專利名稱：制造液晶顯示器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造液晶顯示器件的方法，特別涉及一種制造具有減少的接縫點(diǎn)(stitch spot)的液晶顯示器件的方法。
背景技術(shù)：
陰極射線管(CRT)一直被廣泛地用作信息顯示器件。CRT具有諸如體積大和移動(dòng)性差等很多缺點(diǎn)。液晶顯示器件具有體積小、重量輕和功耗低的優(yōu)點(diǎn)。近來(lái)，經(jīng)常把液晶顯示器件應(yīng)用于需要顯示器件的信息處理設(shè)備。
液晶顯示器件是一種利用液晶單元所產(chǎn)生的光的調(diào)制的顯示器件。通過(guò)向液晶單元施加電壓，把液晶的一種預(yù)定分子排列轉(zhuǎn)換為另一種分子排列。通過(guò)這種轉(zhuǎn)換的分子排列來(lái)發(fā)光。液晶顯示器件通過(guò)把液晶單元的光學(xué)特性(例如雙折射、最佳旋轉(zhuǎn)力(optimal rotary power)、二色性、和光散射性)轉(zhuǎn)換為視覺(jué)變化來(lái)顯示圖像。
通過(guò)在陣列板上形成選通線、數(shù)據(jù)線和TFT來(lái)制造液晶顯示器件。在濾色器板上形成諸如R、G和B濾色器的濾色器層，并在一個(gè)玻璃板上調(diào)整濾色器板的位置以面對(duì)陣列板。陣列板和玻璃板被相互附接在一起，二者之間設(shè)置有液晶。
陣列板和濾色器板是通過(guò)順序地執(zhí)行掩模工藝形成的。在掩模工藝中，利用化學(xué)氣相淀積(CVD)或?yàn)R射法在玻璃板的整個(gè)表面上淀積絕緣層或金屬層。在進(jìn)行了淀積后，清洗玻璃板上形成的淀積層的表面，并涂覆光刻膠層。在進(jìn)行了涂覆后，通過(guò)利用掩模進(jìn)行的曝光工藝和顯影工藝來(lái)形成目標(biāo)圖形。
通過(guò)使用被構(gòu)圖的光刻膠層對(duì)淀積層進(jìn)行蝕刻以形成目標(biāo)圖形，并去除該構(gòu)圖光刻膠層。通過(guò)去除該構(gòu)圖光刻膠層，完成了單個(gè)掩模工藝。
圖1(a)和1(b)顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器件制造方法中使用的曝光方法。如圖1(a)所示，在單個(gè)玻璃板上形成四個(gè)有源陣列板。對(duì)應(yīng)于四個(gè)液晶板的四個(gè)有源區(qū)是同時(shí)在玻璃板上形成的。在形成四個(gè)有源區(qū)后，執(zhí)行一個(gè)用于以單個(gè)有源區(qū)為單位切割玻璃板的單元工藝(cell process)。
在玻璃板上形成四個(gè)有源區(qū)的工藝包括用于在四個(gè)有源區(qū)中的每一個(gè)上形成選通線和柵極的第一掩模工藝；用于形成溝道層的第二掩模工藝；用于形成源極/漏極的第三掩模工藝；用于在鈍化層上形成接觸孔的第四掩模工藝；和用于形成像素電極的第五掩模工藝。
在每個(gè)掩模工藝中都執(zhí)行曝光工藝。在執(zhí)行第一掩模工藝時(shí)，在玻璃板上淀積金屬層并在金屬層上涂覆光刻膠層。在進(jìn)行涂覆后，根據(jù)掩模圖形執(zhí)行曝光工藝。順序地在各有源區(qū)上執(zhí)行共四次曝光工藝。
在曝光工藝中，可以利用一次曝光工藝把單個(gè)有源區(qū)全部曝光。如圖1(b)所示，對(duì)于大的液晶顯示器件，在玻璃板上形成一個(gè)或兩個(gè)有源區(qū)。在此情況下，通過(guò)在每個(gè)有源區(qū)上執(zhí)行多個(gè)曝光工藝來(lái)進(jìn)行掩模工藝。在執(zhí)行用于形成有源區(qū)的每個(gè)掩模工藝時(shí)執(zhí)行所述多個(gè)曝光工藝。
制造成本可能會(huì)與曝光透鏡的大小成比例地增加。盡管液晶顯示器件的尺寸較小，仍然利用了分區(qū)曝光工藝(partitioned exposureprocess)來(lái)降低制造成本。利用分區(qū)曝光工藝可以減小曝光透鏡的大小。分區(qū)曝光區(qū)域的數(shù)量可以是2，3或4。
如上所述，分區(qū)曝光工藝通過(guò)在單個(gè)有源區(qū)上執(zhí)行多個(gè)分區(qū)曝光來(lái)完成單個(gè)掩模工藝。另一方面，集中曝光工藝(concentrated exposureprocess)通過(guò)利用一次曝光對(duì)整個(gè)有源區(qū)曝光來(lái)完成單個(gè)掩模工藝。分區(qū)曝光工藝和集中曝光工藝在液晶顯示器件的制造工藝中是被有選擇地使用的。分區(qū)曝光工藝可以包括一種產(chǎn)生交疊曝光區(qū)域的曝光工藝和另一種不產(chǎn)生交疊曝光區(qū)域的曝光工藝。
