專利名稱：顯示設(shè)備和掃描線驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示設(shè)備和掃描線驅(qū)動(dòng)電路。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及包括多重(multiplex)像素的液晶顯示器或例如在液晶顯示器中使用的掃描線驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著新技術(shù)包括液晶的引入，在傳統(tǒng)CRT顯示器中進(jìn)展緩慢的提高顯示器的分辨率方面取得了戲劇性的進(jìn)步。尤其是，與CRT顯示器相比，通過(guò)引入微細(xì)加工液晶顯示器能夠相對(duì)更加容易地實(shí)現(xiàn)高清晰度。
使用薄膜晶體管(TFT)作為開關(guān)元件的有源矩陣型液晶顯示器是公知的典型液晶顯示器。有源矩陣型液晶顯示器包括TFT陣列基板，其中掃描線和信號(hào)線排列成矩陣，并且薄膜晶體管排列在交叉點(diǎn)上。液晶材料填充在TFT陣列基板和設(shè)置在與TFT陣列基板隔開指定距離的對(duì)向基板之間的間隙中。此外，薄膜晶體管控制施加給液晶材料的電壓，由此通過(guò)利用液晶的電-光效應(yīng)進(jìn)行顯示。
圖21是形成在TFT陣列基板上的像素的等效電路圖。在圖21中，信號(hào)線30和掃描線40排列成矩陣，并且信號(hào)線30和掃描線40包圍的區(qū)域構(gòu)成單個(gè)像素。該單個(gè)像素包括像素電極20和連接到其上的TFT10。當(dāng)掃描線40設(shè)置到選擇電勢(shì)時(shí)，TFT接通。顯示電勢(shì)(顯示信號(hào))通過(guò)信號(hào)線30給到像素電極20。顯示電勢(shì)控制通過(guò)液晶的光的強(qiáng)度。
一般地，隨著與增強(qiáng)有源矩陣型液晶顯示器的高清晰度而相關(guān)地增加像素的數(shù)量，已經(jīng)提出下述問(wèn)題。具體地說(shuō)，隨著像素?cái)?shù)量的增加，信號(hào)線和掃描線的數(shù)量也顯著增加，由此導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)IC的數(shù)量增多并使成本上升。此外，用于驅(qū)動(dòng)IC和陣列基板之間連接的電極間距(pitch)變小，從而使得連接更加困難，并使得連接時(shí)的處理生產(chǎn)條件惡化。
為了同時(shí)解決這些問(wèn)題，已公開的方案是通過(guò)時(shí)間劃分而將一條信號(hào)線上的電勢(shì)給予兩個(gè)相鄰的像素，從而減少必需的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC的數(shù)量，并增大連接端子之間的間距。這些方案包括例如日本待審專利公開No.6(1994)-148680、No.11(1999)-2837、No.5(1993)-265045、No.5(1993)-188395、以及No.5(1993)-303114。
圖22示出在日本待審專利公開No.5(1993)-265045中公開的一種方案。該方案包括其中兩個(gè)像素通過(guò)TFT P1至P3連接到一條信號(hào)線的結(jié)構(gòu)。像素電極(i，k)和像素電極(i，k+1)包括在同一行上。也就是說(shuō)，在一個(gè)掃描循環(huán)中將顯示電勢(shì)施加給這兩個(gè)像素電極。像素電極(i，k)通過(guò)兩個(gè)TFT P1和P2連接到信號(hào)線6-j。另外，像素電極(i，k+1)通過(guò)一個(gè)TFT P3連接到信號(hào)線6-j。
下面將描述這兩個(gè)像素的操作。在第一周期，將掃描線8-i和掃描線8-i+1設(shè)置為選擇電勢(shì)。這樣，TFT P1、P2和P3接通。施加到信號(hào)線6-j的第一顯示電勢(shì)提供給像素電極(i，k)和像素電極(i，k+1)。由此確定像素電極(i，k)的顯示電勢(shì)。在第二周期，選擇電勢(shì)施加給掃描線8-i，并且將非選擇電勢(shì)施加給掃描線8-i+1。施加到信號(hào)線6-j的第二顯示電勢(shì)提供給像素電極(i，k+1)。由此確定像素電極(i，k+1)的顯示電勢(shì)。
由此，信號(hào)線的數(shù)量可以減少為傳統(tǒng)模式中所需的信號(hào)線的數(shù)量的一半。從而，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的輸出數(shù)量也能夠減少一半。
但是，在涉及多重像素LCD的已有發(fā)明中，沒(méi)有考慮每一個(gè)像素電極和柵極線(或者柵極電極)之間的寄生電容的影響。正如在下面將要描述的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中所指出的，由于寄生電容的存在，在一個(gè)掃描周期使用來(lái)自一條信號(hào)線的顯示電勢(shì)的多個(gè)像素(多重像素)表現(xiàn)出不同的像素電勢(shì)變化。這種差異是由各個(gè)像素的像素結(jié)構(gòu)差別造成的，或者是由選擇順序(提供顯示電勢(shì)的順序)差異造成的。
由寄生電容導(dǎo)致的像素電勢(shì)變化的差異使得提供給像素的電壓精度下降。尤其是，該差異導(dǎo)致在半色調(diào)(halftone)顯示時(shí)顯著的輝度差。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問(wèn)題提出了本發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供一種圖像顯示設(shè)備，能夠減少信號(hào)線的數(shù)量以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的數(shù)量，并能夠通過(guò)提高施加到各個(gè)像素的電壓的精度并由此降低輝度差(luminance unevenness)來(lái)確保屏幕的均一性(uniformity)。
下述結(jié)構(gòu)公開為本申請(qǐng)所關(guān)注的發(fā)明。下述結(jié)構(gòu)能夠減少歸因于像素選擇掃描線、像素電極、以及寄生電容的多重像素之間像素電勢(shì)的變化，從而減輕圖像顯示質(zhì)量的惡化。
為了有助于理解本發(fā)明，本發(fā)明的構(gòu)成要素之后都附有在本發(fā)明的詳細(xì)描述部分所公開的事項(xiàng)(item)。但是，應(yīng)該指出的是，這些事項(xiàng)僅僅是這些構(gòu)成要素的示例，并且這些構(gòu)成要素的任何一個(gè)都可以僅跟隨一個(gè)事項(xiàng)，雖然可以采用多種事項(xiàng)。
本發(fā)明的第一方面是一種顯示設(shè)備，包括信號(hào)線，用于發(fā)送用于圖像顯示的顯示信號(hào)給多個(gè)像素電極；以及第一(例如圖2中的A1)和第二(例如圖2中的B1)像素電極，顯示信號(hào)在一個(gè)掃描周期內(nèi)分別通過(guò)信號(hào)線順次提供給它們。第一像素電極通過(guò)第一薄膜晶體管(TFT)電路(例如圖2所示的M1、M2及其連接線部分)連接到包括一個(gè)或多個(gè)掃描線的第一掃描線組(例如圖2中的Gn+1和Gn+2)。第二像素電極通過(guò)與第一TFT電路不同的第二TFT電路(例如圖2中的M3)連接到包括一個(gè)或多個(gè)掃描線的第二掃描線組(例如圖2中的Gn+1)。當(dāng)?shù)谝伙@示信號(hào)給到第一像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第一掃描信號(hào)到第一掃描線組。當(dāng)?shù)诙@示信號(hào)給到第二像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第二掃描信號(hào)到第二掃描線組。第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)具有彼此不同的電勢(shì)值(例如，參見(jiàn)下面將要描述的實(shí)施例的解釋)。
一個(gè)掃描周期指的是在掃描信號(hào)周期地變化到串行掃描線的下一級(jí)的情況下是一個(gè)周期。典型地，一個(gè)掃描周期對(duì)應(yīng)于從外部設(shè)備例如個(gè)人計(jì)算機(jī)輸入的用于在一行上顯示像素的信號(hào)的周期。例如，在實(shí)施例1中用于像素A和像素B的選擇周期之和對(duì)應(yīng)于一個(gè)掃描周期。TFT電路指的是包括TFT的電路。TFT電路可以包括一個(gè)或多個(gè)TFT，并且可以包括除TFT之外的其它電路元件。顯示信號(hào)指的是為每一個(gè)像素電極規(guī)定的圖像顯示信號(hào)，該圖像顯示信號(hào)指的是作為顯示圖像的一個(gè)元素由一個(gè)像素顯示的信號(hào)。例如，當(dāng)在一個(gè)掃描周期中信號(hào)從信號(hào)線輸入到一個(gè)像素電極多次時(shí)(例如圖2中的像素電極B1)，顯示信號(hào)指的是最終輸入到相關(guān)像素電極的信號(hào)。
本發(fā)明的第二方面是根據(jù)第一方面的顯示設(shè)備，其中第一TFT電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極的第一TFT(例如圖2中的M1)、以及其源極/漏極連接到第一TFT的柵極的第二TFT(例如圖2中的M2)。此外，第二TFT電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極、并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線(例如圖2中的Gn+1)的第三TFT(例如圖2中的M3)。當(dāng)輸出第一掃描信號(hào)時(shí)，輸出到包括在第一掃描線組中的第一掃描線(例如圖2中的Gn+2)的第一掃描線電勢(shì)通過(guò)第二TFT提供給第一TFT的柵極。當(dāng)輸出第二掃描信號(hào)時(shí)，將第二掃描線電勢(shì)輸出到第二掃描線。輸出的第一掃描線電勢(shì)具有大于所輸出的第二掃描線電勢(shì)的值(例如，參見(jiàn)有關(guān)實(shí)施例1的解釋)。
本發(fā)明的第三方面是根據(jù)第二方面的顯示設(shè)備，其中第一TFT的源極/漏極中的另一個(gè)連接到信號(hào)線。此外，第二TFT的源極/漏極中的另一個(gè)連接到第一掃描線。第二TFT的柵極連接到包括在第一掃描線組中的另一掃描線。第三TFT的源極/漏極中的另一個(gè)連接到信號(hào)線。
本發(fā)明的第四方面是根據(jù)第一方面的顯示設(shè)備，其中第一TFT電路(例如圖18中的M11和M12)包括其源極/漏極連接到第一像素電極(例如圖18中的A11)并且其柵極連接到包括在第一掃描線組中的第一掃描線(例如圖18中的Gn+2)的第一TFT(例如圖18中的M12)。第二TFT電路(例如圖18中的M13)包括其源極/漏極連接到第二像素電極(例如圖18中的B11)并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線(例如圖18中的Gn+1)的第二TFT(例如圖18中的M13)。在顯示信號(hào)給到第一像素電極之后，將顯示信號(hào)給到第二像素電極。輸出到第一掃描線的掃描線電勢(shì)具有小于輸出到第二掃描線的掃描線電勢(shì)的值(例如，參見(jiàn)有關(guān)實(shí)施例4的解釋)。
本發(fā)明的第五方面是根據(jù)第一方面的顯示設(shè)備，其中第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)具有彼此不同的電勢(shì)值，從而減少第一像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量和第二像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量之間的差異，該差異歸因于掃描線電勢(shì)的變化。
本發(fā)明的第六方面是根據(jù)第四方面的顯示設(shè)備，其中第一TFT電路包括第三TFT(例如圖18中的M11)。第三TFT的源極/漏極分別連接到信號(hào)線和第一TFT的源極/漏極。第三TFT的柵極連接到包括在第一掃描線組中的第三掃描線(例如圖18中的Gn+1)。第二掃描線和第三掃描線集合構(gòu)成共用掃描線。
本發(fā)明的第七方面是根據(jù)第一方面的顯示設(shè)備，其中第一TFT電路包括第一和第二TFT。第二TFT電路包括第三TFT。第一掃描線組包括第一和第二掃描線。第二掃描線組包括第二掃描線。當(dāng)?shù)谝缓偷诙呙杈€被選擇時(shí)，將顯示信號(hào)給到第一像素電極。當(dāng)沒(méi)有選擇第一掃描線而選擇第二掃描線時(shí)，將顯示信號(hào)給到第二像素電極。
