專利名稱：：面內(nèi)切換型液晶顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件。更具體地，本發(fā)明涉及一種面內(nèi)切換(IPS)型LCD器件。
背景技術(shù)：
：因為液晶顯示(LCD)器件的優(yōu)點，例如對比度高、灰度級、圖像質(zhì)量高、以及功耗低，所以已經(jīng)對其進行了大量的研究。LCD器件尤其適合于作為超薄顯示器件，例如壁掛式(wall-mountable)電視。因為LCD器件的外形薄、重量輕并且功耗低，作為一種能夠代替CRT的顯示器件，LCD器件同樣引起了很大的關(guān)注。結(jié)果，可以將LCD器件制造為小面板并廣泛用于移動電話顯示屏。根據(jù)液晶的屬性和構(gòu)圖結(jié)構(gòu)，存在多種類型的LCD器件。具體地，可以將LCD器件分為扭曲向列(TN)型，其在布置扭曲90°的液晶指向矢(director)之后通過施加電壓來控制液晶指向矢；多區(qū)域型，其通過將一個像素分為幾個區(qū)域而具有寬視角；光學補償雙折射(OCB)型，其通過在基板的外表面上形成補償膜來根據(jù)光的前進方向補償光的相位變化；面內(nèi)切換(IPS)型，其通過在任一基板上形成兩個電極來形成與兩個基板平行的電場；以及垂直配向(VA)型，其通過使用負型液晶和垂直配向?qū)觼碓O置液晶分子徑向(主)軸使其與配向?qū)悠矫娲怪?。在各種類型的LCD器件中，IPS型LCD器件通常包括彼此面對的濾色器基板和薄膜晶體管陣列基板，以及形成在這兩個基板之間的液晶層。濾色器基板包括用于防止漏光的黑底層，以及位于黑底層上的R/G/B濾色器層，其用于實現(xiàn)各種顏色。另外，薄膜晶體管陣列基板包括選通線和數(shù)據(jù)線，它們交叉以限定像素區(qū)；形成在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉點處的開關(guān)器件；以及以交替方式形成的公共電極和像素電極，以產(chǎn)生與兩個基板平行的電場。在下文中將參照附圖來說明現(xiàn)有技術(shù)的IPS型LCD器件。圖1示出具有2區(qū)域結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)的IPS型LCD器件的平面圖。圖2示出沿圖1的I-I’的現(xiàn)有技術(shù)LCD器件的電壓分布。圖3A和圖3B是當接通/關(guān)閉電壓時IPS型LCD器件的平面圖。將對現(xiàn)有技術(shù)的IPS型LCD器件的薄膜晶體管陣列基板進行如下的總體說明。如圖1所示，薄膜晶體管陣列基板包括選通線12、數(shù)據(jù)線15、薄膜晶體管TFT、公共線25、多個公共電極24、多個像素電極17、以及電容器電極26。在薄膜晶體管陣列基板上沿一個方向形成選通線12，與選通線12垂直地形成數(shù)據(jù)線15以限定像素區(qū)，其中數(shù)據(jù)線15被形成為具有一種彎折結(jié)構(gòu)。另外，薄膜晶體管TFT形成于選通線12和數(shù)據(jù)線15的交叉部分。隨后，在像素區(qū)內(nèi)將公共線25形成為與選通線12平行，并且各自都具有彎折結(jié)構(gòu)的多個公共電極24從公共線25延伸。此外，多個像素電極17與薄膜晶體管TFT相連，其中，每個像素電極17都被形成為具有與公共電極24平行的彎折結(jié)構(gòu)，并且被設置在公共電極24之間。從像素電極17延伸的電容器電極26與公共線25交疊。另外，在包括選通線12的薄膜晶體管陣列基板整個表面上形成柵絕緣層(未示出)，而在包括數(shù)據(jù)線15的薄膜晶體管陣列基板整個表面上形成鈍化層(未示出)。與公共電極24一體地形成公共線25，而與選通線12一體地形成薄膜晶體管TFT的柵極。此外，公共線25、公共電極24、選通線12、以及柵極是由低電阻的金屬在同一層上形成的。設置在像素區(qū)的邊緣上的公共電極與數(shù)據(jù)線交疊以防止在數(shù)據(jù)線的該部分中產(chǎn)生的漏光。從電容器電極26延伸的像素電極17由具有高透射率的透明導電金屬材料形成，例如銦錫氧化物(ITO)，其中每個像素電極17都與公共電極24交替。另外，像素電極17與薄膜晶體管TFT的漏極相接觸，從而像素電極17接收電壓。如圖1中所示，公共電極24可以在一個方向上與像素電極17交替。然而，可以將公共電極24和像素電極17形成為彎折型，以在兩個方向上對液晶分子進行配向。即，可以將像素區(qū)的一個區(qū)域分為兩個部分以拓寬視角，即被稱為S-IPS(超級IPS)結(jié)構(gòu)的2-區(qū)域IPS結(jié)構(gòu)。