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      用于自然書寫的顯示系統(tǒng)的像素模塊的制作方法

      文檔序號:10352425閱讀:262來源:國知局
      用于自然書寫的顯示系統(tǒng)的像素模塊的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型屬于自然書寫技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于自然書寫的顯示系統(tǒng)的像素模塊,也即屬于智能仿自然顯示控制技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及高仿真電子書領(lǐng)域。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著人們對閱讀要求的提高,顯示器材的需求也增加了,原來的顯示器材都是電子屏,也有仿真度較高的水墨屏,但也只是仿真水墨效果,并沒有做到真正的水墨顯示的效果O
      [0003]而另一方面,眾所周知,紙張是由中國人實(shí)用新型的,但是現(xiàn)在隨著電子產(chǎn)品的廣泛使用,真正的閱讀體驗(yàn)卻在下降,非自然的電子屏光充斥著我們的雙眼,眼睛極易感到疲勞。
      [0004]眾所周知,黑白圖文都是由一個(gè)個(gè)像素所組成,像素就是一個(gè)正方形的區(qū)域,根據(jù)圖像對應(yīng)像素分布,在進(jìn)行水墨顯示時(shí),不是顯示出黑色,就是顯示出白色,這樣就需要一種能夠模擬像素顯示黑色或者白色,以此避免非自然的電子屏光還能夠做到真正的水墨顯示的效果的裝置。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本實(shí)用新型的目的提供一種用于自然書寫的顯示系統(tǒng)的像素模塊,所述的像素模塊包括在頂部的硅化合物層,所述的硅化合物層呈白色,遇水則變透明,并且所述的硅化合物層為正方形區(qū)域,而正方形區(qū)域覆蓋在一個(gè)面積與之相同的正方形的透水塊的頂部,所述的透水塊的表面被涂成黑色,所述的每個(gè)透水塊的底部同一個(gè)第一豎直管道的頂端相連,所述的第一豎直管道中設(shè)置有一個(gè)口徑小于第一豎直管道口徑的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體,所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體的下方設(shè)置有一個(gè)電磁鐵,所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體上設(shè)置有一個(gè)液位繼電器,所述的液位繼電器含有常開觸點(diǎn),該常開觸點(diǎn)串聯(lián)在電磁鐵和電磁鐵電源之間,所述的第一豎直管道的底端通過一個(gè)水平管道同一個(gè)第二豎直管道的底端相連通,第二豎直管道同恒壓水栗相連接,第二豎直管道能夠把水導(dǎo)入,這樣就能最終達(dá)到與該第二豎直管道相對應(yīng)的正方形區(qū)域所相連的透水塊,當(dāng)電磁鐵和電磁鐵電源導(dǎo)通時(shí),就會(huì)對鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體產(chǎn)生排斥力,讓它朝著透水塊方向移動(dòng),閥門安裝在同其對應(yīng)的正方形區(qū)域相對應(yīng)的第二豎直管道上。結(jié)合其方法避免了現(xiàn)有技術(shù)中的能夠模擬像素顯示黑色或者白色以此避免非自然的電子屏光還能夠做到真正的水墨顯示的效果的裝置的缺陷。
      [0006]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,本實(shí)用新型提供了一種用于自然書寫的顯示系統(tǒng)的像素模塊的解決方案,具體如下:
      [0007]—種用于自然書寫的顯示系統(tǒng)的像素模塊,所述的像素模塊3包括在頂部的硅化合物層301,所述的硅化合物層301呈白色,遇水則變透明,并且所述的硅化合物層301為正方形區(qū)域,而正方形區(qū)域覆蓋在一個(gè)面積與之相同的正方形的透水塊302的頂部,所述的透水塊302的表面被涂成黑色,所述的每個(gè)透水塊302的底部同一個(gè)第一豎直管道303的頂端相連,所述的第一豎直管道303中設(shè)置有一個(gè)口徑小于第一豎直管道303 口徑的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304,所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304的下方設(shè)置有一個(gè)電磁鐵305,所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304上設(shè)置有一個(gè)液位繼電器,所述的液位繼電器含有常開觸點(diǎn),該常開觸點(diǎn)串聯(lián)在電磁鐵305和電磁鐵電源之間,所述的第一豎直管道303的底端通過一個(gè)水平管道306同一個(gè)第二豎直管道307的底端相連通,第二豎直管道307同恒壓水栗8相連接,第二豎直管道307能夠把水導(dǎo)入,這樣就能最終達(dá)到與該第二豎直管道307相對應(yīng)的正方形區(qū)域所相連的透水塊,當(dāng)電磁鐵305和電磁鐵電源導(dǎo)通時(shí),就會(huì)對鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304產(chǎn)生排斥力,讓它朝著透水塊302方向移動(dòng),閥門安裝在同其對應(yīng)的正方形區(qū)域相對應(yīng)的第二豎直管道307上。