本發(fā)明的第八方面是一種在有源矩陣型顯示設(shè)備中使用的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，其中將包括開關(guān)元件的多個(gè)像素布置成矩陣，并且多個(gè)像素的開關(guān)元件的接通和關(guān)斷由多個(gè)掃描線控制。此外，所述驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)掃描電勢(shì)輸出端、以及用于供應(yīng)選擇電勢(shì)分別到多個(gè)掃描電勢(shì)輸出端的選擇電勢(shì)供應(yīng)電路。選擇電勢(shì)供應(yīng)電路順次提供第一選擇電勢(shì)和第二選擇電勢(shì)給至少一個(gè)掃描電勢(shì)輸出端。
具有上述結(jié)構(gòu)的掃描線驅(qū)動(dòng)電路能夠輸出取決于多重像素的多種選擇電勢(shì)，從而減少歸因于像素選擇掃描線、像素電極、以及寄生電容的多重像素之間的像素電勢(shì)變化的差異。
本發(fā)明的第九方面是根據(jù)第八方面的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，其中選擇電勢(shì)供應(yīng)電路包括用于提供相應(yīng)于第一選擇電勢(shì)的電勢(shì)的第一選擇電勢(shì)供應(yīng)線、用于提供相應(yīng)于第二選擇電勢(shì)的電勢(shì)的第二選擇電勢(shì)供應(yīng)線、以及用于選擇第一和第二選擇電勢(shì)供應(yīng)線中的任意一個(gè)并將所選擇的供應(yīng)線連接到掃描電勢(shì)輸出端中的一個(gè)以構(gòu)成電路的選擇電路。
本發(fā)明的第十方面是一種顯示設(shè)備(例如，參見(jiàn)下文中描述的實(shí)施例2)，包括信號(hào)線，用于發(fā)送用于圖像顯示的顯示信號(hào)給多個(gè)像素電極；以及第一和第二像素電極，顯示信號(hào)在一個(gè)掃描周期內(nèi)分別通過(guò)信號(hào)線順次提供給它們。第一像素電極(例如圖2中的A1)通過(guò)第一TFT電路(例如圖2所示的M1、M2及其連接線部分)連接到包括一個(gè)或多個(gè)掃描線的第一掃描線組。第二像素電極(例如圖2中的B1)通過(guò)與第一TFT電路不同的第二TFT電路(例如圖2中的M3)連接到包括一個(gè)或多個(gè)掃描線的第二掃描線組。當(dāng)?shù)谝伙@示信號(hào)給到第一像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第一掃描信號(hào)到第一掃描線組。當(dāng)?shù)诙@示信號(hào)給到第二像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第二掃描信號(hào)到第二掃描線組。這里，至少一個(gè)包括在第一TFT電路中的TFT的大小與至少一個(gè)包括在第二TFT電路中的TFT的大小不同。
應(yīng)該指出的是，輸出第一掃描信號(hào)時(shí)掃描線的選擇電勢(shì)與輸出第二掃描信號(hào)時(shí)掃描線的選擇電勢(shì)彼此可以相同或不同。這一方面也適用于下面的描述，除非特別聲明。
本發(fā)明的第十一方面是根據(jù)第十方面的顯示設(shè)備，其中第一TFT電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極的第一TFT(例如圖2中的M1)、以及其源極/漏極連接到第一TFT的柵極的第二TFT(例如圖2中的M2)。第二TFT電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極、并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第三TFT(例如圖2中的M3)。當(dāng)輸出第一掃描信號(hào)時(shí)，輸出到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一掃描線電勢(shì)通過(guò)第二TFT提供給第一TFT的柵極。當(dāng)輸出第二掃描信號(hào)時(shí)，將第二掃描線電勢(shì)輸出到第二掃描線。第一TFT比第三TFT大。
本發(fā)明的第十二方面是根據(jù)第十一方面的顯示設(shè)備，其中第二TFT比第三TFT小。
本發(fā)明的第十三方面是根據(jù)第十方面的顯示設(shè)備，其中至少一個(gè)包括在第一TFT電路中的TFT具有與至少一個(gè)包括在第二TFT電路中的TFT的大小不同的大小，從而減少第一像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量和第二像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量之間的差異，該差異歸因于掃描線電勢(shì)的變化。
本發(fā)明的第十四方面是根據(jù)第十方面的顯示設(shè)備(例如，參見(jiàn)下文中描述的實(shí)施例4)。這里，第一TFT電路包括第一TFT(例如圖18中的M12)。第一TFT的源極/漏極連接到第一像素電極(例如圖18中的A11)，并且其柵極連接到包括在第一掃描線組中的第一掃描線(例如圖18中的Gn+2)。第二TFT電路包括第二TFT(例如圖18中的M13)。第二TFT的源極/漏極連接到第二像素電極(例如圖18中的B11)，并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線(例如圖18中的Gn+1)。第一掃描線組和第二掃描線組擁有一個(gè)共用的掃描線(例如圖18中的Gn+1)，并且在顯示信號(hào)給到第一像素電極之后，將顯示信號(hào)給到第二像素電極。第二TFT比第一TFT大。
本發(fā)明的第十五方面是根據(jù)第十方面的顯示設(shè)備(例如，參見(jiàn)下文中描述的實(shí)施例4)。這里，第一TFT電路包括連接到第一像素電極的第一TFT(例如圖18中的M12)和連接到第一TFT的第二TFT(例如圖18中的M11)。第二TFT電路包括第三TFT(例如圖18中的M13)。第一掃描線組包括第一(例如圖18中的Gn+2)和第二(例如圖18中的Gn+1)掃描線。第二掃描線組包括第二掃描線。當(dāng)?shù)谝缓偷诙呙杈€被選擇時(shí)，將顯示信號(hào)給到第一像素電極。當(dāng)沒(méi)有選擇第一掃描線而選擇第二掃描線時(shí)，將顯示信號(hào)給到第二像素電極。第三TFT比第一TFT大。
本發(fā)明的第十六方面是一種顯示設(shè)備(例如，參見(jiàn)下文中描述的實(shí)施例4)，包括信號(hào)線，用于發(fā)送用于圖像顯示的顯示信號(hào)給多個(gè)像素電極；以及第一和第二像素電極，顯示信號(hào)在一個(gè)掃描周期內(nèi)分別通過(guò)信號(hào)線順次提供給它們。第一像素電極(例如圖20中的B11)通過(guò)第一TFT電路(例如圖20中的TFT(M13))連接到包括一個(gè)或多個(gè)掃描線的第一掃描線組。第二像素電極(例如圖20中的A11)通過(guò)與第一TFT電路不同的第二TFT電路(例如圖20所示的TFT(M11和M12)及其連接線部分)連接到包括一個(gè)或多個(gè)掃描線的第二掃描線組。當(dāng)?shù)谝伙@示信號(hào)給到第一像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第一掃描信號(hào)到第一掃描線組。當(dāng)?shù)诙@示信號(hào)給到第二像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第二掃描信號(hào)到第二掃描線組。在第一像素電極和包括在第一掃描線組中的掃描線(例如圖20中的Gn+1)之間形成附加電容(例如圖20中的Ca)，而不在第二像素電極和包括在第二掃描線組中的掃描線之間形成。
本發(fā)明的第十七方面是根據(jù)第十六方面的顯示設(shè)備。這里，第一TFT電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極(例如圖2中的A1)的第一TFT(例如圖2中的M1)、以及其源極/漏極連接到第一TFT的柵極的第二TFT(例如圖2中的M2)。第二TFT電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極(例如圖2中的B1)并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線(例如圖2中的Gn+1)的第三TFT(例如圖2中的M3)。當(dāng)輸出第一掃描信號(hào)時(shí)，輸出到包括在第一掃描線組中的第一掃描線(例如圖2中的Gn+2)的第一掃描線電勢(shì)通過(guò)第二TFT提供給第一TFT的柵極。當(dāng)輸出第二掃描信號(hào)時(shí)，將第二掃描線電勢(shì)輸出到第二掃描線(例如，參見(jiàn)下文中描述的實(shí)施例2)。
本發(fā)明的第十八方面是根據(jù)第十六方面的顯示設(shè)備，其中在第一像素電極和包括在第一掃描線組中的掃描線之間形成附加電容，從而減少第一像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量和第二像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量之間的差異，該差異歸因于掃描線電勢(shì)的變化。
本發(fā)明的第十九方面是根據(jù)第十六方面的顯示設(shè)備。這里，第一TFT電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極并且其柵極連接到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一TFT(例如圖18中的M13)。第二TFT電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第二TFT(例如圖18中的M11)。第一掃描線組和第二掃描線組擁有一個(gè)共用的掃描線(例如圖18中的Gn+1)，并且在顯示信號(hào)給到第二像素電極之后，將顯示信號(hào)給到第一像素電極(例如，參見(jiàn)下文中描述的實(shí)施例4)。
本發(fā)明的第二十方面是根據(jù)第十六、十七、十八、或十九方面的顯示設(shè)備。這里，附加電容是以第一像素電極和連接到第一像素電極的導(dǎo)體部分的任意部分通過(guò)絕緣層重疊掃描線的方式形成的。
本發(fā)明的第二十一方面是一種顯示設(shè)備，包括信號(hào)線，用于發(fā)送用于圖像顯示的顯示信號(hào)給多個(gè)像素電極；以及第一和第二像素電極，顯示信號(hào)在一個(gè)掃描周期內(nèi)分別通過(guò)信號(hào)線順次提供給它們。第一像素電極(例如圖2中的A1)通過(guò)第一TFT電路連接到包括一個(gè)或多個(gè)掃描線的第一掃描線組。第二像素電極(例如圖2中的B1)通過(guò)與第一TFT電路不同的第二TFT電路連接到包括一個(gè)或多個(gè)掃描線的第二掃描線組。當(dāng)?shù)谝伙@示信號(hào)給到第一像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第一掃描信號(hào)到第一掃描線組。當(dāng)?shù)诙@示信號(hào)給到第二像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第二掃描信號(hào)到第二掃描線組。第一像素電極用作第一存儲(chǔ)電容(例如圖2中A1旁邊的Cs)的電極，并且第二像素電極用作第二存儲(chǔ)電容(例如圖2中B1旁邊的Cs)的電極。第一存儲(chǔ)電容比第二存儲(chǔ)電容小(例如，參見(jiàn)下文中描述的實(shí)施例3)。
輸出第一掃描信號(hào)時(shí)掃描線的選擇電勢(shì)與輸出第二掃描信號(hào)時(shí)掃描線的選擇電勢(shì)彼此可以相同或不同。