圖2顯示了在執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝時(shí)的交疊曝光區(qū)域。該交疊分區(qū)曝光工藝產(chǎn)生了交疊曝光區(qū)域。如圖2所示，交疊分區(qū)曝光工藝執(zhí)行第一曝光工藝，用于對(duì)從玻璃板上形成的有源區(qū)的左邊沿開始的預(yù)定寬度內(nèi)的有源區(qū)曝光。通過(guò)該第一曝光，在有源區(qū)上形成第一曝光區(qū)域。在執(zhí)行了第一曝光后，在相鄰的有源區(qū)上執(zhí)行第二曝光以形成第二曝光區(qū)域。在進(jìn)行第二曝光時(shí)，在第一曝光區(qū)域和第二曝光區(qū)域之間的邊界區(qū)域處形成了交疊曝光區(qū)域。圖2中顯示了兩個(gè)曝光區(qū)域，但是三個(gè)或更多個(gè)曝光區(qū)域也是可能的。分區(qū)曝光區(qū)域的大小可隨著交疊區(qū)域而增加。
在液晶顯示器件制造工藝中執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝以形成像素電極。交疊分區(qū)曝光工藝產(chǎn)生了交疊曝光區(qū)域，其可以用來(lái)確保圖形裕度(pattern margin)。
圖3顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器件制造工藝中使用的曝光方法。如圖3所示，執(zhí)行分區(qū)曝光工藝以制造液晶顯示器件。該分區(qū)曝光工藝不產(chǎn)生交疊曝光區(qū)域。
在用于形成選通線的第一掩模工藝中對(duì)液晶板執(zhí)行三個(gè)分區(qū)曝光。從有源區(qū)的左邊沿開始依次執(zhí)行第一曝光、第二曝光和第三曝光以對(duì)整個(gè)有源區(qū)曝光。在完成了分區(qū)曝光工藝后，通過(guò)對(duì)光刻膠顯影和構(gòu)圖以及執(zhí)行蝕刻工藝來(lái)形成選通線。
在如上所述根據(jù)第一掩模工藝形成選通線后，利用第二掩模工藝執(zhí)行三個(gè)分區(qū)曝光。第二掩模工藝是利用顯影工藝和蝕刻工藝執(zhí)行的，用于形成有源層。在形成有源層后，根據(jù)分區(qū)曝光工藝執(zhí)行用于形成數(shù)據(jù)線和源/漏層的第三掩模工藝和用于在鈍化層上形成接觸孔的第四掩模工藝。在完成了用于在鈍化層上形成接觸孔的第四掩模工藝后，通過(guò)淀積銦錫氧化物(ITO)透明金屬層執(zhí)行第五掩模工藝，以形成像素電極。像素層是由第五掩模工藝形成的。
在用于形成像素電極的第五掩模工藝中，執(zhí)行四個(gè)分區(qū)曝光。執(zhí)行了交疊分區(qū)曝光工藝(LEGO Pattern)以在相鄰分區(qū)區(qū)域之間的邊界處產(chǎn)生交疊曝光區(qū)域，從而獲得圖形裕度。
如上所述，在第一至第四掩模工藝中執(zhí)行分區(qū)曝光工藝。在第五掩模工藝中執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝以產(chǎn)生交疊曝光區(qū)域。
交疊分區(qū)曝光工藝僅在用于形成像素電極的掩模工藝中執(zhí)行，而不在其它掩模工藝中執(zhí)行。因此，在執(zhí)行了交疊分區(qū)曝光工藝的層上形成的像素電極圖形與未執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝的層上形成的圖形之間產(chǎn)生了層上變化(overlayer change)(圖形差異)。由于這種圖形差異，可能會(huì)產(chǎn)生接縫點(diǎn)缺陷。由于在第一、第二、第三、和第四掩模工藝中執(zhí)行分區(qū)曝光，在第五掩模工藝中執(zhí)行交疊分區(qū)曝光，可能在第一層至第四層上形成的圖形與第五層上形成的圖形之間產(chǎn)生大的圖形變化。因此，需要一種能夠?qū)嵸|(zhì)性地消除現(xiàn)有技術(shù)缺陷的液晶顯示器件制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
概括地說(shuō)，制造液晶顯示器件的方法包括在從以下工藝中選擇的一個(gè)或兩個(gè)工藝中執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝用于形成選通線的掩模工藝；用于形成有源層的掩模工藝；用于形成源極/漏極的掩模工藝；和用于在鈍化層上形成接觸孔的掩模工藝。
