顯示裝置及其驅(qū)動方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置及其驅(qū)動方法，更詳細地說，涉及具有像素電路的顯示裝置及其驅(qū)動方法，該像素電路包含有機EL (Electro Luminescence，電致發(fā)光)元件等的電光學元件。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，作為顯示裝置所具有的顯示元件，有根據(jù)施加的電壓控制亮度的電光學元件和利用流動的電流控制亮度的電光學元件。作為根據(jù)施加的電壓控制亮度的電光學元件的代表例，能夠舉出液晶顯示元件。另一方面，作為根據(jù)流動的電流控制亮度的電光學元件的代表例，能夠舉出有機EL元件。有機EL元件被稱為OLED (Organic Light 一Emitting D1de，有機發(fā)光二極管)。使用作為自發(fā)光型的電光學元件的有機EL元件的有機EL顯示裝置，與需要背光源和濾色片等的液晶顯示裝置相比，能夠容易地達到薄型化、低耗電化、高亮度化等。由此，近年來積極地進行有機EL顯示裝置的開發(fā)。
[0003]作為有機EL顯示裝置的驅(qū)動方式，已知無源矩陣方式(也稱為單純矩陣方式。)和有源矩陣方式。采用無源矩陣方式的有機EL顯示裝置，構(gòu)造簡單，但難以進行大型化和高精細化。與此不同，采用有源矩陣方式的有機EL顯示裝置(以下稱為“有源矩陣型的有機EL顯示裝置”。)，與采用無源矩陣方式的有機EL顯示裝置相比，能夠容易地實現(xiàn)大型化和高精細化。
[0004]在有源矩陣型的有機EL顯示裝置中，矩陣狀地形成有多個像素電路。有源矩陣型的有機EL顯示裝置的像素電路典型地包括選擇像素的輸入晶體管和控制對有機EL元件的電流提供的驅(qū)動晶體管。另外，以下有時將從驅(qū)動晶體管向有機EL兀件流動的電流稱為“驅(qū)動電流”。
[0005]圖51是表示現(xiàn)有的一般的像素電路91的結(jié)構(gòu)的電路圖。該像素電路91與配置在顯示部的多個數(shù)據(jù)線S和多個掃描線G的各交叉點對應(yīng)地設(shè)置。如圖51所示，該像素電路91包括2個晶體管T1、T2、1個電容器Cst、1個有機EL元件0LED。晶體管T1是輸入晶體管，晶體管T2是驅(qū)動晶體管。
[0006]晶體管T1設(shè)置在數(shù)據(jù)線S與晶體管T2的柵極端子之間。關(guān)于該晶體管T1，柵極端子與掃描線G連接，源極端子與數(shù)據(jù)線S連接。晶體管T2與有機EL元件0LED串聯(lián)設(shè)置。關(guān)于該晶體管T2，漏極端子與提供高電平電源電壓ELVDD的電源線連接，源極端子與有機EL元件0LED的陽極端子。另外，以下將提供高電平電源電壓ELVDD的電源線稱為“高電平電源線”，對高電平電源線標注與高電平電源電壓相同的附圖標記ELVDD。關(guān)于電容器Cst，一端與晶體管T2的柵極端子連接，另一端與晶體管T2的源極端子連接。有機EL元件0LED的陰極端子與提供低電平電源電壓ELVSS的電源線連接。另外，以下將提供低電平電源電壓ELVSS的電源線稱為“低電平電源線”，對低電平電源線標注與低電平電源電壓相同的附圖標記ELVSS。此外，此處，為了方便，將晶體管T2的柵極端子、電容器Cst的一端和晶體管T1的漏極端子的連接點稱為“柵極節(jié)點VG”。另外，一般來說，將漏極和源極中電位較高的一方稱為漏極，但本說明書的說明中，由于將一方定義為漏極，將另一方定義為源極，因此也存在源極電位比漏極電位高的情況。
