專利名稱：二維光波導(dǎo)路徑及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光波導(dǎo)路徑及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，伴隨著便攜式電話和個(gè)人信息終端的急速普及，要求設(shè)備更小型·輕量化又高功能化?？墒?，通過(guò)小型·輕量化和高功能化推進(jìn)電路基片的高速化和高集成化，如何對(duì)付發(fā)生配線延遲，EMI(Electromagnetic Interference電磁干涉噪聲)等問(wèn)題成為當(dāng)務(wù)之急。
作為解決這些問(wèn)題的方法，人們期待著能夠解決在已有的電配線中成為問(wèn)題的配線延遲和信號(hào)惡化，減少?gòu)呐渚€輻射的電磁干涉噪聲，并且可以高速傳送的光配線技術(shù)。
例如，在用這種光配線優(yōu)點(diǎn)的日本平成9年公布的9-96746號(hào)專利公報(bào)的提案中，揭示了下列那樣的光電路基片。在這種光電路基片中，分離光配線部分和電配線部分，通過(guò)由來(lái)自電子設(shè)備的電壓信號(hào)驅(qū)動(dòng)基體上的光開關(guān)或光調(diào)制器，對(duì)通過(guò)設(shè)置在該基體上的光波導(dǎo)路徑傳送的光進(jìn)行調(diào)制，這樣將電信號(hào)變換成光信號(hào)并進(jìn)行傳送。而且，由設(shè)置在該基體或其它基體上的受光元件接受該光信號(hào)，并變換成電信號(hào)，將信號(hào)傳達(dá)給其它電子設(shè)備或同一電子設(shè)備的其它部分。這種方法是用光配線彌補(bǔ)電配線中的問(wèn)題的方法，但是因?yàn)楣馀渚€是傳送線路(線狀的聚合物波導(dǎo)路徑)，所以規(guī)定了進(jìn)行電/光信號(hào)變換或光/電信號(hào)變換的場(chǎng)所。
又，在日本2000年公布的2000-199827號(hào)專利公報(bào)的提案中，為了將對(duì)于光波導(dǎo)路徑垂直地射入和射出的光高效率地耦合起來(lái)，用45度傾斜的鏡子。可是，因?yàn)闉榱说焦獠▽?dǎo)路徑的入射光的耦合和通過(guò)光波導(dǎo)路徑傳播過(guò)來(lái)的光與受光元件耦合用45度的鏡子，所以當(dāng)傳送路徑成為線路，形成多條傳送路徑時(shí)，由于限制發(fā)光元件和受光元件的位置，使設(shè)計(jì)的自由度變小。
本發(fā)明的目的是鑒于因?yàn)楣庑盘?hào)的傳送路徑是線路(主要是只允許在一個(gè)方向中進(jìn)行光傳輸?shù)墓獠▽?dǎo)路徑)，所以使設(shè)計(jì)的自由度受到限制的上述課題，提供二維型光波導(dǎo)路徑及其制造方法。又，本發(fā)明的目的是提供備有適合于光的會(huì)聚和散射的光程變換部分的光波導(dǎo)路徑及其制造方法。
與本發(fā)明有關(guān)的二維光波導(dǎo)路徑的制造方法的特征是具有準(zhǔn)備好在基片上備有包含熱可塑性材料構(gòu)成的構(gòu)造體的部件的第1工序，通過(guò)熱處理使該構(gòu)造體變形的第2工序，和在該構(gòu)造體和該基片上形成光波導(dǎo)部分的第3工序。
這里，能夠由上述第2工序在上述構(gòu)造體上形成曲面，具有作為光程變換部分的功能。
此外，能夠進(jìn)行在由上述第2工序?qū)嵤┳冃蔚纳鲜鰳?gòu)造體的表面上形成反射膜的第4工序。
上述第3工序也可以包含在上述基片和上述構(gòu)造體上形成芯層，在該芯層上形成包層的工序。
也可以在上述二維光波導(dǎo)路徑上，安裝發(fā)光元件和受光元件中的至少一方。
作為構(gòu)成上述構(gòu)造體的材料，能夠用抗蝕劑，感光性樹脂，光硬化樹脂，或電子束硬化樹脂。
上述構(gòu)造體的形狀是柱狀，也可以由上述第2工序從該柱狀變成半球形狀。
能夠通過(guò)發(fā)光元件和受光元件中的至少一方將上述二維光波導(dǎo)路徑和搭載電子器件的印刷電路配線基片接合起來(lái)。
又，與本發(fā)明有關(guān)的二維光波導(dǎo)路徑的特征是它是具有基片，設(shè)置在該基片上的光程變換部分，和在該基片和光程變換部分上形成的光波導(dǎo)部分的二維光波導(dǎo)路徑，該光程變換部分是包含熱可塑性材料構(gòu)成的。
又，本發(fā)明的二維光波導(dǎo)元件的制造方法的特征是它是至少包含片狀的芯層，在應(yīng)該配置發(fā)光元件或受光元件的地方近旁配置光程變換用微小構(gòu)造體的二維光波導(dǎo)元件的制造方法，它包含在基片上的所定位置上形成熱可塑性材料的第1微小構(gòu)造體的第1工序，通過(guò)熱處理熔融·再固化第1微小構(gòu)造體，變形為第2微小構(gòu)造體的第2工序，和用芯層覆蓋包含第2微小構(gòu)造體的基片全體的第3工序。
在上述基本構(gòu)成的制造方法中，可以具有如下所示的更具體的實(shí)施樣態(tài)。
上述二維光波導(dǎo)元件可以采取具有層積片狀的芯層和夾住它的第1和第2包層的構(gòu)造，由上述第1工序在作為上述基片的第1包層的所定位置上形成第1微小構(gòu)造體，由上述第3工序，用芯層和第2包層覆蓋包含第2微小構(gòu)造體的基片全體的樣態(tài)。
進(jìn)一步，能夠包含在上述第2微小構(gòu)造體的表面上形成反射膜的第4工序。這時(shí)，典型地，在第4工序中，通過(guò)金屬蒸涂形成反射膜。
進(jìn)一步，能夠包含在上述芯層上或芯層中，或上述第2包層上或第2包層中安裝發(fā)光元件和受光元件中的至少一方的第5工序。在這個(gè)第5工序中，典型地，通過(guò)用光刻法和刻蝕技術(shù)形成光元件的安裝導(dǎo)槽，在該導(dǎo)槽中安裝光元件。
在上述第1工序中，在上述基片的所定位置上配置并形成多個(gè)第1微小構(gòu)造體，在上述第2工序中，通過(guò)對(duì)多個(gè)第1微小構(gòu)造體進(jìn)行熱處理能夠統(tǒng)括地變形到多個(gè)第2微小構(gòu)造體。這時(shí)，在第1工序中，將具有形狀齊備的多個(gè)第1形狀的微小構(gòu)造體配置并形成在上述基片上的所定位置上，在上述第2工序中，也能夠統(tǒng)括地均勻地使具有多個(gè)第1形狀的微小構(gòu)造體變形到具有第2形狀的微小構(gòu)造體。在這個(gè)樣態(tài)中，本發(fā)明的制造方法的特征能夠得到更大的發(fā)揮。
