專利名稱：共平面開關(guān)模式液晶顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件，尤其涉及一種共平面開關(guān)(IPS)模式LCD器件，其中在一個單位像素區(qū)域中液晶分子以多角度取向以在不降低孔徑比的情況下提高響應(yīng)速度。
背景技術(shù)：
近來，一直在積極研發(fā)包括LCD器件的平板顯示器。LCD器件通過向具有流動性和光學(xué)特性的液晶施加電場改變該液晶的光學(xué)各向異性。LCD器件由于與陰極射線管(CRT)相比較具有重量輕、屏幕尺寸大、分辨率高和功耗低的特征和優(yōu)點而被廣泛使用。
LCD器件根據(jù)液晶和電極結(jié)構(gòu)的特征而具有各種工作模式。LCD器件的一些示例性模式包括扭曲向列(TN)模式LCD器件、多疇模式LCD器件、光學(xué)補償雙折射(OCB)模式LCD器件、垂直對準(zhǔn)(VA)模式LCD器件以及IPS模式LCD器件。
在TN模式LCD器件中，液晶指向矢以90°的扭曲角度排列并且施加電壓以控制液晶指向矢。在多疇模式LCD器件中，將一個像素劃分為多個疇并且各疇的主視角彼此不同以在整體上獲得該器件的寬視角。在OCB模式LCD器件中，在基板的外表面粘附有補償膜以根據(jù)光的行進(jìn)方向補償光的相位變化。在VA模式LCD器件中，采用負(fù)液晶和垂直定向膜在定向膜上垂直排列液晶分子。在IPS模式LCD器件中，在一個基板上形成兩個電極并且液晶指向矢按照與定向膜平行的方向扭曲。
其中，IPS模式LCD器件包括彼此相對設(shè)置的濾色片陣列基板和薄膜晶體管陣列基板，并且在二者之間夾有液晶層。濾色片陣列基板設(shè)置有防止漏光的黑矩陣層和在黑矩陣層上形成的顯示色彩的R/G/B濾色片層。薄膜晶體管陣列基板設(shè)置有限定單位像素的柵線和數(shù)據(jù)線，在柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉處形成的薄膜晶體管，以及交替設(shè)置以產(chǎn)生橫向電場的公共電極和像素電極。
下面參照


現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD器件。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD器件的單位像素的平面圖，圖2示出了第二現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD器件的單位像素的平面圖，以及圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)器件的電壓-透射比關(guān)系圖。
如圖1所示，第一現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD器件的薄膜晶體管陣列基板包括柵線12和與柵線12垂直交叉以限定單位像素的數(shù)據(jù)線15、薄膜晶體管20和公共線25。單位像素包括多個公共電極24和多個像素電極17。薄膜晶體管20形成在單位像素中并且用作開關(guān)元件。公共線25與柵線12平行形成。公共電極24從單體形式的公共線25延伸形成并且在單位像素中沿著柵線12設(shè)置。像素電極17在公共電極24之間交替形成并且與公共電極24平行。
通過像素電極17和公共電極24將一個單位像素區(qū)域劃分為多個區(qū)塊30。從有源區(qū)的外圍向公共線25和公共電極24提供信號Vcom。各像素電極17連接到各薄膜晶體管20的漏極15b以接收像素信號，從而使得區(qū)塊30中的液晶分子通過在公共電極24和像素電極17之間形成的橫向電場重新排列。
在圖1中，像素電極17和公共電極24沿著柵線以相對于柵線(0°)10°的角度α設(shè)置。液晶分子初始沿著柵線12的方向取向并且然后通過沿垂直于像素電極17和公共電極24的方向的橫向電場重新排列以確定光的透射比。在通常的IPS模式器件中，由于液晶分子相對于研磨方向的最大透射角度是45°，所以當(dāng)將電壓施加到初始排列的液晶分子時，該液晶分子旋轉(zhuǎn)45°-α，即35°。
在如圖1所示的第一現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD器件中，單位像素區(qū)域被劃分為十六個區(qū)塊30。
然而，第一現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD器件存在關(guān)于響應(yīng)速度的問題。即，第一現(xiàn)有技術(shù)器件的響應(yīng)時間很慢。為了解決該問題，如圖2所示，在第二現(xiàn)有技術(shù)器件中，像素電極117和公共電極124沿著柵線112以相對于柵線112(0°)10°的角度β設(shè)置。
