專利名稱：設(shè)備管理系統(tǒng)和方法、半導(dǎo)體曝光設(shè)備及其管理方法、半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種用于管理工業(yè)用設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)的設(shè)備管理系統(tǒng)、設(shè)備管理方法、半導(dǎo)體曝光設(shè)備、其設(shè)備管理系統(tǒng)中成為管理對(duì)象的半導(dǎo)體曝光設(shè)備、以及半導(dǎo)體曝光設(shè)備的管理方法。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體曝光設(shè)備方面，隨著電路的微細(xì)化和高密度化，要求在晶片上以更高的圖像分辨率，投影曝光原版(以下，稱為“掩模版”的電路圖形。電路圖形投影時(shí)的圖像分辨率依賴于投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)和曝光波長，因而作為高圖像分辨率方法，可以采用增大投影光學(xué)系統(tǒng)NA的方法或用更短曝光波長的方法。關(guān)于后者的方法，曝光波長正在從g線移到i線，進(jìn)而從i線轉(zhuǎn)移到激態(tài)復(fù)合物激光器的波長?，F(xiàn)在，已經(jīng)實(shí)用并使用其振蕩波長為248nm或193nm激態(tài)復(fù)合物激光器作為光源的半導(dǎo)體曝光設(shè)備。
進(jìn)而現(xiàn)在，正在研究使振蕩波長更加縮短的，波長157nm的VUV(真空紫外線)的曝光方式、13nm的EUV(Extreme UltraViolet超紫外)方式，作為下一代曝光方式候補(bǔ)。
另一方面，隨著電路圖形地微細(xì)化，也要求高精度地對(duì)準(zhǔn)形成電路圖形的掩模版與其投影的晶片，其需要精度是電路線寬的1/3。例如，作為現(xiàn)狀，電路線寬設(shè)計(jì)值180nm的場(chǎng)合，對(duì)準(zhǔn)的必要精度是其1/3為60nm。
并且，提出器件構(gòu)造也各種各樣，朝著產(chǎn)品化不斷進(jìn)行研究?？梢哉J(rèn)為，伴隨個(gè)人計(jì)算機(jī)等的普及，驅(qū)使微細(xì)化的任務(wù)已從迄今的DRAM為中心的存儲(chǔ)器，轉(zhuǎn)移到CPU芯片，今后，隨著進(jìn)一步IT化，家庭內(nèi)無線LAN或叫做蘭牙的通信系統(tǒng)用器件、進(jìn)而以利用77GHz頻率的汽車用雷達(dá)所代表的高速道路交通系統(tǒng)(ITSIntelligentTransport System智能交通系統(tǒng))或利用24～38GHz頻率的無線存取系統(tǒng)(LMDSLocal Multipoint Distribution Service局部多點(diǎn)分配業(yè)務(wù))中使用的MMIC(Millimeter-wave MonolithicIntegrated Circuit毫米波單塊集成電路)等的開發(fā)都會(huì)進(jìn)一步推進(jìn)微細(xì)化。
并且，半導(dǎo)體器件的制造工藝也多種多樣，作為解決半導(dǎo)體曝光設(shè)備投影光學(xué)系統(tǒng)焦點(diǎn)深度不足問題的平坦化技術(shù)，W-CMP(Tungsten Chemical Mechanical Polishing鎢化學(xué)機(jī)械拋光)工藝業(yè)已過時(shí)?，F(xiàn)在使用Cu的雙鑲嵌工藝令人注目。
并且，半導(dǎo)體器件的構(gòu)造和材料也多種多樣，例如，有人提出使用組合GaAs、InP等化合物構(gòu)成的P-HEMT(Pseudomorphic HighElectron Mobility Trasisitor假晶高電子遷移率晶體管)或M-HEMT(Metamorphe HEMT變性假晶高電子遷移率晶體管)，或者使用SiGe、SiGeC等的HBT(Hetrojunction Bipolar Trasistor異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)。
至于上述這種半導(dǎo)體工業(yè)的現(xiàn)狀，使用半導(dǎo)體曝光設(shè)備等的半導(dǎo)體制造設(shè)備方面，與各曝光方式、各產(chǎn)品相對(duì)應(yīng)，多數(shù)存在應(yīng)該優(yōu)化設(shè)備參數(shù)的問題。這些應(yīng)優(yōu)化的參數(shù)個(gè)數(shù)龐大，但是，這些參數(shù)不是互相獨(dú)立而是相互密切相關(guān)。
從來，器件制造廠設(shè)備引入承擔(dān)人都用試行錯(cuò)誤法決定這些參數(shù)的最佳值，直至決定該最佳值為止，要花巨大的時(shí)間。并且，即便一旦決定參數(shù)的最佳值以后，例如工藝誤差發(fā)生時(shí)，隨著與其相應(yīng)的制造工藝改變，有時(shí)需要再次改變制造設(shè)備參數(shù)的最佳值，這時(shí)也花費(fèi)巨大的時(shí)間。
并且，半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中，從制造設(shè)備安裝到大量生產(chǎn)開始，可以勻出的時(shí)間有限度，為決定參數(shù)最佳值，能夠分出的時(shí)間當(dāng)然也有限度。進(jìn)而，在CoO(Cost of Ownership成本自主權(quán))的觀點(diǎn)，因?yàn)橐残枰岣咧圃煸O(shè)備運(yùn)行時(shí)間，改變一次決定的參數(shù)最佳值時(shí)，就需要迅速進(jìn)行。在這樣的狀況下，以最佳參數(shù)值制造各種各樣半導(dǎo)體器件是極其困難的，即使是本來能夠獲得高成品率的制造設(shè)備，也因?yàn)槲茨苷諛邮褂米顑?yōu)化參數(shù)值，不可能達(dá)到意料的成品率，招致肉眼看不見的成品率下降。這樣的成品率下降，有導(dǎo)致制造成本的增加或上市量下降，降低競(jìng)爭(zhēng)力的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述背景，其目的是提供一種能夠在設(shè)備使用判斷用于運(yùn)行工業(yè)用設(shè)備的參數(shù)值是否最佳的設(shè)備管理系統(tǒng)，和提供成為其管理對(duì)象的半導(dǎo)體曝光設(shè)備、半導(dǎo)體曝光設(shè)備的管理方法等。
本發(fā)明的設(shè)備管理系統(tǒng)、曝光設(shè)備的管理方法等，主要地說由以下構(gòu)成作為特征。
即，管理設(shè)備的系統(tǒng)是，具備設(shè)定用于運(yùn)行上述設(shè)備參數(shù)值的設(shè)定手段；按照由上述設(shè)定手段設(shè)定的第1參數(shù)值，運(yùn)行上述設(shè)備的運(yùn)行手段；檢查運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的檢查手段；從表示按照由上述檢查求出的第1參數(shù)值的運(yùn)行結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量和表示按照與不進(jìn)行上述檢查求出的第1參數(shù)值不同的第2參數(shù)值的運(yùn)行結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中決定參數(shù)值的決定手段，在這里，上述設(shè)定手段把上述參數(shù)值，作為用上述決定手段決定的參數(shù)值，上述運(yùn)行手段按照由上述決定手段決定的參數(shù)值，運(yùn)行上述設(shè)備。
理想的是上述設(shè)備管理系統(tǒng)中，上述決定手段，按照上述第1、第2評(píng)價(jià)量與用于管理上述設(shè)備的基準(zhǔn)閾值的比較，決定實(shí)現(xiàn)超過該基準(zhǔn)閾值的最佳運(yùn)行參數(shù)值。
理想的是上述設(shè)備管理系統(tǒng)中，上述設(shè)備是曝光設(shè)備，上述檢查手段是重合檢查設(shè)備。
并且，曝光設(shè)備是具備可與管理用于控制曝光信息的管理設(shè)備通信的通信手段，和根據(jù)用于控制通過上述通信手段接收的上述曝光信息，控制上述曝光設(shè)備的控制手段；在這里，上述管理設(shè)備，通過上述通信手段接收表示，按照通過測(cè)量表示由上述控制手段控制的上述曝光設(shè)備的運(yùn)行結(jié)果評(píng)價(jià)量求出的，用于控制第1曝光的信息控制的上述曝光設(shè)備的運(yùn)行結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量，從該第1評(píng)價(jià)量和表示按照用于控制與不進(jìn)行上述測(cè)量而求出的與用于控制上述第1曝光的信息不同的第2曝光信息控制上述曝光設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中決定上述信息；上述控制手段，按照用于控制上述決定的上述曝光信息，控制上述曝光設(shè)備。