在上述第1工序中，典型地，上述第1微小構(gòu)造體的材料至少是抗蝕劑，感光性樹脂，光硬化樹脂，或電子束硬化樹脂中的一個(gè)的熱可塑性樹脂。
又，在上述第1工序中，典型地，上述第1微小構(gòu)造體的形狀是圓柱等的柱狀，上述第2微小構(gòu)造體的形狀大致是半球狀，這時(shí)，通過(guò)對(duì)基片表面適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行撥水處理等，能夠適當(dāng)?shù)乜刂茻崽幚碜冃蔚臒峥伤苄圆牧系男螤詈颓省Ｍㄟ^(guò)撥水處理使基片的表面能量變小，使熱可塑性材料具有更強(qiáng)的彈性。作為撥水處理的一個(gè)例子是用持有具有氟的功能基的硅烷耦合劑處理基片表面，形成撥水面的例子。
又，上述基片材料是玻璃，上述芯層和第二包層材料是有機(jī)高分子或樹脂。
進(jìn)一步，為了解決上述課題，本發(fā)明的光電融合配線基片的制造方法是將用上述二維光波導(dǎo)元件制造方法制造的二維光波導(dǎo)元件，和混載LSI等的電子元件的印刷電路配線基片接合起來(lái)，通過(guò)發(fā)光元件將從印刷電路配線基片上的電子元件輸出的全部或一部分的電信號(hào)變換成光信號(hào)，由光程變換用微小構(gòu)造體散射該光信號(hào)，在芯層中二維地傳輸該光信號(hào)，在任意的受光元件近旁由光程變換用微小構(gòu)造體進(jìn)行散射，通過(guò)該受光元件變換成電信號(hào)，使該變換的電信號(hào)與印刷電路配線基片上的電元件電耦合的光電融合配線基片的制造方法，當(dāng)接合二維光波導(dǎo)元件和印刷電路配線基片時(shí)，它的特征是它具有將發(fā)光元件安裝在電子元件的電信號(hào)輸出端子上，將受光元件安裝在電子元件的電信號(hào)輸入端子上的工序，和使安裝在電子元件中的該發(fā)光元件和受光元件與該二維光波導(dǎo)元件的安裝導(dǎo)槽接合的工序，當(dāng)接合二維光波導(dǎo)元件和印刷電路配線基片時(shí)，它的特征是它具有將該發(fā)光元件和受光元件安裝在該二維光波導(dǎo)元件的安裝導(dǎo)槽中的工序，和使安裝在該二維光波導(dǎo)元件中的發(fā)光元件和受光元件的電極分別與安裝在印刷電路配線基片上的電子元件的輸出端子和輸入端子接合的工序。
在上述構(gòu)成的制造方法中，例如，在將具有形狀齊備的多個(gè)第1形狀的微小構(gòu)造體配置在第1包層的任意位置上的工序中，用光抗蝕劑(例如AZ9260)作為微小構(gòu)造體熱可塑材料，通過(guò)用圓形圖案(例如孔徑50μm)的光掩模并且用垂直地曝光顯影條件，能夠容易地統(tǒng)括地制作圓柱狀的圖案。
使上述第1微小構(gòu)造體變形到第2微小構(gòu)造體的工序(在具有形狀齊備的多個(gè)微小構(gòu)造體的情形中，統(tǒng)括地均勻地變形的工序)中，通過(guò)進(jìn)行一定的熱處理，例如，可以實(shí)驗(yàn)地看到能夠使圓柱狀的微小構(gòu)造體變形成半球狀的微小構(gòu)造體。例如，當(dāng)在氮?dú)庵袛z氏160度的爐子中進(jìn)行30分鐘的熱處理時(shí)，能夠同樣地形成半徑50μm的半球狀的圖案。在這個(gè)工序中特征是，例如，即便第1工序的圓柱狀的圖案精度多少有些惡化，在第2工序中也能夠統(tǒng)括地變形成均勻形狀的半球圖案，能夠低成本地形成光程變換用微小構(gòu)造體。這個(gè)半球形狀是對(duì)于具有二維光波導(dǎo)路經(jīng)的光電融合配線基片不可欠缺的光散射體或光會(huì)聚體的理想形狀，本制造方法成為極其有效的制造工序。又，對(duì)于抗蝕劑以外的熱可塑性材料(例如，感光性樹脂，紫外線硬化樹脂等的光硬化樹脂，電子束硬化樹脂，進(jìn)一步熔點(diǎn)比較低的金屬)也可以看到同樣的效果。
在上述第2微小構(gòu)造體的表面上形成反射膜的工序是為了提高散射效果，使表面反射率增大的工序，例如，用通過(guò)金屬蒸涂統(tǒng)括地形成的方法。用對(duì)于傳輸波長(zhǎng)具有適當(dāng)?shù)姆瓷渎实慕饘倩螂娊橘|(zhì)層(多層膜鏡)是有效的。微小構(gòu)造體的折射率比芯層的折射率小時(shí)，也存在著也可以不設(shè)置反射膜的情形。進(jìn)一步，也存在通過(guò)使微小構(gòu)造體的表面粗糙化提高散射效果的方法。
用芯層(或芯層和第2包層)覆蓋包含上述微小構(gòu)造體的基片全體的工序是平坦地埋入上述微小構(gòu)造體的工序，至少對(duì)于芯層用能夠簡(jiǎn)便地實(shí)現(xiàn)平坦化的涂敷法。
在上述芯層上或芯層中，或該第2包層上或第2包層中安裝上述發(fā)光元件或受光元件的工序中，通過(guò)為了使安裝容易，形成用于嵌合發(fā)光元件和受光元件的導(dǎo)槽，能夠提高與上述光程變換用微小構(gòu)造體位置重合的精度。
以上那樣地，能夠低成本地任意圖案地形成用作光散射體和光會(huì)聚體的光程變換用微小構(gòu)造體是本發(fā)明的制造方法的一個(gè)大特征。
又，上述二維光波導(dǎo)元件的特征是通過(guò)層積已有的印刷電路配線基片，作為光電融合配線基片實(shí)施功能。作為二維光波導(dǎo)元件和印刷電路配線基片的層積方法，也可以通過(guò)上述安裝導(dǎo)槽將發(fā)光元件或受光元件安裝在二維光波導(dǎo)元件中后，與印刷電路配線基片電連接，或者將發(fā)光元件或受光元件安裝在印刷電路配線基片上后，通過(guò)上述安裝導(dǎo)槽將二維光波導(dǎo)元件和印刷電路配線基片電連接起來(lái)。


圖1A，1B，1C，1D，1E，1F和1G是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的一個(gè)例子的截面圖。