此外，由與公共線25交疊的電容器電極26、以及插入在電容器電極26和公共線25之間的柵絕緣層和鈍化層來形成存儲電容器。存儲電容器在薄膜晶體管TFT截止期間保持充入液晶層中的電壓，從而防止圖像質(zhì)量劣化。如圖2中所示，在現(xiàn)有技術(shù)的IPS型LCD器件中，如果向公共電極24施加5V，而對像素電極17施加0V，則所形成的等勢面恰在電極上的部分與電極平行，而在兩個電極之間的部分與電極垂直。因此，電場與等勢面垂直，從而在公共電極24和像素電極17之間形成水平電場，在各個電極上形成垂直電場，并且水平電場和垂直電場都形成在電極的邊緣。現(xiàn)有技術(shù)的IPS型LCD器件中的液晶分子的配向是由電場來控制的。例如，如圖3A中所示，如果對初始配向的方向與一個偏振片的透射軸相同的液晶分子32施加足夠的電壓，則液晶分子32的長軸被配向為與電場平行。在液晶的介電各向異性為負的情況下，液晶分子的短軸被配向為與電場平行。更具體地說，在相互接合的薄膜晶體管陣列基板和濾色器基板的外表面上形成第一偏振片和第二偏振片，其中第一偏振片和第二偏振片的透射軸彼此垂直。另外，對形成在下基板上的配向?qū)舆M行摩擦以使之平行于一個偏振片的透射軸，從而在常黑模式上進行顯示。如圖3A所示，當不向器件提供電壓時，液晶分子32被配向以顯示黑色狀態(tài)。同時，如圖3B所示，當向器件提供電壓時，液晶分子被配向為與電場平行，從而顯示白色狀態(tài)。公共電極24和像素電極17被形成為具有彎折結(jié)構(gòu)，從而在兩個方向?qū)σ壕Х肿?2進行配向，由此改善了視角。然而，因為在電極的彎折部分“A”中液晶分子32被在不同的方向配向，所以向錯線(disclinationline)可能產(chǎn)生漏光，這降低了圖像質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明旨在提供一種IPS型LCD器件，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點所引起的一個或多個問題。本發(fā)明的一個優(yōu)點是提供了一種IPS型LCD器件，以防止在形成為彎折型的電極的彎折部分處的向錯，并增大存儲電容。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在以下的說明中闡明，部分地將在說明中變得明顯，或者可以在對本發(fā)明的實踐中習得。通過書面的說明及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。為實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文所示例并廣義說明的，一種IPS型LCD器件包括位于基板上沿一個方向的選通線；具有彎折部分的公共電極；從公共電極的彎折部分向公共電極的一側(cè)延伸的第一向錯防止圖案部分(disclinationpreventionpatternportion)；從公共電極的彎折部分向公共電極的第二側(cè)延伸的第一輔助電容器電極；與選通線基本垂直的數(shù)據(jù)線；位于選通線和數(shù)據(jù)線交叉部分處的薄膜晶體管；與薄膜晶體管的漏極相連的像素電極，該像素電極被形成為與公共電極基本平行；以及從像素電極的彎折部分向像素電極的第一側(cè)延伸的第二向錯防止圖案部分，該第二向錯防止圖案與輔助電容器電極相交疊。應該理解，以上的總體說明和以下的詳細說明都是示例性和說明性的，旨在為如權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進一步的說明。為進一步理解本發(fā)明而提供的附圖被并入且構(gòu)成本申請的一部分，其示出了本發(fā)明的實施例，并且與文字說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的2區(qū)域IPS型LCD器件的平面圖；圖2表示沿圖1的I-I’的IPS型LCD器件的電壓分布；圖3A和圖3B是當接通和切斷電壓時IPS型LCD器件的平面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的IPS型LCD器件的平面圖；圖5是沿圖4的II-II’的IPS型LCD器件的剖面圖；圖6A(I)和(II)是根據(jù)本發(fā)明的公共電極的平面圖；以及圖6B(I)和(II)是根據(jù)本發(fā)明的像素電極的平面圖。具體實施例方式現(xiàn)在將詳細說明本發(fā)明的實施例，其示例在附圖中示出。