專利名稱：平面光源裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種平面光源裝置。
背景技術：
近年來，由于液晶顯示器(liquid crystal display)具有輕、薄、視角廣及低輻射等優(yōu)點，因此被廣泛應用于數(shù)字相機、個人數(shù)字助理(personal digitalassistant)、計算機監(jiān)視器與平面電視等領域。然而，液晶本身并不發(fā)光，所以液晶顯示器需要額外的背光源才能達到顯像的目的。
背光源可概分為兩種一為適用于較大尺寸液晶顯示器的冷陰極熒光燈(cold cathode fluorescent lamp)，另一則為應用于較小尺寸如移動電話屏幕的發(fā)光二極管(light emitting diode)。其中，冷陰極熒光燈因具有汞(Hg)，所以容易對環(huán)境造成污染，而發(fā)光二極管若應用于較大尺寸的液晶顯示器，則需要克服亮度均勻性、高耗電量等問題。因此，一種由等離子體面板(plasmapanel)所構成的平面光源裝置近來甚受重視，其藉由在電極對上施加電壓而使氣體產生等離子體效應而放出紫外線，以激發(fā)熒光層而發(fā)光。此種平面光源裝置具有均勻性高、背光模塊溫度低、壽命長、符合環(huán)保要求等優(yōu)點。
請參考圖1，圖1為美國專利第6590319所披露的一種平面熒光放電光源的結構示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有平面熒光放電光源的結構包括一下玻璃基板11與一上玻璃基板23。下玻璃基板11表面具有多個電極13，一絕緣層15覆蓋于電極13與下玻璃基板11表面，一氧化鎂(MgO)層17設置于絕緣層15上方，而上玻璃基板23相對于下玻璃基板11的表面還具有一熒光層21。其中，此平面熒光放電光源的結構還包括一設于上玻璃基板23、下玻璃基板11之間的間隔壁(spacer)19，用以在上玻璃基板11與下玻璃基板23之間建構出一放電空間，用以填充一氣體20，且其內、外表面均具有熒光層21。
此外，氧化鎂層17作為一保護層，用來保護下玻璃基板11表面的各個電極13，其不但可耐等離子體電離的離子及二次電子的撞擊，并且能在電離的過程中產生較多的二次電子。所以隨著二次電子發(fā)射效率的增加，此平面熒光放電光源的結構的亮度也隨著增加，且其所需的維持電壓也隨著減少。
然而，美國專利第6590319所披露的氧化鎂層17完全覆蓋下玻璃基板11的絕緣層15，而熒光層21僅形成于上玻璃基板23與間隔壁19上，所以美國專利第6590319的平面熒光放電光源的結構的發(fā)光效率會因為下玻璃基板11表面不具有熒光層21而降低。因此如何改善此問題，已成為一重要的課題。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種新的平面光源裝置的結構，以改善上述問題。
本發(fā)明披露一種平面光源裝置，其包括有一下基板與一上基板。下基板的上表面上依次覆蓋有至少一電極對、一介電層與一第一熒光層。而上基板平行設置于下基板上方，且上基板相對于下基板的下表面依次設置有一第一氧化鎂(MgO)層以及一設置于第一氧化鎂層部分表面的圖案化(patterned)的第二熒光層。其中本發(fā)明的平面光源裝置還包括一放電空間，其設置于下基板與上基板之間，以及一氣體，填充于該放電空間中。
本發(fā)明還披露一種平面光源裝置，其包括有一下基板與一上基板。下基板的上表面上依次覆蓋有至少一電極對、一介電層與一第一熒光層。而上基板平行設置于下基板上方，且上基板相對于下基板的下表面設置有一圖案化的第一氧化鎂層與一圖案化的第二熒光層。其中圖案化的第一氧化鎂層與圖案化的第二熒光層交錯排列成一預定圖案(predetermined pattern)。本發(fā)明的平面光源裝置還包括一放電空間，設置于下基板與上基板之間，以及一氣體，填充于該放電空間中。
本發(fā)明還披露一種平面光源裝置，其包括有一下基板與一上基板。下基板的上表面上依次覆蓋有至少一電極對、一介電層、一氧化鎂層與一圖案化的第一熒光層。而上基板平行設置于下基板上方，且上基板相對于下基板的下表面設置有一第二熒光層。本發(fā)明的平面光源裝置還包括一放電空間，設置于下基板與上基板之間，以及一氣體，填充于該放電空間中。
由于本發(fā)明的平面光源裝置的上、下基板表面均具有熒光層，所以可大幅提升本發(fā)明的平面光源裝置的發(fā)光效率。另外，本發(fā)明的平面光源裝置具有氧化鎂層，可耐離子及二次電子的撞擊，并產生較多的二次電子，因此隨著二次電子發(fā)射效率的增加，本發(fā)明的平面光源裝置的亮度也隨著增加，且其所需的維持電壓也隨著減少。