[0007]圖52是用于說明圖51所示的像素電路91的動作的時序圖。在時刻tl以前，掃描線G為非選擇狀態(tài)。由此，在時刻tl以前，晶體管T1在為截止狀態(tài)，柵極節(jié)點VG的電位維持為初始電平(例如，與前1幀的寫入相應(yīng)的電平)。當成為時刻tl時，掃描線G成為選擇狀態(tài)，晶體管T1導通。由此，經(jīng)由數(shù)據(jù)線S和晶體管T1，與該像素電路91所形成的像素(子像素)的亮度相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Vdata被提供至柵極節(jié)點VG。之后，在時刻t2之前的期間，柵極節(jié)點VG的電位與數(shù)據(jù)電壓Vdata相應(yīng)地變化。此時，電容器Cst對作為柵極節(jié)點VG的電位與晶體管T2的源極電位的差的柵極一源極間電壓Vgs充電。當成為時刻t2時，掃描線G成為非選擇狀態(tài)。由此，晶體管T1截止，電容Cst所保持的柵極一源極間電壓Vgs確定。晶體管T2根據(jù)電容器Cst所保持的柵極一源極間電壓Vgs向有機EL元件0LED提供驅(qū)動電流。結(jié)果，有機EL元件0LED以與驅(qū)動電流相應(yīng)的亮度發(fā)光。
[0008]而在有機EL顯示裝置中，作為驅(qū)動晶體管，典型的是采用薄膜晶體管(TFT)。但是，薄膜晶體管的特性容易產(chǎn)生偏差。具體地說，是閾值電壓容易產(chǎn)生偏差。當在設(shè)置于顯示部內(nèi)的驅(qū)動晶體管中產(chǎn)生閾值電壓的偏差時，會產(chǎn)生亮度的偏差，因此顯示品質(zhì)下降。此夕卜，有機EL元件隨著時間的經(jīng)過而電流效率下降。由此，即使一定電流被供給至有機EL元件，隨著時間的經(jīng)過亮度也逐漸下降。結(jié)果產(chǎn)生殘影。
[0009]如果不對驅(qū)動晶體管的劣化和有機EL元件的劣化進行補償，則如圖53所示，由于驅(qū)動晶體管的劣化導致發(fā)生電流下降，而且由于有機EL元件的劣化導致發(fā)生亮度下降。此夕卜，即使對驅(qū)動晶體管的劣化進行補償，如果不對有機EL元件的劣化進行補償，則如圖54所示，隨著時間的經(jīng)過，會由于有機EL元件的劣化導致發(fā)生亮度下降。于是，現(xiàn)有技術(shù)中，提出了對于有機EL顯示裝置補償電路元件的劣化的技術(shù)方案。
[0010]作為關(guān)于補償處理的技術(shù)，已知下述技術(shù):在像素電路的內(nèi)部例如設(shè)置在驅(qū)動晶體管的柵極一源極間的電容器保持該驅(qū)動晶體管的閾值電壓，由此進行補償處理的內(nèi)部補償技術(shù)；和由設(shè)置在像素電路的外部的電路對例如規(guī)定條件下在驅(qū)動晶體管流動的電流的大小進行測定，基于其測定結(jié)果修正視頻信號，由此進行補償處理的外部補償技術(shù)。
[0011]另外，已知與本發(fā)明相關(guān)的以下的現(xiàn)有技術(shù)文獻。在日本特表2008 — 523448號公報中，公開了基于驅(qū)動晶體管的特性、有機EL元件的特性修正數(shù)據(jù)的外部補償技術(shù)。在日本特開2007 - 233326號公報中，公開了無論驅(qū)動晶體管的閾值電壓、電子迀移率如何，都能夠進行均勻亮度的圖像顯示的外部補償技術(shù)。
[0012]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0013]專利文獻
[0014]專利文獻1:日本特表2008 - 523448號公報