圖2A，2B，2C，2D，2E，2F，2G和2H是說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)中的二維光波導(dǎo)元件的制造工序的圖。
圖3是說(shuō)明第1實(shí)施例中制造的二維光波導(dǎo)元件的作用的截面圖。
圖4A，4B，4C，4D，4E，4F，4G，2H，4I，4J和4K是說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施例中的光電融合配線基片的制造工序的圖。
圖5A，5B，5C，5D，5E，5F，5G，5H，5I，5J，5K和5L是說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施例中的光電融合配線基片的制造工序的圖。
圖6A，6B，6C，6D，6E，6F，6G和6H是說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施例中的二維光波導(dǎo)元件的制造工序的圖。
圖7是說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施例中制造的二維光波導(dǎo)元件的作用的截面圖。
圖8A，8B，8C，8D，8E，8F，8G，8H，8I，8J和8K是說(shuō)明本發(fā)明的第5實(shí)施例中的光電融合配線基片的制造工序的圖。
圖9A，9B，9C，9D，9E，9F，9G，9H，9I，9J，9K和9L是說(shuō)明本發(fā)明的第6實(shí)施例中的光電融合配線基片的制造工序的圖。
圖10A，10B和10C表示本發(fā)明的第7實(shí)施例中的熱變形后的微小構(gòu)造體的形狀。
圖11A，11B和11C表示通過(guò)使熱處理溫度和熱處理時(shí)間不同，使熱處理后的微小構(gòu)造體的形狀不同。
具體實(shí)施例方式
其次，我們參照?qǐng)D1A～1G說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)。
在這個(gè)實(shí)施形態(tài)中，首先，如圖1A所示準(zhǔn)備好在基片100上備有包含熱可塑性材料構(gòu)成的構(gòu)造體102的部件(第1工序)。其次，如圖1B所示通過(guò)熱處理使該構(gòu)造體102變形(第2工序)。使由熱處理引起的變形經(jīng)過(guò)稱為構(gòu)造體的熔融和再固化的顯影。由于該變形該構(gòu)造體成為具有作為光程變換部分實(shí)施功能的形狀(例如曲面形狀)的構(gòu)造體104。此后，在基片100和構(gòu)造體104上形成光波導(dǎo)部分，得到備有光程變換部分的二維光波導(dǎo)路徑(圖中未畫出)。此外，需要時(shí)進(jìn)行為了在該構(gòu)造體表面上形成發(fā)射膜的處理。具體地說(shuō)，如圖1C所示在基片100上形成抗蝕劑掩模106。在該抗蝕劑掩模106上和該構(gòu)造體104上形成反射膜材料108(圖1D)，除去該抗蝕劑掩模106在構(gòu)造體104上形成反射膜110(圖1E)。
又，上述光波導(dǎo)部分的形成也可以如下地進(jìn)行。
即，如圖1F所示，形成芯層112和第2包層114。此外，如果上述基片100對(duì)于芯層112，作為包層實(shí)施功能那樣地選擇基片材料，則可以得到稱為包層/芯層/包層的構(gòu)成的光波導(dǎo)路徑。
又進(jìn)一步，如圖1G所示，能夠得到安裝發(fā)光元件116和受光元件118的二維光波導(dǎo)裝置。而且，也可以提供包含這個(gè)二維光波導(dǎo)裝置的配線基片(光電融合配線基片)的信息處理裝置。
如果根據(jù)本發(fā)明，則因?yàn)橥ㄟ^(guò)熱處理使上述構(gòu)造體102變形形成光程變換部分，所以即便在基片上具有多個(gè)構(gòu)造體，也能夠統(tǒng)括地使它們變形。
作為上述基片100，例如能夠用玻璃基片等。但是，作為上述基片，最好用折射率比構(gòu)成上述光波導(dǎo)部分的材料低的材料。
作為上述構(gòu)造體102，如果是具有熱可塑性的材料則沒(méi)有特別的限定，但是也能夠用正型抗蝕劑，負(fù)型抗蝕劑，感光性聚硅烷樹脂，銀等的金屬。
通過(guò)使上述構(gòu)造體102的形狀為柱狀，四角柱或多角柱形狀，能夠制作所要的光程變換部分。此外，如果使上述構(gòu)造體的上面圖形為長(zhǎng)方形和正方形，則能夠分別形成半圓柱體型和半球型的光程變換部分。
又，也可以在上述第1工序和第2工序之間，使上述構(gòu)造體102部分曝光，通過(guò)激光照射，控制由加熱上述構(gòu)造體引起的變形程度。
又，也可以用相同的材料構(gòu)成上述基片100和上述構(gòu)造體102。例如，用感光性聚硅烷系樹脂作為構(gòu)成基片和構(gòu)造體的材料，準(zhǔn)備好圖1A所示的部件。
(第1實(shí)施例)圖2A～2H是說(shuō)明用抗蝕劑作為微小構(gòu)造體熱可塑材料的第1實(shí)施例的二維光波導(dǎo)裝置的制造方法的模式截面圖。
在同圖中，200是作為基片的第1包層，202是微小構(gòu)造體材料，204是具有與光程變換用微小構(gòu)造體的配置一致的所要的遮光部分圖案的光掩膜，206是具有第1形狀的多個(gè)微小構(gòu)造體，208是具有第2形狀的多個(gè)微小構(gòu)造體，210是在第1包層200上形成的抗蝕劑掩模，212是在第1包層200和微小構(gòu)造體208上形成的反射膜材料，214是微小構(gòu)造體208上的反射膜，216是芯層，218是第2包層，220是發(fā)光元件，222是受光元件。
首先，如圖2A所示，在作為第1包層實(shí)施功能的玻璃基片(Corning7059)200上用旋轉(zhuǎn)涂敷器涂敷作為微小構(gòu)造體材料的抗蝕劑(AZ9260)，用光掩模204(具有多個(gè)直徑50μm的圓形遮光部分圖案)選擇地使抗蝕劑202曝光。