本發(fā)明的第二十二方面是一種顯示設(shè)備，包括信號(hào)線，用于發(fā)送用于圖像顯示的顯示信號(hào)給多個(gè)像素電極；以及第一和第二像素電極，顯示信號(hào)在一個(gè)掃描周期內(nèi)分別通過(guò)信號(hào)線順次提供給它們。第一像素電極(例如圖2中的A1)通過(guò)第一TFT電路連接到包括一個(gè)或多個(gè)掃描線的第一掃描線組。第二像素電極(例如圖2中的B1)通過(guò)與第一TFT電路不同的第二TFT電路連接到包括一個(gè)或多個(gè)掃描線的第二掃描線組。當(dāng)?shù)谝伙@示信號(hào)給到第一像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第一掃描信號(hào)到第一掃描線組。當(dāng)?shù)诙@示信號(hào)給到第二像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第二掃描信號(hào)到第二掃描線組。第一和第二像素電極在第n掃描線(例如圖2中的Gn)和第n+1掃描線(例如圖2中的Gn+1)之間形成。在第n掃描線與第一和第二像素電極之間分別形成存儲(chǔ)電容(例如圖2中的Cs)。第一掃描線組和第二掃描線組包括鄰接第n掃描線(不包括第n掃描線)的掃描線。在顯示電勢(shì)給到第一像素電極時(shí)在第一周期內(nèi)第n掃描線的掃描線電勢(shì)值與在顯示電勢(shì)給到第二像素電極時(shí)在第二周期內(nèi)第n掃描線的掃描線電勢(shì)值不相同(例如，參見(jiàn)下文中描述的實(shí)施例3)。
本發(fā)明的第二十三方面是根據(jù)第二十二方面的顯示設(shè)備。這里，第一TFT電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極的第一TFT(例如圖2中的M1)、以及其源極/漏極連接到第一TFT的柵極的第二TFT(例如圖2中的M2)。第二TFT電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第三TFT(例如圖2中的M3)。當(dāng)輸出第一掃描信號(hào)時(shí)，輸出到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一掃描線電勢(shì)通過(guò)第二TFT提供給第一TFT的柵極。當(dāng)輸出第二掃描信號(hào)時(shí)，將第二掃描線電勢(shì)輸出到第二掃描線。在第一周期中第n掃描線的掃描線電勢(shì)比第二周期中的掃描線電勢(shì)大(例如，參見(jiàn)下文中描述的實(shí)施例3)。
本發(fā)明的第二十四方面是根據(jù)第二十三方面的顯示設(shè)備。這里，第一TFT的源極/漏極中的另一個(gè)連接到信號(hào)線。第二TFT的源極/漏極中的另一個(gè)連接到第一掃描線，并且第二TFT的柵極連接到包括在第一掃描線組中的另一掃描線。第三TFT的源極/漏極中的另一個(gè)連接到信號(hào)線。
本發(fā)明的第二十五方面是根據(jù)第二十二方面的顯示設(shè)備，其中第n掃描線的掃描線電勢(shì)在顯示電勢(shì)給到第一像素電極的第一周期中和顯示電勢(shì)給到第二像素電極的第二周期中取不同的值，從而減少第一像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量和第二像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量之間的差異，該差異歸因于掃描線電勢(shì)的變化。
本發(fā)明的第二十六方面是根據(jù)第二十二方面的顯示設(shè)備。這里，第一TFT電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極(例如圖18中的A11)并且其柵極連接到包括在第一掃描線組中的第一掃描線(例如圖18中的Gn+2)的第一TFT(例如圖18中的M12)。第二TFT電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線(例如圖18中的Gn+1)的第二TFT(例如圖18中的M13)。在顯示信號(hào)給到第一像素電極之后，將顯示信號(hào)給到第二像素電極。在第一周期中第n掃描線的掃描線電勢(shì)比第二周期中的掃描線電勢(shì)小(例如，參見(jiàn)下文中描述的實(shí)施例4)。
本發(fā)明的第二十七方面是根據(jù)第二十六方面的顯示設(shè)備，其中第一TFT電路還包括第三TFT(例如圖18中的M11)。第三TFT的源極/漏極分別連接到信號(hào)線和第一TFT的一個(gè)源極/漏極。第三TFT的柵極連接到包括在第一掃描線組中的第三掃描線(例如圖18中的Gn+1)。第二掃描線和第三掃描線集合構(gòu)成一條同一的線。


為了更好地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，將參照下述附圖對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示意結(jié)構(gòu)圖。
圖2是表示根據(jù)實(shí)施例1的液晶顯示器的陣列基板的結(jié)構(gòu)的圖。
圖3是表示根據(jù)實(shí)施例1的液晶顯示器的陣列基板的操作的圖。
圖4是另一表示根據(jù)實(shí)施例1的液晶顯示器的陣列基板的操作的圖。
圖5是另一表示根據(jù)實(shí)施例1的液晶顯示器的陣列基板的操作的圖。
圖6是另一表示根據(jù)實(shí)施例1的液晶顯示器的陣列基板的操作的圖。
圖7是根據(jù)實(shí)施例1的液晶顯示器的掃描信號(hào)的時(shí)序圖。
圖8是表示在設(shè)置有實(shí)施例1的陣列電路結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)液晶顯示器的像素電極周圍的驅(qū)動(dòng)脈沖和電壓變化的圖。
圖9是表示根據(jù)實(shí)施例1的液晶顯示器的像素電極周圍的驅(qū)動(dòng)脈沖和電壓變化的圖。
圖10是表示在實(shí)施例1的液晶顯示器中使用的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)圖。
圖11是表示圖10所示的開關(guān)電路的輸入和輸出波形的圖。
圖12是表示在根據(jù)實(shí)施例1的液晶顯示器中使用的加法器-減法器電路的結(jié)構(gòu)圖。
圖13是表示圖12所示的加法器-減法器電路的輸入和輸出波形的圖。
圖14是表示根據(jù)實(shí)施例2的液晶顯示器的陣列基板的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖15(a)和15(b)是在實(shí)施例2的液晶顯示器中使用的TFT的平面圖。
圖16是根據(jù)實(shí)施例1所采用的傳統(tǒng)補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)方法液晶顯示器的掃描信號(hào)的時(shí)序圖。
圖17是根據(jù)實(shí)施例3的液晶顯示器的掃描信號(hào)的時(shí)序圖。
圖18是表示根據(jù)實(shí)施例4的液晶顯示器的陣列基板的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖19是表示在設(shè)置有實(shí)施例4的陣列電路結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)液晶顯示器的像素電極周圍的驅(qū)動(dòng)脈沖和電壓變化的圖。
圖20是表示包括附加電容的陣列電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖21是傳統(tǒng)TFT陣列基板的等價(jià)電路圖。
圖22是表示在日本待審專利公開No.5(1993)-265045中公開的陣列基板的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的圖像顯示設(shè)備的優(yōu)選實(shí)施例。在下述的每一個(gè)實(shí)施例中，將描述作為圖像顯示設(shè)備的一種類型的液晶顯示器。
實(shí)施例1現(xiàn)在將描述本發(fā)明的實(shí)施例1。該實(shí)施例在選擇兩個(gè)多重像素時(shí)采用不同的柵極線選擇電勢(shì)值。這樣，可以減少在TFT連接方面的差異引起的多重像素之間的像素電極電勢(shì)的變化的差異。
圖1是表示在本發(fā)明的實(shí)施例1中的液晶顯示器的陣列基板A的主要結(jié)構(gòu)的圖。另外，圖2是表示在基板A上的像素電路結(jié)構(gòu)的圖。此外，圖3至圖6是表示陣列基板A上的電路的操作的圖，以及圖7是掃描信號(hào)的時(shí)序圖。
根據(jù)實(shí)施例1的液晶顯示器以?shī)A住一個(gè)信號(hào)線的兩個(gè)相鄰像素具有共用信號(hào)線，從而信號(hào)線的數(shù)量能夠減少一半。應(yīng)該指出的是，液晶顯示器需要包括諸如陣列基板、與陣列基板相對(duì)的濾色基板、以及背光單元的元件。但是，下面的描述將主要針對(duì)本發(fā)明的特征部分。
如圖1所示，陣列基板A包括信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路SD，用于通過(guò)信號(hào)線30提供顯示信號(hào)給布置在顯示區(qū)域S之內(nèi)的多個(gè)像素電極；以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路GD，用于通過(guò)掃描線40提供掃描信號(hào)。另外，驅(qū)動(dòng)控制電路DV與信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路SD和掃描線驅(qū)動(dòng)電路GD相連接。驅(qū)動(dòng)控制電路DV根據(jù)通過(guò)接口IF從外部輸入的顯示控制信號(hào)，執(zhí)行包括信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路SD和掃描線驅(qū)動(dòng)電路GD之間的同步控制的總體驅(qū)動(dòng)控制。M乘以N(M和N是任意自然數(shù))個(gè)像素在陣列基板上排列成矩陣。
在圖2中，第一TFT(M1)、第二TFT(M2)和第三TFT(M3)針對(duì)彼此鄰近并夾住信號(hào)線Dm的像素電極A1和B1如下布置。
首先，第一TFT(M1)的源極連接到信號(hào)線Dm，并且其漏極連接到像素電極A1。另外，第一TFT(M1)的柵極連接到第二TFT(M2)的漏極。這里，每一個(gè)TFT都是具有三個(gè)端子的開關(guān)元件。在液晶顯示器中，作為一種示例，連接到信號(hào)線的端子稱作源極，而連接到像素電極的端子稱作漏極。但是，也存在相反稱謂的示例。也就是說(shuō)，除了柵極之外，哪一個(gè)電極應(yīng)該稱作源極或漏極不是唯一確定的。因此，在下面的描述中，除了柵極之外的兩個(gè)電極將被相互稱作源極/漏極。
接著，第二TFT(M2)的源極/漏極連接到第一TFT(M1)的柵極，并且源極/漏極中的另一個(gè)連接到掃描線Gn+2。因此，第一TFT(M1)的柵極通過(guò)第二TFT(M2)連接到掃描線Gn+2。另外，第二TFT(M2)的柵極連接到掃描線Gn+1。因此，僅在相鄰掃描線Gn+1和Gn+2同時(shí)設(shè)置到選擇電勢(shì)時(shí)的周期內(nèi)接通第一TFT(M1)，從而提供信號(hào)線Dm的電勢(shì)給像素電極A1。這一方面表明第二TFT(M2)控制第一TFT(M1)的接通和關(guān)斷。
第三TFT(M3)的源極/漏極連接到信號(hào)線Dm，并且第三TFT(M3)的源極/漏極中的另一個(gè)連接到像素電極B1。第三TFT(M3)的柵極連接到掃描線Gn+1。因此，當(dāng)掃描線Gn+1設(shè)置到選擇電勢(shì)時(shí)，第三TFT(M3)接通，從而提供信號(hào)線Dm的電勢(shì)到像素電極B1。
像素電極A1和B1中的每一個(gè)提供有來(lái)自信號(hào)線Dm的顯示信號(hào)。換句話說(shuō)，可以認(rèn)為信號(hào)線Dm是像素電極A1和B1的共用信號(hào)線Dm。因此，當(dāng)像素以M乘以N所定義的矩陣排列時(shí)，信號(hào)線D的數(shù)量等于M/2。
下面將描述一組多重像素的顯示操作。一組多重像素指顯示信號(hào)從一個(gè)信號(hào)線提供給其的多個(gè)像素、以及顯示信號(hào)在一個(gè)水平掃描周期內(nèi)提供給其的多個(gè)像素。等價(jià)于從顯示器外部輸入的一次掃描的顯示信號(hào)在一個(gè)水平掃描周期內(nèi)給到各像素。這里，像素電極A1和B1是所述多重像素。
為了將信號(hào)線Dm的電勢(shì)提供給像素電極A1，需要接通第一TFT(M1)。為了接通第一TFT(M1)，需要接通第二TFT(M2)。如果掃描線Gn+1設(shè)置到選擇電勢(shì)，則第二TFT(M2)接通。掃描線Gn+2的電勢(shì)通過(guò)第二TFT(M2)給到第一TFT(M1)的柵極。