在附圖中，只要有可能，就使用相同的標號來表示相同或者類似的部件。下面將參照附圖來說明根據(jù)本發(fā)明的IPS型LCD器件。如圖4中所示，根據(jù)本發(fā)明的IPS型LCD器件的薄膜晶體管陣列基板包括選通線112、數(shù)據(jù)線115、薄膜晶體管TFT、公共線125、多個公共電極124、多個像素電極117、以及電容器電極126。在薄膜晶體管陣列基板上沿一個方向形成選通線112，數(shù)據(jù)線115被形成為與選通線112基本垂直以限定像素區(qū)。另外，數(shù)據(jù)線115被形成為具有彎折結(jié)構(gòu)。之后，在選通線112和數(shù)據(jù)線115的交叉部分處形成薄膜晶體管TFT，開關(guān)該薄膜晶體管TFT以向?qū)南袼貐^(qū)施加電壓。公共線125被形成為與選通線112基本平行，并從有源區(qū)域外的電源接收公共電壓信號。多個公共電極從公共線125延伸，其中每個公共電極124都被形成為具有彎折結(jié)構(gòu)。另外，將像素電極117和薄膜晶體管TFT的漏極相連，并且像素電極117被形成為具有彎折結(jié)構(gòu)并且與公共電極124基本平行。從像素電極117延伸的電容器電極126與公共線125交疊。此外，在公共電極124和像素電極117的彎折部分中提供向錯防止圖案。為了防止在電極的彎折部分中的向錯線，向錯防止圖案包括從公共電極124向一側(cè)延伸的第一向錯防止圖案部分131，以及從像素電極117向一側(cè)延伸的第二向錯防止圖案部分132。另外，第一向錯防止圖案部分131和第二向錯防止圖案部分132向著與相鄰電極的邊緣交疊的部分延伸。當向第一向錯防止圖案部分131和第二向錯防止圖案部分132施加電壓時，在相鄰的電極之間產(chǎn)生電場，從而控制液晶分子的配向方向。即，通過形成于第一向錯防止圖案部分131和相鄰的像素電極117之間的電場、以及形成于第二向錯防止圖案部分132和相鄰的公共電極124之間的電場，將設置在電極彎折部分中的液晶分子配向為預定方向。因此，可以防止在電極的彎折部分中產(chǎn)生向錯線。如圖5中所示，存儲電容器Cst包括電容器電極126、與電容器電極126交疊的公共線125，以及插入在電容器電極126和公共線125之間的絕緣層。當對應的薄膜晶體管截止時存儲電容器Cst保持充入液晶電容器中的電壓，從而防止由于寄生電容Cgs而引起的圖像質(zhì)量的劣化。寄生電容產(chǎn)生ΔV，即施加給液晶的A.C.電壓的D.C.電壓偏移。另外，D.C.電壓偏移在LCD器件上產(chǎn)生諸如閃爍、圖像暫留、和亮度單一的不良效果，從而有必要通過設計存儲電容器來減小ΔV的變化。隨著電容器的電容增大，圖像質(zhì)量提高。為了在根據(jù)本發(fā)明的IPS型LCD器件中提高存儲電容，在第二向錯防止圖案部分132的下方提供第一輔助電容器電極150，以形成第一輔助電容器Cst’。并且，在第一向錯防止圖案部分131的上方提供第二輔助電容器電極151，以形成第二輔助電容器Cst’。從公共電極延伸的第一輔助電容器電極150形成于公共電極124的彎折部分中，并且第一輔助電容器電極150和第二向錯防止圖案部分132交疊。因此，如圖6A(I)中所示，從公共線125延伸的公共電極124在彎折部分的一側(cè)具有第一向錯防止圖案部分131，并且在彎折部分的另一側(cè)具有第一輔助電容器電極150。一體地連接公共電極124、第一向錯防止圖案部分131、以及第一輔助電容器電極150。以低電阻的金屬形成第一輔助電容器電極150以遮蔽光。另外，為了不影響形成于第二向錯防止圖案部分132和公共電極124之間的電場，第一輔助電容器電極150小于第二向錯防止圖案部分132。同時，在包括選通線112的基板整個表面上形成柵絕緣層113，從而將選通線層與數(shù)據(jù)線層絕緣。此外，在包括數(shù)據(jù)線115的基板的整個表面上形成鈍化層116，以便將數(shù)據(jù)線層與像素電極絕緣。如圖5所示，通過PECVD(等離子體增強化學氣相淀積)方法來以諸如硅氮化物SiNx或者硅氧化物SiOx的無機絕緣材料形成柵絕緣層113。另外，通過淀積諸如硅氮化物SiNx或者硅氧化物SiOx的無機絕緣層，或者通過涂覆諸如BCB(苯并環(huán)丁烯)或者丙烯酸樹脂的有機絕緣層，來形成鈍化層116。參照圖4，薄膜晶體管TFT包括柵極112a、柵絕緣層、半導體層114、以及源極115a和漏極115b，從而薄膜晶體管TFT控制向單位像素區(qū)施加的電壓的接通/切斷。柵極112a從選通線112延伸，柵絕緣層形成于包括柵極112a的基板整個表面上。