并且，半導(dǎo)體器件的制造方法是，具備工廠里設(shè)置包括半導(dǎo)體曝光設(shè)備的多臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備的工序，和使用上述多臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備制造半導(dǎo)體器件的工序；在這里，上述曝光設(shè)備具備可與管理用于控制曝光信息的管理設(shè)備通信的通信手段，和根據(jù)用于控制通過上述通信手段接收的上述曝光信息，控制上述曝光設(shè)備的控制手段；在這里，上述管理設(shè)備，通過上述通信手段接收表示，按照通過測(cè)量表示由上述控制手段控制的上述曝光設(shè)備的運(yùn)行結(jié)果評(píng)價(jià)量求出的，用于控制第1曝光的信息控制的上述曝光設(shè)備的運(yùn)行結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量，從該第1評(píng)價(jià)量，和表示按照用于控制與不進(jìn)行上述測(cè)量求出的，用于控制上述第1曝光的信息不同的第2曝光的信息控制的上述曝光設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中決定上述信息；上述控制手段，按照用于控制上述決定的上述曝光信息，控制上述曝光設(shè)備。
并且，管理設(shè)備的方法是具備設(shè)定用于運(yùn)行上述設(shè)備的參數(shù)值為第1參數(shù)值的設(shè)定工序；檢查按照上述第1參數(shù)值運(yùn)行的上述設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的檢查工序；根據(jù)表示上述運(yùn)行結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量和表示與不進(jìn)行上述檢查求出的第1參數(shù)值不同的第2參數(shù)值的上述設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量，決定參數(shù)值的決定工序；以及按照由上述決定手段決定的參數(shù)值，運(yùn)行上述設(shè)備的工序。
并且，管理設(shè)備的系統(tǒng)是，具備在設(shè)置上述設(shè)備的工廠外的外部網(wǎng)絡(luò)上，為運(yùn)行上述設(shè)備用于累積多個(gè)控制信息，的數(shù)據(jù)庫；把上述設(shè)備連接到上述工廠內(nèi)局域網(wǎng)上的手段；與上述局域網(wǎng)連接，檢查運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的檢查手段；利用上述外部網(wǎng)絡(luò)和上述局域網(wǎng)，接收上述多個(gè)控制信息中的第1控制信息和表示按照由上述檢查求出的上述第1控制信息運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量，從該接收的第1控制信息與上述第1評(píng)價(jià)量，和表示按照與不進(jìn)行上述檢查求出的上述第1控制信息不同的第2控制信息運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中決定控制信息的決定手段；以及利用上述外部網(wǎng)絡(luò)和局域網(wǎng)，給上述設(shè)備設(shè)定由上述決定手段決定的控制信息的設(shè)定手段。
并且，管理設(shè)備的方法是，具備在設(shè)置上述設(shè)備的工廠外的外部網(wǎng)絡(luò)上，準(zhǔn)備用于累積多個(gè)控制信息，用于運(yùn)行上述設(shè)備的數(shù)據(jù)庫的工序；把上述設(shè)備連接到上述工廠內(nèi)局域網(wǎng)上的工序；把檢查運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的檢查手段連接到上述局域網(wǎng)的工序；利用上述外部網(wǎng)絡(luò)和上述局域網(wǎng)，接收上述多個(gè)控制信息中的第1控制信息和表示按照由上述檢查求出的上述第1控制信息運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量，從該接收的第1控制信息與上述第1評(píng)價(jià)量，和表示按照與不進(jìn)行上述檢查求出的上述第1控制信息不同的第2控制信息運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中決定控制信息的決定工序；以及利用上述外部網(wǎng)絡(luò)和局域網(wǎng)，給上述設(shè)備設(shè)定在上述決定工序中決定的控制信息的設(shè)定工序。
并且曝光設(shè)備是，具備檢測(cè)晶片上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)部件；保持上述晶片的晶片臺(tái)；按照從把對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為第1值，通過驅(qū)動(dòng)上述對(duì)準(zhǔn)部件和上述晶片臺(tái)獲得有關(guān)上述晶片的第1信息、把上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為與上述第1值不同的第2值，通過驅(qū)動(dòng)上述對(duì)準(zhǔn)部件和上述晶片臺(tái)獲得的有關(guān)上述晶片的第2信息、及通過檢查按照上述第1信息曝光的上述晶片而求出的檢查結(jié)果來決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值，控制上述對(duì)準(zhǔn)部件和上述晶片臺(tái)的控制部，在這里，上述決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值從上述第1值和上述第2值中來決定。
并且曝光設(shè)備是，具備檢測(cè)晶片上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)部件；保持上述晶片的晶片臺(tái)；存儲(chǔ)從把對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為第1值，處理通過驅(qū)動(dòng)上述對(duì)準(zhǔn)部件和上述晶片臺(tái)獲得對(duì)準(zhǔn)信號(hào)，獲得有關(guān)上述晶片的第1信息、把上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為與上述第1值不同的第2值，處理上述對(duì)準(zhǔn)信號(hào)，獲得的有關(guān)上述晶片的第2信息、及通過檢查按照上述第1信息曝光的上述晶片而求出的檢查結(jié)果來決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的存儲(chǔ)部，在這里，上述決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值從上述第1值和上述第2值中來決定。
理想的是上述曝光設(shè)備中，上述第2值包括多個(gè)值，上述第2信息包括分別與該多個(gè)值對(duì)應(yīng)的多個(gè)信息。
理想的是上述曝光設(shè)備中，根據(jù)權(quán)利要求21的設(shè)備，上述處理參數(shù)包括窗口中心距離。
并且，曝光方法是，具備把對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為第1值，通過檢測(cè)晶片上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，獲得有關(guān)上述晶片的第1信息的工序；把上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為與上述第1值不同的第2值，通過檢測(cè)上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，獲得有關(guān)上述晶片的第2信息的工序；按照上述第1信息使上述晶片曝光的工序；檢查該曝光后的上述晶片，獲得檢查結(jié)果的工序；以及根據(jù)上述第1、第2信息和上述檢查結(jié)果，不進(jìn)行按照上述第2信息的曝光，決定上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的工序，該決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值，從上述第1值和上述第2值之中來決定。
并且，曝光方法是，具備通過檢測(cè)晶片上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，獲得對(duì)準(zhǔn)信號(hào)的工序；把對(duì)準(zhǔn)信號(hào)作為第1值處理上述對(duì)準(zhǔn)信號(hào)，獲得有關(guān)上述晶片的第1信息的工序；把上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為與上述第1值不同的第2值，處理上述對(duì)準(zhǔn)信號(hào)，獲得有關(guān)上述晶片的第2信息的工序；按照上述第1信息使上述晶片曝光的工序；檢查該曝光后的上述晶片，獲得檢查結(jié)果的工序；以及根據(jù)上述第1、第2信息和上述檢查結(jié)果，不進(jìn)行按照上述第2信息的曝光，決定上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的工序，該決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值，從上述第1值和上述第2值之中來決定。


圖1表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例，優(yōu)化半導(dǎo)體曝光設(shè)備對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的系統(tǒng)構(gòu)成圖；
