專利名稱：光調(diào)制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光調(diào)制器，該光調(diào)制器在p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體之間，具有多重量子阱的吸收層。
背景技術(shù)：
電場(chǎng)吸收型光調(diào)制器(Electroabsorption Optical ModulatorEA調(diào)制器)利用伴隨作用于物質(zhì)上的電場(chǎng)，導(dǎo)致光吸收系數(shù)(下面簡(jiǎn)稱為“吸收系數(shù)”)發(fā)生變化的電場(chǎng)吸收效應(yīng)。具體來(lái)說(shuō)，EA調(diào)制器通過(guò)在半導(dǎo)體吸收波導(dǎo)管層上，外加電場(chǎng)，使吸收波導(dǎo)管層的吸收系數(shù)變化，進(jìn)行光調(diào)制，其分為吸收波導(dǎo)管層采用量子阱結(jié)構(gòu)的類型，以及不采用波導(dǎo)管，而采用體半導(dǎo)體層的類型。
圖8(A)和圖8(B)表示吸收層波導(dǎo)管層采用量子阱的過(guò)去的EA調(diào)制器的能帶(band)，圖8(C)表示采用體半導(dǎo)體層的過(guò)去的EA調(diào)制器的能帶。在圖8(A)～圖8(C)中，標(biāo)號(hào)101表示p型半導(dǎo)體，標(biāo)號(hào)102表示多重量子阱結(jié)構(gòu)，標(biāo)號(hào)103表示n型半導(dǎo)體，標(biāo)號(hào)102a表示多重量子阱結(jié)構(gòu)102中的1個(gè)周期的量子阱結(jié)構(gòu)，標(biāo)號(hào)104表示p型半導(dǎo)體101側(cè)(p側(cè))的阻擋層，或n型半導(dǎo)體103側(cè)(n側(cè))的阻擋層，標(biāo)號(hào)105表示1個(gè)周期的量子阱，標(biāo)號(hào)106表示體半導(dǎo)體層。
在過(guò)去，在具有每秒2.5Gbit(2.5Gbps)和10Gbps的調(diào)制速度(位速率(bitrate)的調(diào)制系統(tǒng)用的光調(diào)制器中，人們?cè)谧非笪諏咏Y(jié)構(gòu)更加合理化同時(shí)在確保良好的光波形和低線性調(diào)頻脈沖方面進(jìn)行了努力。在這里，線性調(diào)頻脈沖(chirp，或chirping)指光頻率作為時(shí)間的函數(shù)而連續(xù)地變化的脈沖。但是，伴隨光調(diào)制器所要求的調(diào)制速度的增加，難于實(shí)現(xiàn)上述兩個(gè)方面的要求。特別是，對(duì)于具有40Gbps的調(diào)制速度的調(diào)制系統(tǒng)用的光調(diào)制器，具有未提出有效的線性調(diào)頻脈沖降低的對(duì)策的問(wèn)題。
下面對(duì)伴隨光調(diào)制器所要求的調(diào)制速度的增加，線性調(diào)頻脈沖降低難于實(shí)現(xiàn)的狀況進(jìn)行描述。圖9為表示驅(qū)動(dòng)過(guò)去的光調(diào)制器的驅(qū)動(dòng)電路的典型調(diào)制信號(hào)波形的圖，圖9(A)表示10Gbps的調(diào)制速度時(shí)的調(diào)制信號(hào)波形，圖9(B)表示40Gbps的調(diào)制速度時(shí)的調(diào)制信號(hào)波形。象圖9(A)所示的那樣，在10Gbps的調(diào)制速度的場(chǎng)合，象由虛線所圍繞的波形Pa那樣，獲得接近0電平和1電平的識(shí)別容易的矩形的調(diào)制信號(hào)波形。另一方面，象圖9(B)所示的那樣，在40Gbps的調(diào)制速度的場(chǎng)合，即使在采用適合該調(diào)制速度的驅(qū)動(dòng)電路的情況下，仍只能夠獲得象由虛線所圍繞的波形Pb那樣，相對(duì)矩形，更接近菱形的波形。另外，象圖9(B)所示的那樣，1電平的波形的放大值σm較大，其是限制光通信系統(tǒng)中的光纖傳送后的誤碼率的主要因素。象上述那樣，在過(guò)去的光調(diào)制器中，由于伴隨調(diào)制速度的增加，調(diào)制信號(hào)波形變差，故具有難于產(chǎn)生不依賴調(diào)制速度的同等的光信號(hào)波形。