因此，當(dāng)掃描線Gn+1和Gn+2二者都設(shè)置到選擇電勢(shì)時(shí)，第一TFT(M1)設(shè)置到導(dǎo)通狀態(tài)。換句話說(shuō)，第一TFT(M1)和第二TFT(M2)集合構(gòu)成開關(guān)機(jī)制，以允許在掃描線Gn+1和Gn+2二者都設(shè)置到選擇電勢(shì)的情況下來(lái)自信號(hào)線Dm的顯示信號(hào)通過(guò)。如此，根據(jù)來(lái)自掃描線Gn+1的掃描信號(hào)和來(lái)自掃描線Gn+2的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)像素電極A1，從而像素電極A1接收來(lái)自信號(hào)線Dm的電勢(shì)。
第三TFT(M3)連接到像素電極B1，并且其柵極連接到掃描線Gn+1。因此，當(dāng)選擇掃描線Gn+1時(shí)，顯示電勢(shì)從信號(hào)線Dm提供給像素電極B1。
盡管已經(jīng)針對(duì)像素電極A1和B1進(jìn)行了描述，但是上面描述的結(jié)構(gòu)也能夠類似地應(yīng)用到像素電極A2和B2、像素電極C1和D1、像素電極C2和D2、以及其它像素電極。
下面將參照?qǐng)D3至圖6所示的電路圖以及圖7所示的掃描信號(hào)的時(shí)序圖，詳細(xì)描述取決于掃描線Gn+1至Gn+3的選擇和非選擇的像素電極A1至D1的操作。
圖7所示的圖Dm(1)和Dm(2)表示由信號(hào)線Dm供給的顯示信號(hào)的變化時(shí)序。這里，圖Dm(1)和Dm(2)是分別用于不同顯示模式(不同的顯示器)的顯示信號(hào)的時(shí)序圖。例如，圖Dm(1)對(duì)應(yīng)于點(diǎn)倒置(dot-inversion)驅(qū)動(dòng)方法，而圖Dm(2)對(duì)應(yīng)于線倒置(line-inversion)驅(qū)動(dòng)方法。
圖Dm(1)和Dm(2)中的每一個(gè)表示高電平和低電平的兩個(gè)電平。這些電平相應(yīng)于顯示信號(hào)的極性。實(shí)際的顯示信號(hào)包括用于梯度顯示的多個(gè)電平。但是，為了便于描述本發(fā)明，這里將不考慮梯度電平。在通過(guò)圖Dm(1)的操作的情況下，像素電極A1和B1之間的極性不相同，而像素電極A1和C1之間的極性相等。另一方面，在通過(guò)圖Dm(2)的操作的情況下，像素電極A1和B1之間的極性相等，而像素電極A1和C1之間的極性不相同。此外，在圖7中，用于掃描線Gn至Gn+3的圖表示掃描線Gn至Gn+3的選擇和非選擇。更具體地說(shuō)，如果圖中的一個(gè)設(shè)置到高電平(選擇電勢(shì))，則該圖表示相關(guān)的掃描線被選擇。如果該圖設(shè)置到低電平(非選擇電勢(shì))，則該圖表示相關(guān)的掃描線沒(méi)有被選擇。圖7示出兩種高電平，具有相互不同的電勢(shì)電平。
圖3示出在圖7所示的定時(shí)t1時(shí)顯示電勢(shì)和掃描電勢(shì)的狀態(tài)。選擇電勢(shì)同時(shí)給到掃描線Gn+1和Gn+2。在圖3中，掃描線Gn+1和Gn+2的選擇狀態(tài)用粗線表示。其它掃描線設(shè)置到非選擇電勢(shì)。顯示電勢(shì)給到每一個(gè)信號(hào)線。這里應(yīng)該注意的是像素電極A1、B1、C1和D1。在定時(shí)t1，第一、第二和第三TFT(也就是說(shuō)M1、M2和M3)接通。如圖3所示，將由信號(hào)線Dm給到像素電極A1的電勢(shì)(Va1)提供給像素電極A1、B1和D1。如此，確定用于像素電極A1的電勢(shì)Va1。
圖4示出在圖7所示的定時(shí)t2時(shí)顯示電勢(shì)和掃描電勢(shì)的狀態(tài)。選擇電勢(shì)給到掃描線Gn+1。其它掃描線設(shè)置到非選擇電勢(shì)。在掃描線Gn+2設(shè)置到非選擇電勢(shì)之后，在定時(shí)t2從信號(hào)線Dm供應(yīng)的電勢(shì)變?yōu)橐o到像素電極B1的電勢(shì)Vb1。由于沒(méi)有選擇掃描線Gn+2，所以TFT M1關(guān)斷。由于掃描線Gn+1設(shè)置到選擇電勢(shì)，所以TFT M3接通。因此，顯示電勢(shì)Vb1通過(guò)信號(hào)線Dm給到像素電極B1。像素電極B1的電勢(shì)確定為顯示電勢(shì)Vb1。如此，通過(guò)時(shí)間劃分將信號(hào)線Dm的電勢(shì)提供給像素電極A1和B1。
在掃描線Gn+1設(shè)置到非選擇電勢(shì)之后，信號(hào)線Dm的電勢(shì)變?yōu)橐o到像素電極C1的電勢(shì)Vc1。
圖5示出在圖7所示的定時(shí)t3時(shí)顯示電勢(shì)和掃描電勢(shì)的狀態(tài)。選擇電勢(shì)同時(shí)給到掃描線Gn+2和Gn+3。其它掃描線設(shè)置到非選擇電勢(shì)。在定時(shí)t3，將由信號(hào)線Dm給到像素電極C1的電勢(shì)(Vc1)提供給像素電極C1、D1和F1。如此，確定用于像素電極C1的電勢(shì)Vc1。
圖6示出在圖7所示的定時(shí)t4時(shí)顯示電勢(shì)和掃描電勢(shì)的狀態(tài)。選擇電勢(shì)給到掃描線Gn+2。其它掃描線設(shè)置到非選擇電勢(shì)。在掃描線Gn+3設(shè)置到非選擇電勢(shì)之后，從信號(hào)線Dm供應(yīng)的電勢(shì)變?yōu)橐o到像素電極D1的電勢(shì)Vd1。由于沒(méi)有選擇掃描線Gn+3，所以顯示電勢(shì)不供應(yīng)給像素電極C1。由于選擇電勢(shì)給到掃描線Gn+2，所以顯示電勢(shì)Vd1通過(guò)信號(hào)線Dm給到像素電極D1。像素電極D1的電勢(shì)確定為顯示電勢(shì)Vd1。如此，通過(guò)時(shí)間劃分將信號(hào)線Dm的電勢(shì)提供給像素電極C1和D1。
之后，將針對(duì)隨后的像素順次執(zhí)行類似的操作。
在該實(shí)施例1中，如圖7所示，當(dāng)顯示信號(hào)給到多重像素的各個(gè)像素電極時(shí)，不同的掃描電勢(shì)值給到各個(gè)像素電極。例如，設(shè)計(jì)在給到像素電極A的電壓確定時(shí)的定時(shí)t1的掃描電勢(shì)使得它具有比在給到像素電極B的電壓確定時(shí)的定時(shí)t2的掃描電勢(shì)大的值。應(yīng)該指出的是，在實(shí)施例1中，存儲(chǔ)電容Cs或像素電極的大小設(shè)計(jì)為彼此相等。TFT(M1)和TFT(M3)設(shè)計(jì)為相同大小，而TFT(M2)設(shè)計(jì)為比其它兩個(gè)TFT小。最好TFT(M1)和TFT(M3)具有相同的大小，這是因?yàn)檫@些TFT發(fā)送顯示信號(hào)。另外，最好將TFT(M2)設(shè)計(jì)得較小，以便增大孔徑比。
下面將參照?qǐng)D8和圖9描述多重像素的像素電極的電勢(shì)變化。首先，將參照?qǐng)D8描述將相同值的掃描電勢(shì)給到多重像素A1(A)和B1(B)的情況。
在圖8中，參考標(biāo)號(hào)VG(n+1)表示將要施加到掃描線Gn+1的電勢(shì)。參考標(biāo)號(hào)VG(n+2)表示將要施加到掃描線Gn+2的電勢(shì)。參考標(biāo)號(hào)VDm表示將要給到信號(hào)線Dm的顯示電勢(shì)。參考標(biāo)號(hào)VC表示公共電勢(shì)。參考標(biāo)號(hào)VPA表示像素電極A1的電勢(shì)，參考標(biāo)號(hào)VPB表示像素電極B1的電勢(shì)。參考標(biāo)號(hào)VFG表示TFT(M1)的柵極電勢(shì)。這里，假定相同極性和相同值的顯示電勢(shì)施加到像素電極A1和B1。
在定時(shí)t1，電勢(shì)VG(n+1)施加足夠的電壓到TFT(M2)和TFT(M3)的柵極，由此導(dǎo)通TFT(M2)和TFT(M3)。類似地，施加到掃描線Gn+2的電勢(shì)VG(n+2)也通過(guò)TFT(M2)施加足夠的電壓到TFT(M1)的柵極，由此設(shè)置TFT(M1)到導(dǎo)通狀態(tài)。
這樣，像素電極A1的電勢(shì)VPA設(shè)置到幾乎與定時(shí)t1結(jié)束時(shí)的電勢(shì)VDm相同的電勢(shì)值。此外，像素電極B1的電勢(shì)VPB設(shè)置到幾乎與電勢(shì)VDm相同的電勢(shì)值。
但是，在定時(shí)t1之后，產(chǎn)生與TFT的接通和關(guān)斷相關(guān)的電勢(shì)變化，從而像素電極A1的電勢(shì)VPA下降ΔVP1。掃描線Gn+2的電勢(shì)VG(n+2)(在定時(shí)t1和定時(shí)t2之間的間隔中)的下降通過(guò)掃描線Gn+2和像素電極A1之間的寄生電容導(dǎo)致像素電極A1的電勢(shì)VPA相當(dāng)于ΔVP1的下降。掃描線Gn+2和像素電極A1之間的寄生電容主要?dú)w因于TFT(M1)的柵極和像素電極A1之間的寄生電容。
此外，掃描線Gn+1的電勢(shì)VG(n+1)(在定時(shí)t2和定時(shí)t3之間的間隔中)的下降通過(guò)掃描線Gn+1和像素電極A1之間的寄生電容導(dǎo)致像素電極A1的電勢(shì)VPA相當(dāng)于ΔVP2的下降。掃描線Gn+1和像素電極A1之間的寄生電容主要?dú)w因于通過(guò)TFT(M1)和TFT(M2)的電容。在該實(shí)施例中，電勢(shì)變化ΔVP1比電勢(shì)變化ΔVP2大。這歸因于電勢(shì)變化ΔVP2取決于通過(guò)兩個(gè)TFT的寄生電容，而且掃描線Gn+2和像素電極A1之間的寄生電容比掃描線Gn+1和像素電極A1之間的寄生電容大。
像素電極B1的電勢(shì)VPB設(shè)置到幾乎與在定時(shí)t2結(jié)束時(shí)的電勢(shì)VDm相同的電勢(shì)值。但是，在定時(shí)t2之后，產(chǎn)生與TFT的接通和關(guān)斷相關(guān)的電勢(shì)變化，從而像素電極B1的電勢(shì)VPB下降ΔVP3。掃描線Gn+1的電勢(shì)VG(n+1)(在定時(shí)t2和定時(shí)t3之間的間隔中)的下降通過(guò)掃描線Gn+1和像素電極B1之間的寄生電容導(dǎo)致像素電極B1的電勢(shì)VPB相當(dāng)于ΔVP3的下降。掃描線Gn+1和像素電極B1之間的寄生電容主要?dú)w因于TFT(M3)的柵極和像素電極B1之間的寄生電容。
這里，非常重要的一個(gè)事實(shí)是，與TFT的接通和關(guān)斷相關(guān)的電勢(shì)變化在像素電極A1的電勢(shì)VPA和像素電極B1的電勢(shì)VPB之間表現(xiàn)出不同的程度。在該實(shí)施例中，像素電極B1的電勢(shì)變化ΔVP3比像素電極A1的電勢(shì)變化(ΔVP1+ΔVP2)大。其原因可以進(jìn)行如下解釋。具體地說(shuō)，TFT(M1)的柵極電勢(shì)通過(guò)TFT(M2)給定。由于TFT(M2)具有一個(gè)閾值，所以給到TFT(M1)的柵極的電勢(shì)變得比掃描線Gn+2的選擇電勢(shì)要小。因此，TFT(M1)的柵極電勢(shì)的下降比直接連接到掃描線Gn+1的TFT(M3)的柵極電勢(shì)的下降要小。由于TFT(M1)和像素電極A1之間的寄生電容與TFT(M3)和像素電極B1之間的寄生電容具有幾乎相同的值，所以電勢(shì)變化ΔVP3比電勢(shì)變化ΔVP1大。另外，電勢(shì)變化ΔVP2通常比電勢(shì)變化ΔVP3或ΔVP1小。結(jié)果，像素電極B1的電勢(shì)變化ΔVP3變得比像素電極A1的電勢(shì)變化(ΔVP1+ΔVP2)大。
應(yīng)該指出的是，掃描線Gn+2的電勢(shì)下降不影響像素電極B1，這是因?yàn)樵趻呙杈€Gn+2的電勢(shì)下降之后才將顯示電勢(shì)給到像素電極B1。
這里，假定TFT被瞬時(shí)屏蔽，那么在將電勢(shì)寫入像素電極之后，歸因于掃描線電勢(shì)變化ΔVg的像素電極的電勢(shì)變化ΔVP通常定義如下ΔVP＝ΔVg·Cgp/Cpix (1)這里，Cgp是掃描線(或柵極)和像素電極之間的寄生電容，Cpix是包括寄生電容Cgp的像素電極的電容(像素電容)。因此，如果像素具有不同的寄生電容值，則在將電勢(shì)寫入像素電極之后像素電極的電勢(shì)變化變得彼此不同。另外，即使在像素之間的寄生電容Cgp和像素電容Cpix相同的情況下，如果由于諸如有源元件的不同連接模式之類的像素結(jié)構(gòu)、從像素電極方面來(lái)看掃描線電勢(shì)變化ΔVg表現(xiàn)出不同的值，那么在像素之間也產(chǎn)生電勢(shì)變化的差異。
作為如上所述在像素電極A1和B1之間的電勢(shì)變化存在差異的結(jié)果，在像素電極A1和B1控制施加給液晶的有效電壓值中產(chǎn)生差異，從而最終導(dǎo)致屏幕的輝度差。另外，在交流驅(qū)動(dòng)時(shí)還產(chǎn)生直流分量，由此導(dǎo)致諸如圖像粘滯(sticking)的顯示缺陷。