圖1為美國專利第6590319所披露的一種平面熒光放電光源的結構示意圖。
圖2為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的平面光源裝置的結構示意圖。
圖3為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的平面光源裝置的結構示意圖。
圖4為本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的平面光源裝置的結構示意圖。
圖5為本發(fā)明第四優(yōu)選實施例的平面光源裝置的結構示意圖。
圖6為本發(fā)明第五優(yōu)選實施例的平面光源裝置的結構示意圖。
圖7為本發(fā)明第六優(yōu)選實施例的平面光源裝置的結構示意圖。
圖8為本發(fā)明第七優(yōu)選實施例的平面光源裝置的結構示意圖。
圖9為本發(fā)明第八優(yōu)選實施例的平面光源裝置的結構示意圖。
主要組件符號說明11下玻璃基板13電極15絕緣層17氧化鎂層19間隔壁20氣體21熒光層23上玻璃基板100 平面光源裝置 102 上基板103 氣體 104 下基板106 氧化鎂層 108 熒光層110 反射層112 電極對114 介電層116 熒光層200 平面光源裝置 202 上基板204 下基板206 氧化鎂層208 熒光層210 反射層212 電極對214 介電層216 氧化鎂層 218 熒光層
300平面光源裝置 302上基板304下基板306氧化鎂層308熒光層310電極對312介電層314反射層316氧化鎂層 318熒光層320具有預定圖案的結構400平面光源裝置402上基板404下基板406氧化鎂層 408熒光層410具有預定圖案的結構412反射層414電極對416介電層418熒光層500平面光源裝置502上基板504下基板506氧化鎂層 508熒光層510具有預定圖案的結構512反射層514電極對516介電層518氧化鎂層 520熒光層600平面光源裝置 602上基板604下基板606氧化鎂層608熒光層610具有預定圖案的結構611電極對612介電層614反射層616氧化鎂層618熒光層620具有預定圖案的結構700平面光源裝置 702上基板704下基板706熒光層708反射層710電極對712介電層714氧化鎂層716熒光層718具有預定圖案的結構800平面光源裝置 802上基板804下基板806熒光層808反射層810電極對812介電層814氧化鎂層
816熒光層具體實施方式
請參考圖2，圖2為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的平面光源裝置100的結構示意圖。本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的平面光源裝置100包括一上基板102與一下基板104，上基板102與下基板104可由玻璃(glass)或石英(quartz)等材料所構成，且上基板102與下基板104之間還設置有多個間隔壁(spacer)(未顯示)，用以在上基板102與下基板104之間建構出一放電空間，用以填充一氣體103。
如圖2所示，上基板102平行設置于下基板104上方，且在上基板102的一表面上依次設置有一氧化鎂(MgO)層106與一圖案化(patterned)的熒光層108，例如排列成一預定圖案的熒光層。其中，本發(fā)明的氧化鎂層106利用一濺鍍工藝形成于整個上基板102的表面。由于上基板102的表面相當平坦，因此氧化鎂層106可以形成最佳結晶面(220)，以產生最佳的二次電子發(fā)射效率。接著，利用一絲網(wǎng)印刷工藝在氧化鎂層106部分表面形成圖案化的熒光層108，并且暴露出未被遮蔽的部分氧化鎂層106。
而下基板104相對于上基板102的一表面則可選擇性地先形成一反射層110，接著在反射層110上形成至少一電極對112，然后再依次形成一介電層114與一熒光層116并覆蓋在電極對112與反射層110上。其中，介電層114可以僅形成于電極對112上方并覆蓋部分下基板104的表面，如圖2所示，或者介電層114也可形成于電極對112上方并覆蓋整個下基板104上表面。此外，熒光層116可利用一絲網(wǎng)印刷工藝形成于介電層114與反射層110上。