為了解決上述的問(wèn)題，在光調(diào)制器的消光特性中，要求“減小接近消光特性的1個(gè)電平的斜率”。在這里，消光特性指調(diào)制信號(hào)的光輸出相對(duì)外加電壓(V)的特性。下面通過(guò)

圖10所示的過(guò)去的光調(diào)制器的消光特性進(jìn)行說(shuō)明。
在圖10(A)中，橫軸表示外加電壓(V)，縱軸表示調(diào)制信號(hào)的光輸出，Vpp(V)表示電壓振幅，Vo(V)表示電壓開(kāi)口，△V(V)表示外加電壓的放大值，曲線a和b分別表示相應(yīng)的光調(diào)制器的消光特性。圖10(B)表示調(diào)制光波形，圖10(C)表示調(diào)制信號(hào)波形。象圖10(A)所示的那樣，消光特性的曲線a和b表示針對(duì)相同的電壓振幅Vpp(V)，同等的消光比Ex(dB)。消光比指通過(guò)光調(diào)制器，使透射光強(qiáng)度變化時(shí)的最大值與最小值的比。接近消光特性的曲線a或b的1個(gè)電平的斜率是指相對(duì)在調(diào)制信號(hào)波形的1個(gè)電平側(cè)(圖10(A)中的，外加電壓為0V的一側(cè))的外加電壓的放大值△V的消光比Ex(dB)。象圖10(A)所示的那樣，消光特性a的曲線是指在給出“接近消光特性的1個(gè)電平的斜率較小”的光調(diào)制器時(shí)，調(diào)制信號(hào)波形的1個(gè)電平側(cè)的放大值△V(V)，Ex，a(dB)的消光比。另一方面，消光特性b的曲線是指在給出“接近消光特性的1個(gè)電平的斜率較大”的光調(diào)制器時(shí)，調(diào)制信號(hào)波形的1個(gè)電平側(cè)的放大值△V(V)，Ex，b(dB)的消光比。在這里，Ex，a＜Ex，b。此時(shí)，在圖10(B)所示的調(diào)制光波形中，接近1個(gè)電平的調(diào)制光波形的放大值分別與Ex，a，Ex，b相對(duì)應(yīng)。由此，為了獲得接近1個(gè)電平的調(diào)制光波形的放大值較小，良好的誤碼率的光調(diào)制器，必須要求采用相對(duì)消光特性b的曲線所示的光調(diào)制器，消光特性b的曲線所示的光調(diào)制器。即，必須要求采用具有下述消光特性的光調(diào)制器，該消光特性指伴隨調(diào)制速度的增加，具有相同程度的消光比Ex(dB)，并且接近消光特性的1個(gè)電平的斜率較小。
但是，一般作為經(jīng)驗(yàn)，人們知道，如果采用不犧牲消光比Ex(dB)，而使接近消光特性的1個(gè)電平的斜率較小的機(jī)構(gòu)，比如，通過(guò)在調(diào)制器吸收層中，設(shè)置多重量子阱(Mutiple Quantum WellsMQW)，調(diào)節(jié)MQW的阱幅度，阻擋高度的機(jī)構(gòu)，則必然導(dǎo)致線性調(diào)頻脈沖的增加。即，具有下述問(wèn)題，難于在不使光調(diào)制器的消光特性變差的情況下，僅僅減小線性調(diào)頻脈沖。人們認(rèn)為，該問(wèn)題妨礙可按照40Gbps的非常高速的調(diào)制速度，使用的低線性調(diào)頻脈沖的調(diào)制器的實(shí)現(xiàn)，實(shí)際上，在學(xué)術(shù)方面，尚未報(bào)道有可按照40Gbps動(dòng)作的低的線性調(diào)頻脈沖的調(diào)制器。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的目的在于提供一種光調(diào)制器，該光調(diào)制器是為了解決上述問(wèn)題而提出的，其可在不影響光調(diào)制器的消光特性的情況下，僅僅使線性調(diào)頻脈沖減小。
本發(fā)明的調(diào)制器涉及下述光調(diào)制器，其中在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間，具有多重量子阱的吸收層，其特征在于該多重量子阱的1個(gè)周期的結(jié)構(gòu)具有阻擋層，該阻擋層具有第1帶間隙；阱層，該阱層與上述阻擋層連接，并且在比上述阻擋層更靠近n型半導(dǎo)體一側(cè)，具有小于第1帶間隙的第2帶間隙；中間層，該中間層與上述阱層連接，并且在比上述阻擋層更靠近n型半導(dǎo)體一側(cè)，具有大于第2帶間隙，且小于第1帶間隙的第3帶間隙；對(duì)上述阱層，施加張拉變形。
