二極與所述存儲電容的第一端連接。
[0016]實施時，所述數(shù)據(jù)寫入模塊包括:數(shù)據(jù)寫入晶體管，柵極與本級柵極掃描線連接，第一極與所述存儲電容的第二端連接，第二極接入數(shù)據(jù)電壓。
[0017]實施時，所述復(fù)位模塊包括:復(fù)位晶體管，柵極接入發(fā)光控制信號，第一極與所述存儲電容的第二端連接，第二極與本級柵極掃描線連接。
[0018]實施時，所述發(fā)光控制模塊包括:發(fā)光控制晶體管，柵極接入發(fā)光控制信號，第一極與所述驅(qū)動晶體管的第二極連接，第二極與所述發(fā)光元件連接。
[0019]實施時，所述驅(qū)動晶體管、所述初始化晶體管、所述補償晶體管、所述數(shù)據(jù)寫入晶體管、所述復(fù)位晶體管和所述發(fā)光控制晶體管都為P型晶體管。
[0020]本發(fā)明還提供了一種顯示面板的驅(qū)動方法，用于驅(qū)動上述的顯示面板，所述驅(qū)動方法包括:
[0021]初始化階段:在每一顯示周期的初始化時間段，初始化模塊控制由本級柵極掃描線為所述存儲電容的第一端提供初始化電壓；
[0022]閾值補償階段:在每一顯示周期的閾值補償時間段，數(shù)據(jù)寫入模塊控制數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入所述存儲電容的第二端，補償模塊控制所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述驅(qū)動晶體管的第二極導(dǎo)通；
[0023]發(fā)光階段:在每一顯示周期的發(fā)光時間段，復(fù)位模塊控制所述本級柵極掃描線與所述存儲電容的第二端導(dǎo)通，發(fā)光控制模塊控制所述驅(qū)動晶體管的第二極與發(fā)光元件導(dǎo)通，所述驅(qū)動晶體管導(dǎo)通以驅(qū)動發(fā)光元件發(fā)光。
[0024]實施時，當所述驅(qū)動晶體管為P型晶體管時，第一電源電壓為高電平VDD ;
[0025]所述初始化電壓為高電平；
[0026]所述閾值補償階段包括:在每一顯示周期的閾值補償時間段，所述驅(qū)動晶體管處于二極管導(dǎo)通狀態(tài)，直至所述驅(qū)動晶體管的柵極的電位被充電而拉升至VDD+Vth，所述驅(qū)動晶體管關(guān)閉，Vth為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，所述存儲電容的第二端和所述存儲電容的第一端之間的電位差為Vdata-VDD-Vth ；
[0027]所述發(fā)光階段包括:在每一顯示周期的發(fā)光時間段，本級柵極掃描線輸出的本級柵極掃描信號VSn為高電平，所述存儲電容的第一端處于浮空狀態(tài)，所述存儲電容的第一端的電位跳變?yōu)閂DD+Vth-Vdata+VSn，所述驅(qū)動晶體管的柵源電壓Vgs為VSn-Vdata，以使得所述驅(qū)動晶體管的導(dǎo)通電流與Vth和VDD無關(guān)。
[0028]實施時，所述驅(qū)動方法在所述初始化階段之前還包括:第一準備階段:上一級柵極掃描線輸出高電平，本級柵極掃描線輸出高電平，驅(qū)動晶體管、初始化晶體管、補償晶體管和數(shù)據(jù)寫入晶體管都保持關(guān)閉，發(fā)光控制信號由低電平拉升至高電平，以控制復(fù)位晶體管和發(fā)光控制晶體管由打開狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)閉狀態(tài)；
[0029]所述驅(qū)動方法在所述初始化階段和所述閾值補償階段之間還包括:第二準備階段:上一級柵極掃描線輸出高電平，所述初始化晶體管關(guān)閉，本級柵極掃描線繼續(xù)輸出高電平，發(fā)光控制信號維持高電平，補償晶體管、數(shù)據(jù)寫入晶體管、復(fù)位晶體管、發(fā)光控制晶體管和驅(qū)動晶體管都關(guān)閉；
[0030]所述驅(qū)動方法在所述閾值補償階段和所述發(fā)光階段之間還包括:第三準備階段:上一級柵極掃描線繼續(xù)輸出低電平，本級柵極掃描線輸出的本級柵極掃描信號由低電平拉升至高電平，存儲電容的第一端與存儲電容的第二端之間的電位差為Vdata-VDD-Vth。
[0031]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。
[0032]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的顯示面板及其驅(qū)動方法和顯示裝置，在消除由于驅(qū)動晶體管閾值電壓偏移和電源線IR壓降(IR壓降是指出現(xiàn)在集成電路中電源和地網(wǎng)絡(luò)上電壓下降或升高的一種現(xiàn)象)造成的發(fā)光元件發(fā)光亮度不均的問題的同時，采用本級柵極掃描線來提供初始化電壓和復(fù)位電壓，有效利用了本級柵極掃描信號，從而減少像素空間內(nèi)的走線，為實現(xiàn)高分辨率顯示提供了便利。
【附圖說明】
[0033]圖1是本發(fā)明實施例所述的顯示面板包括的像素電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0034]圖2是本發(fā)明另一實施例所述的顯示面板包括的像素電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0035]圖3是本發(fā)明所述的顯示面板包括的像素電路的一具體實施例的電路圖；
[0036]圖4是本發(fā)明如圖3所示的顯示面板的像素電路的具體實施例的工作時序圖。
【具體實施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0038]本發(fā)明實施例所述的顯示面板，包括設(shè)置于顯示基板上的橫縱交錯的多根柵極掃描線、多根數(shù)據(jù)線和多個像素電路，所述像素電路形成于相鄰的兩柵極掃描線和兩數(shù)據(jù)線界定出的像素區(qū)域中，如圖1所示，所述像素電路包括:
[0039]存儲電容Cs;
[0040]驅(qū)動晶體管DTFT，柵極與所述