[0015]專利文獻2:日本特開2007 - 233326號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0017]在有機EL顯示裝置中采用外部補償技術(shù)的情況下，通過檢測幾十納安程度的極小的電流進行補償處理。因此，當例如由于帶電物質(zhì)的接近而導致噪聲混入檢測電流中時，在本來的電流值與測定值之間產(chǎn)生不能夠忽略的程度的誤差。此外，近年來，開始出售搭載有觸控面板的有機EL顯示裝置。觸控面板比較容易產(chǎn)生噪聲。于是，由于從觸控面板產(chǎn)生的噪聲的影響，會在本來的電流值與測定值之間產(chǎn)生誤差。如上所述，在有機EL顯示裝置中采用外部補償技術(shù)的情況下，擔心由于帶電物質(zhì)的接近、觸控面板的存在導致在檢測電流中混入噪聲、檢測電流的S/N比劣化(參照圖55)。當檢測電流的S/N比劣化時，補償?shù)木认陆怠?br>[0018]上述日本特表2008 - 523448號公報和日本特開2007 — 233326號公報中，對于噪聲沒有任何記載。由此，在混入噪聲的情況下，檢測電流的S/N比劣化，補償?shù)木认陆怠?br>[0019]于是，本發(fā)明的目的是，在為了補償電路元件的劣化而采用外部補償技術(shù)的顯示裝置中，防止由噪聲引起的補償精度的下降。
[0020]用于解決問題的技術(shù)方案
[0021]本發(fā)明的第1方面提供一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置具有由nXm個(η和m是2以上的整數(shù))像素電路構(gòu)成的η行Xm列的像素矩陣，上述像素電路分別包含利用電流控制亮度的電光學元件和用于控制要供給到上述電光學元件的電流的驅(qū)動晶體管，該顯示裝置的驅(qū)動方法的特征在于，包括:
[0022]測定噪聲的噪聲測定步驟；
[0023]檢測上述驅(qū)動晶體管和上述電光學元件中的至少一方的特性的特性檢測步驟；
[0024]基于上述特性檢測步驟中的檢測結(jié)果，更新在設(shè)置于上述顯示裝置的修正數(shù)據(jù)存儲部中存儲的修正數(shù)據(jù)的修正數(shù)據(jù)更新步驟；和
[0025]基于在上述修正數(shù)據(jù)存儲部中存儲的修正數(shù)據(jù)，修正用于供給到上述nXm個像素電路的視頻信號的視頻信號修正步驟，
[0026]在上述噪聲測定步驟中檢測出基準值以上的噪聲時，不進行緊接在檢測出該噪聲的時刻之后的上述特性檢測步驟的處理，或者，不進行基于在檢測出該噪聲的時刻的鄰近時刻進行的上述特性檢測步驟中的檢測結(jié)果的上述修正數(shù)據(jù)更新步驟的處理。
[0027]本發(fā)明的第2方面的特征在于，在本發(fā)明的第1方面中，
[0028]在上述噪聲測定步驟中檢測出上述基準值以上的噪聲時，不進行以下處理中的至少一方:基于緊接在檢測出該噪聲的時刻之前進行的上述特性檢測步驟中的檢測結(jié)果的上述修正數(shù)據(jù)更新步驟的處理；和基于緊接在檢測出該噪聲的時刻之后進行的上述特性檢測步驟中的檢測結(jié)果的上述修正數(shù)據(jù)更新步驟的處理。
[0029]本發(fā)明的第3方面的特征在于，在本發(fā)明的第1方面中，
[0030]在幀期間，在上述特性檢測步驟中僅對上述像素矩陣的1行檢測上述驅(qū)動晶體管和上述電光學元件中的至少一方的特性，
[0031]在將對第Z行(Z為1以上η以下的整數(shù))進行上述特性檢測步驟的處理的幀期間定義為對象幀期間時，
[0032]在上述對象幀期間，在上述噪聲測定步驟中檢測出上述基準值以上的噪聲時，不進行基于在上述對象幀期間進行的上述特性檢測步驟中的檢測結(jié)果的上述修正數(shù)據(jù)更新步驟的處理，在上述對象幀期間的下一幀期間對第Ζ行進行上述特性檢測步驟的處理，