此后，如圖2B所示，經(jīng)過(guò)顯影過(guò)程，形成具有半徑50μm，高35μm的圓柱狀的第1形狀的微小構(gòu)造體206。這個(gè)狀態(tài)中，如圖2C所示，導(dǎo)入在氮?dú)庵袛z氏160度的爐子中30分鐘，進(jìn)行由對(duì)具有由抗蝕劑形成的上述第1形狀的微小構(gòu)造體206的熱處理引起的熔融·再固化，形成具有變形到半徑50μm的半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體208。上述圓柱形狀的縱橫尺寸比，與情況相對(duì)應(yīng)，能夠自由地設(shè)定。
其次，用旋轉(zhuǎn)涂敷器在整個(gè)面上涂敷光抗蝕劑，經(jīng)過(guò)曝光·顯影過(guò)程后，如圖2D所示，只使具有變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體208的表面露出來(lái)那樣地形成抗蝕劑掩模210。接著，如圖2E所示，用電子束蒸涂裝置在整個(gè)面上蒸涂作為反射膜材料212的Cr/Au(Cr的厚度50nm，Au的厚度200nm)(這里，Cr起著用于強(qiáng)化Au的反射膜與微小構(gòu)造體208表面的接合的粘合劑的作用)。由于這個(gè)反射膜，能夠得到波長(zhǎng)600nm以上的光的反射率90％以上。而且，如圖2F所示，將圖2E的基片浸在加熱到攝氏80度的去膜劑溶液中，放入超聲波清洗機(jī)中，通過(guò)剝離只在具有變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體208的表面上形成反射膜214。
接著，如圖2G所示，涂敷折射率比玻璃基片200大的高分子材料(聚碳酸脂樹脂，折射率1.58)并使它硬化，形成層厚100μm的芯層216。進(jìn)一步，涂敷折射率比芯層216小的高分子材料(norbornene樹脂，折射率1.51)并使它硬化，形成層厚40μm的第2包層218。在本實(shí)施例中，因?yàn)樵谖⑿?gòu)造體208上形成反射膜214，所以微小構(gòu)造體208的折射率和芯層216的折射率的大小關(guān)系并不太重要。
其次，如圖2H所示，具有半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體208的上方位置上形成用于形成光元件安裝用的溝的抗蝕劑掩膜(圖中未畫出)。在這個(gè)狀態(tài)中，將二維光波導(dǎo)元件導(dǎo)入反應(yīng)性離子刻蝕(RIE)裝置，進(jìn)行第2包層218的選擇性刻蝕。這時(shí)的刻蝕條件為RF功率500W，壓力2Pa，O2氣流量20sccm。通過(guò)這個(gè)刻蝕，形成光元件安裝導(dǎo)槽(圖中未畫出)，通過(guò)將發(fā)光元件220或受光元件222安裝在這個(gè)導(dǎo)槽中，得到二維光波導(dǎo)元件。
在這樣制作的二維光波導(dǎo)元件中，如圖3所示，因?yàn)榕渲镁哂蟹瓷淠?14的變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體208，所以從半球狀的微小構(gòu)造體208的上部入射的光(最好這個(gè)光射到微小構(gòu)造體208的大致全體上)被附有反射膜214的微小構(gòu)造體208高效率地散射，能夠大致傳輸?shù)皆谒車?60度中的芯層216的全部區(qū)域。又，傳輸?shù)叫緦?16的光被變形成半球狀的第2形狀的附有反射膜214的微小構(gòu)造體208散射，射出到半球狀的微小構(gòu)造體208的上方。這樣，來(lái)自發(fā)光元件220的光確實(shí)被傳送到受光元件222。
在本實(shí)施例中，作為第1包層200，芯層216和第2包層218的材料的組合，分別用玻璃基片，聚碳酸脂樹脂和norbornene樹脂，但是不限定于這些。如果芯層材料是折射率比第1，第2包層材料大的材料，則也可以是聚酰亞胺樹脂，丙烯樹脂，氟化聚酰亞胺和感光性聚硅烷系聚酰亞胺等的組合。能夠適當(dāng)?shù)乩眠@些材料，這對(duì)于后述的實(shí)施例也是相同的。
又，在本實(shí)施例中，作為第1包層200的材料用玻璃基片，但是不限定于此。也可以是折射率比芯層216的材料小的樹脂膜等，這時(shí)，能夠得到可以曲折的二維光波導(dǎo)元件。進(jìn)一步，也可以只用芯層構(gòu)成二維光波導(dǎo)路徑。這時(shí)，最好形成后從基片剝離芯層，并將光元件安裝在芯層上或芯層內(nèi)。
又，在本實(shí)施例中，芯層216和第2包層218的層厚分別為100μm和40μm，但是不限定于這些，如果能夠起到所要的功能則也可以是任意層厚。
又，在本實(shí)施例中，使具有第1形狀的微小構(gòu)造體206形成半徑50μm，高35μm的圓柱形狀，但是不限定于此，也可以是橢圓柱，角柱等形狀和任意尺寸。
又，在本實(shí)施例中，通過(guò)刻蝕形成光元件安裝導(dǎo)槽，但是不限定于此。也可以用具有感光性的樹脂材料作為第2包層218的材料，經(jīng)過(guò)曝光·顯影過(guò)程，形成光元件安裝導(dǎo)槽。
又，在本實(shí)施例中，經(jīng)過(guò)曝光·顯影過(guò)程，形成具有第1形狀的微小構(gòu)造體206，但是不限定于此。也可以通過(guò)熱可塑材料的涂敷·刻蝕處理，以熱可塑材料所要的圖案滴下等形成。最好與材料，目的等相應(yīng)，適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇。
(第2實(shí)施例)圖4A～4K是說(shuō)明用第2實(shí)施例的二維光波導(dǎo)元件的光電融合配線基片的制造方法的模式截面圖。在同圖中，300是第1包層，302是微小構(gòu)造體材料，304是光掩膜，306是具有第1形狀的微小構(gòu)造體，308是具有第2形狀的微小構(gòu)造體，310是抗蝕劑掩模，312是反射膜材料，314是反射膜，316是芯層，318是第2包層，320是二維光波導(dǎo)元件，322是抗蝕劑掩模，324是光元件安裝導(dǎo)槽，326是LSI芯片，328是印刷電路配線基片，330是發(fā)光元件，332是受光元件，334是光電融合配線基片。