圖2表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例，優(yōu)化用于控制掩模版和晶片的位置對(duì)合的對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的順序流程圖；圖3表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例，集中(銷售商)遠(yuǎn)距離進(jìn)行工業(yè)用設(shè)備管理的系統(tǒng)構(gòu)筑例圖；圖4表示存儲(chǔ)機(jī)器管理用參數(shù)的數(shù)據(jù)庫構(gòu)成例圖；圖5表示存儲(chǔ)機(jī)器管理用參數(shù)的數(shù)據(jù)庫構(gòu)成例圖；圖6說明有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施例，作為工業(yè)用設(shè)備管理對(duì)象例的半導(dǎo)體曝光設(shè)備整體構(gòu)成圖；圖7說明有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施例，用曝光設(shè)備的器件制造工藝流程圖；圖8說明本發(fā)明的實(shí)施例，用曝光設(shè)備的晶片工藝圖；圖9表示對(duì)準(zhǔn)部件617的主要構(gòu)成要素的框圖；圖10A表示對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30圖；圖10B表示對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30的剖面構(gòu)造圖；圖11表示對(duì)準(zhǔn)信號(hào)圖；圖12A表示晶片20上AGA取樣點(diǎn)位置的示意圖；圖12B表示標(biāo)記要素32的示意平面圖；圖12C是放大圖11的對(duì)準(zhǔn)信號(hào)一部分的圖。
具體實(shí)施例方式以下，邊參照附圖邊說明本發(fā)明適合的實(shí)施例。
本實(shí)施例的設(shè)備管理系統(tǒng)中，假定管理對(duì)象為半導(dǎo)體曝光設(shè)備，并利用圖1和圖2說明優(yōu)化其曝光時(shí)的晶片與掩模版(掩模)的位置對(duì)合(對(duì)準(zhǔn))的管理方法。
另外，本發(fā)明的管理系統(tǒng)之中，把半導(dǎo)體曝光設(shè)備的對(duì)準(zhǔn)管理(對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的最優(yōu)化)系統(tǒng)叫做OAP系統(tǒng)(Optimization forAlignment Parameter in volume production批量生產(chǎn)中對(duì)準(zhǔn)參數(shù)的最優(yōu)化)。本說明書中，當(dāng)作參數(shù)記載的不限定于一般性參數(shù)，也包括取樣點(diǎn)的配置、對(duì)于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的照明方法等的條件這樣的，不是直接數(shù)值的這種參數(shù)。
圖1是表示優(yōu)化對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的OAP系統(tǒng)構(gòu)成圖，半導(dǎo)體曝光設(shè)備1、2、重合(對(duì)準(zhǔn))檢查設(shè)備3和數(shù)據(jù)庫5，用LAN6連到主機(jī)(PC/WS)4。
主機(jī)4通過LAN6，可以與半導(dǎo)體曝光設(shè)備1、2和重合檢查設(shè)備3雙向進(jìn)行數(shù)據(jù)發(fā)送接收，可以分別控制半導(dǎo)體曝光設(shè)備1、2和重合檢查設(shè)備3的設(shè)備群(圖1中，半導(dǎo)體曝光設(shè)備是2臺(tái)，但是當(dāng)然即使1臺(tái)或者臺(tái)數(shù)多于2臺(tái)的半導(dǎo)體曝光設(shè)備連到LAN6也行)。例如，如圖4所示，把對(duì)準(zhǔn)信號(hào)、重合檢查結(jié)果、關(guān)于對(duì)準(zhǔn)部件的信息、照明方式、點(diǎn)(shot)配置、晶片放大率、晶片的旋轉(zhuǎn)量、位移量等有關(guān)對(duì)準(zhǔn)的條件，和按照該條件進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)部件位置檢測(cè)時(shí)的位置檢測(cè)結(jié)果(對(duì)準(zhǔn)結(jié)果)與有關(guān)根據(jù)其位置檢測(cè)曝光時(shí)的實(shí)際重合檢查結(jié)果的數(shù)據(jù)作為條件1，存儲(chǔ)到數(shù)據(jù)庫5內(nèi)。
數(shù)據(jù)庫5內(nèi)，存儲(chǔ)有對(duì)準(zhǔn)條件(有關(guān)對(duì)準(zhǔn)部件的信息、照明方式、點(diǎn)配置等)和按照該條件對(duì)準(zhǔn)結(jié)果(晶片放大率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量等與晶片有關(guān)的信息)的組合(條件1、2、…n)的多個(gè)組(圖5)，參照這些數(shù)據(jù)庫的數(shù)據(jù)，為了獲得要求的重合結(jié)果，可以選擇最佳的對(duì)準(zhǔn)條件(參數(shù)值)。
主機(jī)4在參數(shù)值的設(shè)定和按照其設(shè)定判斷曝光結(jié)果是否適合的方面，一面參照這些數(shù)據(jù)，一面把機(jī)器的對(duì)準(zhǔn)參數(shù)不斷更新為得到最希望曝光的結(jié)果值(對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的最優(yōu)化)。就優(yōu)化對(duì)象的對(duì)準(zhǔn)參數(shù)來說，例如，有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)記線寬、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)記幅度、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)記要素間隔、整體對(duì)準(zhǔn)時(shí)的取樣點(diǎn)配置、對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)的照明方式(中心波長、波長幅度、σ)、信號(hào)處理窗口幅度、信號(hào)處理窗口中心距離。
圖6是說明圖1的半導(dǎo)體曝光設(shè)備1的整體構(gòu)成圖。該半導(dǎo)體曝光設(shè)備1是向晶片20上曝光掩模版10的圖形。
該圖中，602是激光器光源。這里作為發(fā)光的曝光光的激光，借助于照明光學(xué)系統(tǒng)615成形，照明掩模版10的圖形。
在掩模版掃描方向可移動(dòng)的版臺(tái)614上，將掩模版10保持在圖6的x，y平面內(nèi)。613是具有規(guī)定縮小倍率的投影系統(tǒng)。通過照明光學(xué)系統(tǒng)615照明的掩模版10圖形，用投影系統(tǒng)投影到晶片20的一個(gè)點(diǎn)區(qū)域，用該圖形使晶片20曝光。在晶片20上涂布光刻膠(感光體)，通過曝光形成潛影。該晶片20介以晶片吸盤612，放置在晶片臺(tái)611上。對(duì)準(zhǔn)部件617是對(duì)準(zhǔn)部件(對(duì)準(zhǔn)范圍)，可以檢測(cè)晶片20上形成如圖9所示那樣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30。
晶片臺(tái)611是可以在臺(tái)的平面內(nèi)(x軸、y軸方向)、上下(z軸方向)以及各軸傾斜、旋轉(zhuǎn)的方向，移動(dòng)放置的晶片20，并進(jìn)行定位的控制。通過晶片臺(tái)611的z軸方向的定位控制，使投影系統(tǒng)613的焦點(diǎn)對(duì)合于晶片20上邊。
另外，版臺(tái)614、晶片臺(tái)611的移動(dòng)和定位控制，用圖未示出的傳感器測(cè)定臺(tái)的位置、姿勢(shì)信息，根據(jù)器位置信息來進(jìn)行。
并且，版臺(tái)614和晶片臺(tái)611，分別與控制部640連接起來，通過實(shí)時(shí)交接數(shù)據(jù)，可以同步控制。并且，激光光源602同樣也與控制部640連接起來，可以與發(fā)光定時(shí)和各臺(tái)614、611移動(dòng)同步控制。
以下，參照?qǐng)D9，說明對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置測(cè)量原理。在這里，圖9是表示對(duì)準(zhǔn)部件617的主要構(gòu)成要素框圖。光源918來的證明光受分光器919反射，通過透鏡920，照明晶片20上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30來的折射光，通過透鏡920、分光器919、透鏡921，受分光器922分割，分別由CCD傳感器923、924接收。在這里，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30用透鏡920、921，用約100倍的成像倍率放大，成像于CCD傳感器923、924上。CCD傳感器923、924分別用于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30的X方向位置測(cè)量和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30的Y方向位置測(cè)量，使一方傳感器對(duì)另一方傳感器，繞光軸90度旋轉(zhuǎn)進(jìn)行設(shè)置。