在另一個(gè)實(shí)施例中，制造液晶顯示器件的方法進(jìn)一步包括在以下工藝中的至少三個(gè)或更多個(gè)工藝中執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝用于形成選通線的掩模工藝；用于形成有源層的掩模工藝；用于形成源極/漏極的掩模工藝；用于在鈍化層上形成接觸孔的掩模工藝；和用于形成像素電極的掩模工藝。
在另一個(gè)實(shí)施例中，制造液晶顯示器件的方法包括在用于形成選通線的掩模工藝中通過(guò)將曝光區(qū)域劃分為N個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域來(lái)執(zhí)行交疊分區(qū)曝光(LEGO)；在用于在形成了選通線的板上淀積有源層材料的掩模工藝中執(zhí)行對(duì)M個(gè)曝光區(qū)域的分區(qū)曝光；在用于在形成了有源層的板上淀積金屬層后形成源極/漏極的掩模工藝中，通過(guò)把曝光區(qū)域劃分為N個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域來(lái)執(zhí)行交疊分區(qū)曝光；在用于在形成源極/漏極后淀積鈍化層并在鈍化層中形成接觸孔的掩模工藝中，在M個(gè)曝光區(qū)域中進(jìn)行分區(qū)曝光；在用于在形成了接觸孔的鈍化層上形成像素電極的掩模工藝中，通過(guò)把曝光區(qū)域劃分為N個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域來(lái)進(jìn)行交疊分區(qū)曝光。


附圖用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，被加入本申請(qǐng)并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖顯示了本發(fā)明的實(shí)施例并與說(shuō)明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1(a)和1(b)顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器件制造方法中使用的曝光方法；圖2顯示了交疊分區(qū)曝光工藝所產(chǎn)生的交疊曝光區(qū)域；圖3顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器件制造工藝的曝光工藝；圖4顯示了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器件制造方法中執(zhí)行的曝光工藝；圖5顯示了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器件制造方法中執(zhí)行的曝光工藝。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖中顯示的例子對(duì)優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。在附圖中盡可能使用了相同標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或相似部件。
圖4顯示了液晶顯示器件的制造方法的曝光工藝。如圖4所示，在用于形成選通層(gate layer)和選通線的掩模工藝中，執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝(LEGO)以形成四個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域。
在用于通過(guò)在形成了選通線的板上淀積有源層材料來(lái)形成有源層的掩模工藝中，執(zhí)行分區(qū)曝光工藝以形成三個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域。在形成有源層的掩模工藝中，分區(qū)曝光操作(partitioned exposure shot)的數(shù)量是3次，并且與用于形成選通線的掩模工藝不同，在分區(qū)曝光區(qū)域之間沒(méi)有交疊。
