專利名稱：偏光片及其制造方法和制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種偏光片及其制造方法和制造裝置，尤其涉及一種用在液晶顯示裝置的偏光片及其制造方法和制造裝置。
背景技術(shù)：
偏光片是液晶顯示裝置中的重要元件，它可以將一般不具有偏振性的自然光產(chǎn)生偏振化，轉(zhuǎn)變成偏振光；液晶顯示裝置利用偏振光，再利用液晶分子的扭轉(zhuǎn)特性，從而達(dá)到控制光線是否通過。
請參閱圖1，是一種現(xiàn)有技術(shù)偏光片的結(jié)構(gòu)示意圖，該偏光片1包括按層堆疊的離型層10、粘著層11、第一保護(hù)層12、偏光基體13、第二保護(hù)層14。但是，當(dāng)光射到偏光片的時(shí)候，會(huì)因?yàn)楸砻娣瓷湓蚨鴵p失一部分光，從而造成可透射光的損失而影響顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容是了克服現(xiàn)有技術(shù)偏光片的透射率較低的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種透射率較高的偏光片。
本發(fā)明還提供一種上述偏光片的制造方法和制造裝置。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種偏光片，包括按層堆疊的離型層、粘著層、第一保護(hù)層、偏光基體、第二保護(hù)層，其中該偏光片還包括設(shè)置在第二保護(hù)層上的抗反射層。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種偏光片制造方法，包括按層堆疊形成離型層、粘著層、第一保護(hù)層、偏光基體、第二保護(hù)層，以及將抗反射材料蒸鍍鍍膜至第二保護(hù)層上形成抗反射層。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種偏光片制造裝置，包括多個(gè)滾軸裝置、紫外線照射處理裝置及多個(gè)蒸鍍鍍膜裝置，該多個(gè)滾軸裝置設(shè)置在偏光片兩側(cè)，該紫外線照射處理裝置及蒸鍍鍍膜裝置均設(shè)置在該多個(gè)滾軸裝置后。
和現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的偏光片在保護(hù)層上設(shè)置抗反射層，降低因?yàn)榉瓷涠鴰淼墓獾膿p失，從而可以提高光的透射率。

圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)偏光片的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明偏光片的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明偏光片制造裝置的示意圖。
具體實(shí)施方式
請參閱圖2，是本發(fā)明偏光片的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的偏光片2包括按層堆疊的離型層20、粘著層21、第一保護(hù)層22、偏光基體23、第二保護(hù)層24和抗反射層25。該抗反射層25包括按層堆疊的第一表層26、第二表層27、第三表層28及第四表層29。該第一保護(hù)層22和第二保護(hù)層24的材料是三醋酸纖維素(TriacetylCellulose，TAC)，該偏光基體23的材料是聚乙烯醇(PolyvinylAlcohol，PVA)，該第一表層26和第三表層28的材料是高折射率材料，如Ta2O5，該第二表層27和第四表層29的材料是低折射率材料，如SiO2，且該第一表層26的厚度在1×10-8～2×10-8米之間，該第二表層27的厚度在1.5×10-8～3.5×10-8米之間，該第三表層28的厚度在1×10-7～1.2×10-7米之間，該第四表層29的厚度在7×10-8～9×10-8米之間。該偏光基體23的高分子的長軸和短軸的比在3∶1～20∶1之間，最佳在5∶1～10∶1之間。
當(dāng)光射到偏光片2的時(shí)候，因?yàn)槠馄?表面設(shè)有抗反射層25，使得因?yàn)楸环瓷涠鴵p失的光大大降低，從而增加了可以穿透偏光片2的光，提高光的透射率，增強(qiáng)顯示效果。
本發(fā)明偏光片的制造方法包括按層堆疊形成離型層、粘著層、第一保護(hù)層、偏光基體、第二保護(hù)層，對所得的偏光片進(jìn)行拋光處理，再對其紫外線照射處理，該紫外線照射處理時(shí)間是10～60秒，最后再將抗反射材料蒸鍍鍍膜在第二保護(hù)層上形成抗反射層。
請參閱圖3，是本發(fā)明偏光片制造裝置的示意圖。該制造裝置3包括多個(gè)滾軸裝置31、感應(yīng)裝置38、紫外線照射處理裝置32及多個(gè)蒸鍍鍍膜裝置33、34、35、36，該多個(gè)滾軸裝置31設(shè)置在偏光片30兩側(cè)，其可以對經(jīng)過的偏光片30施加接觸力，從而使得偏光片30的偏光基體形成各項(xiàng)異性，該感應(yīng)裝置38設(shè)置在該多個(gè)滾軸裝置31的內(nèi)部，其可以調(diào)整滾軸裝置31和偏光片30的接觸力，該感應(yīng)裝置38是壓電型感應(yīng)器。該紫外線照射處理裝置32設(shè)置在多個(gè)滾軸裝置31之后，其可以對所過的偏光片30進(jìn)行紫外線照射固化處理。該多個(gè)蒸鍍鍍膜裝置33、34、35、36可以將折射率不同的蒸鍍鍍膜材料噴射至偏光片30表面形成抗反射層。