X方向和Y方向的測(cè)量原理相同，因而只說明X方向的位置測(cè)量。首先，說明位置測(cè)量用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30。如圖10所示，本實(shí)施例的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30，在對(duì)準(zhǔn)測(cè)量方向(X方向)為4μm，在非測(cè)量方向(Y方向)為30μm的窄長方形位置檢測(cè)用標(biāo)記(有時(shí)也叫做對(duì)準(zhǔn)部件的要素)32，沿X方向以預(yù)先設(shè)定的間隔(L＝20μm)多條排列起來。如圖10B所示，要素32的剖面構(gòu)造通過蝕刻處理形成凹形。并且，要素32上邊涂布圖未示出的光刻膠。使照明光置身到該多個(gè)位置檢測(cè)用標(biāo)記32上，由CCD傳感器923、924接收獲得的反射光，圖11上表示光電轉(zhuǎn)換后的對(duì)準(zhǔn)信號(hào)。對(duì)圖11所示的4條標(biāo)記信號(hào)施行適當(dāng)?shù)男盘?hào)處理，檢出各個(gè)要素位置(圖11從左起順序M1、M2、M3、M4)。并且，以下把各個(gè)要素的間隔(圖11從左起順序L1、L2、L3)稱作“標(biāo)記要素間隔”。
其次，圖2中，表示優(yōu)化用于控制掩模版10與晶片20的位置對(duì)合的對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的順序。
首先，在步驟S200，作為使掩模版的電路圖形投影到晶片上邊進(jìn)行曝光的JOB準(zhǔn)備，向半導(dǎo)體曝光設(shè)備1內(nèi)，搬入進(jìn)行曝光的晶片20，并為該設(shè)備內(nèi)設(shè)定與其對(duì)應(yīng)的掩模版10。
其次，為了對(duì)該JOB定位晶片和掩模版，將對(duì)準(zhǔn)參數(shù)設(shè)定為特定的值(也可以存入半導(dǎo)體曝光設(shè)備1中圖未示出的存儲(chǔ)部分(存儲(chǔ)器)內(nèi))，按照該設(shè)定的參數(shù)值，驅(qū)動(dòng)保持對(duì)準(zhǔn)部件617和晶片的晶片臺(tái)611，測(cè)量有關(guān)位置等信息(步驟S205)。作為晶片臺(tái)611的位置測(cè)量傳感器，準(zhǔn)備圖未示出的激光干涉儀，根據(jù)對(duì)準(zhǔn)部件617來的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息和激光干涉儀的輸出，測(cè)量晶片臺(tái)上的晶片位置(位移量)、晶片的旋轉(zhuǎn)量、及晶片倍率等。該測(cè)量用公知的AGA方法進(jìn)行。所謂AGA(Advanced Global Alignment高級(jí)整體對(duì)準(zhǔn))是，依賴激光干涉儀附帶的XY臺(tái)精度，根據(jù)進(jìn)行晶片位置測(cè)量的整體對(duì)準(zhǔn)，求出晶片的晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)、位移量，同時(shí)除去異常值等統(tǒng)計(jì)處理。
這些測(cè)量結(jié)果和導(dǎo)出該測(cè)量結(jié)果的工藝中測(cè)定的信號(hào)群(以下，稱為“對(duì)準(zhǔn)信號(hào)”)，通過通信部件(ADUL)650(圖6)，傳送給主機(jī)4(步驟S210)。假設(shè)半導(dǎo)體曝光設(shè)備1本身，管理AGA測(cè)量和對(duì)準(zhǔn)信號(hào)的檢測(cè)，并具備用于將其數(shù)據(jù)向主機(jī)4通信的通信部件(ADULAlignment Data Up Load即，對(duì)準(zhǔn)數(shù)據(jù)上載)。通過利用該通信部件，變成與主機(jī)4之間能夠交接數(shù)據(jù)，接收參數(shù)值用于控制主機(jī)4一側(cè)管理的設(shè)備，控制部640就可以控制設(shè)備。
其次，用在步驟S205設(shè)定的對(duì)其JOB參數(shù)值以外的參數(shù)值，再次進(jìn)行AGA測(cè)量，測(cè)量晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量、及對(duì)準(zhǔn)信號(hào)(步驟S215)，并將其測(cè)量結(jié)果傳送給主機(jī)4(步驟S210)。
在這里，所謂對(duì)JOB的參數(shù)值以外的參數(shù)值，也可以是從圖未示出的數(shù)據(jù)輸入接口個(gè)別輸入的變量值，也可以利用預(yù)先存入數(shù)據(jù)庫5的數(shù)據(jù)。
還有，在步驟S205、S215進(jìn)行的AGA測(cè)量中，檢出的對(duì)準(zhǔn)信號(hào)不限于用以導(dǎo)出晶片倍率、旋轉(zhuǎn)量、位移量的信號(hào)，假設(shè)包括AGA測(cè)量中附帶的其它信號(hào)。
在步驟S205和S215，要是取完全部數(shù)據(jù)，按照步驟S205中所得的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果(晶片倍率、旋轉(zhuǎn)量、位移量)，使晶片與掩模版位置對(duì)合并實(shí)行曝光(步驟S220)。
在步驟S220，使曝光過的晶片顯影，用重合檢查設(shè)備3檢查該顯影后的晶片(步驟S225)。根據(jù)該重合檢查設(shè)備3的檢查結(jié)果，可以知道，在步驟S205獲得的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果是否接近實(shí)際的晶片倍率、旋轉(zhuǎn)量、位移量。更具體點(diǎn)說，如果該檢查結(jié)果良好，就知道在步驟S205獲得的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果接近實(shí)際的晶片倍率、旋轉(zhuǎn)量、位移量，還知道步驟S205中設(shè)定的參數(shù)值是良好的。相反，該重合檢查結(jié)果如果是壞的話，就可以知道，步驟S205中獲得的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果是與實(shí)際的晶片倍率、旋轉(zhuǎn)量、位移量不同，可以知道步驟S205中設(shè)定的參數(shù)值不適合。
另一方面，主機(jī)4把由步驟S205、步驟S215中AGA測(cè)量得到的晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量等的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果或?qū)?zhǔn)信號(hào)存入數(shù)據(jù)庫5內(nèi)(步驟S230)。
進(jìn)而，主機(jī)4對(duì)在步驟S205和/或步驟S215的AGA測(cè)量中測(cè)定的對(duì)準(zhǔn)信號(hào)，根據(jù)對(duì)步驟S205中設(shè)定JOB的參數(shù)值以外的參數(shù)值，進(jìn)行信號(hào)處理，獲得模擬的晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量(步驟S235)，并將其存入數(shù)據(jù)庫5(步驟S240)。在步驟S235，變更測(cè)量對(duì)準(zhǔn)信號(hào)時(shí)不使用的參數(shù)值，作為其參數(shù)值處理對(duì)準(zhǔn)信號(hào)時(shí)，有限定使用信號(hào)頻帶的有效信號(hào)處理窗口幅度。圖12C是放大圖11的一部分對(duì)準(zhǔn)信號(hào)M1的圖。處理該對(duì)準(zhǔn)信號(hào)，獲得晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量等對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，但此時(shí)，如果改變表示作為有效信號(hào)得到的有效信號(hào)處理窗口幅度WW或其窗口中心與對(duì)準(zhǔn)信號(hào)中心的距離(處理窗口中心距離)WC等，就可改變獲得的晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、及位移量。于是，這些信號(hào)處理窗口幅度WW或信號(hào)處理窗口中心距離WC也能成為對(duì)準(zhǔn)參數(shù)。
用重合檢查設(shè)備3檢查的結(jié)果，將數(shù)據(jù)傳送給主機(jī)4(步驟S245)，并在前面步驟S230、S240中存入的數(shù)據(jù)和各自對(duì)應(yīng)的參數(shù)值，以對(duì)應(yīng)的形式存入數(shù)據(jù)庫5(步驟S250)。
在步驟S255，主機(jī)4根據(jù)AGA測(cè)量求出的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果(步驟S205和S215中得到的晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量)和從對(duì)準(zhǔn)信號(hào)模擬求出的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果(步驟S235中得到的晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量)，而且，判斷與重合檢查結(jié)果的相關(guān)關(guān)系，判斷現(xiàn)在設(shè)定的參數(shù)值(對(duì)步驟S205中設(shè)定的JOB的參數(shù)值)是否給出最佳的曝光結(jié)果。具體點(diǎn)說，以步驟S205中得到的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果(A)為基準(zhǔn)，表示步驟S215中得到的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果(B)(測(cè)量結(jié)果)和步驟S235中模擬得到的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果(C)(推測(cè)的測(cè)量結(jié)果)(即，如果從結(jié)果(B)引出結(jié)果(A)，就計(jì)算從結(jié)果(C)引出結(jié)果(A))，如果步驟S255中得到的重合檢查結(jié)果良好，可知現(xiàn)狀設(shè)定的參數(shù)值是最佳的，如果其重合檢查結(jié)果一次接近從結(jié)果(B)引出結(jié)果(A)，可知步驟S215中設(shè)定的參數(shù)是最佳值，如果其重合檢查結(jié)果一次接近從結(jié)果(C)引出結(jié)果(A)，可知步驟S215中使用的參數(shù)是最佳值。