在第二現(xiàn)有技術(shù)器件中，液晶分子初始沿著柵線112的方向取向并且然后通過沿垂直于像素電極117和公共電極124的方向的橫向電場重新排列。如上所述，液晶分子相對于研磨方向的最大透射角度是45°。這樣，在該示例中，在第二現(xiàn)有技術(shù)器件中，當(dāng)將電壓施加到初始取向的液晶分子時，該液晶分子旋轉(zhuǎn)45°-β，即25°。由于將液晶分子旋轉(zhuǎn)25°比將其旋轉(zhuǎn)35°會更快發(fā)生，所以第二現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD器件與第一現(xiàn)有技術(shù)器件相比，響應(yīng)速度得到了提高。
另一方面，由于在第二現(xiàn)有技術(shù)器件中，各像素電極117和各公共電極124以相對于柵線112具有20°的彎曲角度設(shè)置，而不是第一現(xiàn)有技術(shù)器件中的10°，因此像素電極和公共電極的區(qū)塊130數(shù)目減少到十四個，其比第一現(xiàn)有技術(shù)器件中的區(qū)塊30的數(shù)目少。
換句話說，在現(xiàn)有技術(shù)中，如果像素電極和公共電極的排列角度增加，則在具有固定尺寸的單位像素區(qū)域中形成的電極數(shù)目就相應(yīng)的減少，從而減少了區(qū)塊數(shù)目。當(dāng)區(qū)塊的數(shù)目，即像素電極和公共電極的數(shù)目減少時，亮度也降低。因此，現(xiàn)有技術(shù)器件的折中是響應(yīng)時間的改善以亮度的減少為代價。
換句話說，現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD器件具有下面的問題。
在公共電極和像素電極沿著柵線設(shè)置的IPS模式LCD器件中，如果公共電極和像素電極相對于柵線以具有10°的彎曲角度設(shè)置，則由于區(qū)塊數(shù)目的增加而提高了該器件的亮度。然而，由于液晶分子的旋轉(zhuǎn)角度很大，降低了響應(yīng)速度。
另一方面，如果公共電極和像素電極相對于柵線以具有20°的彎曲角度設(shè)置，則液晶分子的響應(yīng)速度會增加。然而，由于電極增加的角度，在固定尺寸的單位像素區(qū)域中形成的區(qū)塊數(shù)目會減少，從而降低器件的開口區(qū)域。
圖1和圖2的現(xiàn)有技術(shù)器件還存在其它問題。圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD器件的電壓-透射比特性，其中飽和電壓Vsat1和Vsat2在寬度上都很小。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種IPS模式LCD器件，其基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而產(chǎn)生的一個或者多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種IPS模式LCD器件，其中在一個單位像素區(qū)域中液晶分子以多個角度取向以在不降低孔徑比的情況下提高響應(yīng)速度并且改善透射比-電壓特性。
本發(fā)明的附加優(yōu)點、目的和特征將在后面的描述中得以闡明，通過以下描述，將使其對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見，或者可通過實踐本發(fā)明來認(rèn)識。本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點可通過說明書及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和得到。
為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述，按照本發(fā)明實施方式的一種共平面開關(guān)模式液晶顯示器件包括在第一基板上彼此交叉從而限定多個單位像素區(qū)域的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，其中各單位像素區(qū)域被劃分為第一、第二和第三子區(qū)域。該器件還包括設(shè)置在柵線與數(shù)據(jù)線的多個交叉處的用于各單位像素的多個薄膜晶體管以及與所述多條柵線平行設(shè)置的多條公共線。在各單位像素中，多個公共電極從所述公共線分支并且在所述第一子區(qū)域中相對于所述柵線以第一角度彎曲，在所述第二子區(qū)域中相對于所述柵線以第二角度彎曲，并且在所述第三子區(qū)域中相對于所述柵線以第三角度彎曲。該器件還包括在單位像素中連接到各薄膜晶體管漏極并且與所述多個公共電極平行設(shè)置的多個像素電極。在所述第一基板和與所述第一基板相對的第二基板之間設(shè)置液晶層。