在這里，在本發(fā)明的光調(diào)制器中，還可在上述中間層與比上述中間層中更靠近n型半導(dǎo)體一側(cè)的阻擋層之間，包括具有規(guī)定的帶間隙的1個(gè)以上的層，該規(guī)定的帶間隙可在第2帶間隙與第3帶間隙之間，或在第3帶間隙與第1帶間隙之間。
在這里，在本發(fā)明的光調(diào)制器中，上述阱層的材料為InGaAsP，InGaAs，或InGaAlAs。
圖1為說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施例的光調(diào)制器的圖；圖2為對(duì)本實(shí)施例的，具有帶中間層11的張拉變形量子阱的光調(diào)制器1與不具有中間層的量子阱的各種特性進(jìn)行比較的圖；圖3為表示本實(shí)施例的，具有帶中間層11的張拉變形量子阱的光調(diào)制器1的吸收光譜與α參數(shù)的計(jì)算結(jié)果的圖；圖4為表示具有張拉變形純量子阱的光調(diào)制器的吸收光譜與α參數(shù)的計(jì)算結(jié)果的圖；圖5為說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施例的光調(diào)制器的多重量子阱的能帶的圖；圖6為表示本發(fā)明的第3實(shí)施例的帶光調(diào)制器的半導(dǎo)體激光器(調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光裝置)的圖；圖7為表示本發(fā)明的第4實(shí)施例的光放大器集成型光調(diào)制器的圖；圖8為表示過(guò)去的EA調(diào)制器的能帶(band)的圖；圖9為表示驅(qū)動(dòng)過(guò)去的光調(diào)制器的驅(qū)動(dòng)電路的典型調(diào)制信號(hào)波形的圖；圖10為表示過(guò)去的光調(diào)制器的消光特性的圖。
本發(fā)明的實(shí)施例圖1(A)～(C)說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施例的光調(diào)制器。圖1(A)表示光調(diào)制器的整體，圖1(B)表示說(shuō)明多重量子阱的能帶，圖1(C)表示多重量子阱的1個(gè)周期的結(jié)構(gòu)。在圖1(A)中，標(biāo)號(hào)1表示光調(diào)制器，標(biāo)號(hào)2表示半絕緣性Si-InP襯底，標(biāo)號(hào)3表示吸收層，標(biāo)號(hào)4表示波導(dǎo)管，標(biāo)號(hào)5表示p型電極，標(biāo)號(hào)6表示n型電極。象圖1A所示的那樣，信號(hào)光通過(guò)波導(dǎo)管4，與吸收層3耦合，將n型電極6接地，對(duì)p型電極5施加負(fù)電壓，使吸收層3的吸收系數(shù)增加，由此，可對(duì)信號(hào)光進(jìn)行調(diào)制。
在圖1(B)和(C)中，標(biāo)號(hào)7表示p型包覆材料(clad)，標(biāo)號(hào)8表示吸收層多重量子阱，標(biāo)號(hào)8a表示每個(gè)周期的多重量子阱，標(biāo)號(hào)9表示n型包覆材料(clad)，標(biāo)號(hào)10表示阱層，標(biāo)號(hào)11表示中間層，標(biāo)號(hào)12表示阻擋層。對(duì)阱層10，施加張拉變形，具有晶格沿面內(nèi)方向受到張拉變形狀態(tài)的張拉量子變形量子阱結(jié)構(gòu)。象圖1(C)所示的那樣，在阱層10與n側(cè)的阻擋層12之間，插入中間層11。如果由Eb(Ev)表示阻擋層12的帶間隙(band gap)(第1帶間隙)，由Ew(eV)表示阱層10的帶間隙(第2帶間隙)，由Em(eV)表示中間層11的帶間隙(第3帶間隙)，則在它們之間，具有下述關(guān)系，即數(shù)學(xué)式1Ew＜Em＜Eb圖2為對(duì)第1實(shí)施例的具有帶中間層11的張拉變形量子阱的光調(diào)制器1與不具有中間層11的張拉變形量子阱的各種特性進(jìn)行比較的圖。表示了具有帶中間層11的張拉變形量子阱的光調(diào)制器1的消光特性的實(shí)測(cè)結(jié)果(實(shí)施例1)。圖2(B)是表示了不具有中間層11的張拉變形單純量子阱的消光特性的實(shí)測(cè)結(jié)果。在圖2(A)和圖2(B)中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示光輸出(dB)，按照各消光特性在電壓于0V附近的狀態(tài)，相等的方式，選擇條件。