并且，就具體的其它方法來說，主機(jī)4為了判斷重合檢查結(jié)果是否妥當(dāng)，有基準(zhǔn)閾值，判斷(i)按照(A)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果實(shí)行對(duì)準(zhǔn)，作為實(shí)際曝光后結(jié)果的重合檢查結(jié)果，(ii)按照(B)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，如果曝光時(shí)發(fā)生了重合的誤差，(iii)按照(C)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，如果曝光時(shí)發(fā)生了重合誤差的(i)～(iii)哪個(gè)在作為閾值的重合容許值內(nèi)。另外，該(ii)、(iii)，通過從剛才求出的實(shí)際晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量，分別引出(B)-(A)、(C)-(A)也可以知道。
主機(jī)4從數(shù)據(jù)庫5提取(i)～(iii)之中，與實(shí)現(xiàn)超過該基準(zhǔn)值的(收入容許值內(nèi)的)結(jié)果對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值，把該參數(shù)值判斷為提供最佳曝光結(jié)果的參數(shù)。并且，有多個(gè)實(shí)現(xiàn)結(jié)果超過基準(zhǔn)閾值的參數(shù)時(shí)，主機(jī)4從其中決定與提供最好結(jié)果(重合結(jié)果)對(duì)應(yīng)的參數(shù)值作為最佳參數(shù)值，對(duì)以后JOB(新的批次或新的晶片)，設(shè)定該參數(shù)值(步驟S260)。
在步驟S255，沒有實(shí)現(xiàn)超過基準(zhǔn)閾值的結(jié)果時(shí)，主機(jī)4在步驟S205、步驟S215、步驟S235把參數(shù)值設(shè)定為沒有設(shè)定的參數(shù)值，再次進(jìn)行AGA測(cè)量，探索實(shí)現(xiàn)結(jié)果超過基準(zhǔn)閾值的參數(shù)值(步驟S265)。
通過重復(fù)以上的順序，即使發(fā)生工藝變動(dòng)、曝光條件、曝光對(duì)象轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合，也在初期(或先行)批次中收集數(shù)據(jù)，按照該收集的數(shù)據(jù)，選擇最佳的對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值，在下一批次(或后續(xù)的晶片)，可將該最優(yōu)化的參數(shù)值逐步反映并使用于半導(dǎo)體曝光設(shè)備。
另外，以上的參數(shù)優(yōu)化作業(yè)中，把多個(gè)參數(shù)作為優(yōu)化對(duì)象，但也可以在步驟S205和步驟S25(或步驟S235)改變其值。并且，在步驟S215，也可以假設(shè)，用多個(gè)不同的參數(shù)值進(jìn)行多次AGA測(cè)量，獲得多個(gè)對(duì)準(zhǔn)信號(hào)和多個(gè)對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，在步驟S235，也可以假設(shè)，用多個(gè)不同的參數(shù)值多次進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的信號(hào)處理，獲得多個(gè)對(duì)準(zhǔn)結(jié)果。
按照?qǐng)D2所示的處理順序，準(zhǔn)備特別的晶片，不進(jìn)行大量生產(chǎn)行動(dòng)和另外研究，而可以是尋求設(shè)定大量生產(chǎn)工藝中最佳的參數(shù)值，不降低生產(chǎn)性，而能夠提高半導(dǎo)體曝光設(shè)備的實(shí)效性能。
以上說明中，在步驟S235對(duì)對(duì)準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行測(cè)量時(shí)，變更不使用的參數(shù)(信號(hào)處理窗口幅度、信號(hào)處理窗口中心距離等)的值，模擬得到晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量，但是在步驟S215中對(duì)其進(jìn)行也行(此時(shí)，不需要步驟S235和步驟S240)。
并且，只優(yōu)化測(cè)量對(duì)準(zhǔn)信號(hào)時(shí)使用的參數(shù)值的場(chǎng)合，不實(shí)行步驟S235和步驟S240也行。
并且，只優(yōu)化測(cè)量對(duì)準(zhǔn)信號(hào)時(shí)不使用的參數(shù)值的場(chǎng)合，不實(shí)行步驟S215也行。
另外，上述的對(duì)準(zhǔn)參數(shù)，如圖12A所示，包括考慮到從點(diǎn)A到點(diǎn)L組合的整體對(duì)準(zhǔn)取樣點(diǎn)配置。在這里，所謂“整體對(duì)準(zhǔn)”是按照位置信息的推定計(jì)算，使晶片臺(tái)移動(dòng)到曝光位置的對(duì)準(zhǔn)方式。圖12A是表示晶片20上AGA取樣點(diǎn)位置的示意圖。
并且，對(duì)準(zhǔn)參數(shù)也包括標(biāo)記要素32的幅度或線寬。圖10所示的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30標(biāo)記要素32是凹下去的，但最近工藝中，為了盡可能去掉晶片表面的凹坑，所以采用只讓外形線凹下的標(biāo)記要素32。因此，如圖12B所示，作為對(duì)準(zhǔn)測(cè)量方向標(biāo)記要素32長度的標(biāo)記幅度ML或作為標(biāo)記要素32輪廓線幅度的標(biāo)記線寬MLW也能成為對(duì)準(zhǔn)參數(shù)。在這里，圖12B是標(biāo)記要素32的示意平面圖。
并且，上述說明中，作為工業(yè)用設(shè)備，可以把半導(dǎo)體曝光設(shè)備的對(duì)準(zhǔn)優(yōu)化作為管理對(duì)象進(jìn)行說明，但工業(yè)用設(shè)備的管理不限于此，例如對(duì)于CMP設(shè)備等的曝光用設(shè)備也可以應(yīng)用，有關(guān)半導(dǎo)體曝光設(shè)備的構(gòu)造構(gòu)成要素，例如，晶片聚焦功能也可以應(yīng)用。并且，即使對(duì)重合檢查設(shè)備，例如把電子掃描顯微鏡SEM作為基準(zhǔn)，同樣也可以優(yōu)化用于進(jìn)行其校正的變量。
如以上說明的一樣，按照本實(shí)施例的設(shè)備管理系統(tǒng)及其管理工序，參數(shù)值的優(yōu)化將容易起來，可維持高生產(chǎn)性使用設(shè)備，能夠提供CoO(Cost Ownership成本主動(dòng)權(quán))優(yōu)良的設(shè)備管理。
按照設(shè)備管理系統(tǒng)及其管理工序管理的曝光設(shè)備是可以發(fā)揮高的實(shí)效性能的，就該提高生產(chǎn)性、和成品率。
遠(yuǎn)距離地接收從工業(yè)設(shè)備來的操作結(jié)果，優(yōu)化管理參數(shù)，說明其機(jī)器里設(shè)定的第2實(shí)施例。
圖3是說明第2實(shí)施例的圖。半導(dǎo)體曝光設(shè)備被設(shè)置在半導(dǎo)體制造廠(圖3的場(chǎng)合，是半導(dǎo)體制造廠的A公司、B公司、C公司)，并使用于生產(chǎn)，但管理設(shè)備參數(shù)的優(yōu)化也可以在半導(dǎo)體制造廠(設(shè)備用戶)進(jìn)行，在半導(dǎo)體制造設(shè)備廠，或作為咨詢的銷售商進(jìn)行，也能獲得有效結(jié)果。
銷售商進(jìn)行參數(shù)管理的一方，作為半導(dǎo)體曝光設(shè)備的信息，有時(shí)也存在很多不向用戶(半導(dǎo)體制造廠的A公司、B公司、C公司)公開的信息，有時(shí)也能獲得更好的結(jié)果。
如果，銷售商進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化的場(chǎng)合，其數(shù)據(jù)處理或數(shù)據(jù)庫的作成，不需要在設(shè)置半導(dǎo)體曝光設(shè)備的半導(dǎo)體制造廠一側(cè)進(jìn)行，也可以索性使用因特網(wǎng)線路或?qū)Ｓ镁€路等數(shù)據(jù)通信網(wǎng)，遠(yuǎn)距離接收機(jī)器信息，靈活運(yùn)用銷售商獨(dú)自的數(shù)據(jù)庫，調(diào)整到最佳參數(shù)，再次通過數(shù)據(jù)通信網(wǎng)，對(duì)機(jī)器再設(shè)定該參數(shù)。