在所述單位像素中的電極可以在不同的子區(qū)域中以不同的角度彎曲。例如，在所述第一子區(qū)域中所述公共電極和像素電極以20°的角度彎曲，在所述第二子區(qū)域中以15°的角度彎曲并且在所述第三子區(qū)域中以10°的角度彎曲，從而初始沿所述柵線(0°)取向的液晶分子沿多個方向重新取向以提高響應(yīng)速度。
在第一子區(qū)域中設(shè)置所述薄膜晶體管以在所述單位像素區(qū)域獲得優(yōu)化數(shù)目的區(qū)塊，從而提高所述器件的亮度。
應(yīng)該理解，本發(fā)明上面的概述和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的，意欲對所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步解釋。

所包括的用于提供對本發(fā)明進(jìn)一步解釋并引入構(gòu)成本申請一部分的

了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中
圖1示出了第一現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD器件的單位像素的平面圖；圖2示出了第二現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD器件的單位像素的平面圖；圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)器件的電壓-透射比關(guān)系曲線圖；圖4示出了按照本發(fā)明實施方式的IPS模式LCD器件的單位像素的平面圖；圖5A到5C示出了圖4中的子區(qū)域I、II和III的放大平面圖；圖6示出了按照本發(fā)明實施方式的器件的電壓-透射比關(guān)系曲線圖；以及圖7示出了按照本發(fā)明實施方式的示例性薄膜晶體管。
具體實施例方式
以下將參照附圖所示的實施例來詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。盡可能的，在整個附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。
圖4示出了按照本發(fā)明實施方式的IPS模式LCD器件的單位像素的平面圖，圖5A到5C示出了圖4中的子區(qū)域I、II和III的放大平面圖，圖6示出了按照本發(fā)明實施方式的器件的電壓-透射比關(guān)系曲線圖，并且圖7示出了按照本發(fā)明實施方式的示例性薄膜晶體管。
如圖4所示，按照本發(fā)明的IPS模式LCD器件的薄膜晶體管陣列基板包括沿一方向設(shè)置的多條柵線512以及與柵線交叉的多條數(shù)據(jù)線515以限定單位像素區(qū)域。該單位像素區(qū)域分別被劃分為子區(qū)域I、II和III。
對于各單位像素，包括薄膜晶體管520以用作開關(guān)元件。該單位像素還包括從公共線525分支出來以向其提供信號Vcom的公共電極524。公共電極在子區(qū)域I、II和III中以不同角度彎曲。
該單位像素包括與公共電極524對應(yīng)的像素電極517。各像素電極517通過接觸孔518連接到薄膜晶體管520的漏極515b以與公共電極524形成橫向電場。
盡管示出了三個子區(qū)域，但是這只是示例性的并且本發(fā)明并不局限于此。子區(qū)域的數(shù)目可以是兩個或者多個。
再參照圖4，在各子區(qū)域中，公共電極524和像素電極517彼此相對于柵線512以基本上相同的角度彎曲設(shè)置。而且在子區(qū)域I、II和III中像素電極517和公共電極524的彎曲角度不同。如圖5A到5C所示，在子區(qū)域I中公共電極524于像素電極517以20°的角度彎曲，在子區(qū)域II中以15°的角度彎曲，而在子區(qū)域III中以10°的角度彎曲。初始沿柵線方向取向的液晶分子550具有與以不同的恒定角度彎曲的電極的彎曲角度相同的研磨效果。