首先，如圖4A所示，作為第1包層實(shí)施功能的玻璃基片(Corning7059)300上，用旋轉(zhuǎn)涂敷器涂敷作為微小構(gòu)造體材料的抗蝕劑(AZ9260)302，用光掩模304(直徑50μm的圓形圖案)使抗蝕劑302曝光。此后，如圖4B所示，經(jīng)過(guò)顯影過(guò)程，形成具有半徑50μm，高35μm的圓柱狀的第1形狀的微小構(gòu)造體306。這個(gè)狀態(tài)中，如圖4C所示，導(dǎo)入在氮?dú)庵袛z氏160度的爐子中30分鐘，進(jìn)行由對(duì)具有由抗蝕劑形成的上述第1形狀的微小構(gòu)造體306的熱處理引起的熔融·再固化，形成具有變形到半徑50μm的半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體308。
其次，用旋轉(zhuǎn)涂敷器在整個(gè)面上涂敷光抗蝕劑，經(jīng)過(guò)曝光·顯影過(guò)程后，如圖4D所示，只使具有變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體308的表面露出來(lái)那樣地形成抗蝕劑掩模310。接著，如圖4E所示，用電子束蒸涂裝置在整個(gè)面上蒸涂作為反射膜材料312的Cr/Au(Cr的厚度50nm，Au的厚度200nm)。由于這個(gè)反射膜，能夠得到波長(zhǎng)660nm以上的光的反射率90％以上。而且，如圖4F所示，將圖4E的基片浸在加熱到攝氏80度的去膜劑溶液中，放入超聲波清洗機(jī)中，只在具有變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體308的表面上形成反射膜314。
接著，如圖4G所示，涂敷折射率比玻璃基片300大的高分子材料(聚碳酸脂樹脂，折射率1.58)并使它硬化，形成層厚100μm的芯層316。接著，涂敷折射率比芯層316小的高分子材料(norbornene樹脂，折射率1.51)并使它硬化，形成層厚40μm的第2包層318，得到二維光波導(dǎo)路徑基片320。
其次，如圖4H所示，在具有半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體308的上方形成用于形成光元件安裝用的溝的抗蝕劑掩膜322。在這個(gè)狀態(tài)中，將二維光波導(dǎo)元件導(dǎo)入反應(yīng)性離子刻蝕(RIE)裝置，進(jìn)行第2包層318的刻蝕。這時(shí)的刻蝕條件為RF功率500W，壓力2Pa，O2氣流量20sccm。通過(guò)這個(gè)刻蝕，如圖4I所示，得到光元件安裝導(dǎo)槽324。以上的過(guò)程實(shí)質(zhì)上與第1實(shí)施例相同。
其次，如圖4J所示，形成安裝了在組件的上面?zhèn)溆须娦盘?hào)的輸入輸出端子的LSI芯片326的印刷電路配線基片328。接著，在安裝在印刷電路配線基片328上的LSI芯片326上安裝發(fā)光元件330和受光元件332。而且，如圖4K所示，將在安裝在印刷電路配線基片328上的LSI芯片326上的發(fā)光元件330和受光元件332嵌入光元件安裝導(dǎo)槽324內(nèi)，通過(guò)光學(xué)粘合劑與二維光波導(dǎo)元件320接合，得到光電融合配線基片334。
這樣制作的光電融合配線基片334，與將來(lái)自LSI芯片326的邏輯信號(hào)作為電信號(hào)進(jìn)行傳送的情形比較，因?yàn)橛没旧鲜菬o(wú)電磁感應(yīng)的光進(jìn)行傳送，所以能夠抑制EMI的發(fā)生。又，這樣制作的光電融合配線基片334，因?yàn)椴蛔兏∷㈦娐放渚€基片328的設(shè)計(jì)就能夠制作，所以從成本的觀點(diǎn)來(lái)看也是有利的。又，因?yàn)橥ㄟ^(guò)用在組件的上面?zhèn)溆须娦盘?hào)的輸入輸出端子的LSI芯片326，沒(méi)有必要將變換電信號(hào)和光信號(hào)的發(fā)光元件和受光元件直接配置在印刷電路配線基片328上，所以能夠抑制印刷電路配線基片328的安裝面積增大。
在本實(shí)施例中，也可以進(jìn)行與第1實(shí)施例中說(shuō)明的變更相同的變更。
(第3實(shí)施例)圖5A～5L是說(shuō)明用第3實(shí)施例的二維光波導(dǎo)元件的光電融合配線基片的制造方法的模式截面圖。在同圖中，400是第1包層，402是微小構(gòu)造體材料，404是光掩膜，406是具有第1形狀的微小構(gòu)造體，408是具有第2形狀的微小構(gòu)造體，410是抗蝕劑掩模，412是反射膜材料，414是反射膜，416是芯層，418是第2包層，420是二維光波導(dǎo)路徑基片，422是抗蝕劑掩模，424是光元件安裝導(dǎo)槽，426是發(fā)光元件，428是受光元件，430是LSI芯片，432是印刷電路配線基片，434是光電融合配線基片。
首先，如圖5A所示，在作為第1包層實(shí)施功能的玻璃基片(Corning7059)400上，用旋轉(zhuǎn)涂敷器涂敷作為微小構(gòu)造體材料的抗蝕劑(AZ9260)402，用光掩模404(直徑50μm的圓形圖案)使抗蝕劑402曝光。此后，如圖5B所示，經(jīng)過(guò)顯影過(guò)程，形成具有半徑50μm，高35μm的圓柱狀的第1構(gòu)造的微小構(gòu)造體406。這個(gè)狀態(tài)中，如圖5C所示，導(dǎo)入在氮?dú)庵袛z氏160度的爐子中30分鐘，進(jìn)行由對(duì)由抗蝕劑形成的上述第1形狀的微小構(gòu)造體的熱處理引起的熔融·再固化，形成具有變形到半徑50μm的半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體408。
其次，用旋轉(zhuǎn)涂敷器在整個(gè)面上涂敷抗蝕劑，經(jīng)過(guò)曝光·顯影過(guò)程后，如圖5D所示，只使具有變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體408的表面露出來(lái)那樣地形成抗蝕劑掩模410。接著，如圖5E所示，用電子束蒸涂裝置在整個(gè)面上蒸涂作為反射膜材料412的Cr/Au(Cr的厚度50nm，Au的厚度200nm)。由于這個(gè)反射膜，能夠得到波長(zhǎng)600nm以上的光的反射率90％以上。而且，如圖5F所示，將圖5E的基片浸在加熱到攝氏80度的去膜劑溶液中，放入超聲波清洗機(jī)中，只在具有變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體408的表面上形成反射膜414。