圖2(C)表示兩者的線性調(diào)頻脈沖特性(α參數(shù))的實(shí)測(cè)結(jié)果。在這里，α參數(shù)指線寬放大系數(shù)，其表示折射率變化與吸收系數(shù)變化(或增益變化)的比。在圖2(C)中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示α參數(shù)，實(shí)線表示帶中間層11的張拉變形量子阱(第1實(shí)施例)的場(chǎng)合，虛線表示張拉變形純量子阱的場(chǎng)合。
圖2(A)的消光特性與圖2(C)的實(shí)線(第1實(shí)施例)表示的α參數(shù)—電壓特性對(duì)相同波長(zhǎng)的結(jié)果。同樣，圖2(B)表示的消光特性與圖2(C)的虛線(張拉變形純量子阱)表示的α參數(shù)—電壓特性對(duì)相同波長(zhǎng)的結(jié)果。象圖2(A)～(C)所示的那樣，如果對(duì)張拉變形純量子阱的光調(diào)制器與本第1實(shí)施例的帶中間層11的張拉變形量子阱的光調(diào)制器進(jìn)行比較，則在該第1實(shí)施例的場(chǎng)合，可在保持同等的消光特性的同時(shí)，僅僅減小線性調(diào)頻脈沖。
圖3(A)表示第1實(shí)施例的具有帶中間層11的張拉變形量子阱的光調(diào)制器1的吸收光譜，圖3(B)表示α參數(shù)的計(jì)算結(jié)果。在圖3(A)中，橫軸表示波長(zhǎng)(nm)，縱軸表示吸收系數(shù)(cm-1)，在圖3(B)中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示α參數(shù)。在圖3(A)中，符號(hào)V1～V6表示外加電壓，在該圖中，給出各外加電壓的吸收光譜。在這里，外加電壓V1表示0V，V2～V6表示反向偏壓，V2為-0.2V，V3為-0.6V，V4為-1.2V，V5為-1.6V，V6為-2.0V。象圖3(A)所示的那樣，可知道在外加反向偏壓V2～V6時(shí)，吸收光譜的峰值和其短波長(zhǎng)側(cè)的吸收系數(shù)的跌落較大。外加電壓時(shí)的光調(diào)制器的吸收系數(shù)與折射率的變化量按照Kramers-Kroning的關(guān)系式確定(結(jié)付)。象圖3(A)所示的那樣，在吸收光譜的峰值和其短波長(zhǎng)側(cè)的吸收系數(shù)的跌落較大的場(chǎng)合，可增加折射率變化的負(fù)的成分。由此，象圖3(B)所示的那樣，可減小α參數(shù)。
圖4(A)表示具有張拉變形純量子阱的光調(diào)制器的吸收光譜，圖4(B)表示α參數(shù)的計(jì)算結(jié)果。在圖4(A)中，橫軸表示波長(zhǎng)(nm)，縱軸表示吸收系數(shù)(cm-1)，符號(hào)V1～V6表示與圖3(A)相同的外加電壓，在圖4(B)中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示α參數(shù)。象圖4(A)所示的那樣，與圖3(A)所示的吸收系數(shù)相比較，吸收系數(shù)沒(méi)有較大的跌落。其結(jié)果是，由于殘留較大的正的折射率變化，故象圖4(B)所示的那樣，殘留較大的正的α參數(shù)。
無(wú)論該第1實(shí)施例的阱層10的材料是什么樣的材料，通過(guò)形成適合的阱寬度，變形率的參數(shù)，可獲得相同的效果。作為光通信用調(diào)制光源，阱層10的材料可采用InGaAsP，InGaAs或InGaAlAs。上述圖1～圖4的實(shí)測(cè)結(jié)果和計(jì)算結(jié)果證實(shí)阱層10的材料采用InGaAsP的場(chǎng)合效果。
由此，如果采用第1實(shí)施例，在阱層10和n側(cè)的阻擋層12之間插入中間層11，對(duì)阱層10，施加張拉變形，在阻擋層12的帶間隙Eb(eV)，阱層10的帶間隙Ew(eV)，中間層11的帶間隙Em(eV)之間，可保持Ew＜Em＜Eb的關(guān)系。其結(jié)果是，與過(guò)去的張拉變形純量子阱相比較，在本發(fā)明的，具有帶中間層11的張拉變形量子阱的光調(diào)制器中，在不使光調(diào)制器的消光特性變差的情況下，可僅僅使線性調(diào)頻脈沖減小。