因此，在實(shí)施例1中，通過(guò)改變掃描線的選擇電勢(shì)來(lái)減少像素電極A1和B1之間的電勢(shì)變化的差異，如圖9所示。而且優(yōu)選地，控制像素電極A1的電勢(shì)VPA和像素電極B1的電勢(shì)VPB(在施加相同顯示信號(hào)的情況下)，使得它們最終具有幾乎相等的值。換句話說(shuō)，將掃描線選擇電勢(shì)Vgha和掃描線選擇電勢(shì)Vghb設(shè)置為不同的電勢(shì)值，以便在將顯示電勢(shì)寫入像素電極A1之后像素電勢(shì)變化的和ΔVPA與將顯示電勢(shì)寫入像素電極B1之后像素電勢(shì)變化ΔVPB具有幾乎相等的值。
像素電極的電勢(shì)變化ΔVP1、ΔVP2和ΔVP3具有如下關(guān)系ΔVP1＝(ΔVgha-Vth)×Cg(n+2)pa/CpixΔVP2＝ΔVghb×Cg(n+1)pa/CpixΔVP3＝ΔVghb×Cg(n+1)pb/Cpix假定ΔVgha＝Vgha-VglΔVghb＝Vghb-Vgl其中Vgha定時(shí)t1(用于像素電極A1的寫入周期)時(shí)掃描線的選擇電勢(shì)；Vghb定時(shí)t2(用于像素電極B1的寫入周期)時(shí)掃描線的選擇電勢(shì)；Vgl掃描線的非選擇電勢(shì)(低電平)；Cg(n+1)pa掃描線Gn+1和像素電極A1之間的寄生電容；Cg(n+2)paTFT(M1)的柵極和像素電極A1之間的寄生電容；以及Cg(n+1)pb掃描線Gn+1和像素電極B1之間的寄生電容。
通過(guò)選擇掃描線選擇電勢(shì)值Vgha和Vghb滿足ΔVP1+ΔVP2＝ΔVP3使電勢(shì)VPA和電勢(shì)VPB變得最終相等。這里，如果電勢(shì)變化ΔVP2的值非常小并且可以忽略不計(jì)，則可以利用ΔVP1＝ΔVP3這里，ΔVP1和ΔVP3之間的差異主要?dú)w因于電勢(shì)差異Vth。因此，如果將等于電勢(shì)差異Vth的電勢(shì)差異加到在定時(shí)t1時(shí)的掃描線電勢(shì)Vg(n+1)和掃描線電勢(shì)Vg(n+2)(Vgha＝Vghb+Vth)，則電勢(shì)變化ΔVP1和電勢(shì)變化ΔVP3變得彼此相等。結(jié)果，如圖9所示，電勢(shì)VPA和電勢(shì)VPB基本上取相同的電勢(shì)值。如此，在屏幕上不會(huì)發(fā)生輝度差，并且也不存在顯示缺陷。如果不能忽略電勢(shì)變化ΔVP2，則掃描線選擇電勢(shì)Vgha應(yīng)該設(shè)置為接近偏移電勢(shì)變化ΔVP2，從而將電勢(shì)VPA和電勢(shì)VPB嚴(yán)格設(shè)置為相等的電勢(shì)值。
可以通過(guò)圖10所示的電路將掃描線選擇電勢(shì)Vgha和掃描線選擇電勢(shì)Vghb提供到掃描線。圖10是表示布置在掃描線驅(qū)動(dòng)電路GD內(nèi)部的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)電路圖。另外，圖11是圖10所示的開關(guān)電路的時(shí)序圖。在圖10和圖11中，掃描線選擇電勢(shì)Vgha和掃描線選擇電勢(shì)Vghb通過(guò)各自的選擇電勢(shì)線從外部輸入到開關(guān)電路中。根據(jù)從外部輸入的選擇信號(hào)SEL，掃描線選擇電勢(shì)Vgha或掃描線選擇電勢(shì)Vghb由選擇電路選擇，從而掃描線選擇電勢(shì)中的一個(gè)輸出到朝向各自的掃描線40的掃描線驅(qū)動(dòng)電路的輸出端子。
可替代地，也可以通過(guò)圖12所示的電路將上述掃描線選擇電勢(shì)Vgha和掃描線選擇電勢(shì)Vghb提供到掃描線。圖12是表示布置在掃描線驅(qū)動(dòng)電路GD內(nèi)部的加法器-減法器電路的結(jié)構(gòu)電路圖。另外，圖13是圖12所示的加法器-減法器電路的時(shí)序圖。在圖12和圖13中，加法器-減法器電路用作加法器電路，其中該電路將外部供應(yīng)的掃描線選擇電勢(shì)差異ΔVg加到外部供應(yīng)的掃描線選擇電勢(shì)Vghb上，然后輸出相加的結(jié)果作為掃描線選擇電勢(shì)Vgha或Vghb。當(dāng)該加法器-減法器電路用作減法器電路時(shí)，從外部輸入掃描線選擇電勢(shì)Vgha和掃描線選擇電勢(shì)差異ΔVg，該電路將掃描線選擇電勢(shì)差異ΔVg從掃描線選擇電勢(shì)Vgha減掉。將相減的結(jié)果輸出為掃描線選擇電勢(shì)Vgha或Vghb。
應(yīng)注意，上述開關(guān)電路或加法器-減法器電路的位置不一定限制在掃描線驅(qū)動(dòng)電路GD的內(nèi)部。可替代地，開關(guān)電路或加法器-減法器電路可以布置在其它結(jié)構(gòu)中，例如驅(qū)動(dòng)控制電路DV。另外，每一個(gè)信號(hào)例如輸入到開關(guān)電路或加法器-減法器電路的電勢(shì)也可以從開關(guān)電路或加法器-減法器電路的內(nèi)容提供。
此外，在上面描述的實(shí)施例1中，像素電極A1和B1的電勢(shì)VPA和電勢(shì)VPB，通過(guò)增加與像素電極A1的電勢(shì)的確定相關(guān)的掃描線選擇電勢(shì)Vgha，最終分別均衡。但是，不應(yīng)受限于以上所述，而是也可以減少與像素電極B1的電勢(shì)的確定相關(guān)的掃描線選擇電勢(shì)Vghb。這歸因于以下事實(shí)，掃描線選擇電勢(shì)Vgha或Vghb通常擁有較大的裕量來(lái)導(dǎo)通各個(gè)TFT。
雖然在實(shí)施例1中通過(guò)利用掃描線形成了存儲(chǔ)電容Cs，但是也可以將本發(fā)明應(yīng)用到不利用掃描線而包括獨(dú)立的存儲(chǔ)電容電極的顯示器中。圖14示出包括獨(dú)立的存儲(chǔ)電容電極的顯示器的像素結(jié)構(gòu)。應(yīng)注意所示出的一組多重像素A41和B41。在掃描線Gn+1和掃描線Gn+2設(shè)置到選擇電勢(shì)的定時(shí)t1，顯示電勢(shì)給到像素電極A41。在定時(shí)t1之后的定時(shí)t2，掃描線Gn+1設(shè)置到選擇電勢(shì)而掃描線Gn+2設(shè)置到非選擇電勢(shì)，從而顯示電勢(shì)提供給像素電極B41。
與上面描述的類似，通過(guò)控制顯示電勢(shì)和選擇電勢(shì)，可以減少像素之間的像素電勢(shì)變化的差異。圖14中的參考標(biāo)號(hào)M41、M42和M43分別對(duì)應(yīng)于圖2中的參考標(biāo)號(hào)M1、M2和M3。類似地控制圖2和圖14中用相同的參考標(biāo)號(hào)表示的掃描線。
該實(shí)施例集中在像素電極之間的電勢(shì)變化的差異，這歸因于給到TFT的柵極的電勢(shì)的差異，并描述了一種補(bǔ)償該差異的模式。這是因?yàn)樵谌缟纤鰧?shí)施例的包括TFT電路的像素結(jié)構(gòu)的情況下，柵極電勢(shì)的差異構(gòu)成了使像素電勢(shì)變化的一個(gè)主要因素。然而，歸因于用于像素選擇的掃描線和像素電極之間的寄生電容的像素電勢(shì)變化也可以由其它原因引起。例如，在該實(shí)施例中，像素電極B1的電勢(shì)變化ΔVP3比像素電極A1的電勢(shì)變化(ΔVP1+ΔVP2)大。但是，如果TFT(M2)的大小與其它TFT的大小一樣大，則電勢(shì)變化ΔVP2實(shí)際上變得很大，從而像素電極A1和B1之間的電勢(shì)變化量可能與前面所述的相反。因此，無(wú)需多說(shuō)，用于補(bǔ)償?shù)碾妱?shì)可以根據(jù)其它因素的相互關(guān)系綜合確定。這些事項(xiàng)也適用于下面的各個(gè)實(shí)施例。
實(shí)施例2在上述實(shí)施例1中，假定連接到像素電極的TFT(M1)和TFT(M3)具有相同的大小。在下述的實(shí)施例2中，通過(guò)單獨(dú)設(shè)置TFT的電容并由此使電容產(chǎn)生差異來(lái)補(bǔ)償像素電勢(shì)變化的差異。在該實(shí)施例中，像素電路結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1(如圖2所示)中的類似。
圖15(a)和15(b)是表示在實(shí)施例2中使用的TFT的平面示意圖。圖15(a)示出其中源極S、漏極D和柵極D之間的電容減小的TFT，稱作大小減小的TFT。與此相反，圖15(b)示出大小增大的TFT。當(dāng)TFT的大小變大時(shí)，源極/漏極和柵極之間的電容變大。如已經(jīng)在實(shí)施例1中描述的，根據(jù)掃描線電勢(shì)和寄生電容的變化量確定歸因于掃描線電勢(shì)變化的像素電勢(shì)的電勢(shì)變化。通過(guò)使用不同大小的TFT，可以改變前述公式(1)中關(guān)于每一個(gè)像素的掃描線和像素電極之間的寄生電容Cgp。
在實(shí)施例1中，像素電極A1的電勢(shì)下降比像素電極B1的電勢(shì)下降要小。因此，如果使與像素電極B1相關(guān)的TFT的寄生電容作得比與像素電極A1相關(guān)的TFT的寄生電容小，則可以減小在像素電極A1和B1之間的電勢(shì)變化的差異。這里，認(rèn)為掃描線選擇電勢(shì)恒定不變。另外，認(rèn)為TFT(M1)的大小比TFT(M3)的大小要大。結(jié)果，可以減小像素電極A1和B1之間的電勢(shì)變化ΔVP的差異，并設(shè)置的幾乎相同。由此該實(shí)施例能夠確保屏幕的均一性。應(yīng)該指出的是，可以使用經(jīng)驗(yàn)值或仿真值來(lái)設(shè)置TFT的大小。
可替代地，可以通過(guò)調(diào)整TFT(M2)的大小來(lái)減小電勢(shì)變化ΔVP的最終差異。此模式對(duì)應(yīng)于如實(shí)施例1中描述的根據(jù)TFT(M2)的大小來(lái)調(diào)整電勢(shì)變化ΔVP2。通過(guò)增加附加電容到像素A上也可以實(shí)現(xiàn)類似的效果。附加電容在像素電極A1和選擇像素A時(shí)使用的掃描線Gn+1或Gn+2之間形成。附加電容將在實(shí)施例4中進(jìn)一步描述。
應(yīng)注意，在實(shí)施例1和2中描述的技術(shù)可以組合使用。另外，如果需要，也可以組合通過(guò)改變TFT的大小對(duì)電勢(shì)變化產(chǎn)生的影響與通過(guò)使用不同的掃描線電勢(shì)值對(duì)電勢(shì)變化產(chǎn)生的影響，從而彼此互換。這些模式也適用于下面的各個(gè)實(shí)施例。
實(shí)施例3該實(shí)施例的像素電路結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1的(參見(jiàn)圖2)類似。在上面描述的實(shí)施例1中，像素電極A1(A)和B1(B)之間的電勢(shì)變化的差異通過(guò)改變TFT上的掃描線電勢(shì)來(lái)補(bǔ)償。實(shí)施例1通過(guò)改變用于像素選擇的掃描線的掃描線電勢(shì)值來(lái)補(bǔ)償兩個(gè)像素電極之間的電勢(shì)變化的差異。與此相反，實(shí)施例3的目標(biāo)是針對(duì)像素通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)電容Cs旁邊的掃描線采用不同的掃描線電勢(shì)值(這里掃描線電勢(shì)指像素前段的掃描線的電勢(shì)，不用于選擇相關(guān)的像素)。
在說(shuō)明該實(shí)施例之前，首先描述通過(guò)存儲(chǔ)電容針對(duì)像素電勢(shì)的補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)方法。它是一種針對(duì)TFT的柵極電勢(shì)變化引起的像素電勢(shì)下降通過(guò)存儲(chǔ)電容補(bǔ)償像素電勢(shì)變化的驅(qū)動(dòng)方法。該補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)方法本身是公知的技術(shù)。
該驅(qū)動(dòng)方法已經(jīng)在現(xiàn)有文獻(xiàn)中公開，例如“CompensativeAddressing for Switching Distortion in a-Si TFTLCD”(K.Suzuki，EuroDisplay’87，pp.107-110)。如果存儲(chǔ)電容Cs在像素電極和掃描線的前段(precedent stage)之間形成，則通過(guò)改變相關(guān)掃描線的電勢(shì)而導(dǎo)致的像素電勢(shì)的變化ΔVP’定義為ΔVP’＝ΔVg’·Cs/Cpix(2)這里，Cs是在前段的掃描線與像素電極之間的存儲(chǔ)電容，ΔVg’是在前段的掃描線的電勢(shì)的變化量，Cpix是整個(gè)像素電極的電容(包括存儲(chǔ)電容)。