接著，如圖5G所示，涂敷折射率比玻璃基片400大的高分子材料(聚碳酸脂樹脂，折射率1.58)并使它硬化，形成層厚100μm的芯層416。而且，涂敷折射率比芯層416小的高分子材料(norbornene樹脂，折射率1.51)并使它硬化，形成層厚40μm的第2包層418，得到二維光波導(dǎo)路徑基片420。
其次，如圖5H所示，在具有半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體408上，形成用于形成光元件安裝用的溝的抗蝕劑掩膜422。在這個(gè)狀態(tài)中，將二維光波導(dǎo)元件420導(dǎo)入反應(yīng)性離子刻蝕(RIE)裝置，進(jìn)行第2包層418的刻蝕。這時(shí)的刻蝕條件為RF功率500W，壓力2Pa，O2氣流量20sccm。通過(guò)這個(gè)刻蝕，如圖5I所示，得到光元件安裝導(dǎo)槽424。其次，如圖5J所示，用光學(xué)粘合劑將發(fā)光元件426和受光元件438安裝在光元件安裝導(dǎo)槽424內(nèi)。以上過(guò)程實(shí)質(zhì)上與第1實(shí)施例相同。
接著，如圖5K所示，形成安裝了在組件的上面?zhèn)溆须娦盘?hào)的輸入輸出端子的LSI芯片430的印刷電路配線基片432。其次，如圖5L所示，為了使發(fā)光元件436或受光元件428的電極底座與LSI芯片430的輸入輸出端子連接那樣地，使二維光波導(dǎo)元件420與印刷電路配線基片432接合，得到光電融合配線基片434。
這樣制作的光電融合配線基片434，與將來(lái)自LSI芯片430的邏輯信號(hào)作為電信號(hào)進(jìn)行傳送的情形比較，因?yàn)橛没旧鲜菬o(wú)電磁感應(yīng)的光進(jìn)行傳送，所以也能夠抑制EMI的發(fā)生。此外，能夠得到與第2
在本實(shí)施例中，也可以進(jìn)行與第1實(shí)施例中說(shuō)明的變更相同的變更。
(第4實(shí)施例)圖6A～6H是說(shuō)明用紫外線硬化樹脂作為微小構(gòu)造體材料的第4實(shí)施例的二維光波導(dǎo)路徑基片的制造方法的模式截面圖。在同圖中，500是第1包層，502是微小構(gòu)造體材料，504是光掩膜，506是具有第1形狀的微小構(gòu)造體，508是具有第2形狀的微小構(gòu)造體，510是抗蝕劑掩模，512是反射膜材料，514是反射膜，516是芯層，518是第2包層，520是發(fā)光元件，522是受光元件。
首先，如圖6A所示，在作為第1包層實(shí)施功能的玻璃基片(Corning7059)500上，用旋轉(zhuǎn)涂敷器涂敷作為微小構(gòu)造體材料的紫外線硬化樹脂502，用光掩模504(半徑30μm的圓形紫外光透過(guò)部分圖案)使紫外線硬化樹脂502曝光。此后，如圖6B所示，除去紫外線未照射部分，形成具有半徑30μm，高50μm的圓柱狀的第1形狀的微小構(gòu)造體506。這個(gè)狀態(tài)中，如圖6C所示，導(dǎo)入在氮?dú)庵袛z氏200度的爐子中60分鐘，進(jìn)行由對(duì)具有由紫外線硬化樹脂形成的第1形狀的微小構(gòu)造體的熱處理引起的熔融·再固化，形成具有變形到半徑50μm的半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體508。
其次，用旋轉(zhuǎn)涂敷器在整個(gè)面上涂敷光抗蝕劑，經(jīng)過(guò)曝光·顯影過(guò)程后，如圖6D所示，只使具有變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體508的表面露出來(lái)那樣地形成抗蝕劑掩模510。接著，如圖6E所示，用電子束蒸涂裝置在整個(gè)面上蒸涂作為反射膜材料512的Cr/Au(Cr的厚度50nm，Au的厚度200nm)。由于這個(gè)反射膜，能夠得到波長(zhǎng)600nm以上的光的反射率90％以上。而且，如圖6F所示，將圖6E的基片浸在加熱到攝氏80度的去膜劑溶液中，放入超聲波清洗機(jī)中，只在具有變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體508的表面上形成反射膜514。
接著，如圖6G所示，涂敷折射率比玻璃基片500大的高分子材料(聚碳酸脂樹脂，折射率1.58)并使它硬化，形成層厚100μm的芯層516。接著，涂敷折射率比芯層516小的高分子材料(norbornene樹脂，折射率1.51)并使它硬化，形成層厚40μm的第2包層518。
其次，如圖6H所示，在具有半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體508的上方形成用于形成光元件安裝用的溝的抗蝕劑掩膜(圖中未畫出)。在這個(gè)狀態(tài)中，將二維光波導(dǎo)元件導(dǎo)入反應(yīng)性離子刻蝕(RIE)裝置，進(jìn)行第2包層518的刻蝕。這時(shí)的刻蝕條件為RF功率500W，壓力2Pa，O2氣流量20sccm。通過(guò)這個(gè)刻蝕，形成光元件安裝導(dǎo)槽(圖中未畫出)，將發(fā)光元件520和受光元件522安裝在光元件安裝導(dǎo)槽內(nèi)，得到二維光波導(dǎo)元件。
這樣制作的二維光波導(dǎo)元件，如圖7所示，因?yàn)榕渲镁哂蟹瓷淠?14的半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體508，所以從半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體508的上部的發(fā)光元件520入射的光被高效率地散射，擴(kuò)散到二維光波導(dǎo)元件的整個(gè)區(qū)域。又，通過(guò)芯層516傳輸過(guò)來(lái)的光被具有半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體508散射，使它們向半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體508上方的受光元件522方向射出。