第2實(shí)施例圖5(A)和(B)表示說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施例的光調(diào)制器的多重量子阱的能源帶的圖。在圖5中，由于采用與圖1相同的標(biāo)號(hào)的部位表示相同部件，故省略對(duì)其描述。在圖5(A)中，標(biāo)號(hào)13表示具有阱層10的帶隙與中間層11的帶間隙之間的帶間隙的層。在圖5(B)中，標(biāo)號(hào)14表示具有中間層11的帶間隙與阻擋層12的帶間隙之間的帶間隙的層。
在上述第1實(shí)施例中，在多重量子阱8的1個(gè)周期的量子阱8a中，具有阱層10，中間層11和阻擋層12這3種層。在第2實(shí)施例中，在1個(gè)周期的量子阱8a中，可具有在阱層10，中間層11和阻擋層12這3種層上添加上述的另一層的4種層。同樣在該第2實(shí)施例中，通過(guò)施加有張拉變形的阱層10與中間層11的適合處理，在不犧牲其它的特性的情況下，可減小線性調(diào)頻脈沖，這一點(diǎn)與第1實(shí)施例相同。
無(wú)論在每1個(gè)周期的量子阱8a中，層數(shù)為多少，如果采用與第1實(shí)施例相同的，具有阱層10和中間層11的張拉變形量子阱的結(jié)構(gòu)，則可獲得與第1實(shí)施例相同的效果。
如果按照上述方式，采用第2實(shí)施例，則可形成下述張拉變形量子阱結(jié)構(gòu)，其中，其具有在第1實(shí)施例的具有阱層10，中間層11和阻擋層12這3種層的張拉變形量子阱結(jié)構(gòu)中，添加另一層的4種層。在這里，該另一層的帶間隙為阱層10和中間層11之間的帶間隙，或中間層11與阻擋層12之間的帶間隙。同樣在此場(chǎng)合，與第1實(shí)施例相同，可在不使光調(diào)制器的消光特性變差的情況下，僅僅使線性調(diào)頻脈沖減小。另外，無(wú)論在每1個(gè)周期的量子阱8a中，層數(shù)為多少，如果采用與第1實(shí)施例相同的，具有阱層10和中間層11的張拉變形量子阱的結(jié)構(gòu)，則與第1實(shí)施例相同，可在不使光調(diào)制器的消光特性變差的情況下，僅僅使線性調(diào)頻脈沖減小。
第3實(shí)施例圖6為表示本發(fā)明的第3實(shí)施例的帶光調(diào)制器的半導(dǎo)體激光器(調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光裝置)的圖；在圖6中，標(biāo)號(hào)21表示在第1實(shí)施例，或第2實(shí)施例中已描述的光調(diào)制器1等，標(biāo)號(hào)22表示隔離(isolasion)區(qū)域，標(biāo)號(hào)23表示半導(dǎo)體激光器，標(biāo)號(hào)24表示光調(diào)制器吸收層，標(biāo)號(hào)25表示半導(dǎo)體激光器活性層，標(biāo)號(hào)26表示衍射光柵，標(biāo)號(hào)27表示InP襯底，標(biāo)號(hào)28表示帶光調(diào)制器的半導(dǎo)體激光器的整體。
在該第3實(shí)施例中，將上述第1實(shí)施例，或第2實(shí)施例的光調(diào)制器1與半導(dǎo)體激光器23集成，可同時(shí)具有通電流造成的激光發(fā)生的功能，以及高速低線性調(diào)頻脈沖光調(diào)制的功能。
如果按照上述方式，采用第3實(shí)施例，通過(guò)將上述第1實(shí)施例，或第2實(shí)施例的光調(diào)制器1與半導(dǎo)體激光器23集成，可在不使帶光調(diào)制器的半導(dǎo)體激光器28的消光特性變差的情況下，僅僅使線性調(diào)頻脈沖減小。
第4實(shí)施例圖7為表示本發(fā)明的第4實(shí)施例的光放大器集成型光調(diào)制器的圖。在圖7中，由于帶有與圖6相同的標(biāo)號(hào)的部位表示相同部件，故省略對(duì)其的描述。在圖7中，標(biāo)號(hào)32表示(半導(dǎo)體)光放大器，標(biāo)號(hào)33表示光放大器活性層，標(biāo)號(hào)31表示光放大器集成型光調(diào)制器的整體。