本發(fā)明的偏光片及其制造裝置并不限在本實(shí)施方式所述，如該第一表層和第三表層的高折射率材料還可以是NbOx、TiO3、Ti3O5或MgF2，該第二表層和第四表層的低折射率材料還可以是Al2O3或SiNx，該偏光片制造裝置還可以包括設(shè)置在滾軸外的變頻裝置。
權(quán)利要求
1.一種偏光片，包括按層堆疊的離型層、粘著層、第一保護(hù)層、偏光基體、第二保護(hù)層，其特征在于該偏光片還包括設(shè)置在第二保護(hù)層上的抗反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏光片，其特征在于該抗反射層包括按層堆疊的第一表層、第二表層、第三表層、第四表層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏光片，其特征在于該第一表層的厚度在1×10-8～2×10-8米之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏光片，其特征在于該第二表層的厚度在1.5×10-8～3.5×10-8米之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏光片，其特征在于該第三表層的厚度在1×10-7～1.2×10-7米之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏光片，其特征在于該第四表層的厚度在7×10-8～9×10-8米之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏光片，其特征在于該第一表層和第三表層材料是Ta2O5、NbOx、TiO3、Ti3O5或MgF2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏光片，其特征在于該第二表層和第四表層材料是SiO2、Al2O3或SiNx。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏光片，其特征在于該第一保護(hù)層和第二保護(hù)層材料是三醋酸纖維素。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏光片，其特征在于該偏光基體材料是聚乙烯醇。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏光片，其特征在于該偏光基體的高分子的長軸和短軸的比在3∶1～20∶1之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的偏光片，其特征在于該偏光基體的高分子的長軸和短軸的比是在5∶1～10∶1之間。
13.一種偏光片制造方法，包括按層堆疊形成離型層、粘著層、第一保護(hù)層、偏光基體、第二保護(hù)層，以及將抗反射材料蒸鍍鍍膜到第二保護(hù)層上形成抗反射層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的偏光片制造方法，其特征在于該制造方法還包括在蒸鍍鍍膜抗反射材料前對偏光片進(jìn)行拋光處理。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的偏光片制造方法，其特征在于該制造方法還包括在拋光處理后對偏光片進(jìn)行紫外線照射處理。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的偏光片制造方法，其特征在于該紫外線照射處理時(shí)間是10～60秒。
17.一種偏光片制造裝置，包括多個(gè)滾軸裝置、紫外線照射處理裝置及多個(gè)蒸鍍鍍膜裝置，該多個(gè)滾軸裝置設(shè)置在偏光片兩側(cè)，該紫外線照射處理裝置及蒸鍍鍍膜裝置都設(shè)置在該多個(gè)滾軸裝置之后。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的偏光片制造裝置，其特征在于該多個(gè)滾軸裝置還包括設(shè)置在其內(nèi)部的壓電型感應(yīng)裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開一種偏光片及其制造方法和制造裝置。本發(fā)明的偏光片包括按層堆疊的離型層、粘著層、第一保護(hù)層、偏光基體、第二保護(hù)層，其中該偏光片還包括設(shè)置在第二保護(hù)層上的抗反射層。本發(fā)明的偏光片具有較高的透射率。
文檔編號G02B1/00GK1773344SQ200410052258
公開日2006年5月17日 申請日期2004年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月13日
發(fā)明者陳杰良, 呂昌岳 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司