另外，通過在柵極上方的柵絕緣層上按順序淀積無定形硅(a-Si)和n-型a-Si來形成半導體層114，其中n-型a-Si是通過向無定形硅中注入雜質(zhì)離子而制成的。源極115a和漏極115b與數(shù)據(jù)線115一體地形成，并和半導體層114的兩側(cè)相交疊。在圖5中，插入在存儲電容器Cst的電容器電極126和公共線125之間的絕緣層用作柵絕緣層113和鈍化層116的淀積層。另外，插入在第一輔助電容器Cst’的第二向錯防止圖案部分132和第一輔助電容器電極150之間的絕緣層用作柵絕緣層113和鈍化層116的淀積層。如圖6A(I)所示，使用通過濺射來淀積低電阻金屬(例如，銅(Cu)、鋁(Al)、釹鋁化合物(AlNd)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢鉬化合物(MoW))并對其構(gòu)圖的方法，在同一層上一起形成選通線112、柵極112a、公共線125、公共電極124、第一向錯防止圖案部分131、以及第一輔助電容器電極150。一體地形成公共線125、公共電極124、第一向錯防止圖案部分131、以及第一輔助電容器電極150，并一體形成帶有柵極112a的選通線112。如圖6A(II)所示，也可以形成公共線125、公共電極124、以及第一向錯防止圖案部分131，而不形成第一輔助電容器電極150。如圖6B(I)中所示，使用通過濺射來淀積具有高透射率的透明導電金屬(例如，ITO(銦錫氧化物)或者IZO(銦鋅氧化物))并對其構(gòu)圖的方法，在同一層上一起形成像素電極117、電容器電極126、以及第二向錯防止圖案部分132。一體地形成像素電極117、電容器電極126、以及第二向錯防止圖案部分132。如圖6B(II)所示，也可以將第二輔助電容器電極151與電容器電極126、像素電極117、以及第二向錯防止圖案部分132連接為一體。可以將公共電極124和像素電極117形成為彼此基本平行的彎折圖形。公共電極124和像素電極117可以同時在單位像素區(qū)的幾個部分處或者在單位像素區(qū)的中心發(fā)生彎折。因此，可以增大存儲電容并形成2區(qū)域S-IPS結(jié)構(gòu)以防止薄膜晶體管陣列基板上的向錯。雖然沒有示出，但是薄膜晶體管陣列基板與面對的濾色器基板相接合，其中濾色器基板包括以規(guī)則的順序設置的R/G/B濾色器層，用于獲得各種顏色；以及用于遮蔽光和劃分R/G/B單元的黑底層。在濾色器基板和薄膜晶體管陣列基板之間形成有具有介電各向異性的液晶層。在上述的IPS型LCD器件中，向多個薄膜晶體管TFT施加驅(qū)動電壓，并啟動相同數(shù)量的像素電極。從而，由像素電極和公共電極之間形成的與基板基本平行的電場對液晶分子進行配向，以通過控制透光率來顯示圖像。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的IPS型LCD器件具有以下優(yōu)點在根據(jù)本發(fā)明的IPS型LCD器件中，和公共電極一體地形成的第一輔助電容器電極與和像素電極一體地形成的第二向錯防止圖案部分相交疊，從而提高了存儲電容。此外，第二輔助電容器電極與第一向錯防止圖案部分相交疊，從而提高了存儲電容。另外，第一向錯防止圖案部分和第二向錯防止圖案部分形成于像素電極和公共電極的彎折部分，使得可以將液晶分子配向為所期望的方向，從而實現(xiàn)防止向錯的2區(qū)域IPS型LCD器件。在另選實施例中，選通線可以具有與結(jié)構(gòu)不含彎折部分的數(shù)據(jù)線基本垂直的彎折結(jié)構(gòu)。在這種情況下，公共電極124和像素電極117的彎折部分向著選通線112彎折。另選地，選通線可以具有與具有彎折部分的數(shù)據(jù)線基本垂直的彎折結(jié)構(gòu)。在這種情況下，公共電極124和像素電極117的彎折部分可以向著選通線或者數(shù)據(jù)線彎折。很明顯，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，可以在不脫離本發(fā)明的實質(zhì)或范圍的情況下在本發(fā)明中進行多種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。權(quán)利要求1.一種面內(nèi)切換型液晶顯示器件，包括在基板上沿一個方向的選通線；具有彎折部分的公共電極；從所述公共電極的彎折部分向所述公共電極的一側(cè)延伸的第一向錯防止圖案部分；與所述選通線基本垂直的數(shù)據(jù)線；位于所述選通線和所述數(shù)據(jù)線交叉部分處的薄膜晶體管；與所述薄膜晶體管的漏極相連的像素電極，所述像素電極具有彎折部分，并且與所述公共電極基本平行地形成；以及從所述像素電極的彎折部分向所述像素電極的一側(cè)延伸的第二向錯防止圖案部分。