因此，初始沿柵線研磨取向(0°)的液晶分子550通過在像素電極517和公共電極524之間形成的橫向電場以相對于研磨方向45°的旋轉(zhuǎn)角度重新排列以確定光的透射比。當(dāng)將電壓施加到液晶分子以驅(qū)動白屏幕時，由于在子區(qū)域I中電極角度是20°，液晶分子550旋轉(zhuǎn)25°。由于在子區(qū)域II中電極角度是15°，液晶分子550旋轉(zhuǎn)30°。由于在子區(qū)域III中電極角度是10°，液晶分子550旋轉(zhuǎn)35°。當(dāng)施加電場時，在子區(qū)域I、II和III中的液晶分子550由于其粘性而導(dǎo)致的相互作用(mutualn action)而一起旋轉(zhuǎn)。因此，液晶分子的響應(yīng)速度變得很快。此外，可以降低驅(qū)動液晶分子的驅(qū)動電壓。
再次強調(diào)，這里所示的實施方式只是示例。子區(qū)域的數(shù)目并不局限于三個。而且，像素電極517和公共電極524的彎曲角度并不局限于圖5所示的特定值。優(yōu)選地，子區(qū)域中電極-像素電極或者公共電極的彎曲角度不同于相鄰子區(qū)域中相同電極的彎曲角度。并且優(yōu)選地，電極橫跨所有的子區(qū)域以實現(xiàn)提高響應(yīng)速度和增加亮度的優(yōu)點。
參照圖6，其示出了本實施方式的電壓-透射比曲線，應(yīng)該注意，按照具有多角度電極的IPS模式LCD器件的飽和電壓Vsat3具有比現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD器件更大的寬度。
作為一個實施例，假設(shè)將以相對于電極15°角度研磨的液晶分子旋轉(zhuǎn)45°的角度所需的飽和電壓是15V(7V的公共電極)。然后，由于按照本實施方式以20°的角度研磨的液晶分子需要25°的不同值以旋轉(zhuǎn)45°的角度，所以可以由14V的電壓驅(qū)動。根據(jù)本發(fā)明實施方式以10°角度研磨的液晶分子由于由于其粘性在以20°的角度研磨的液晶分子的作用下具有快的響應(yīng)速度。因此，在多研磨角度模式中，飽和電壓可以在14V-15V的范圍內(nèi)。這在驅(qū)動電壓的容限中是相當(dāng)可觀的增加。
進(jìn)而，當(dāng)公共電極524和像素電極517在子區(qū)域I、II和III中以不同的彎曲角度設(shè)置時，位于各像素電極517和各公共電極524之間的區(qū)塊530保持寬度d，并且設(shè)置像素電極517和公共電極524具有相同的寬度d。
公共線525可以設(shè)置在像素區(qū)域的中間。當(dāng)這樣設(shè)置時，處于像素區(qū)域的上下部分處的像素電極517和公共電極524相對于公共線525對稱設(shè)置。像素電極517和公共電極524之間的寬度d對應(yīng)于兩電極之間的垂直寬度。如果各自電極的長度變化，在常黑模式中，當(dāng)驅(qū)動白屏幕時驅(qū)動電壓發(fā)生變化。因此，優(yōu)選地，各自電極之間的長度保持均勻。
如上所述，由于處于像素區(qū)域的上下部分處的像素電極和公共電極以多個彎曲角度對稱設(shè)置，在電極以20°角度彎曲的子區(qū)域I中柵線與數(shù)據(jù)線交叉的部分處發(fā)生冗余容限(redundant margin)。換句話說，在電極以大彎曲角度設(shè)置的子區(qū)域中，獲得了使電極的縱橫比最大化的冗余空間。可以在該冗余空間內(nèi)設(shè)置薄膜晶體管520以獲得薄膜晶體管設(shè)計區(qū)域(W/L)的足夠容限。
通常，在具有多個子區(qū)域的單位像素區(qū)域，優(yōu)選地，在鄰近于柵線和數(shù)據(jù)線交叉處的子區(qū)域中(在設(shè)置開關(guān)元件的區(qū)域中)的電極的彎曲角度最大。如上所述，這提供了冗余空間以使縱橫比最大化。沿著相似的線，優(yōu)選地，在更靠近柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處的子區(qū)域中電極的彎曲角度大于遠(yuǎn)離同一交叉處的子區(qū)域中的彎曲角度。
當(dāng)公共線置于單位像素的中間時，優(yōu)選地，像素電極和公共電極關(guān)于公共線對稱設(shè)置。當(dāng)這樣設(shè)置時，對于任一特定的像素電極或者公共電極，對應(yīng)于柵線應(yīng)該具有以基本上相同的彎曲角度設(shè)置的另一電極以及以基本上對稱的彎曲角度設(shè)置的另一電極。
像素電極和公共電極以多彎曲角度設(shè)置，可以對該單位像素區(qū)域進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計。因此，可以增加區(qū)塊530的數(shù)目以提高孔徑比。