在形成有源層后，執(zhí)行用于形成源/漏層的掩模工藝以形成源極/漏極。在有源層板上淀積金屬層。將曝光區(qū)域劃分為四個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域，并執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝以在相鄰分區(qū)曝光區(qū)域之間產(chǎn)生交疊區(qū)域。曝光操作的數(shù)量是4次，并且四個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域在相鄰分區(qū)曝光區(qū)域之間的邊界處相互交疊。
在形成源極/漏極后，通過(guò)淀積鈍化層來(lái)執(zhí)行用于形成鈍化層的掩模工藝。曝光區(qū)域被劃分為三個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域，并且對(duì)三個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域中的每一個(gè)執(zhí)行分區(qū)曝光工藝。在此工藝中不產(chǎn)生交疊區(qū)域。
在形成鈍化層后，通過(guò)形成像素電極來(lái)執(zhí)行用于形成像素層的掩模工藝。曝光區(qū)域被劃分為四個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域，并且執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝以使四個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域交疊。
圖5顯示了另一個(gè)實(shí)施例的曝光工藝。與圖4所示實(shí)施例不同，在用于形成選通層的掩模工藝和用于形成源/漏層的掩模工藝中，在形成三個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域時(shí)執(zhí)行分區(qū)曝光工藝。在用于形成選通層的掩模工藝中形成選通線，在用于形成源/漏層的掩模工藝中形成源線和漏線。
在用于形成有源層的掩模工藝和用于形成鈍化層的掩模工藝中，執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝以形成四個(gè)交疊分區(qū)曝光區(qū)域。該掩模工藝被配置以在鈍化層上形成接觸孔。隨后，在用于形成像素層的掩模工藝中，執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝以形成四個(gè)交疊分區(qū)曝光區(qū)域。
如上所述，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，僅在用于形成像素電極的掩模工藝中執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝。在圖4和圖5所示實(shí)施例中，選擇性地在以下工藝中的一個(gè)或兩個(gè)中應(yīng)用交疊分區(qū)曝光工藝選通線形成工藝；有源層形成工藝；源極/漏極形成工藝；和接觸孔形成工藝。
在這些實(shí)施例中，通過(guò)在液晶顯示器件的制造工藝中有選擇地應(yīng)用交疊分區(qū)曝光工藝，在執(zhí)行了交疊分區(qū)曝光工藝的層與執(zhí)行了分區(qū)曝光工藝的層之間的圖形差異可以被最小化。交疊分區(qū)曝光工藝不必僅限于用于形成像素電極的工藝。因此，可以防止由于大的圖形差異造成的接縫缺陷。
在圖4所示實(shí)施例中，在選通線形成工藝、源極/漏極形成工藝和像素電極形成工藝中，應(yīng)用了交疊分區(qū)曝光工藝以形成四個(gè)交疊分區(qū)曝光區(qū)域。在圖5所示實(shí)施例中，在有源層形成工藝、接觸孔形成工藝和像素電極形成工藝中，應(yīng)用了交疊分區(qū)曝光工藝以形成四個(gè)交疊分區(qū)曝光區(qū)域。
另選地或者附加地，可以通過(guò)以下方式來(lái)制造液晶顯示器件在選通線形成工藝、有源層形成工藝、源極/漏極形成工藝和接觸孔形成工藝之一中使用交疊分區(qū)曝光工藝，以及在像素電極形成工藝中使用交疊分區(qū)曝光工藝。此外，可以通過(guò)在從以下工藝中選擇的兩個(gè)或更多個(gè)工藝中使用交疊分區(qū)曝光工藝來(lái)制造液晶顯示器件選通線形成工藝；有源層形成工藝；源極/漏極形成工藝；和接觸孔形成工藝。