由于本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的平面光源裝置100的上基板102下表面與下基板104上表面均具有熒光層，所以熒光層的面積較現(xiàn)有技術多1.5倍以上，因此平面光源裝置100的發(fā)光效率也較現(xiàn)有技術優(yōu)良，而且平面光源裝置100的氧化鎂層106同樣增加二次電子的發(fā)射效率，得以較少的維持電壓來提升平面光源裝置100的亮度。
請參考圖3，圖3為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的平面光源裝置200的結構示意圖。本發(fā)明第二優(yōu)選實施例不同于第一優(yōu)選實施例的地方在于，第二優(yōu)選實施例的下基板204上還包括有一氧化鎂層216。如圖3所示，本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的平面光源裝置200包括一上基板202與一下基板204。其中，上基板202平行設置于下基板204上方，且上基板202相對下基板204的表面上依次設置有一氧化鎂層206與一圖案化的熒光層208，例如排列成一預定圖案的熒光層，而且圖案化的熒光層208形成于氧化鎂層206部分表面，并暴露出未被遮蔽的部分氧化鎂層206。
下基板204相對于上基板202的表面也可選擇性地先形成一反射層210，接著在反射層210上形成至少一電極對212，然后再依次形成一介電層214、一氧化鎂層216與一具有預定圖案的熒光層218并覆蓋于電極對212與反射層210上。其中，具有預定圖案的熒光層218設置于氧化鎂層216上，并且暴露出未被遮蔽的部分氧化鎂層216。
由于本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的平面光源裝置200的上基板202下表面與下基板204上表面均具有熒光層及氧化鎂層，因此平面光源裝置200具有較佳的發(fā)光效率與較低的維持電壓。
請參考圖4，圖4為本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的平面光源裝置300的結構示意圖。本發(fā)明第三優(yōu)選實施例不同于第二優(yōu)選實施例的地方在于，第三優(yōu)選實施例的下基板304上的一氧化鎂層316與一熒光層318交錯設置并共同排列成一具有預定圖案的結構320。
如圖4所示，本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的平面光源裝置300包括一上基板302與一下基板304。其中，上基板302平行設置于下基板304上方，且上基板302相對于下基板304的表面上依次設置有一氧化鎂層306與一圖案化的熒光層308，例如排列成一預定圖案的熒光層，而且圖案化的熒光層308形成于氧化鎂層306部分表面，并暴露出未被遮蔽的部分氧化鎂層306。
而下基板304相對于上基板302的表面上則覆蓋有至少一電極對310，接著形成一介電層312并覆蓋于電極對310與下基板304表面上方，并且可選擇性地形成一反射層314覆蓋于介電層312與下基板304上表面上。然后利用一屏蔽與一濺鍍工藝或一濺鍍工藝與一蝕刻工藝，在平坦的反射層314表面形成一具有預定圖案的氧化鎂層316，以獲得具有最佳結晶面(220)的氧化鎂層316。最后再利用一絲網(wǎng)印刷工藝在反射層314表面上未具有氧化鎂層316的地方形成一熒光層318。其中，氧化鎂層316及熒光層318不相重迭并交錯地設置于下基板304的表面上，且共同排列成一具有預定圖案的結構320。
請參考圖5，圖5為本發(fā)明第四優(yōu)選實施例的平面光源裝置400的結構示意圖。如圖5所示，本發(fā)明第四優(yōu)選實施例的平面光源裝置400包括一上基板402與一下基板404。其中，上基板402平行設置于下基板404上方，且上基板402相對于下基板404的表面上先利用一濺鍍工藝形成一圖案化的氧化鎂層406于平坦的上基板402表面上，以獲得具有最佳結晶面(220)的氧化鎂層406，再利用一絲網(wǎng)印刷工藝在上基板402表面上未具有氧化鎂層406的地方形成一圖案化的熒光層408。其中，圖案化的氧化鎂層406及圖案化的熒光層408不相重迭并交錯設置于上基板402的表面上，且共同排列成一具有預定圖案的結構410。而下基板404相對于上基板402的表面上可選擇性地先形成一反射層412，接著在反射層412上形成至少一電極對414，然后再依次形成一介電層416與一熒光層418并覆蓋電極對414與反射層412。