與像素選擇有關(guān)的掃描線的電勢(shì)變化所導(dǎo)致的像素電勢(shì)變化用公式(1)表示。因此，可以通過(guò)抵消公式(1)和公式(2)來(lái)抑制像素電勢(shì)的變化。換句話說(shuō)，如果滿足ΔVP+ΔVP’＝0 (3)則從該關(guān)系可以導(dǎo)出下式(4)。
-ΔVg’/ΔVg＝Cgp/Cs (4)如果公式(4)能夠滿足，則可以補(bǔ)償像素電勢(shì)的變化ΔVP。
圖16是在將上述補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)方法應(yīng)用到實(shí)施例1的情況下掃描信號(hào)的時(shí)序圖。圖16和圖7的差別在于在圖16中的掃描線的電勢(shì)具有兩種類型的低電平。具體地說(shuō)，每一個(gè)掃描線電勢(shì)具有兩個(gè)非選擇電勢(shì)值Vlow1和Vlow2。在確定像素電極的顯示電勢(shì)之后(或者與此同時(shí))，到像素電極的前段掃描線的電勢(shì)從Vlow2變到Vlow1。這兩個(gè)電勢(shì)值的差異對(duì)應(yīng)于公式(2)中的ΔVg’。如此，通過(guò)在前一狀態(tài)的通過(guò)存儲(chǔ)電容Cs與像素電極電容耦合的掃描線上生成電勢(shì)變化ΔVg’將補(bǔ)償電壓給到像素電極。
但是，傳統(tǒng)的補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)方法對(duì)每一個(gè)像素電極提供相同的補(bǔ)償電壓量。因此，如在實(shí)施例1中所述，傳統(tǒng)的方法不能處理像素電極A和B具有不同像素電勢(shì)變化的情況。由于這個(gè)原因，即使在滿足公式(4)的驅(qū)動(dòng)條件下，優(yōu)像素電極A和B控制的施加給液晶的有效電壓值之間出現(xiàn)差異，從而導(dǎo)致顯示屏幕上的輝度差或顯示缺陷。
因此，如在實(shí)施例1中所述，在將特定顯示電勢(shì)給到像素電極A1時(shí)的掃描線選擇電勢(shì)Vgha與在將特定顯示電勢(shì)給到像素電極B1時(shí)的掃描線選擇電勢(shì)Vghb必須設(shè)置到彼此不同的值。
在實(shí)施例3中，不同的補(bǔ)償電壓給到各個(gè)像素作為通過(guò)使用存儲(chǔ)電容提供的補(bǔ)償電壓。如此，實(shí)施例3的目標(biāo)在于在定時(shí)t2之后基本上均衡像素電極A和B的電勢(shì)值。假定針對(duì)像素電極A和B的顯示電勢(shì)值具有相同的極性和相同的電平。與實(shí)施例1不同，假定用于選擇像素電極的掃描線電勢(shì)值對(duì)于每一個(gè)像素都相同。另外，假定每一個(gè)像素的Cs和Cpix相同。
圖17示出該實(shí)施例中掃描電勢(shì)和顯示電勢(shì)的時(shí)序圖。掃描電勢(shì)具有一種高電平，另外，掃描電勢(shì)具有三種類型的低電平。Vlow3是這三種電平中最低的電勢(shì)值。Vlow2是第二低的電勢(shì)，Vlow1是最高的非選擇電勢(shì)。
現(xiàn)在關(guān)注掃描線Gn的掃描電勢(shì)的變化。在定時(shí)t1，掃描線Gn的掃描電勢(shì)為Vlow2。在定時(shí)t2，掃描線Gn的掃描電勢(shì)為Vlow3。在定時(shí)t3，掃描線Gn的掃描電勢(shì)為Vlow1。由于掃描線Gn的掃描電勢(shì)從Vlow2下降為Vlow3，因此像素電極A1的像素電勢(shì)通過(guò)存儲(chǔ)電容下降(Vlow2-Vlow3)Cs/Cpix。之后，由于掃描線Gn的掃描電勢(shì)從Vlow3上升為Vlow1，因此像素電極A1的像素電勢(shì)通過(guò)存儲(chǔ)電容上升(Vlow1-Vlow3)Cs/Cpix。結(jié)果，像素電極A1的像素電勢(shì)上升(Vlow1-Vlow2)Cs/Cpix。
在確定像素電極B1的顯示電勢(shì)之后，掃描線Gn的掃描電勢(shì)從Vlow3上升為Vlow1。因此，像素電極B1的像素電勢(shì)上升(Vlow1-Vlow3)Cs/Cpix。
根據(jù)實(shí)施例1的描述，對(duì)于像素選擇所用的掃描電勢(shì)的變化引起的像素電極的像素電勢(shì)的下降，像素電極A1具有比像素電極B1的相關(guān)值小的值。在該實(shí)施例中，對(duì)于通過(guò)存儲(chǔ)電容由補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)所引起的像素電勢(shì)的上升，像素電極A1具有比像素電極B1的相關(guān)值小的值。因此，可以通過(guò)適當(dāng)選擇Vlow1、Vlow2和Vlow3，使用通過(guò)存儲(chǔ)電容的補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)來(lái)減少像素之間的像素電勢(shì)的變化的差異。設(shè)置三種類型的低掃描電勢(shì)值以便滿足下述關(guān)系(Vlow1-Vlow2)Cs/Cpix＝-ΔVPA＝-(ΔVP1+ΔVP2)，以及(Vlow1-Vlow3)Cs/Cpix＝-ΔVPB＝-ΔVP3這樣，可以補(bǔ)償如下因素對(duì)于像素選擇所用的掃描電勢(shì)的變化引起的像素電極的像素電勢(shì)的下降；以及多重像素之間的像素電勢(shì)變換的差異。雖然實(shí)施例1能夠補(bǔ)償像素之間的像素電勢(shì)變換的差異，但是實(shí)施例1不能補(bǔ)償像素電勢(shì)的下降。根據(jù)該實(shí)施例，這兩個(gè)因素能夠同時(shí)得到補(bǔ)償。
應(yīng)該指出的是，掃描線電勢(shì)值不是總能限制到滿足上述公式的值。所以，通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇每一個(gè)顯示器的最優(yōu)值來(lái)減少像素之間的像素電勢(shì)變換的差異非常重要。
上述實(shí)施例通過(guò)改變掃描線Gn的電勢(shì)實(shí)現(xiàn)了對(duì)像素電勢(shì)變化的補(bǔ)償。由于通過(guò)存儲(chǔ)電容的補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)所導(dǎo)致的像素電勢(shì)的變化由掃描線電勢(shì)和存儲(chǔ)電容的變化量確定。因此，像素電極之間的電勢(shì)變化的差異可以根據(jù)像素通過(guò)設(shè)置不同大小的存儲(chǔ)電容來(lái)抑制。在上面描述的示例中，在像素電極A和掃描線Gn之間形成的存儲(chǔ)電容CsA比像素電極B和掃描線Gn之間的存儲(chǔ)電容CsB小。這樣，可以使用相同的掃描線電勢(shì)補(bǔ)償像素電勢(shì)的變化。如果不使用通過(guò)存儲(chǔ)電容的補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)，則可以通過(guò)形成比存儲(chǔ)電容CsB小的存儲(chǔ)電容CsA來(lái)補(bǔ)償像素之間的像素電勢(shì)變化。這是由于如下事實(shí)，即，根據(jù)實(shí)施例1，像素電極A的整個(gè)電容(Cpix)比像素電極B的整個(gè)電容小。
實(shí)施例4下面描述的實(shí)施例4除了涉及到像素電極A11的第一TFT(M11)和第二TFT(M12)之間的連接模式不同之外，具有與根據(jù)實(shí)施例1的液晶顯示器的像素電路結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。
圖18是表示該實(shí)施例的陣列基板的電路結(jié)構(gòu)的圖。在圖18中，三個(gè)TFT第一TFT(M11)、第二TFT(M12)、以及第三TFT(M13)針對(duì)彼此相鄰并夾住信號(hào)線Dm的像素電極A11和B11如下所述布置。首先，第一TFT(M11)的源極/漏極連接到信號(hào)線Dm，并且其源極/漏極中的另一個(gè)連接到第二TFT(M12)的源極/漏極。第一TFT(M11)的柵極連接到掃描線Gn+1。
第二TFT(M12)的源極/漏極連接到第一TFT(M11)，并且其源極/漏極中的另一個(gè)連接到像素電極A11。第二TFT(M12)的柵極連接到掃描線Gn+2。因此，僅在相鄰的掃描線Gn+1和Gn+2同時(shí)設(shè)置到選擇電勢(shì)時(shí)的周期內(nèi)第一TFT(M11)和第二TFT(M12)才設(shè)置到導(dǎo)通狀態(tài)，從而提供信號(hào)線Dm的電勢(shì)給像素電極A11。換句話說(shuō)，第一TFT(M11)和第二TFT(M12)設(shè)置在提供數(shù)據(jù)電勢(shì)給像素電極A11的路徑上，并且當(dāng)位于像素電極A11后段(subsequent stage)的兩條掃描線Gn+1和Gn+2設(shè)置到掃描電勢(shì)時(shí)，第一TFT(M11)的柵極和第二TFT(M12)的柵極導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谝籘FT(M11)的柵極和第二TFT(M12)的柵極導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)電勢(shì)從信號(hào)線Dm提供到像素電極A11。
第三TFT(M3)的源極/漏極連接到信號(hào)線Dm，并且其源極/漏極中的另一個(gè)連接到像素電極B11。第三TFT(M3)的柵極連接到掃描線Gn+1。因此，當(dāng)掃描線Gn+1設(shè)置到選擇電勢(shì)時(shí)，第三TFT(M3)接通，從而提供信號(hào)線Dm的電勢(shì)到像素電極B11。
圖19是表示在包括該實(shí)施例的像素電極結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)顯示器中掃描線電勢(shì)和像素電勢(shì)的變化的時(shí)序圖。由于圖中的參考標(biāo)號(hào)與圖8中的類似，因此省略其詳細(xì)描述。
在定時(shí)t1結(jié)束時(shí)，像素電極A11的電勢(shì)VPA設(shè)置到幾乎與電勢(shì)VDm相同的電勢(shì)值。此外，像素電極B11的電勢(shì)VPB也設(shè)置到幾乎與電勢(shì)VDm相同的電勢(shì)值。
但是，在定時(shí)t1之后，產(chǎn)生與TFT的接通和關(guān)斷相關(guān)的電勢(shì)變化，從而像素電極A11的電勢(shì)VPA下降ΔVP1。掃描線Gn+2的電勢(shì)VG(n+2)(在定時(shí)t1和定時(shí)t2之間的間隔中)的下降通過(guò)掃描線Gn+2和像素電極A11之間的寄生電容導(dǎo)致像素電極A11的電勢(shì)VPA相當(dāng)于ΔVP1的下降。掃描線Gn+2和像素電極A11之間的寄生電容主要?dú)w因于TFT(M12)的柵極和像素電極A11之間的寄生電容。
此外，掃描線Gn+1的電勢(shì)VG(n+1)(在定時(shí)t2和定時(shí)t3之間的間隔中)的下降通過(guò)掃描線Gn+1和像素電極A11之間的寄生電容導(dǎo)致像素電極A11的電勢(shì)VPA相當(dāng)于ΔVP2的下降。掃描線Gn+1和像素電極A11之間的寄生電容主要?dú)w因于通過(guò)TFT(M11)和TFT(M12)的電容。在該實(shí)施例中，電勢(shì)變化ΔVP1比電勢(shì)變化ΔVP2大。這歸因于掃描線Gn+2和像素電極A11之間的寄生電容比掃描線Gn+1和像素電極A11之間的寄生電容大。其它方面的原因歸因于例如ΔVP2取決于通過(guò)兩個(gè)TFT的寄生電容，而且TFT(M12)的寄生電容等于其源極和漏極之間的電容。
像素電極B11的電勢(shì)VPB設(shè)置到幾乎與在定時(shí)t2結(jié)束時(shí)的電勢(shì)VDm相同的電勢(shì)值。但是，在定時(shí)t2之后，產(chǎn)生與TFT的接通和關(guān)斷相關(guān)的電勢(shì)變化，從而像素電極B11的電勢(shì)VPB下降ΔVP3。掃描線Gn+1的電勢(shì)VG(n+1)(在定時(shí)t2和定時(shí)t3之間的間隔中)的下降通過(guò)掃描線Gn+1和像素電極B11之間的寄生電容導(dǎo)致像素電極B11的電勢(shì)VPB相當(dāng)于ΔVP3的下降。掃描線Gn+1和像素電極B11之間的寄生電容主要?dú)w因于TFT(M13)的柵極和像素電極B11之間的寄生電容。
這里，非常重要的一個(gè)事實(shí)是，在像素選擇時(shí)與TFT的接通和關(guān)斷相關(guān)的電勢(shì)變化在像素電極A11的電勢(shì)VPA和像素電極B11的電勢(shì)VPB之間表現(xiàn)出不同的程度。在該實(shí)施例中，像素電極B11的電勢(shì)變化ΔVP3比像素電極A11的電勢(shì)變化(ΔVP1+ΔVP2)小。在該實(shí)施例中這三個(gè)TFT具有相同的大小。一般情況下，用于發(fā)送顯示信號(hào)的TFT的特性最好設(shè)計(jì)的相同。TFT(M13)和像素電極B11之間的寄生電容等于TFT(M12)和像素電極A11之間的寄生電容。因此，如果掃描線電勢(shì)恒定不變，則電勢(shì)變化ΔVP3與電勢(shì)變化ΔVP1變得彼此相等。由此，像素電極A11的電勢(shì)變化(電勢(shì)的下降)比像素電極B11的電勢(shì)變化要大電勢(shì)變化ΔVP2。