可以有選擇地對(duì)一定數(shù)量的掩模工藝應(yīng)用交疊分區(qū)曝光工藝以優(yōu)化生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間(tact time)。通過(guò)利用在基于分區(qū)曝光工藝或交疊分區(qū)曝光工藝形成圖形時(shí)產(chǎn)生的圖形寬度差異，在第一層上形成圖形。有選擇地應(yīng)用分區(qū)曝光工藝或交疊分區(qū)曝光工藝以在第二層上形成圖形，以便根據(jù)在第一層上形成的圖形獲得圖形裕度。
例如，如果獲得圖形之間的裕度比操作節(jié)拍時(shí)間更重要，那么可以對(duì)制造液晶顯示器件的所有掩模工藝應(yīng)用交疊分區(qū)曝光工藝。
在圖4和圖5中，在四個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域上執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝，在三個(gè)分區(qū)曝光區(qū)域上執(zhí)行分區(qū)曝光工藝。交疊分區(qū)曝光工藝可以應(yīng)用于各種數(shù)量的分區(qū)區(qū)域(例如兩個(gè)分區(qū)區(qū)域)。如上所述，通過(guò)有選擇地執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝，可以顯著減小各層之間的圖形非均勻性。交疊分區(qū)曝光工藝不僅應(yīng)用于形成像素電極的掩模工藝，而且還應(yīng)用于液晶顯示器件的制造工藝中的其它掩模工藝。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明應(yīng)涵蓋所有落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種制造液晶顯示器件的方法，包括執(zhí)行用于形成選通線的掩模工藝；執(zhí)行用于形成有源層的掩模工藝；執(zhí)行用于形成源極/漏極的掩模工藝；執(zhí)行用于在鈍化層上形成接觸孔的掩模工藝；從選通線掩模工藝、有源層掩模工藝、源極/漏極掩模工藝、和接觸孔掩模工藝中選擇一個(gè)掩模工藝；以及在所選擇的掩模工藝中應(yīng)用交疊分區(qū)曝光工藝，其中交疊分區(qū)曝光工藝產(chǎn)生交疊區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括從選通線掩模工藝、有源層掩模工藝、源極/漏極掩模工藝、和接觸孔掩模工藝中選擇一個(gè)附加掩模工藝；以及對(duì)所述附加掩模工藝應(yīng)用交疊分區(qū)曝光工藝以使包括選通層、有源層、源/漏層、鈍化層在內(nèi)的多個(gè)層之間的圖形差異最小化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在用于在形成了接觸孔的鈍化層上形成像素電極的掩模工藝中執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行選通線掩模工藝、執(zhí)行有源層掩模工藝、執(zhí)行源極/漏極掩模工藝、和執(zhí)行接觸孔掩模工藝包括執(zhí)行分區(qū)曝光工藝以形成兩個(gè)或更多個(gè)曝光區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括從選通線掩模工藝、有源層掩模工藝、源極/漏極掩模工藝、和接觸孔掩模工藝中選擇兩個(gè)或更多個(gè)附加工藝；以及對(duì)所述兩個(gè)或更多個(gè)附加工藝應(yīng)用交疊分區(qū)曝光工藝，以使多個(gè)層之間的圖形差異最小化。
6.一種制造液晶顯示器件的方法，該方法包括在用于形成選通線的掩模工藝中通過(guò)把柵曝光區(qū)域劃分為N個(gè)分區(qū)區(qū)域來(lái)執(zhí)行交疊分區(qū)曝光；在用于在形成了選通線的板上淀積有源層材料的掩模工藝中對(duì)M個(gè)有源層曝光區(qū)域應(yīng)用分區(qū)曝光；在用于在形成了有源層的板上淀積金屬層后形成源極/漏極的掩模工藝中，通過(guò)把源/漏曝光區(qū)域劃分為N個(gè)分區(qū)區(qū)域來(lái)進(jìn)行交疊分區(qū)曝光；在用于在形成源極/漏極后淀積鈍化層并在鈍化層中形成接觸孔的掩模工藝中，對(duì)M個(gè)鈍化層曝光區(qū)域應(yīng)用分區(qū)曝光；以及在用于在形成了接觸孔的鈍化層上形成像素電極的掩模工藝中，通過(guò)把像素曝光區(qū)域劃分為N個(gè)分區(qū)區(qū)域來(lái)執(zhí)行交疊分區(qū)曝光。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中N大于M。