按照本實施方式的像素電極和公共電極的設(shè)置圖案具有電極以大的彎曲角度設(shè)置的器件的優(yōu)點以及電極以小的彎曲角度設(shè)置的器件的優(yōu)點。
再參照圖4，柵線512、公共線525和公共電極524由諸如Cu、Al、AlNd(釹化鋁)、Mo、Cr、Ti、Ta和MoW等不透明金屬形成并且彼此平齊。公共線525和公共電極524可以由相同的材料一體形成。各像素電極517由諸如氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)的透明導(dǎo)電層形成。
圖7示出了按照本發(fā)明實施方式的示例性薄膜晶體管520。該薄膜晶體管520包括設(shè)置在基板702上方的柵極712和公共電極714。在柵極712和公共電極714以及基板702上方設(shè)置柵絕緣層710。在柵絕緣層710和柵極712上方設(shè)置半導(dǎo)體層716以用作TFT 520的溝道。在半導(dǎo)體層716的一側(cè)形成漏極720并且在另一側(cè)形成源極718。在該TFT結(jié)構(gòu)上方設(shè)置有鈍化層722。通過接觸孔724設(shè)置像素電極726?？梢酝ㄟ^采用等離子體增強型化學(xué)汽相沉積(PECVD)方法沉積諸如SiNx和SiOx的無機絕緣材料形成柵絕緣層710和鈍化層722。
柵極712可以連接到圖4的柵線512。實際上，柵極712可以與柵線512一體形成。漏極720可以連接到數(shù)據(jù)線515或者與數(shù)據(jù)線515一體形成。圖7中的漏極720、接觸孔724、像素電極726和公共電極714可以對應(yīng)于圖4中的漏極515b、接觸孔518、像素電極517和公共線/公共電極525、524。
在施加有信號Vcom的公共線525和公共電極524與施加有像素電壓的像素電極517重疊的部分形成存儲電容。在圖7中，這對應(yīng)于與公共電極714重疊的像素電極726。該存儲電容用于在薄膜晶體管的截止期間維持施加到液晶層的電壓以防止由于寄生電容引起的圖像質(zhì)量惡化。
通過在薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板之間設(shè)置液晶層而將二者粘結(jié)到一起。該濾色片陣列基板包括黑矩陣層、濾色片層和涂布層。該薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板還進(jìn)一步在其內(nèi)側(cè)設(shè)置有定向膜以沿柵線(0°)初始取向液晶層。
在本發(fā)明的實施方式中，在多個子區(qū)域中以多個彎曲角度設(shè)置公共電極和像素電極。例如，公共電極和像素電極在子區(qū)域I中以20°的角度彎曲，在子區(qū)域II中以15°的角度彎曲，并且在子區(qū)域III中以10°的角度彎曲。然而，可以設(shè)計像素電極和公共電極為優(yōu)化的不同角度而并不局限于上述角度。
如上所述，按照本發(fā)明的IPS模式LCD器件具有下述優(yōu)點。
首先，由于公共電極和像素電極以多彎曲角度設(shè)置以在一個單位像素區(qū)域中獲得液晶的多個取向角度，所以可以獲得優(yōu)化數(shù)目的區(qū)塊，從而提高該器件的亮度。
第二，由于飽和電壓具有增加的寬度，所以可以改善透射比-電壓特性。
第三，由于在公共電極和像素電極以大的彎曲角度設(shè)置的子區(qū)域中獲得了冗余容限，所以可以獲得薄膜晶體管的足夠容限。
最后，由于公共電極和像素電極以多個彎曲角度設(shè)置，在以大的彎曲角度設(shè)置電極的子區(qū)域中液晶分子的響應(yīng)速度快。由于相鄰子區(qū)域中的液晶分子與液晶分子響應(yīng)速度快的子區(qū)域中的液晶分子相互作用，整個響應(yīng)速度變快。這樣，可以降低驅(qū)動液晶分子的驅(qū)動電壓。
很顯然，本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神或者范圍內(nèi)對本發(fā)明進(jìn)行不同的修改和改進(jìn)。因此，本發(fā)明旨在覆蓋所有落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的對本發(fā)明進(jìn)行的修改和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，包括設(shè)置在第一基板上彼此交叉從而限定多個單位像素區(qū)域的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，其中各單位像素區(qū)域被劃分為第一、第二和第三子區(qū)域；設(shè)置在柵線與數(shù)據(jù)線的多個交叉處各處的用于各單位像素的多個薄膜晶體管；與所述多條柵線平行設(shè)置的多條公共線；從所述各公共線分支的多個公共電極，其中各公共電極在所述第一子區(qū)域中相對于所述柵線以第一角度彎曲，在所述第二子區(qū)域中相對于所述柵線以第二角度彎曲，并且在所述第三子區(qū)域中相對于所述柵線以第三角度彎曲；連接到各薄膜晶體管并且與所述多個公共電極平行設(shè)置的多個像素電極；以及設(shè)置在所述第一基板和與所述第一基板相對的第二基板之間的液晶層。