可以通過(guò)采用實(shí)施例1至3中描述的技術(shù)來(lái)補(bǔ)償電勢(shì)變化的差異。
根據(jù)實(shí)施例1，將Vgha設(shè)置為比Vghb小的值。通過(guò)這種方式，使ΔVP1變得比ΔVP3小，從而減小這兩個(gè)像素電極之間的電勢(shì)變化的差異。如果將(ΔVP1+ΔVP2)設(shè)置的幾乎與ΔVP3相等，則可以將這兩個(gè)像素電極的電勢(shì)變化設(shè)置到幾乎相同的值。
或者，根據(jù)實(shí)施例2，將TFT(M13)和TFT(M12)形成為具有不同的大小。通過(guò)將TFT(M13)設(shè)計(jì)的比TFT(M12)大，可以將ΔVP3的大小設(shè)計(jì)的比ΔVP1的大小大。
電勢(shì)變化的差異可以通過(guò)在像素電極和用于選擇的掃描線之間增加電容來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償。像素電極B11的像素電勢(shì)的變化可以通過(guò)增加針對(duì)像素B的附加電容來(lái)提高。附加電容在像素電極B11和用于選擇像素B的掃描線Gn+1之間形成。圖20示出在像素電極B11和掃描線Gn+1之間形成的附加電容(Ca)、以及在像素電極D11和掃描線Gn+2之間形成的附加電容(Ca)。
附加電容可以通過(guò)將像素電極擴(kuò)展到掃描線Gn+1上來(lái)形成?；蛘?，附加電容也可以在形成信號(hào)線層期間通過(guò)形成與掃描線Gn+1交疊的附加導(dǎo)體并將該附加導(dǎo)體連接到像素電極B11上來(lái)形成。
例如，具有底部柵極(bottom-gate)TFT結(jié)構(gòu)的TN型LCD包括作為底層的掃描線層和作為頂層的像素電極層。這里，假定LCD的像素電極結(jié)構(gòu)包括在掃描線層和像素電極層之間的信號(hào)線層(源極/漏極層)。在掃描線層上形成諸如柵極絕緣層的絕緣層。通過(guò)將像素電極擴(kuò)展到掃描線，可以形成包括像素電極、掃描線和絕緣層的電容?；蛘撸眯盘?hào)層形成經(jīng)由絕緣層交疊掃描線的導(dǎo)體部分，然后將該導(dǎo)體部分連接到像素電極。由此可以形成包括像素電極、信號(hào)線層的導(dǎo)體部分、絕緣層、以及掃描線的附加電容。
在形成附加電容時(shí)，應(yīng)該根據(jù)像素結(jié)構(gòu)選擇適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，而不應(yīng)受到上述結(jié)構(gòu)的限制。這里非常重要的是電容加在像素電極和用于選擇像素的掃描線之間。對(duì)于存儲(chǔ)電容，在包括用掃描線和像素電極形成的存儲(chǔ)電容的LCD中，該存儲(chǔ)電容在像素電極和不用于選擇像素的掃描線之間形成。
在該實(shí)施例中電勢(shì)變化的差異可以利用實(shí)施例3中描述的技術(shù)來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償。將實(shí)施例3中的Vlow2值設(shè)置為比Vlow3低的值。Vlow2是最低的非選擇電平，而Vlow1是最高的非選擇電平。另外，Vlow3是介于Vlow1和Vlow2之間的值。
像素電極A11的像素電勢(shì)的上升根據(jù)(Vlow1-Vlow2)確定，而像素電極B11的像素電勢(shì)的上升根據(jù)(Vlow1-Vlow3)確定。在該實(shí)施例中，像素電極A11的電勢(shì)(ΔVP1+ΔVP2)的下降比像素電極B11的電勢(shì)ΔVP3的下降要大。由于(Vlow1-Vlow2)比(Vlow1-Vlow3)大，所以通過(guò)設(shè)置三個(gè)適當(dāng)?shù)姆沁x擇電勢(shì)值，可以減少像素電極A11和B11之間電勢(shì)變化的差異并基本上均衡兩個(gè)電勢(shì)的變化量。
另外，針對(duì)像素A和像素B通過(guò)將存儲(chǔ)電容的大小設(shè)置為不同的值也可以補(bǔ)償像素電勢(shì)的變化。如在實(shí)施例3中所述，經(jīng)由存儲(chǔ)電容的補(bǔ)償電壓取決于存儲(chǔ)電容的大小和掃描線電勢(shì)的變化量。將像素電極A的存儲(chǔ)電容設(shè)計(jì)得比像素電極B的存儲(chǔ)電容大能夠有效減小像素電勢(shì)變化的差異。
盡管參照扭曲向列(TN)型液晶顯示器描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明也能夠適用于其它各種類型的顯示器，例如平面內(nèi)(in-plane)開關(guān)型液晶顯示器。另外，本發(fā)明的應(yīng)用領(lǐng)域不僅限于其中多路復(fù)用兩個(gè)像素的雙重型顯示器，而且本發(fā)明也能夠用于三重或更多重類型的多重顯示器。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠減少信號(hào)線的數(shù)量，并由此減少數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的數(shù)量。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的分辨率，并且能夠補(bǔ)償歸因于像素電極和選擇掃描線之間的寄生電容的像素電極之間的電勢(shì)變化差異。由于電勢(shì)變化的差異減小，所以能夠提高顯示屏幕的均一性。
雖然已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是在不脫離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種其他各種變更、替換和修改。
權(quán)利要求
1.一種顯示設(shè)備，包括信號(hào)線，用于發(fā)送用于圖像顯示的顯示信號(hào)給多個(gè)像素電極；以及第一和第二像素電極，顯示信號(hào)在一個(gè)掃描周期內(nèi)分別通過(guò)信號(hào)線順次提供給它們；其中，第一像素電極通過(guò)第一薄膜晶體管電路連接到包括至少一個(gè)掃描線的第一掃描線組；第二像素電極通過(guò)與第一薄膜晶體管電路不同的第二薄膜晶體管電路連接到包括至少一個(gè)掃描線的第二掃描線組；當(dāng)?shù)谝伙@示信號(hào)給到第一像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第一掃描信號(hào)到第一掃描線組；當(dāng)?shù)诙@示信號(hào)給到第二像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第二掃描信號(hào)到第二掃描線組；以及第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)具有彼此不同的電勢(shì)值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極的第一薄膜晶體管、以及其源極/漏極連接到第一薄膜晶體管的柵極的第二薄膜晶體管；第二薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第三薄膜晶體管；當(dāng)輸出第一掃描信號(hào)時(shí)，輸出到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一掃描線電勢(shì)通過(guò)第二薄膜晶體管提供給第一薄膜晶體管的柵極；當(dāng)輸出第二掃描信號(hào)時(shí)，將第二掃描線電勢(shì)輸出到第二掃描線；以及輸出的第一掃描線電勢(shì)具有大于所輸出的第二掃描線電勢(shì)的值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管的源極/漏極中的另一個(gè)連接到信號(hào)線；第二薄膜晶體管的源極/漏極中的另一個(gè)連接到第一掃描線，并且第二薄膜晶體管的柵極連接到包括在第一掃描線組中的另一掃描線；以及第三薄膜晶體管的源極/漏極中的另一個(gè)連接到信號(hào)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極并且其柵極連接到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一薄膜晶體管；第二薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第二薄膜晶體管；在顯示信號(hào)給到第一像素電極之后，將顯示信號(hào)給到第二像素電極；以及輸出到第一掃描線的掃描線電勢(shì)具有小于輸出到第二掃描線的掃描線電勢(shì)的值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)具有彼此不同的電勢(shì)值，以便減少第一像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量和第二像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量之間的差異，該差異歸因于掃描線電勢(shì)的變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路還包括第三薄膜晶體管；第三薄膜晶體管的源極/漏極分別連接到信號(hào)線和第一薄膜晶體管的源極/漏極；第三薄膜晶體管的柵極連接到包括在第一掃描線組中的第三掃描線；以及第二掃描線和第三掃描線集合構(gòu)成共用掃描線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路包括第一和第二薄膜晶體管；第二薄膜晶體管電路包括第三薄膜晶體管；第一掃描線組包括第一和第二掃描線；第二掃描線組包括第二掃描線；當(dāng)?shù)谝缓偷诙呙杈€被選擇時(shí)，將顯示信號(hào)給到第一像素電極；以及當(dāng)沒(méi)有選擇第一掃描線而選擇第二掃描線時(shí)，將顯示信號(hào)給到第二像素電極。
8.一種在有源矩陣型顯示設(shè)備中使用的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，其中將包括開關(guān)元件的多個(gè)像素布置成矩陣，并且多個(gè)像素的開關(guān)元件的接通和關(guān)斷由多個(gè)掃描線控制，所述驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)掃描電勢(shì)輸出端；以及選擇電勢(shì)供應(yīng)電路，用于將選擇電勢(shì)分別供應(yīng)到多個(gè)掃描電勢(shì)輸出端；其中，選擇電勢(shì)供應(yīng)電路順次提供第一選擇電勢(shì)和第二選擇電勢(shì)給至少一個(gè)掃描電勢(shì)輸出端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，其中，選擇電勢(shì)供應(yīng)電路包括第一選擇電勢(shì)供應(yīng)線，用于提供相應(yīng)于第一選擇電勢(shì)的電勢(shì)；第二選擇電勢(shì)供應(yīng)線，用于提供相應(yīng)于第二選擇電勢(shì)的電勢(shì)；以及選擇電路，用于選擇第一和第二選擇電勢(shì)供應(yīng)線中的任意一個(gè)并將所選擇的供應(yīng)線連接到掃描電勢(shì)輸出端中的一個(gè)以構(gòu)成電路。