在本實(shí)施例中，將具有第1形狀的微小構(gòu)造體506做成半徑30μm，高50μm的圓柱形狀，但是不限定于此，也可以是橢圓柱，角柱等形狀和任意尺寸。此外，在本實(shí)施例中，也可以進(jìn)行與第1實(shí)施例中說(shuō)明的變更相同的變更。
(第5實(shí)施例)圖8A～8K是說(shuō)明用第5實(shí)施例的二維光波導(dǎo)元件的光電融合配線基片的制作方法的模式截面圖。在同圖中，600是第1包層，602是微小構(gòu)造體材料，604是光掩膜，606是具有第1形狀的微小構(gòu)造體，608是具有第2形狀的微小構(gòu)造體，610是抗蝕劑掩模，612是反射膜材料，614是反射膜，616是芯層，618是第2包層，620是二維光波導(dǎo)元件，622抗蝕劑掩模，624是光元件安裝導(dǎo)槽，626是LSI芯片，628是印刷電路配線基片，630是發(fā)光元件，632是受光元件，634是光電融合配線基片。
首先，如圖8A所示，在作為第1包層實(shí)施功能的玻璃基片(Corning7059)600上，用旋轉(zhuǎn)涂敷器涂敷作為微小構(gòu)造體材料的紫外線硬化樹脂602，用光掩模604(半徑30μm的圓形圖案)使紫外線硬化樹脂602曝光。此后，如圖8B所示，除去紫外線未照射部分，形成具有半徑30μm，高35μm的圓柱狀的第1形狀的微小構(gòu)造體606。在這個(gè)狀態(tài)中，如圖8C所示，導(dǎo)入在氮?dú)庵袛z氏200度的爐子中60分鐘，進(jìn)行由對(duì)具有由紫外線硬化樹脂形成的第1形狀的微小構(gòu)造體606的熱處理引起的熔融·再固化，形成具有變形到半徑50μm的半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體608。
其次，用旋轉(zhuǎn)涂敷器在整個(gè)面上涂敷光抗蝕劑，經(jīng)過(guò)曝光·顯影過(guò)程后，如圖8D所示，只使具有變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體608的表面露出來(lái)那樣地形成抗蝕劑掩模610。接著，如圖8E所示，用電子束蒸涂裝置在整個(gè)面上蒸涂作為反射膜材料612的Cr/Au(Cr的厚度50nm，Au的厚度200nm)。由于這個(gè)反射膜，能夠得到波長(zhǎng)600nm以上的光的反射率90％以上。而且，如圖8F所示，將圖8E的基片浸在加熱到攝氏80度的去膜劑溶液中，放入超聲波清洗機(jī)中，只在具有變形成半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體608的表面上形成反射膜614。
接著，如圖8G所示，涂敷折射率比玻璃基片600大的高分子材料(聚碳酸脂樹脂，折射率1.58)并使它硬化，形成層厚100μm的芯層616。而且，涂敷折射率比芯層616小的高分子材料(norbornene樹脂，折射率1.51)并使它硬化，形成層厚40μm的第2包層618，得到二維光波導(dǎo)元件620。
其次，如圖8H所示，在具有半球狀的第2形狀的微小構(gòu)造體608上形成用于形成光元件安裝用的溝的抗蝕劑掩膜622。在這個(gè)狀態(tài)中，將二維光波導(dǎo)元件導(dǎo)入反應(yīng)性離子刻蝕(RIE)裝置，進(jìn)行第2包層618的刻蝕。這時(shí)的刻蝕條件為RF功率500W，壓力2Pa，O2氣流量20sccm。通過(guò)這個(gè)刻蝕，如圖8I所示，得到光元件安裝導(dǎo)槽624。
其次，如圖8J所示，形成安裝了在組件的上面?zhèn)溆须娦盘?hào)的輸入輸出端子的LSI芯片626的印刷電路配線基片628。接著，在安裝在印刷電路配線基片628上的LSI芯片626上安裝發(fā)光元件630和受光元件632。其次，如圖8K所示，將安裝在印刷電路配線基片628上的LSI芯片626上的發(fā)光元件630和受光元件632嵌入光元件安裝導(dǎo)槽624內(nèi)，通過(guò)光學(xué)粘合劑與二維光波導(dǎo)路徑基片620接合，得到光電融合配線基片634。
這樣制作的光電融合配線基片634，與將來(lái)自LSI芯片626的邏輯信號(hào)作為電信號(hào)進(jìn)行傳送的情形比較，因?yàn)橛没旧鲜菬o(wú)電磁感應(yīng)的光進(jìn)行傳送，所以能夠抑制EMI的發(fā)生。此外，能夠得到與第2
在本實(shí)施例中，也將具有第1形狀的微小構(gòu)造體606做成半徑30μm，高50μm的圓柱形狀，但是不限定于此，也可以是橢圓柱，角柱等形狀和任意尺寸。此外，在本實(shí)施例中，也可以進(jìn)行與第1實(shí)施例中說(shuō)明的變更相同的變更。
(第6實(shí)施例)圖9A～9L是說(shuō)明用第4實(shí)施例的二維光波導(dǎo)路徑基片的光電融合配線基片的制作方法的模式截面圖。在同圖中，700是第1包層，702是微小構(gòu)造體材料，704是光掩膜，706是具有第1形狀的微小構(gòu)造體，708是具有第2形狀的微小構(gòu)造體，710是抗蝕劑掩模，712是反射膜材料，714是反射膜，716是芯層，718是第2包層，720是二維光波導(dǎo)路徑基片，722是抗蝕劑掩模，724是光元件安裝導(dǎo)槽，726是發(fā)光元件，728是受光元件，730是LSI芯片，732是印刷電路配線基片，734是光電融合配線基片。
如圖9J所示，直到將發(fā)光元件726或受光元件728安裝在光元件安裝導(dǎo)槽724內(nèi)的工序都與第4實(shí)施例所述的工序相同。其次，如圖9K所示，形成安裝了在組件的上面?zhèn)溆须娦盘?hào)的輸入輸出端子的LSI芯片730的印刷電路配線基片732。接著，如圖9L所示，將發(fā)光元件726或受光元件728的電極底座與LSI芯片730的輸入輸出端子連接起來(lái)那樣地，使二維光波導(dǎo)元件720與印刷電路配線基片732接合，得到光電融合配線基片734。