2.按照權(quán)利要求1所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，還包括設(shè)置在所述第一基板和第二基板內(nèi)側(cè)的定向膜。
3.按照權(quán)利要求2所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述定向膜沿著所述柵線初始排列。
4.按照權(quán)利要求1所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述第一子區(qū)域的第一角度大于所述第二子區(qū)域的第二角度并且所述第二子區(qū)域的第二角度大于所述第三子區(qū)域的第三角度。
5.按照權(quán)利要求4所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述各薄膜晶體管設(shè)置在相應(yīng)單位像素的所述第一子區(qū)域中并且在所述第一子區(qū)域中所述柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉。
6.按照權(quán)利要求1所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述各單位像素區(qū)域的公共電極和像素電極在所述第一子區(qū)域中以大致20°的角度彎曲，在所述第二子區(qū)域中以大致15°的角度彎曲，并且在所述第三子區(qū)域中以大致10°的角度彎曲。
7.按照權(quán)利要求6所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述各薄膜晶體管設(shè)置在相應(yīng)單位像素的所述第一子區(qū)域中并且所述柵線和數(shù)據(jù)線在所述第一子區(qū)域中彼此交叉。
8.按照權(quán)利要求1所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，對于所述各單位像素的各公共電極和相應(yīng)的像素電極，所述公共電極和相應(yīng)的像素電極之間的距離基本恒定。
9.按照權(quán)利要求1所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述各單位像素的公共電極和像素電極以相對于所述柵線恒定的彎曲角度設(shè)置。
10.按照權(quán)利要求1所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線設(shè)置在所述像素區(qū)域的基本中間區(qū)域中。
11.按照權(quán)利要求10所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，關(guān)于所述公共線，所述位于各像素區(qū)域的上下部分處的像素電極和公共電極相對于所述公共線對稱設(shè)置。
12.按照權(quán)利要求1所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述各單位像素的公共電極與所述公共線以單體設(shè)置。
13.按照權(quán)利要求1所述的共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述各薄膜晶體管包括柵極、半導(dǎo)體層和源極以及漏極。
14.一種共平面開關(guān)模式液晶顯示器件的單位像素，其中所述單位像素設(shè)置在由至少一條柵線和至少一條數(shù)據(jù)線交叉限定的單位像素區(qū)域中，該單位像素包括設(shè)置在所述單位像素區(qū)域中的多個像素電極，其中各像素電極設(shè)計為施加來自所述數(shù)據(jù)線的像素電壓；以及在所述單位像素區(qū)域中相應(yīng)設(shè)置的多個公共電極，其中各公共電極設(shè)計為施加公共電壓從而與所述相應(yīng)的像素電極一起形成電場；其中所述單位像素區(qū)域被劃分為多個子區(qū)域，其中所述至少一個像素電極橫跨所有子區(qū)域，并且其中至少一個像素電極子區(qū)域中的彎曲角度不同于所述至少一個像素電極在相鄰子區(qū)域中的彎曲角度，其中所述彎曲角度相對于所述柵線測量。
