一種高顯示度超導(dǎo)磁通量子鎖演示實(shí)驗(yàn)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種高顯示度超導(dǎo)磁通量子鎖演示實(shí)驗(yàn)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在超導(dǎo)磁通量子鎖的演示實(shí)驗(yàn)中，目前采用的方法為，在圓形藍(lán)寶石玻璃片上生長出整塊大面積的單晶超導(dǎo)薄膜。該薄膜具有較高的釘扎或捕獲磁通能力強(qiáng)。在超導(dǎo)態(tài)下，利用超導(dǎo)磁懸浮特有的自穩(wěn)定，在外力作用下，可改變單晶超導(dǎo)薄膜在懸浮中不同的角度，即鎖定不同的姿態(tài)。
[0003]目前的實(shí)驗(yàn)方法存在以下兩種缺陷:I)因考慮到演示效果，要求在藍(lán)寶石玻璃片上生長出整塊大面積的單晶超導(dǎo)薄膜，故成本高。2)單晶超導(dǎo)薄膜是生長在圓形藍(lán)寶石玻璃片的表面上并為一體，因自身材料的重量，故懸浮高度低。由于存在以上兩個缺陷，直接導(dǎo)致造價(jià)成本高、懸浮高度低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服已有技術(shù)不足之處，提供一種高顯示度超導(dǎo)磁通量子鎖演示實(shí)驗(yàn)裝置。利用第二代高溫超導(dǎo)帶材組合拼成的懸浮片特有的自穩(wěn)定、重量輕，在超導(dǎo)態(tài)下高顯示度的懸浮，并能在外力作用下可連續(xù)鎖定超導(dǎo)懸浮片在懸浮中不同的角度。即可改變超導(dǎo)懸浮片在懸浮中不同姿態(tài)。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)發(fā)案
一種高顯示度超導(dǎo)磁通量子鎖演示實(shí)驗(yàn)裝置，包括方形基座和薄圓盤懸浮體，所述方形基座為永磁體，所述薄圓盤懸浮體為高溫超導(dǎo)懸浮片，在超導(dǎo)態(tài)下所述薄圓盤懸浮體懸浮于方形基座上方。
[0006]所述方形基座由四塊正方形永磁體拼合成一個大正方形永磁體，構(gòu)成均勻磁場置于長方形底板的端面上為一體。所述高溫超導(dǎo)懸浮片由第二代高溫超導(dǎo)帶材置于薄圓盤低溫容器底部構(gòu)成，在超導(dǎo)態(tài)下處于高懸浮狀態(tài)。
【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例結(jié)合附圖詳述如下:
如圖1所示，一種高顯示度超導(dǎo)磁通量子鎖演示實(shí)驗(yàn)裝置，包括方形基座和薄圓盤懸浮體，所述方形基座為永磁體，所述薄圓盤懸浮體為高溫超導(dǎo)懸浮片，在超導(dǎo)態(tài)下所述薄圓盤懸浮體懸浮于方形基座上方。
[0009]所述方形基座由四塊正方形永磁體2拼合成一個大正方形永磁體，構(gòu)成均勻磁場置于長方形底板I的端面上為一體。所述高溫超導(dǎo)懸浮片由第二代高溫超導(dǎo)帶材4置于薄圓盤低溫容器3底部構(gòu)成，在超導(dǎo)態(tài)下處于高懸浮狀態(tài)。
[0010]本實(shí)施例高顯示度超導(dǎo)磁通量子鎖演示實(shí)驗(yàn)裝置工作原理為:
將第二代高溫超導(dǎo)帶材4置于薄圓盤低溫容器3底部并為一體，再將一體的低溫容器設(shè)置在永磁體之上40mm，用隔熱材料板預(yù)先墊平，在低溫容器內(nèi)注入液氮，當(dāng)?shù)诙邷爻瑢?dǎo)帶材4進(jìn)入超導(dǎo)態(tài)時(shí)，抽取墊板，薄圓盤低溫容器3處于靜止、穩(wěn)定的懸浮狀態(tài)。
[0011]當(dāng)薄圓盤低溫容器3處于靜止、穩(wěn)定的懸浮在永磁體上方時(shí)，在水平方向(前后左右)給薄圓盤低溫容器3—個微小的外力，使得薄圓盤低溫容器3在水平方向有1mm的平移后然后放手，此時(shí)薄圓盤低溫容器3就被鎖定在平移后的位置。利用微小的外力，使得薄圓盤低溫容器3的平面與水平面有一個夾角后然后放手，此時(shí)薄圓盤低溫容器3就被鎖定在該角度上。因高顯示度，故可做不同角度的鎖定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高顯示度超導(dǎo)磁通量子鎖演示實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于:包括方形基座和薄圓盤懸浮體，所述方形基座為永磁體，所述薄圓盤懸浮體為高溫超導(dǎo)懸浮片，在超導(dǎo)態(tài)下所述薄圓盤懸浮體懸浮于方形基座上方。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯示度超導(dǎo)磁通量子鎖演示實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于:所述方形基座由四塊正方形永磁體(2)拼合成一個大正方形永磁體，構(gòu)成均勻磁場置于長方形底板(I)的端面上為一體。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯示度超導(dǎo)磁通量子鎖演示實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于:所述高溫超導(dǎo)懸浮片由第二代高溫超導(dǎo)帶材(4)置于薄圓盤低溫容器(3)底部構(gòu)成，在超導(dǎo)態(tài)下處于高懸浮狀態(tài)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高顯示度超導(dǎo)磁通量子鎖演示實(shí)驗(yàn)裝置，包括方形基座和薄圓盤懸浮體，所述方形基座為永磁體，所述薄圓盤懸浮體為高溫超導(dǎo)懸浮片，在超導(dǎo)態(tài)下所述薄圓盤懸浮體懸浮于方形基座上方。本裝置在超導(dǎo)態(tài)下，具有高懸浮度，并且在外力作用下可連續(xù)的鎖定不同的角度。設(shè)計(jì)新穎、結(jié)構(gòu)簡單、效果明顯、能直觀的反應(yīng)超導(dǎo)磁通量子鎖特性。
【IPC分類】G09B23/18
【公開號】CN105551352
【申請?zhí)枴緾N201610093114
【發(fā)明人】李銘, 張義邴, 朱光華, 邱靜和, 蔡傳兵
【申請人】上海大學(xué)
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2016年2月21日