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中N是4，M是3。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中對(duì)M個(gè)有源層曝光區(qū)域和M個(gè)鈍化層曝光區(qū)域應(yīng)用分區(qū)曝光的步驟包括產(chǎn)生非交疊的分區(qū)曝光區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中執(zhí)行交疊分區(qū)曝光的步驟包括在相鄰分區(qū)區(qū)域之間形成交疊區(qū)域以用于圖形裕度。
11.一種制造液晶顯示器件的方法，該方法包括對(duì)第一多個(gè)掩模工藝應(yīng)用第一曝光工藝，該第一曝光工藝應(yīng)用于被劃分為第一曝光區(qū)域的區(qū)域；以及對(duì)第二多個(gè)掩模工藝應(yīng)用第二曝光工藝，該第二曝光工藝應(yīng)用于被劃分為第二曝光區(qū)域的區(qū)域，其中第二曝光工藝產(chǎn)生交疊區(qū)域；以及其中第一多個(gè)掩模工藝的數(shù)量等于或大于第二多個(gè)掩模工藝的數(shù)量。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括以交替順序應(yīng)用第一曝光工藝和第二曝光工藝。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括在第一子區(qū)域之間產(chǎn)生非交疊區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中應(yīng)用第二曝光工藝的步驟包括對(duì)選通線掩模工藝、源極/漏極掩模工藝和像素電極掩模工藝應(yīng)用第二曝光工藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中應(yīng)用第二曝光工藝的步驟包括對(duì)有源層掩模工藝、鈍化層掩模工藝和像素電極掩模工藝應(yīng)用第二曝光工藝。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中應(yīng)用第二曝光工藝的步驟包括對(duì)選通線掩模工藝、有源層掩模工藝、源極/漏極掩模工藝、鈍化層掩模工藝、和像素電極掩模工藝應(yīng)用第二曝光工藝，以獲得圖形裕度。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括依次形成選通層、有源層、源/漏層、鈍化層和像素層。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括對(duì)具有三個(gè)曝光區(qū)域的層應(yīng)用第一曝光工藝；對(duì)具有四個(gè)曝光區(qū)域的層應(yīng)用第二曝光工藝以產(chǎn)生三個(gè)交疊區(qū)域。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中應(yīng)用第二曝光工藝的步驟包括在以下掩模工藝中的一個(gè)或兩個(gè)掩模工藝中執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝用于形成選通線的掩模工藝；用于形成有源層的掩模工藝；用于形成源極/漏極的掩模工藝；和用于在鈍化層上形成接觸孔的掩模工藝。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中應(yīng)用第二曝光工藝的步驟包括對(duì)像素電極掩模工藝應(yīng)用第二曝光工藝。
全文摘要
提供了一種制造液晶顯示器件的方法。該制造液晶顯示器件的方法包括在從以下掩模工藝中選擇的一個(gè)或兩個(gè)掩模工藝中執(zhí)行交疊分區(qū)曝光工藝用于形成選通線的掩模工藝；用于形成有源層的掩模工藝；用于形成源極/漏極的掩模工藝；和用于在鈍化層上形成接觸孔的掩模工藝。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1766723SQ20051008027
公開日2006年5月3日 申請(qǐng)日期2005年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月26日
發(fā)明者文洪萬(wàn), 李樹雄, 白尚潤(rùn) 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社