15.按照權(quán)利要求14所述的單位像素，其特征在于，與所述至少一個像素電極相對應(yīng)的公共電極橫跨所有子區(qū)域。
16.按照權(quán)利要求14所述的單位像素，其特征在于，所述至少一個像素電極在距離所述柵線和數(shù)據(jù)線的交叉最近的子區(qū)域中的彎曲角度大于所述至少一個像素電極在相鄰子區(qū)域中的彎曲角度。
17.按照權(quán)利要求14所述的單位像素，其特征在于，所述至少一個像素電極在距離所述柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處最近的子區(qū)域中的彎曲角度最大。
18.按照權(quán)利要求14所述的單位像素，其特征在于，所述至少一個像素電極在距離所述柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處較近的子區(qū)域中的彎曲角度大于所述至少一個像素電極在距離所述柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處較遠(yuǎn)的子區(qū)域中的彎曲角度。
19.按照權(quán)利要求14所述的單位像素，其特征在于，在至少一個子區(qū)域中與所述至少一個像素電極相對應(yīng)的所述公共電極的彎曲角度與所述至少一個像素電極的彎曲角度基本上相同。
20.按照權(quán)利要求19所述的單位像素，其特征在于，在所有子區(qū)域中與所述至少一個像素電極相對應(yīng)的所述公共電極的彎曲角度與所述至少一個像素電極的彎曲角度基本上相同。
21.按照權(quán)利要求14所述的單位像素，其特征在于，在所有子區(qū)域中所述至少一個像素電極的彎曲角度與至少一個另一像素電極的彎曲角度基本上相同。
22.按照權(quán)利要求14所述的單位像素，其特征在于，在所有子區(qū)域中所述至少一個像素電極的彎曲角度與至少另一像素電極的彎曲角度相對于所述柵線基本上對稱。
23.按照權(quán)利要求14所述的單位像素，其特征在于，所述所有像素電極和所有公共電極橫跨所有子區(qū)域，使得在所有子區(qū)域中各對像素電極和相應(yīng)的公共電極具有基本上相同的彎曲角度。
24.按照權(quán)利要求14所述的單位像素，其特征在于，還進(jìn)一步包括公共線，其中所述所有的公共電極從所述公共線分支。
25.按照權(quán)利要求24所述的單位像素，其特征在于，所述所有的公共電極與所述公共線由相同的材料一體形成。
26.按照權(quán)利要求24所述的單位像素，其特征在于，在所述單位像素區(qū)域的基本上中央部分設(shè)置所述公共線以橫跨所有多個子區(qū)域。
27.按照權(quán)利要求26所述的單位像素，其特征在于，所述像素電極和公共電極設(shè)置為相對于所述公共線基本上對稱。
28.按照權(quán)利要求14所述的單位像素，其特征在于，還包括用于基于所述柵線上的控制電壓向所述像素電極提供所述像素電壓的開關(guān)器件。
29.按照權(quán)利要求28所述的單位像素，其特征在于，所述開關(guān)器件是薄膜晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種IPS模式LCD器件，其中液晶分子在一個單位像素區(qū)域中以多個角度取向以在不降低孔徑比的情況下提高響應(yīng)速度并且改善透射比—電壓特性。該IPS模式LCD器件包括在第一基板上彼此交叉從而限定多個單位像素區(qū)域的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，其中各單位像素區(qū)域被劃分為第一、第二和第三子區(qū)域。薄膜晶體管設(shè)置在各交叉處。公共線與所述柵線平行，公共電極從所述公共線分支并且在第一、第二和第三子區(qū)域中分別以第一、第二和第三角度彎曲。各像素電極連接到各薄膜晶體管的漏極并且與所述公共電極平行設(shè)置。在所述第一基板和與所述第一基板相對的第二基板之間設(shè)置液晶層。
文檔編號G02F1/133GK1892377SQ200510134670
公開日2007年1月10日 申請日期2005年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者李尙胤, 崔云葉 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社