[0033]在上述對象幀期間，在上述噪聲測定步驟中沒有檢測出上述基準值以上的噪聲，并且在上述對象幀期間的下一幀期間，在上述噪聲測定步驟中檢測出上述基準值以上的噪聲時，不進行基于在上述對象幀期間進行的上述特性檢測步驟中的檢測結(jié)果的上述修正數(shù)據(jù)更新步驟的處理，和基于在上述對象幀期間的下一幀期間進行的上述特性檢測步驟中的檢測結(jié)果的上述修正數(shù)據(jù)更新步驟的處理，在上述對象幀期間的2幀后的幀期間也對第Z行進行上述特性檢測步驟的處理。
[0034]本發(fā)明的第4方面的特征在于，在本發(fā)明的第1方面中，
[0035]在幀期間，在上述特性檢測步驟中僅對上述像素矩陣的1行檢測上述驅(qū)動晶體管和上述電光學元件中的至少一方的特性，
[0036]基于對第Z行(Z為1以上η以下的整數(shù))的上述特性檢測步驟中的檢測結(jié)果的上述修正數(shù)據(jù)更新步驟的處理，僅在緊接對第Ζ行的上述特性檢測步驟之前進行的上述噪聲測定步驟和緊接對第Ζ行的上述特性檢測步驟之后進行的上述噪聲測定步驟兩者中均沒有檢測到上述基準值以上的噪聲時進行。
[0037]本發(fā)明的第5方面的特征在于，在本發(fā)明的第4方面中，
[0038]在幀期間，在上述特性檢測步驟的前后進行上述噪聲測定步驟的處理。
[0039]本發(fā)明的第6方面的特征在于，在本發(fā)明的第1方面中，
[0040]按每多個幀期間進行上述噪聲測定步驟的處理。
[0041]本發(fā)明的第7方面的特征在于，在本發(fā)明的第1方面中，
[0042]上述特性檢測步驟包括:
[0043]檢測上述驅(qū)動晶體管的特性的第一特性檢測步驟；和
[0044]檢測上述電光學元件的特性的第二特性檢測步驟，
[0045]1幀期間包括:進行上述噪聲測定步驟的處理的噪聲測定期間；進行使上述電光學元件發(fā)光的準備的選擇期間；和進行上述電光學元件的發(fā)光的發(fā)光期間，
[0046]上述第一特性檢測步驟的處理在上述選擇期間進行，
[0047]上述第二特性檢測步驟的處理在上述發(fā)光期間進行。
[0048]本發(fā)明的第8方面的特征在于，在本發(fā)明的第7方面中，
[0049]在上述第二特性檢測步驟中，在對上述電光學元件提供一定的電流的狀態(tài)下測定上述電光學元件的陽極的電壓，由此檢測上述電光學元件的特性。
[0050]本發(fā)明的第9方面的特征在于，在本發(fā)明的第7方面中，
[0051]在上述第二特性檢測步驟中，在對上述電光學元件提供一定的電壓的狀態(tài)下測定在上述電光學元件中流動的電流，由此檢測上述電光學元件的特性。
[0052]本發(fā)明的第10方面的特征在于，在本發(fā)明的第7方面中，
[0053]在上述第一特性檢測步驟中，在使上述驅(qū)動晶體管的柵極一源極間的電壓為規(guī)定的大小的狀態(tài)下測定在上述驅(qū)動晶體管的漏極一源極間流動的電流，由此檢測上述驅(qū)動晶體管的特性。
[0054]本發(fā)明的第11方面的特征在于，在本發(fā)明的第1方面中，
[0055]上述顯示裝置還具有觸控面板，
[0056]在進行上述觸控面板的時鐘動作的期間不進行上述特性檢測步驟的處理。
[0057]本發(fā)明的第12方面的特征在于，在本發(fā)明的第11方面中，
[0058]上述觸控面板在垂直回掃期間中進行時鐘動作，
[0059]在垂直回掃期間不進行上述特性檢測步驟的處理。