圖3是以包括半導(dǎo)體曝光設(shè)備的半導(dǎo)體制造設(shè)備作為例，表示設(shè)備管理系統(tǒng)的構(gòu)筑例圖，采用通過因特網(wǎng)或?qū)Ｓ镁€路等數(shù)據(jù)通信網(wǎng)28連接運(yùn)行包括半導(dǎo)體曝光設(shè)備的設(shè)備群來制造半導(dǎo)體器件的多家工廠21、22、23等和位于該工廠群遙遠(yuǎn)地方的銷售商25的辦法而構(gòu)成。
各工廠21、22、23里，各自設(shè)置有工業(yè)用設(shè)備24a-c、24d-f、24g-i，管理該機(jī)器的管理設(shè)備25a-c，和通過該管理設(shè)備操作工業(yè)用設(shè)備的工廠側(cè)操作設(shè)備(第1操作設(shè)備)26a-c。作為管理對(duì)象的工業(yè)用設(shè)備，包括例如半導(dǎo)體曝光設(shè)備、CVD設(shè)備、蝕刻設(shè)備、CMP設(shè)備、光刻膠涂布設(shè)備、顯影設(shè)備、灰化設(shè)備和檢查設(shè)備等的半導(dǎo)體制造設(shè)備，但是本發(fā)明的宗旨，不限于這里列舉的設(shè)備。
工廠側(cè)操作設(shè)備26a-c可以通過管理設(shè)備25a-c操作工業(yè)用設(shè)備24a-i。
還有，圖3中，設(shè)定工業(yè)用設(shè)備24a-i與工廠側(cè)操作設(shè)備26a-c和管理設(shè)備25a-c為各自個(gè)別構(gòu)成，然而也可以將工業(yè)用設(shè)備24a-i、管理設(shè)備25a-c和管理設(shè)備26a-c的全部或部分整體化。典型地說，工廠側(cè)操作設(shè)備26當(dāng)作一面監(jiān)視工業(yè)用設(shè)備24的工作狀態(tài)一面確定參數(shù)的監(jiān)視器，當(dāng)作輸入用以操作工業(yè)用設(shè)備24的信息(例如，參數(shù)、指令、程序等)的輸入手段功能，執(zhí)行控制工廠一側(cè)操作設(shè)備工作的操作程序等，控制機(jī)器。
在各工廠一側(cè)配備工廠用數(shù)據(jù)庫(35a、35b、35c)，對(duì)工業(yè)用設(shè)備的操作履歷或?qū)I(yè)用設(shè)備在工廠一側(cè)設(shè)定的參數(shù)等各種信息中，以便對(duì)銷售商25一側(cè)存儲(chǔ)打算保密的信息而使用的。通常，工廠側(cè)操作設(shè)備26(a-c)禁止由銷售商一側(cè)(即，銷售商側(cè)操作設(shè)備30)向工廠一側(cè)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取，但按照由工廠一側(cè)給予的允許，對(duì)存入工廠一側(cè)存儲(chǔ)器的全部或部分信息，允許由銷售商一側(cè)來進(jìn)行存取。
在位于遠(yuǎn)離工廠21、22、23的銷售商25處，設(shè)置銷售商側(cè)操作設(shè)備(第2操作設(shè)備)30。銷售商側(cè)操作設(shè)備30，通過數(shù)據(jù)通信網(wǎng)28，與工廠21的管理設(shè)備26a、工廠22的管理設(shè)備26b、工廠23的管理設(shè)備26c連接，通過各管理設(shè)備，遠(yuǎn)距離地操作工業(yè)用設(shè)備24a-i，可以獲得表示器工作狀態(tài)的信息。
銷售商25通過數(shù)據(jù)通信網(wǎng)28接收的信息，包括各工廠里用于控制個(gè)別管理的工業(yè)用設(shè)備的信息、用于評(píng)價(jià)工作狀態(tài)的測(cè)量數(shù)據(jù)。
銷售商25，例如銷售商25內(nèi)，接收有關(guān)A公司工廠21的工業(yè)用設(shè)備24a-c的控制信息，或按照其控制信息，表示設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的評(píng)價(jià)值，判斷該控制信息是不是適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)，如果不適當(dāng)，就決定用于實(shí)現(xiàn)最適合設(shè)備運(yùn)行的控制信息，通過數(shù)據(jù)通信網(wǎng)28把該決定的控制信息配送給A公司工廠21，給工業(yè)用設(shè)備24a-c設(shè)定通過A公司管理設(shè)備26a、操作設(shè)備25a變更后的參數(shù)，就能夠進(jìn)行管理。
銷售商側(cè)操作設(shè)備30由個(gè)人計(jì)算機(jī)或工作站構(gòu)成，如第1實(shí)施例的圖2中說明的那樣，也可以實(shí)行用于機(jī)器參數(shù)的優(yōu)化處理。
利用數(shù)據(jù)通信網(wǎng)28的通信是按照分組通信協(xié)議(TCP/IP)的，如果是某公司內(nèi)，就變成了LAN結(jié)構(gòu)，公司外之間通信時(shí)變成使用因特網(wǎng)的結(jié)構(gòu)。例如半導(dǎo)體曝光設(shè)備的對(duì)準(zhǔn)管理方面，對(duì)準(zhǔn)信號(hào)通過該數(shù)據(jù)通信網(wǎng)28傳送到銷售商25一側(cè)，就可以用銷售商側(cè)操作設(shè)備30進(jìn)行處理。
典型地說，銷售商側(cè)操作設(shè)備30包括用于一面監(jiān)視工業(yè)用設(shè)備24工作狀態(tài)一面確認(rèn)參數(shù)的監(jiān)視器、用于輸入為操作工業(yè)用設(shè)備的信息(例如，參數(shù)、指令、程序等)的輸入部和控制銷售商側(cè)操作設(shè)備30工作的操作程序等或用于參數(shù)優(yōu)化判斷的數(shù)據(jù)庫27。
銷售商側(cè)數(shù)據(jù)庫27，例如，對(duì)工業(yè)用設(shè)備24a-i的操作履歷或?qū)I(yè)用設(shè)備24，在銷售商一側(cè)設(shè)定的參數(shù)等各種信息中，為了對(duì)工廠21一側(cè)存儲(chǔ)作為技術(shù)秘密不公開的的技術(shù)信息而使用的。通常，禁止從工廠一側(cè)，對(duì)該銷售商存儲(chǔ)器進(jìn)行存取，但是根據(jù)需要，按照由銷售商一側(cè)給予的允許，對(duì)存入銷售商25一側(cè)存儲(chǔ)器的全部或部分信息，則允許從工廠21一側(cè)來存取。
銷售商操作設(shè)備30，具有管理工業(yè)用設(shè)備24a-i者設(shè)定用于運(yùn)行機(jī)器條件的管理者設(shè)定部；控制管理系統(tǒng)的管理程序，控制向工廠側(cè)數(shù)據(jù)35a-c和銷售商側(cè)數(shù)據(jù)庫27進(jìn)行存取的信息控制部；以及可以根據(jù)從管理設(shè)備25a-c和銷售商側(cè)操作設(shè)備30來的指示使工業(yè)用設(shè)備工作，進(jìn)而，按照其工作，收集工作信息，基于存入數(shù)據(jù)庫27的信息選擇最佳運(yùn)行條件，給工廠一側(cè)的機(jī)器設(shè)定該最佳運(yùn)行條件。
如以上說明，按照本實(shí)施例的設(shè)備管理系統(tǒng)和方法，采用遠(yuǎn)距離地，決定以最各水平滿足各機(jī)器要求性能的條件，通過數(shù)據(jù)通信網(wǎng)28將其結(jié)果配送給各工廠，對(duì)各機(jī)器進(jìn)行設(shè)定的辦法，不是用固定的除數(shù)管理機(jī)器工作而是可以在運(yùn)行中進(jìn)行調(diào)整，把變更的結(jié)果反映到以后運(yùn)行中的管理。
接著，說明利用關(guān)于上述說明過的曝光設(shè)備及其設(shè)備管理系統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的制造工藝。圖7表示半導(dǎo)體器件的整個(gè)制造工藝流程。在步驟1(電路設(shè)計(jì))，進(jìn)行半導(dǎo)體器件的電路設(shè)計(jì)。在步驟2(曝光控制數(shù)據(jù)制作)，根據(jù)設(shè)計(jì)的電路圖形制作曝光設(shè)備的曝光控制數(shù)據(jù)。另一方面，在步驟3(晶片制造)，使用硅等材料制造晶片。在步驟4(晶片處理)叫做前工序，使用上述準(zhǔn)備的掩模和晶片，用光刻技術(shù)在晶片上邊形成實(shí)際電路。下面的步驟5(組裝)叫做后工序，是使用通過步驟4制成的晶片劃分成半導(dǎo)體芯片的工序，包括裝配工序(劃片、壓焊)、封裝工序(密封芯片)等的組裝工序。在步驟6(檢測(cè))，進(jìn)行步驟5中制成的半導(dǎo)體器件工作確定測(cè)試、耐久性測(cè)試等檢測(cè)。經(jīng)過這樣的工序完成半導(dǎo)體器件，讓其出廠(步驟7)。例如，前工序和后工序也可以分別在專用的另外工廠里進(jìn)行，這時(shí)，這些每家工廠，通過上述說明過的遠(yuǎn)距離設(shè)備管理系統(tǒng)，進(jìn)行設(shè)備的管理。并且前工序工廠與后工序工廠之間，也可以通過因特網(wǎng)或?qū)Ｓ镁€網(wǎng)絡(luò)，對(duì)用于管理的信息進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。
圖8表示上述晶片工藝的詳細(xì)流程圖。在步驟11(氧化)使晶片表面氧化。步驟12(CVD)，晶片表面上形成絕緣膜。步驟13(形成電極)，用蒸鍍法在晶片上邊形成電極。步驟14(離子注入)，向晶片注入離子。步驟15(光刻膠處理)，給晶片上涂布光致抗蝕劑。步驟16(曝光)，用上述說明的曝光設(shè)備，在晶片上描繪(曝光)電路圖形。步驟17(顯影)，使曝光后的晶片顯影。步驟18(蝕刻)，除去顯影后的光刻膠圖形以外的部分。步驟19(剝離光刻膠)，完成蝕刻后除去不要的光刻膠。通過重復(fù)進(jìn)行這些步驟，在晶片上邊形成多重電路圖形。各工序使用的制造機(jī)器都用上述說明過的遠(yuǎn)距離的設(shè)備管理系統(tǒng)進(jìn)行管理，因而對(duì)于種種生產(chǎn)辦法，也都不會(huì)降低生產(chǎn)率，而且可以設(shè)定設(shè)備管理的參數(shù)，與以往比較，能夠提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率。