在本實(shí)施例4中，可在上述第1實(shí)施例，或第2實(shí)施例的光調(diào)制器1上，集成半導(dǎo)體光放大器32，通過(guò)半導(dǎo)體光放大器32，對(duì)因光調(diào)制器21的部分的光吸收產(chǎn)生的損耗進(jìn)行補(bǔ)償。
如果按照上述方式，采用第4實(shí)施例，可通過(guò)在第1實(shí)施例，或第2實(shí)施例的光調(diào)制器1上，集成半導(dǎo)體光放大器32，在不使消光特性變差的情況下，僅僅使線性調(diào)頻脈沖減小。
作為光學(xué)裝置，可包括上述第1實(shí)施例，或第2實(shí)施例的光調(diào)制器1，第3實(shí)施例的帶光調(diào)制器的半導(dǎo)體激光器28和第4實(shí)施例的光放大器集成型光調(diào)制器31。同樣在此場(chǎng)合，與第1實(shí)施例等相同，可形成在不使消光特性變差的情況下，僅僅使線性調(diào)頻脈沖減小的光學(xué)裝置。
作為光通信系統(tǒng)，可具有上述的光學(xué)裝置。同樣在此場(chǎng)合，與第1實(shí)施例等相同，可形成在不使消光特性變差的情況下，僅僅使線性調(diào)頻脈沖減小的光通信系統(tǒng)。
本發(fā)明的效果象上面所描述的那樣，如果采用本發(fā)明的光調(diào)制器，則可在阱層10和n側(cè)的阻擋層12之間，插入中間層11，對(duì)阱層10施加張拉變形，使阻擋層12的帶間隙Eb(eV)，阱層10的帶間隙Ew(eV)，中間層11的帶間隙Em(eV)之間，可保持Ew＜Em＜Eb的關(guān)系。其結(jié)果是，可提供下述光調(diào)制器等，其可在不使消光特性變差的情況下，僅僅使線性調(diào)頻脈沖減小。
權(quán)利要求
1.一種光調(diào)制器，該光調(diào)制器在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間，具有多重量子阱的吸收層，其特征在于該多重量子阱的1個(gè)周期的結(jié)構(gòu)具有阻擋層，該阻擋層具有第1帶間隙；阱層，該阱層與上述阻擋層連接，并且在比上述阻擋層更靠近n型半導(dǎo)體一側(cè)，具有小于第1帶間隙的第2帶間隙；中間層，該中間層與上述阱層連接，并且在比上述阻擋層更靠近n型半導(dǎo)體一側(cè)，具有大于第2帶間隙，且小于第1帶間隙的第3帶間隙；對(duì)上述阱層，施加張拉變形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器，其特征在于該光調(diào)制器還在上述中間層與比上述中間層中更靠近n型半導(dǎo)體一側(cè)的阻擋層之間，包括具有規(guī)定的帶間隙的1個(gè)以上的層，該規(guī)定的帶間隙在第2帶間隙與第3帶間隙之間，或在第3帶間隙與第1帶間隙之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光調(diào)制器，其特征在于上述阱層的材料為InGaAsP，InGaAs或InGaAlAs。
全文摘要
本發(fā)明的課題在于提供一種光調(diào)制器，該光調(diào)制器可在不使消光特性變差的情況下，僅僅使線性調(diào)頻脈沖減小。在阱層(10)和n側(cè)的阻擋層(12)之間插入中間層(11)，對(duì)阱層(10)，施加張拉變形，在阻擋層(12)的帶間隙Eb(eV)，阱層(10)的帶間隙Ew(eV)，中間層11的帶間隙Em(eV)之間，可保持Ew＜Em＜Eb的關(guān)系。還可形成下述張拉變形量子阱結(jié)構(gòu)，其具有在具有這3種層的張拉變形的量子阱結(jié)構(gòu)上，添加另一層的4種層。該另一層的帶間隙為阱層(10)與中間層(11)之間的帶間隙，或中間層(11)與阻擋層(12)之間的帶間隙。在每1個(gè)周期的量子阱(8a)中，層數(shù)為任何數(shù)量。
文檔編號(hào)G02F1/015GK1442726SQ0215633
公開(kāi)日2003年9月17日 申請(qǐng)日期2002年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月1日
發(fā)明者宮崎泰典 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社