10.一種顯示設(shè)備，包括信號(hào)線，用于發(fā)送用于圖像顯示的顯示信號(hào)給多個(gè)像素電極；以及第一和第二像素電極，顯示信號(hào)在一個(gè)掃描周期內(nèi)分別通過(guò)信號(hào)線順次提供給它們；其中，第一像素電極通過(guò)第一薄膜晶體管電路連接到包括至少一個(gè)掃描線的第一掃描線組；第二像素電極通過(guò)與第一薄膜晶體管電路不同的第二薄膜晶體管電路連接到包括至少一個(gè)掃描線的第二掃描線組；當(dāng)?shù)谝伙@示信號(hào)給到第一像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第一掃描信號(hào)到第一掃描線組；當(dāng)?shù)诙@示信號(hào)給到第二像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第二掃描信號(hào)到第二掃描線組；以及至少一個(gè)包括在第一薄膜晶體管電路中的薄膜晶體管的大小與至少一個(gè)包括在第二薄膜晶體管電路中的薄膜晶體管的大小不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極的第一薄膜晶體管、以及其源極/漏極連接到第一薄膜晶體管的柵極的第二薄膜晶體管；第二薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第三薄膜晶體管；當(dāng)輸出第一掃描信號(hào)時(shí)，輸出到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一掃描線電勢(shì)通過(guò)第二薄膜晶體管提供給第一薄膜晶體管的柵極；當(dāng)輸出第二掃描信號(hào)時(shí)，將第二掃描線電勢(shì)輸出到第二掃描線；以及第一薄膜晶體管比第三薄膜晶體管大。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，其中，第二薄膜晶體管比第三薄膜晶體管小。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中，至少一個(gè)包括在第一薄膜晶體管電路中的薄膜晶體管具有與至少一個(gè)包括在第二薄膜晶體管電路中的薄膜晶體管的大小不同的大小，以便減少第一像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量和第二像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量之間的差異，該差異歸因于掃描線電勢(shì)的變化。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極并且其柵極連接到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一薄膜晶體管；第二薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第二薄膜晶體管；第一掃描線組和第二掃描線組擁有一個(gè)共用的掃描線，并且在顯示信號(hào)給到第一像素電極之后將顯示信號(hào)給到第二像素電極；以及第二薄膜晶體管比第一薄膜晶體管大。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路包括連接到第一像素電極的第一薄膜晶體管和連接到第一薄膜晶體管的第二薄膜晶體管；第二薄膜晶體管電路包括第三薄膜晶體管；第一掃描線組包括第一和第二掃描線；第二掃描線組包括第二掃描線；當(dāng)?shù)谝缓偷诙呙杈€被選擇時(shí)，將顯示信號(hào)給到第一像素電極；當(dāng)沒(méi)有選擇第一掃描線而選擇第二掃描線時(shí)，將顯示信號(hào)給到第二像素電極；以及第三薄膜晶體管比第一薄膜晶體管大。
16.一種顯示設(shè)備，包括信號(hào)線，用于發(fā)送用于圖像顯示的顯示信號(hào)給多個(gè)像素電極；以及第一和第二像素電極，顯示信號(hào)在一個(gè)掃描周期內(nèi)分別通過(guò)信號(hào)線順次提供給它們；其中，第一像素電極通過(guò)第一薄膜晶體管電路連接到包括至少一個(gè)掃描線的第一掃描線組；第二像素電極通過(guò)與第一薄膜晶體管電路不同的第二薄膜晶體管電路連接到包括至少一個(gè)掃描線的第二掃描線組；當(dāng)?shù)谝伙@示信號(hào)給到第一像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第一掃描信號(hào)到第一掃描線組；當(dāng)?shù)诙@示信號(hào)給到第二像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第二掃描信號(hào)到第二掃描線組；以及在第一像素電極和包括在第一掃描線組中的掃描線之間形成附加電容，而不在第二像素電極和包括在第二掃描線組中的掃描線之間形成附加電容。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極的第一薄膜晶體管、以及其源極/漏極連接到第一薄膜晶體管的柵極的第二薄膜晶體管；第二薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第三薄膜晶體管；當(dāng)輸出第一掃描信號(hào)時(shí)，輸出到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一掃描線電勢(shì)通過(guò)第二薄膜晶體管提供給第一薄膜晶體管的柵極；以及當(dāng)輸出第二掃描信號(hào)時(shí)，將第二掃描線電勢(shì)輸出到第二掃描線。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中，在第一像素電極和包括在第一掃描線組中的掃描線之間形成附加電容，以便減少第一像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量和第二像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量之間的差異，該差異歸因于掃描線電勢(shì)的變化。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極并且其柵極連接到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一薄膜晶體管；第二薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第二薄膜晶體管；第一掃描線組和第二掃描線組擁有一個(gè)共用的掃描線，并且在顯示信號(hào)給到第二像素電極之后將顯示信號(hào)給到第一像素電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求16、17、18、19任意一個(gè)所述的顯示設(shè)備，其中，附加電容是以第一像素電極和連接到第一像素電極的導(dǎo)體部分的任意部分通過(guò)絕緣層重疊掃描線的方式形成的。
21.一種顯示設(shè)備，包括信號(hào)線，用于發(fā)送用于圖像顯示的顯示信號(hào)給多個(gè)像素電極；以及第一和第二像素電極，顯示信號(hào)在一個(gè)掃描周期內(nèi)分別通過(guò)信號(hào)線順次提供給它們；其中，第一像素電極通過(guò)第一薄膜晶體管電路連接到包括至少一個(gè)掃描線的第一掃描線組；第二像素電極通過(guò)與第一薄膜晶體管電路不同的第二薄膜晶體管電路連接到包括至少一個(gè)掃描線的第二掃描線組；當(dāng)?shù)谝伙@示信號(hào)給到第一像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第一掃描信號(hào)到第一掃描線組；當(dāng)?shù)诙@示信號(hào)給到第二像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第二掃描信號(hào)到第二掃描線組；第一像素電極用作第一存儲(chǔ)電容的電極；第二像素電極用作第二存儲(chǔ)電容的電極；以及第一存儲(chǔ)電容比第二存儲(chǔ)電容小。
22.一種顯示設(shè)備，包括信號(hào)線，用于發(fā)送用于圖像顯示的顯示信號(hào)給多個(gè)像素電極；以及第一和第二像素電極，顯示信號(hào)在一個(gè)掃描周期內(nèi)分別通過(guò)信號(hào)線順次提供給它們；其中，第一像素電極通過(guò)第一薄膜晶體管電路連接到包括至少一個(gè)掃描線的第一掃描線組；第二像素電極通過(guò)與第一薄膜晶體管電路不同的第二薄膜晶體管電路連接到包括至少一個(gè)掃描線的第二掃描線組；當(dāng)?shù)谝伙@示信號(hào)給到第一像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第一掃描信號(hào)到第一掃描線組；當(dāng)?shù)诙@示信號(hào)給到第二像素電極時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出第二掃描信號(hào)到第二掃描線組；第一和第二像素電極在第n掃描線和第n+1掃描線之間形成；在第n掃描線與第一和第二像素電極之間分別形成存儲(chǔ)電容；第一掃描線組和第二掃描線組包括鄰接第n掃描線但不包括第n掃描線的掃描線；以及在顯示電勢(shì)給到第一像素電極時(shí)在第一周期內(nèi)第n掃描線的掃描線電勢(shì)值與在顯示電勢(shì)給到第二像素電極時(shí)在第二周期內(nèi)第n掃描線的掃描線電勢(shì)值不相同。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極的第一薄膜晶體管、以及其源極/漏極連接到第一薄膜晶體管的柵極的第二薄膜晶體管；第二薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第三薄膜晶體管；當(dāng)輸出第一掃描信號(hào)時(shí)，輸出到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一掃描線電勢(shì)通過(guò)第二薄膜晶體管提供給第一薄膜晶體管的柵極；當(dāng)輸出第二掃描信號(hào)時(shí)，將第二掃描線電勢(shì)輸出到第二掃描線；以及在第一周期中第n掃描線的掃描線電勢(shì)比第二周期中的掃描線電勢(shì)大。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管的源極/漏極中的另一個(gè)連接到信號(hào)線；第二薄膜晶體管的源極/漏極中的另一個(gè)連接到第一掃描線，并且第二薄膜晶體管的柵極連接到包括在第一掃描線組中的另一掃描線；以及第三薄膜晶體管的源極/漏極中的另一個(gè)連接到信號(hào)線。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示設(shè)備，其中，第n掃描線的掃描線電勢(shì)在顯示電勢(shì)給到第一像素電極的第一周期中和顯示電勢(shì)給到第二像素電極的第二周期中取不同的值，以便減少第一像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量和第二像素電極所擁有的像素電勢(shì)的變化量之間的差異，該差異歸因于掃描線電勢(shì)的變化。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第一像素電極并且其柵極連接到包括在第一掃描線組中的第一掃描線的第一薄膜晶體管；第二薄膜晶體管電路包括其源極/漏極連接到第二像素電極并且其柵極連接到包括在第二掃描線組中的第二掃描線的第二薄膜晶體管；在顯示信號(hào)給到第一像素電極之后，將顯示信號(hào)給到第二像素電極；以及在第一周期中第n掃描線的掃描線電勢(shì)比第二周期中的掃描線電勢(shì)小。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示設(shè)備，其中，第一薄膜晶體管電路還包括第三薄膜晶體管；第三薄膜晶體管的源極/漏極分別連接到信號(hào)線和第一薄膜晶體管的一個(gè)源極/漏極；第三薄膜晶體管的柵極連接到包括在第一掃描線組中的第三掃描線；以及第二掃描線和第三掃描線集合構(gòu)成一條同一的線。
全文摘要
信號(hào)線的數(shù)量減少，并且通過(guò)提高施加到每一個(gè)像素的電壓的精度確保沒(méi)有輝度差的顯示屏幕的均一性(參見(jiàn)圖7)。在從掃描線(Gn+2)變到選擇電勢(shì)的時(shí)刻到其變到非選擇電勢(shì)的時(shí)刻的時(shí)間t1期間，具有給到像素電極(A)的第一電勢(shì)的第一顯示信號(hào)提供給信號(hào)線，以便將第一電勢(shì)給到像素電極(A)和像素電極(B)。在掃描線(Gn+2)變到非選擇電勢(shì)的時(shí)間t1期間，具有給到像素電極(B)的第二電勢(shì)的第二顯示信號(hào)提供給信號(hào)線。當(dāng)?shù)诙妱?shì)給到像素電極(B)時(shí)，用于抵消相應(yīng)于像素電極(A)和掃描線(Gn+1，Gn+2)之間的寄生電容的電勢(shì)變化與相應(yīng)于像素電極(B)和掃描線(Gn+1)之間的寄生電容的電勢(shì)變化之間的差異的補(bǔ)償電勢(shì)變化給到掃描線(Gn+1)，以便有效補(bǔ)償。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1620682SQ0282805
公開日2005年5月25日 申請(qǐng)日期2002年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月17日
發(fā)明者古立學(xué), 凱·施倫彭, 神崎英介 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司