      [0008]所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304的兩側(cè)均開設(shè)有引水孔。
      [0009]所述的硅化合物層301還能被混有二氧化硅粉末的水性丙烯酸酯層所替代,所述的混有二氧化硅粉末的水性丙烯酸酯層也是呈白色,遇水則變透明。
      [0010]本實(shí)用新型通過在頂部的硅化合物層301,所述的硅化合物層301呈白色,遇水則變透明,并且所述的硅化合物層301為正方形區(qū)域,而正方形區(qū)域覆蓋在一個(gè)面積與之相同的正方形的透水塊302的頂部,所述的透水塊302的表面被涂成黑色,所述的每個(gè)透水塊302的底部同一個(gè)第一豎直管道303的頂端相連,所述的第一豎直管道303中設(shè)置有一個(gè)口徑小于第一豎直管道303 口徑的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304,所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304的下方設(shè)置有一個(gè)電磁鐵305,所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304上設(shè)置有一個(gè)液位繼電器,所述的液位繼電器含有常開觸點(diǎn),該常開觸點(diǎn)串聯(lián)在電磁鐵305和電磁鐵電源之間,所述的第一豎直管道303的底端通過一個(gè)水平管道306同一個(gè)第二豎直管道307的底端相連通,第二豎直管道307同恒壓水栗8相連接,第二豎直管道307能夠把水導(dǎo)入,這樣就能最終達(dá)到與該第二豎直管道307相對應(yīng)的正方形區(qū)域所相連的透水塊,當(dāng)電磁鐵305和電磁鐵電源導(dǎo)通時(shí),就會(huì)對鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304產(chǎn)生排斥力,讓它朝著透水塊302方向移動(dòng),閥門安裝在同其對應(yīng)的正方形區(qū)域相對應(yīng)的第二豎直管道307上。實(shí)現(xiàn)了能夠模擬像素顯示黑色或者白色,以此避免非自然的電子屏光還能夠做到真正的水墨顯示的效果的裝置。
      【附圖說明】
      [0011]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0012]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對【實(shí)用新型內(nèi)容】作進(jìn)一步說明:
      [0013]參照圖1所示,用于自然書寫的顯示系統(tǒng)的像素模塊,所述的像素模塊3包括在頂部的硅化合物層301,所述的硅化合物層301呈白色,遇水則變透明,并且所述的硅化合物層301為正方形區(qū)域,而正方形區(qū)域覆蓋在一個(gè)面積與之相同的正方形的透水塊302的頂部,所述的透水塊302的表面被涂成黑色,所述的每個(gè)透水塊302的底部同一個(gè)第一豎直管道303的頂端相連,所述的第一豎直管道303中設(shè)置有一個(gè)口徑小于第一豎直管道303 口徑的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304,所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304的下方設(shè)置有一個(gè)電磁鐵305,所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304上設(shè)置有一個(gè)液位繼電器,所述的液位繼電器含有常開觸點(diǎn),該常開觸點(diǎn)串聯(lián)在電磁鐵305和電磁鐵電源之間,所述的第一豎直管道303的底端通過一個(gè)水平管道306同一個(gè)第二豎直管道307的底端相連通,第二豎直管道307同恒壓水栗8相連接,第二豎直管道307能夠把水導(dǎo)入,這樣就能最終達(dá)到與該第二豎直管道307相對應(yīng)的正方形區(qū)域所相連的透水塊,當(dāng)電磁鐵305和電磁鐵電源導(dǎo)通時(shí),就會(huì)對鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304產(chǎn)生排斥力,讓它朝著透水塊302方向移動(dòng),閥門安裝在同其對應(yīng)的正方形區(qū)域相對應(yīng)的第二豎直管道307上。所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304的兩側(cè)均開設(shè)有引水孔。所述的硅化合物層301還能被混有二氧化硅粉末的水性丙烯酸酯層所替代,所述的混有二氧化硅粉末的水性丙烯酸酯層也是呈白色,遇水則變透明。