如以上說明的那樣，倘若采用本發(fā)明的設(shè)備管理系統(tǒng)及其方法，設(shè)備運(yùn)行時(shí)就可以優(yōu)化參數(shù)值，就能夠維持高的生產(chǎn)率地使用設(shè)備，可提供CoO(Cost of Ownership成本主動(dòng)權(quán))優(yōu)良的設(shè)備管理。
用設(shè)備管理系統(tǒng)和方法管理的曝光設(shè)備，能夠發(fā)揮高的實(shí)效性能，就該提高生產(chǎn)率、成品率。
并且，遠(yuǎn)距離地，決定以最高水平滿足各機(jī)器要求的性能，通過數(shù)據(jù)通信網(wǎng)將其結(jié)果配送給各工廠，通過對(duì)各工廠進(jìn)行設(shè)定，本身以固定的參數(shù)管理設(shè)備工作，而是可以在運(yùn)行中進(jìn)行調(diào)整，把變更的結(jié)果反映到氧化運(yùn)行上的管理辦法。
權(quán)利要求
1.一種管理設(shè)備的系統(tǒng)，包括設(shè)定用于運(yùn)行上述設(shè)備參數(shù)值的設(shè)定裝置；按照由上述設(shè)定裝置設(shè)定的第1參數(shù)值，運(yùn)行上述設(shè)備的運(yùn)行裝置；檢查上述設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的檢查裝置；從表示按照由上述檢查求出的第1參數(shù)值的運(yùn)行結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量和表示按照與不進(jìn)行上述檢查求出的第1參數(shù)值不同的第2參數(shù)值的運(yùn)行結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中決定參數(shù)值的決定裝置，在這里，上述設(shè)定裝置把上述參數(shù)值，作為由上述決定裝置決定的參數(shù)值，上述運(yùn)行裝置，按照由上述決定裝置決定的參數(shù)值，運(yùn)行上述設(shè)備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征是上述決定裝置，按照上述第1、第2評(píng)價(jià)量與用于管理上述設(shè)備的基準(zhǔn)閾值的比較，決定實(shí)現(xiàn)超過該基準(zhǔn)閾值的最佳運(yùn)行參數(shù)值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征是上述設(shè)備是曝光設(shè)備，上述檢查裝置是重合檢查設(shè)備。
4.一種曝光設(shè)備，包括可與管理用于控制曝光信息的管理設(shè)備通信的通信裝置，和根據(jù)用于控制通過上述通信裝置接收的上述曝光信息，控制上述曝光設(shè)備的控制裝置；在這里，上述管理設(shè)備，通過上述通信裝置接收表示，按照通過測(cè)量表示由上述控制裝置控制的上述曝光設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的評(píng)價(jià)量求出的，用于控制第1曝光的信息控制的上述曝光設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量，從該第1評(píng)價(jià)量，和表示按照用于控制與不進(jìn)行上述測(cè)量而求出的，與用于控制上述第1曝光的信息不同的第2曝光信息，控制上述曝光設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中決定上述信息；上述控制裝置，按照用于控制上述決定的上述曝光信息，控制上述曝光設(shè)備。
5.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括工廠里設(shè)置包括半導(dǎo)體曝光設(shè)備的多臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備的工序，和使用上述多臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備，制造半導(dǎo)體器件的工序，在這里，上述曝光設(shè)備具備可與管理信息用于控制曝光的管理設(shè)備通信的通信裝置，和根據(jù)用于控制通過上述通信裝置接收的上述曝光信息，控制上述曝光設(shè)備的控制裝置；在這里，上述管理設(shè)備，通過上述通信裝置，接收表示按照通過測(cè)量表示由上述控制裝置控制的上述曝光設(shè)備運(yùn)行結(jié)果評(píng)價(jià)量求出的，用于控制第1曝光的信息控制的上述曝光設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量，從該第1評(píng)價(jià)量，和表示按照用于控制與不進(jìn)行上述測(cè)量求出的，用于控制上述第1曝光的信息不同的第2曝光的信息控制的上述曝光設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中，決定上述信息；上述控制裝置，按照用于控制上述決定的上述曝光信息，控制上述曝光設(shè)備。
6.一種管理設(shè)備的方法，包括設(shè)定用于運(yùn)行上述設(shè)備的參數(shù)值為第1參數(shù)值的設(shè)定工序；檢查按照上述第1參數(shù)值運(yùn)行的上述設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的檢查工序；從表示上述運(yùn)行結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量，和表示與不進(jìn)行上述檢查求出的第1參數(shù)值不同的第2參數(shù)值的上述設(shè)備運(yùn)行結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中，決定參數(shù)值的決定工序；以及按照由上述決定裝置決定的參數(shù)值，運(yùn)行上述設(shè)備的工序。
7.一種管理設(shè)備的系統(tǒng)，包括在設(shè)置上述設(shè)備的工廠外的外部網(wǎng)絡(luò)上，用于累積用以運(yùn)行上述設(shè)備的多個(gè)控制信息的數(shù)據(jù)庫；把上述設(shè)備連接到上述工廠內(nèi)局域網(wǎng)上的裝置；與上述局域網(wǎng)連接，檢查運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的檢查裝置；利用上述外部網(wǎng)絡(luò)和上述局域網(wǎng)，接收上述多個(gè)控制信息中第1控制信息，和表示按照由上述檢查求出的上述第1控制信息運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量，從該接收的第1控制信息與上述第1評(píng)價(jià)量，和表示按照與不進(jìn)行上述檢查求出的上述第1控制信息不同的第2控制信息運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中，決定控制信息的決定裝置；以及利用上述外部網(wǎng)絡(luò)和局域網(wǎng)，給上述設(shè)備設(shè)定由上述決定裝置決定的控制信息的設(shè)定裝置。
8.一種管理設(shè)備的方法，包括在設(shè)置上述設(shè)備的工廠外的外部網(wǎng)絡(luò)上，準(zhǔn)備用于累積多個(gè)控制信息，用于運(yùn)行上述設(shè)備的數(shù)據(jù)庫的工序；把上述設(shè)備連接到上述工廠內(nèi)局域網(wǎng)上的工序；把檢查運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的檢查裝置連接到上述局域網(wǎng)的工序；利用上述外部網(wǎng)絡(luò)和上述局域網(wǎng)，接收上述多個(gè)控制信息中第1控制信息和表示按照由上述檢查求出的上述第1控制信息運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量，從該接收的第1控制信息與上述第1評(píng)價(jià)量，和表示按照與不進(jìn)行上述檢查求出的上述第1控制信息不同的第2控制信息運(yùn)行上述設(shè)備的結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量中，決定控制信息的決定工序；以及利用上述外部網(wǎng)絡(luò)和局域網(wǎng)，給上述設(shè)備設(shè)定在上述決定工序中決定的控制信息的設(shè)定工序。
9.一種曝光設(shè)備，包括檢測(cè)晶片上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)部件；保持上述晶片的晶片臺(tái)；按照從把對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為第1值，通過驅(qū)動(dòng)上述對(duì)準(zhǔn)部件和上述晶片臺(tái)獲得有關(guān)上述晶片的第1信息、把上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為與上述第1值不同的第2值，通過驅(qū)動(dòng)上述對(duì)準(zhǔn)部件和上述晶片臺(tái)獲得的有關(guān)上述晶片的第2信息、及通過檢查按照上述第1信息曝光的上述晶片而求出的檢查結(jié)果中，決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值，控制上述對(duì)準(zhǔn)部件和上述晶片臺(tái)的控制部；以及在這里，上述決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值，從上述第1值和上述第2值中來決定。