請參考圖6，圖6為本發(fā)明第五優(yōu)選實施例的平面光源裝置500的結構示意圖。本發(fā)明第五優(yōu)選實施例不同于第四優(yōu)選實施例的地方在于，第五優(yōu)選實施例的下基板504上還包括有一氧化鎂層518。如圖6所示，本發(fā)明第五優(yōu)選實施例的平面光源裝置500包括一上基板502與一下基板504。其中，上基板502平行設置于下基板504上方，且上基板502相對下基板504的下表面上先利用一濺鍍工藝形成一圖案化的氧化鎂層506于平坦的上基板502下表面，以獲得具有最佳結晶面(220)的氧化鎂層506，再利用一絲網(wǎng)印刷工藝在上基板502下表面上未具有氧化鎂層506的地方形成一圖案化的熒光層508。其中，圖案化的氧化鎂層506及圖案化的熒光層508不相重迭并交錯設置于上基板502的下表面上，且共同排列成一具有預定圖案的結構510。
而下基板504相對于上基板502的上表面可選擇性地先形成一反射層512，接著在下基板504表面的反射層512上形成至少一電極對514，然后再依次形成一介電層516、一氧化鎂層518與一具有預定圖案的熒光層520并覆蓋于電極對514與下基板504反射層512上方。其中，具有預定圖案的熒光層520覆蓋于部分氧化鎂層518上，并且暴露出未被遮蔽的部分氧化鎂層518。
請參考圖7，圖7為本發(fā)明第六優(yōu)選實施例的平面光源裝置600的結構示意圖。本發(fā)明第六優(yōu)選實施例不同于第五優(yōu)選實施例的地方在于，第六優(yōu)選實施例的上、下基板602、604表面的氧化鎂層606、616與熒光層608、618均各交錯排列成一具有預定圖案的結構610、620。如圖7所示，本發(fā)明第六優(yōu)選實施例的平面光源裝置600包括一上基板602與一下基板604。其中，上基板602平行設置于下基板604上方，且上基板602相對下基板604的下表面上先利用一濺鍍工藝形成一圖案化的氧化鎂層606于平坦的上基板602下表面，以獲得具有最佳結晶面(220)的氧化鎂層606，再利用一絲網(wǎng)印刷工藝在上基板602下表面上未具有氧化鎂層606的地方形成一圖案化的熒光層608。其中，圖案化的氧化鎂層606及圖案化的熒光層608不相重迭并交錯設置于上基板602的下表面上，且共同排列成一具有預定圖案的結構610。
而下基板604相對于上基板602的上表面形成有至少一電極對611，接著形成一介電層612覆蓋于電極對611與下基板604上表面上方，并可選擇性地在介電層612與下基板604上表面上形成一反射層614。然后利用一濺鍍工藝先形成一具有預定圖案的氧化鎂層616于平坦的反射層614表面，以獲得具有最佳結晶面(220)的氧化鎂層616，再利用一絲網(wǎng)印刷工藝在反射層614表面上未具有氧化鎂層616的地方形成一熒光層618。其中，熒光層618也具有一預定圖案，且氧化鎂層616及熒光層618交錯設置于下基板604的上表面上，并共同排列成一具有預定圖案的結構620。
請參考圖8，圖8為本發(fā)明第七優(yōu)選實施例的平面光源裝置700的結構示意圖。如圖8所示，本發(fā)明第七優(yōu)選實施例的平面光源裝置700包括一上基板702與一下基板704。其中，上基板702平行設置于下基板704上方，且在上基板702相對下基板704的下表面上利用一絲網(wǎng)印刷工藝形成一熒光層706。
而下基板704相對于上基板702的上表面可選擇性地先形成一反射層708，接著在下基板704上表面的反射層708上形成至少一電極對710，再在電極對710與反射層708上方形成一介電層712。然后利用一濺鍍工藝先在平坦的反射層708表面形成一具有預定圖案的氧化鎂層714，以獲得具有最佳結晶面(220)的氧化鎂層714，再利用一絲網(wǎng)印刷工藝在反射層708與介電層712表面上未具有氧化鎂層714的地方形成一熒光層716。其中，熒光層716也具有一預定圖案，且氧化鎂層714及熒光層716交錯設置于下基板704的上表面并共同排列成一具有預定圖案的結構718。
請參考圖9，圖9為本發(fā)明第八優(yōu)選實施例的平面光源裝置800的結構示意圖。如圖9所示，本發(fā)明第八優(yōu)選實施例的平面光源裝置800包括一上基板802與一下基板804。其中，上基板802平行設置于下基板804上方，且在上基板802相對下基板804的下表面上利用一絲網(wǎng)印刷工藝形成一熒光層806。
而下基板804相對于上基板802的上表面可選擇性地先形成一反射層808，接著在下基板804上表面的反射層808上形成至少一電極對810，再在電極對810與反射層808上方形成一介電層812。然后在介電層812與反射層808表面上方再依次形成一氧化鎂層814與一具有預定圖案的熒光層816。其中，具有預定圖案的熒光層816覆蓋于部分氧化鎂層814上，并且暴露出未被遮蔽的部分氧化鎂層814。