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，還包括從所述公共電極的彎折部分向所述公共電極的所述一側(cè)延伸的第一輔助電容器電極。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述第二向錯防止圖案部分與所述第一輔助電容器電極相交疊。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，還包括從所述像素電極的所述一側(cè)延伸的第二輔助電容器電極。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述第一向錯防止圖案部分與所述第二輔助電容器電極相交疊。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述數(shù)據(jù)線具有彎折部分。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述公共電極和所述像素電極的彎折部分向著所述數(shù)據(jù)線彎折。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述選通線具有彎折部分。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述公共電極和所述像素電極的彎折部分向著所述選通線彎折。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述選通線和所述數(shù)據(jù)線具有彎折部分。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述公共電極和所述像素電極的彎折部分向著所述選通線和數(shù)據(jù)線之一彎折。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中一公共線和所述公共電極在與所述選通線相同的層上形成。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述像素電極在所述公共電極上一體地形成，以形成存儲電容器。14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中由所述第一輔助電容器電極、所述第二向錯防止圖案部分、以及插入在所述第一輔助電容器電極和所述第二向錯防止圖案部分之間的一絕緣層來形成一第一輔助電容器。15.根據(jù)權(quán)利要求4所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中由所述第二輔助電容器電極、所述第一向錯防止圖案部分、以及插入在所述第二輔助電容器電極和所述第一向錯防止圖案部分之間的一絕緣層來形成一第二輔助電容器。16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述第一輔助電容器電極小于所述第二向錯防止圖案部分。17.根據(jù)權(quán)利要求4所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，其中所述第二輔助電容器電極小于所述第一向錯防止圖案部分。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面內(nèi)切換型液晶顯示器件，還包括位于包括所述選通線的基板的整個表面上的柵絕緣層，以及位于包括所述數(shù)據(jù)線的基板的整個表面上的鈍化層。全文摘要一種面內(nèi)切換型液晶顯示器件，包括在基板上沿一個方向的選通線；具有彎折部分的公共電極；從所述公共電極的彎折部分向所述公共電極的一側(cè)延伸的第一向錯防止圖案部分；與所述選通線基本垂直的數(shù)據(jù)線；在所述選通線和所述數(shù)據(jù)線交叉處的薄膜晶體管；與所述薄膜晶體管的漏極相連的像素電極，該像素電極具有彎折部分，并且被與所述公共電極基本平行地形成；以及從所述像素電極的彎折部分向所述像素電極的一側(cè)延伸的第二向錯防止圖案部分。文檔編號G02F1/13GK1637545SQ200410088668公開日2005年7月13日申請日期2004年11月15日優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日發(fā)明者高斗炫申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社