10.一種曝光設(shè)備，包括檢測(cè)晶片上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)部件；保持上述晶片的晶片臺(tái)；存儲(chǔ)從把對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為第1值，處理通過驅(qū)動(dòng)上述對(duì)準(zhǔn)部件和上述晶片臺(tái)獲得對(duì)準(zhǔn)信號(hào)，獲得有關(guān)上述晶片的第1信息、把上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為與上述第1值不同的第2值，處理上述對(duì)準(zhǔn)信號(hào)，獲得的有關(guān)上述晶片的第2信息、及通過檢查按照上述第1信息曝光的上述晶片而求出的檢查結(jié)果來決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的存儲(chǔ)部；在這里，上述決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值，從上述第1值和上述第2值中來決定。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述設(shè)備，其特征是上述第2值包括多個(gè)值，上述第2信息包括分別與該多個(gè)值對(duì)應(yīng)的多個(gè)信息。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述設(shè)備，其特征是上述第2值包括多個(gè)值，上述第2信息包括分別與該多個(gè)值對(duì)應(yīng)的多個(gè)信息。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述設(shè)備，其特征是關(guān)于上述晶片的信息包括晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量的至少任何一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述設(shè)備，其特征是關(guān)于上述晶片的信息包括晶片倍率、晶片旋轉(zhuǎn)量、位移量的至少任何一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述設(shè)備，其特征是上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)包括一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述設(shè)備，其特征是上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)包括一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述設(shè)備，其特征是上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)包括整體對(duì)準(zhǔn)的取樣點(diǎn)的配置。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述設(shè)備，其特征是上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)包括照明上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的照明方式。
19.根據(jù)權(quán)利要求9所述設(shè)備，其特征是上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)包括按預(yù)先設(shè)定的間隔形成于上述晶片上的多個(gè)要素，上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)包括作為在對(duì)準(zhǔn)測(cè)量方向的上述要素長度的標(biāo)記幅度。
20.根據(jù)權(quán)利要求9所述設(shè)備，其特征是上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)包括按預(yù)先設(shè)定的間隔形成于上述晶片上的多個(gè)要素，上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)包括作為上述要素輪廓線幅度的標(biāo)記線寬。
21.根據(jù)權(quán)利要求10所述設(shè)備，其特征是上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)包括處理上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記檢測(cè)信號(hào)方式的處理參數(shù)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述設(shè)備，其特征是上述處理參數(shù)包括處理窗口幅度。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述設(shè)備，其特征是上述處理參數(shù)包括處理窗口中心距離。
24.一種曝光方法，包括把對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為第1值，通過檢測(cè)晶片上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，獲得有關(guān)上述晶片的第1信息的工序；把上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為與上述第1值不同的第2值，通過檢測(cè)上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，獲得有關(guān)上述晶片的第2信息的工序；按照上述第1信息使上述晶片曝光的工序；檢查該曝光后的上述晶片，獲得檢查結(jié)果的工序；以及從上述第1、第2信息和上述檢查結(jié)果中，不進(jìn)行按照上述第2信息的曝光，決定上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的工序，該決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值，從上述第1值和上述第2值之中來決定。
25.一種曝光方法，包括具備通過檢測(cè)晶片上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，獲得對(duì)準(zhǔn)信號(hào)的工序；把對(duì)準(zhǔn)信號(hào)作為第1值處理上述對(duì)準(zhǔn)信號(hào)，獲得有關(guān)上述晶片的第1信息的工序；把上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)作為與上述第1值不同的第2值，處理上述對(duì)準(zhǔn)信號(hào)，獲得有關(guān)上述晶片的第2信息的工序；按照上述第1信息使上述晶片曝光的工序；檢查該曝光后的上述晶片，獲得檢查結(jié)果的工序；以及從上述第1、第2信息和上述檢查結(jié)果中，不進(jìn)行按照上述第2信息的曝光，決定上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值的工序，該決定的上述對(duì)準(zhǔn)參數(shù)值，從上述第1值和上述第2值之中來決定。
26.一種器件制造方法，包括利用根據(jù)權(quán)利要求9的曝光設(shè)備，用掩模版對(duì)晶片進(jìn)行曝光的工序；以及使該曝光后的襯底顯影的工序。
27.一種器件制造方法是，包括利用根據(jù)權(quán)利要求10的曝光設(shè)備，用掩模版對(duì)晶片進(jìn)行曝光的工序；以及使該曝光后的襯底顯影的工序。
全文摘要
在運(yùn)行中，管理作為管理對(duì)象設(shè)備的設(shè)備管理方法，設(shè)定用于運(yùn)行作為管理對(duì)象設(shè)備的參數(shù)(S205)；按照該設(shè)定的參數(shù)，運(yùn)行設(shè)備(S220)；在該設(shè)備的運(yùn)行中檢查運(yùn)行設(shè)備的結(jié)果的檢查(S225)。從表示對(duì)由檢查求出的第1參數(shù)值的運(yùn)行結(jié)果的第1評(píng)價(jià)量，和按照與第1參數(shù)值不同的第2參數(shù)值(S215)表示運(yùn)行結(jié)果的第2評(píng)價(jià)量(S210、S230)中決定參數(shù)值(S255、S260)。把第1參數(shù)值更新為決定的參數(shù)值，按照該更新后的參數(shù)值運(yùn)行設(shè)備。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1412622SQ0214578
公開日2003年4月23日 申請(qǐng)日期2002年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月17日
發(fā)明者稻秀樹, 鈴木武彥, 千德孝一, 松本隆宏, 大石哲 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社