相比于現(xiàn)有技術，由于本發(fā)明的平面光源裝置的上、下基板表面均具有熒光層，所以可大幅提高本發(fā)明的平面光源裝置的發(fā)光效率。另外，本發(fā)明平面光源裝置的氧化鎂層直接形成于平坦的上、下基板、介電層或反射層上方，故不會受到堆疊熒光層的多孔性厚膜的影響，而可獲得具有最佳結晶面(220)的氧化鎂層，以產生最佳的二次電子發(fā)射效率，而且氧化鎂層可耐離子及二次電子的撞擊，因此隨著二次電子發(fā)射效率的增加，本發(fā)明的平面光源裝置的有效亮度也隨著增加，且其所需的維持電壓也隨著減少。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權利要求所做的均等變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權利要求
1.一種平面光源裝置，包括一下基板，其上表面設置至少一電極對、一覆蓋該電極對的介電層及一覆蓋該介電層的第一熒光層；一上基板，設置于該下基板上方，其下表面設置有第一氧化鎂層及一設置在該第一氧化鎂層的部分表面的第二熒光層，而該上基板與該下基板之間形成一放電空間；以及一氣體，填充在該放電空間中。
2.如權利要求1所述的平面光源裝置，其中該圖案化的第二熒光層排列成一預定圖案，并暴露出部分該第一氧化鎂層。
3.如權利要求1所述的平面光源裝置，其中該下基板還包括一覆蓋該介電層、該電極對以及該下基板的上表面的第二氧化鎂層。
4.如權利要求3所述的平面光源裝置，其中該第一熒光層設置于該第二氧化鎂層之上，且該第一熒光層具有一預定圖案并暴露出部分該第二氧化鎂層。
5.如權利要求1所述的平面光源裝置，其中該下基板還包括一第二氧化鎂層，且該第二氧化鎂層及該第一熒光層交錯設置于該下基板的上表面并共同排列成一預定圖案的結構。
6.如權利要求1所述的平面光源裝置，其中該下基板還包括一反射層，覆蓋于該下基板的上表面且該電極對設置于該反射層表面上。
7.如權利要求1所述的平面光源裝置，其中該下基板另包括一反射層，覆蓋于該介電層、該電極對以及該下基板的上表面上。
8.一種平面光源裝置，包括一下基板，其上表面設置至少一電極對、一覆蓋該電極對的介電層及一覆蓋該介電層的第一熒光層；一上基板，設置在該下基板上方，而一圖案化氧化鎂層及一圖案化熒光層交錯設置在該上基板的下表面并形成一預定圖案，且該上基板與該下基板之間形成一放電空間；以及一氣體，填充在該放電空間中。
9.如權利要求8所述的平面光源裝置，其中該下基板還包括有一反射層，覆蓋于該下基板的上表面且該電極對設置于該反射層表面。
10.如權利要求9所述的平面光源裝置，其中該下基板還包括一第二氧化鎂層，覆蓋于該介電層以及該反射層上。
11.如權利要求10所述的平面光源裝置，其中該下基板的第一熒光層設置于該第二氧化鎂層之上，且該第一熒光層具有一預定圖案并暴露出部分該第二氧化鎂層。
12.如權利要求8所述的平面光源裝置，其中該下基板還包括一第二氧化鎂層，且該第二氧化鎂層及該第一熒光層交錯設置于該下基板的上表面上并共同排列成一預定圖案的結構。
13.如權利要求8所述的平面光源裝置，其中該下基板還包括有一反射層，覆蓋于該介電層、該電極對以及該下基板的上表面上。
14.一種平面光源裝置，包括一下基板，其上表面設置至少一電極對、一覆蓋該電極對的介電層、一氧化鎂層及一圖案化的第一熒光層；一上基板，設置在該下基板上方，而一第二熒光層設置在該上基板的下表面，且該上基板與該下基板之間形成一放電空間；以及一氣體，填充在該放電空間中。
15.如權利要求14所述的平面光源裝置，其中該圖案化的第一熒光層排列成一預定圖案，并暴露出部分該氧化鎂層。
16.如權利要求14所述的平面光源裝置，其中該氧化鎂層及該圖案化的第一熒光層交錯設置于該下基板的上表面并共同排列成一預定圖案。
17.如權利要求14所述的平面光源裝置，其中該下基板還包括一反射層，覆蓋于該下基板的上表面且該電極對設置于該反射層表面。
全文摘要
一種平面光源面板，包括一下基板與一上基板。下基板的上表面上依次覆蓋有至少一電極對、一介電層與一第一熒光層。而上基板平行設置于下基板上方，且上基板相對于下基板的下表面依次設置一第一氧化鎂層，及設置于第一氧化鎂層部分表面的一圖案化的第二熒光層。其中，平面光源面板還包括一放電空間設置于下基板與上基板之間，以及一氣體填充在該放電空間中。
文檔編號G02F1/1335GK1963986SQ200510120229
公開日2007年5月16日 申請日期2005年11月7日 優(yōu)先權日2005年11月7日
發(fā)明者丁初稷, 謝宇恒, 孫國升 申請人:中華映管股份有限公司