      [0014]本實(shí)用新型的工作原理為:當(dāng)需要顯示出黑色像素的效果時(shí),閥門處于打開狀態(tài),能通過第二豎直管道把水引入,當(dāng)引入的水的水位被液位繼電器所感應(yīng)到了的時(shí)候,常開觸點(diǎn)關(guān)閉,導(dǎo)通電磁鐵和電磁鐵電源,這樣就產(chǎn)生了對鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304產(chǎn)生排斥力,讓它朝著透水塊302方向移動(dòng),最終鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體304的引水孔把水引導(dǎo)到透水塊302,并通過透水塊302把水透至到分塊區(qū)域,從而該分塊區(qū)域遇水變成透明狀,這樣自上而下觀察像素模塊3,就能得到顯示出黑色像素的效果;而當(dāng)需要顯示出白色像素的效果時(shí),閥門處于關(guān)閉狀態(tài),這樣自上而下觀察像素模塊3,就能得到顯示出白色像素的效果。
      [0015]本實(shí)用新型通過像素點(diǎn)用這樣的方式來呈現(xiàn),達(dá)到了墨現(xiàn)布上的效果,最終能夠以提高人們的閱讀體驗(yàn),減輕長時(shí)間閱讀的視覺疲勞。
      [0016]以上所述,僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并非對本實(shí)用新型作任何形式上的限制,雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本實(shí)用新型,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容,依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì),在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),對以上實(shí)施例所作的任何簡單的修改、等同替換與改進(jìn)等,均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種用于自然書寫的顯示系統(tǒng)的像素模塊,其特征在于所述的像素模塊包括在頂部的混有二氧化硅粉末的水性丙烯酸酯層,所述混有二氧化硅粉末的水性丙烯酸酯層呈白色,遇水則變透明,并且所述混有二氧化硅粉末的水性丙烯酸酯層為正方形區(qū)域,而正方形區(qū)域覆蓋在一個(gè)面積與之相同的正方形的透水塊的頂部,所述的透水塊的表面被涂成黑色,所述的透水塊的底部同一個(gè)第一豎直管道的頂端相連,所述的第一豎直管道中設(shè)置有一個(gè)口徑小于第一豎直管道口徑的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體,所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體上設(shè)置有一個(gè)液位繼電器,所述的液位繼電器含有常開觸點(diǎn),該常開觸點(diǎn)串聯(lián)在電磁鐵和電磁鐵電源之間,所述的第一豎直管道的底端通過一個(gè)水平管道同一個(gè)第二豎直管道的底端相連通,第二豎直管道同恒壓水栗相連接,第二豎直管道能夠把水導(dǎo)入,這樣就能最終達(dá)到與該第二豎直管道相對應(yīng)的正方形區(qū)域所相連的透水塊,當(dāng)電磁鐵和電磁鐵電源導(dǎo)通時(shí),就會(huì)對鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體產(chǎn)生排斥力,讓它朝著透水塊方向移動(dòng),閥門安裝在同其對應(yīng)的正方形區(qū)域相對應(yīng)的第二豎直管道上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于自然書寫的顯示系統(tǒng)的像素模塊,其特征在于所述的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體的兩側(cè)均開設(shè)有引水孔。
      【專利摘要】一種用于自然書寫的顯示系統(tǒng)的像素模塊,包括在頂部的硅化合物層,硅化合物層呈白色,遇水則變透明,并且硅化合物層為正方形區(qū)域,而正方形區(qū)域覆蓋在一個(gè)面積與之相同的正方形的透水塊的頂部,透水塊的表面被涂成黑色,每個(gè)透水塊的底部同一個(gè)第一豎直管道的頂端相連,第一豎直管道中設(shè)置有一個(gè)口徑小于第一豎直管道口徑的鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體,鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體的下方設(shè)置有一個(gè)電磁鐵,鎳鈷鐵磁質(zhì)圓柱體上設(shè)置有一個(gè)液位繼電器,液位繼電器含有常開觸點(diǎn),第二豎直管道同恒壓水泵相連接。結(jié)合其方法避免了現(xiàn)有技術(shù)中的能夠模擬像素顯示黑色或者白色以此避免非自然的電子屏光還能夠做到真正的水墨顯示的效果的裝置的缺陷。
      【IPC分類】G09F9/37
      【公開號】CN205264286
      【申請?zhí)枴緾N201520939311
      【發(fā)明人】徐晨光, 朱節(jié)中, 郭萍, 黃銳, 齊運(yùn)鋒, 梅永, 余寅, 李俊平, 李凌, 邱章強(qiáng)
      【申請人】南京信息工程大學(xué)
      【公開日】2016年5月25日
      【申請日】2015年11月23日
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