這樣制作的光電融合配線基片734，與將來(lái)自LSI芯片730的邏輯信號(hào)作為電信號(hào)進(jìn)行傳送的情形比較，因?yàn)橛没旧鲜菬o(wú)電磁感應(yīng)的光進(jìn)行傳送，所以也能夠抑制EMI的發(fā)生。此外，能夠得到與第2
在本實(shí)施例中，也將具有第1形狀的微小構(gòu)造體706做成半徑30μm，高50μm的圓柱形狀，但是不限定于此，也可以是橢圓柱，角柱等形狀和任意尺寸。此外，在本實(shí)施例中，也可以進(jìn)行與第1實(shí)施例中說(shuō)明的變更相同的變更。
(第7實(shí)施例)與第1實(shí)施例相同，經(jīng)過(guò)抗蝕劑的曝光·顯影工序后，但是代替半徑50μm，高35μm的圓柱狀，形成具有寬100μm，長(zhǎng)1500μm，高35μm的長(zhǎng)方體的第1形狀的微小構(gòu)造體(圖中未畫出)。將這個(gè)構(gòu)造體在攝氏150度的加熱板上加熱5分鐘，進(jìn)行由對(duì)具有由抗蝕劑形成的上述第1形狀的微小構(gòu)造體的熱處理引起的熔融·再固化。能夠形成具有變形到具有半徑50μm的半球狀截面的圖10A～10C所示的半圓柱體形狀(與圓柱的軸平行地分割圓柱的形狀)的第2形狀的微小構(gòu)造體。此外，圖10A是熱變形后的微小構(gòu)造體的上面圖，圖10B，10C分別是在X′X和Y′Y上的截面圖。
又，在具有實(shí)施例1的第1形狀的微小構(gòu)造體的情形中，也能夠得到與在爐子中在攝氏150度的加熱板上加熱5分鐘的熱處理情形相同的半球狀的形狀。
又，通過(guò)控制熱處理溫度或熱處理時(shí)間能夠改變具有第2形狀的微小構(gòu)造體的形狀。
例如，對(duì)于具有實(shí)施例1所示的第1形狀的微小構(gòu)造體(圖11A)，在攝氏135度的加熱板上加熱5分鐘，進(jìn)行由對(duì)于具有由抗蝕劑形成的上述第1形狀的微小構(gòu)造體的熱處理引起的熔融·再固化，結(jié)果得到具有圖11B所示的第2形狀的微小構(gòu)造體。又，在攝氏150度的加熱板上加熱7分鐘，進(jìn)行由對(duì)于具有由抗蝕劑形成的上述第1形狀的微小構(gòu)造體的熱處理引起的熔融·再固化，結(jié)果得到具有圖11C所示的第2形狀的微小構(gòu)造體。此外，圖11A是半徑50μm的半球的側(cè)面圖。圖11B是底面為半徑50μm的圓，高度為40μm的若干變形的半球的側(cè)面圖。圖11C是底面為半徑50μm的圓，高度為65μm的若干變形的半球的側(cè)面圖。
如以上說(shuō)明的那樣，如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠提供備有光程變換部分的二維光波導(dǎo)路徑及其制造方法。
權(quán)利要求
1.二維光波導(dǎo)路徑的制造方法，它的特征是它是二維光波導(dǎo)路徑的制造方法，具有準(zhǔn)備好在基片上備有包含熱可塑性材料構(gòu)成的構(gòu)造體的部件的第1工序，通過(guò)熱處理使該構(gòu)造體變形的第2工序，和在該構(gòu)造體和該基片上形成光波導(dǎo)部分的第3工序。
2.權(quán)利要求1記載的二維光波導(dǎo)路徑的制造方法，其中由上述第2工序在上述構(gòu)造體上形成曲面，具有作為光程變換部分的功能。
3.權(quán)利要求1記載的二維光波導(dǎo)路徑的制造方法，它具有在由上述第2工序?qū)嵤┳冃蔚纳鲜鰳?gòu)造體的表面上形成反射膜的第4工序。
4.權(quán)利要求1記載的二維光波導(dǎo)路徑的制造方法，其中上述第3工序包含在上述基片和上述構(gòu)造體上形成芯層，在該芯層上形成包層的工序。
5.二維光波導(dǎo)裝置的制造方法，它的特征是它包含在權(quán)利要求1記載的上述二維光波導(dǎo)路徑上，安裝發(fā)光元件和受光元件中的至少一方的第5工序。
6.權(quán)利要求1記載的二維光波導(dǎo)路徑的制造方法，其中構(gòu)成上述構(gòu)造體的材料是抗蝕劑，感光性樹脂，光硬化樹脂，或電子束硬化樹脂。
7.權(quán)利要求1記載的二維光波導(dǎo)路徑的制造方法，其中上述構(gòu)造體的形狀是柱狀，由上述第2工序從該柱狀變成半球形狀。
8.二維光波導(dǎo)裝置的制造方法，它具有通過(guò)發(fā)光元件和受光元件中的至少一方將用權(quán)利要求1記載的方法制造的二維光波導(dǎo)路徑和搭載電子器件的印刷電路配線基片接合起來(lái)。
9.二維光波導(dǎo)路徑，它的特征是它是具有基片，設(shè)置在該基片上的光程變換部分，和在該基片和光程變換部分上形成的光波導(dǎo)部分的二維光波導(dǎo)路徑，該光程變換部分是包含熱可塑性材料構(gòu)成的。
10.二維光波導(dǎo)裝置，它的特征是在權(quán)利要求9記載的上述二維光波導(dǎo)路徑上，安裝發(fā)光元件和受光元件中的至少一方。
11.二維光波導(dǎo)裝置，其中通過(guò)發(fā)光元件和受光元件中的至少一方將權(quán)利要求9記載的上述二維光波導(dǎo)路徑和搭載電子器件的印刷電路配線基片接合起來(lái)。
全文摘要
本發(fā)明涉及二維光波導(dǎo)路徑及其制造方法。二維光波導(dǎo)路徑的制造方法，它的特征是它是二維光波導(dǎo)路徑的制造方法，具有準(zhǔn)備好在基片(100)上備有包含熱可塑性材料構(gòu)成的構(gòu)造體(102)的部件的第1工序，通過(guò)熱處理使該構(gòu)造體變形的第2工序，和在該構(gòu)造體和該基片上形成光波導(dǎo)部分(112)的第3工序。
文檔編號(hào)G02B6/138GK1437033SQ0310250
公開日2003年8月20日 申請(qǐng)日期2003年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月8日
發(fā)明者內(nèi)田達(dá)郎 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社