[0060]本發(fā)明的第13方面提供一種顯示裝置，其具有由nXm個(η和m是2以上的整數(shù))像素電路構(gòu)成的η行Xm列的像素矩陣，上述像素電路分別包含利用電流控制亮度的電光學元件和用于控制要供給到上述電光學元件的電流的驅(qū)動晶體管，該顯示裝置的特征在于，包括:
[0061]進行檢測上述驅(qū)動晶體管和上述電光學元件中的至少一方的特性的特性檢測處理，并且驅(qū)動上述nXm個像素電路的像素電路驅(qū)動部；
[0062]存儲用于修正視頻信號的修正數(shù)據(jù)的修正數(shù)據(jù)存儲部；
[0063]控制部，其進行基于上述特性檢測處理中的檢測結(jié)果更新在上述修正數(shù)據(jù)存儲部中存儲的修正數(shù)據(jù)的修正數(shù)據(jù)更新處理，和基于在上述修正數(shù)據(jù)存儲部中存儲的修正數(shù)據(jù)修正用于供給到上述nXm個像素電路的視頻信號的視頻信號修正處理，并且控制上述像素電路驅(qū)動部的動作；和
[0064]測定噪聲的噪聲測定部，
[0065]上述控制部在上述噪聲測定部檢測出基準值以上的噪聲時，控制上述像素電路驅(qū)動部的動作，使得不進行緊接在檢測出該噪聲的時刻之后的上述特性檢測處理，或者，不進行基于在檢測出該噪聲的時刻的鄰近時刻進行的上述特性檢測處理中的檢測結(jié)果的上述修正數(shù)據(jù)更新處理。
[0066]本發(fā)明的第14方面的特征在于，在本發(fā)明的第13方面中，
[0067]上述控制部在上述噪聲測定部檢測出上述基準值以上的噪聲時，不進行以下處理中的至少一方:基于緊接在檢測出該噪聲的時刻之前進行的上述特性檢測處理中的檢測結(jié)果的上述修正數(shù)據(jù)更新處理；和基于緊接在檢測出該噪聲的時刻之后進行的上述特性檢測處理中的檢測結(jié)果的上述修正數(shù)據(jù)更新處理。
[0068]本發(fā)明的第15方面的特征在于，在本發(fā)明的第13方面中，
[0069]還包括以與上述像素矩陣的各列對應(yīng)的方式設(shè)置的監(jiān)視線，
[0070]上述像素電路驅(qū)動部包括通過測定在上述監(jiān)視線流動的電流或上述監(jiān)視線上的規(guī)定位置的電壓來進行上述特性檢測處理的特性檢測部
[0071]本發(fā)明的第16方面的特征在于，在本發(fā)明的第15方面中，
[0072]上述噪聲測定部與上述特性檢測部共用相同的電路，
[0073]在上述噪聲測定部進行噪聲測定時，上述監(jiān)視線為與上述電光學元件和上述驅(qū)動晶體管電分離的狀態(tài)。
[0074]本發(fā)明的第17方面的特征在于，在本發(fā)明的第15方面中，
[0075]上述噪聲測定部與上述特性檢測部分開地設(shè)置在包括上述像素矩陣的有機EL面板的外部。
[0076]本發(fā)明的第18方面的特征在于，在本發(fā)明的第15方面中，
[0077]對每K根(K為2以上m以下的整數(shù))監(jiān)視線僅設(shè)置有1個上述特性檢測部，
[0078]在幀期間中，
[0079]上述K根監(jiān)視線中的1根監(jiān)視線與上述特性檢測部電連接，
[0080]不與上述特性檢測部電連接的監(jiān)視線成為高阻抗的狀態(tài)。
[0081]本發(fā)明的第19方面的特征在于，在本發(fā)明的第13方面中，
[0082]還包括觸控面板，
[0083]上述控制部控制上述像素電路驅(qū)動部的動作，使得上述特性檢測處理在進行上述觸控面板的時鐘動作的期間停止。
[0084]本發(fā)明的第20方面的特征在于，在本發(fā)明的第19方面中，
[0085]上述觸控面板在垂直回掃期間中進行時鐘動作，
[0086]上述控制部控制上述像素電路驅(qū)動部的動作，使得上述特性檢測處理在垂直回掃