專利名稱：顯示基板及其制造方法和具有該顯示基板的顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種顯示基板、該顯示基板的制造方法、以及具有該顯示基板的顯示裝置。更具體地，本發(fā)明涉及一種可提高圖像顯示質量的顯示基板、該顯示基板的制造方法、以及具有該顯示基板的顯示裝置。
背景技術：
通常，顯示裝置將經(jīng)過信息處理裝置處理的信息轉換成圖像。
顯示裝置的實例包括陰極射線管(CRT)型顯示裝置、液晶顯示(LCD)裝置、有機發(fā)光顯示(OLED)裝置等。
液晶顯示(LCD)裝置根據(jù)光的使用方法被分成三種類型透射型LCD裝置、反射型LCD裝置、以及透反射型LCD裝置。
透射型LCD裝置利用從安裝在LCD裝置中的內(nèi)部燈提供的光來顯示圖像。反射型LCD裝置利用從外部(例如，太陽、燈、或其他照明裝置)提供的光來顯示圖像。透反射型LCD裝置利用安裝在LCD裝置中的燈內(nèi)部提供的光和/或從外部提供的光來顯示圖像。
透射型LCD裝置包括透明且導電的透明電極，而反射型LCD裝置包括反射率大于透明電極的反射電極。透反射型LCD裝置包括透明電極和反射電極。
當反射型LCD裝置或透反射型LCD裝置的反射電極均包括具有高反射率的鋁或鋁合金(例如，由鋁或鋁合金制成的反射電極)時，在反射電極的表面上(例如，在形成于反射電極之上的定向層的固化工藝過程中)可能形成突起(hillock)，并且在反射電極和透明電極之間可能發(fā)生電偶腐蝕(galvanic corrosion)。
由于鋁膜的低電阻率、低成本、高附著性、以及良好的圖樣化能力，其非常適于制造電極和電線。然而，A1膜和顯示面板的基板或層之間熱膨脹的不匹配使得加熱時在A1膜中產(chǎn)生很大的壓應力，并且為了釋放應力而導致突起(或纖維狀結晶(whisker))的形成。
為了防止電偶腐蝕的問題，可在反射電極和透明電極之間形成防腐蝕層。然而，防腐蝕層的形成需要在制造工藝中大量地增加制造步驟的數(shù)量，這增加了制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面提供了一種具有銀鉬合金電極并可提高圖像顯示質量的顯示基板。
本發(fā)明的一個方面提供了一種該顯示基板的制造方法。
本發(fā)明的另一方面提供了一種具有該顯示基板的顯示裝置。
在本發(fā)明的一個方面中，顯示基板包括銀鉬合金電極(例如，每個像素一個)。顯示基板可包括信號施加模塊(例如，薄膜晶體管，TFT)、圖樣化絕緣層、以及銀鉬合金電極。信號施加模塊設置在基板上，并包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端(例如，TFT晶體管的漏極端)。圖樣化絕緣層具有露出該輸出端的接觸孔。銀鉬合金電極電連接至該輸出端，并具有銀和鉬。
在本發(fā)明的另一方面，為了制造顯示基板，在基板上(例如，對每個像素)形成信號施加模塊，該信號施加模塊包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端；穿過用于覆蓋信號施加模塊的絕緣層來形成用于露出一部分輸出端的接觸孔，從而形成圖樣化絕緣層；然后在圖樣化絕緣層上形成電連接至輸出端的銀鉬合金層。將銀鉬合金層圖樣化，從而(例如，在顯示器的每個像素處)形成銀鉬合金電極。
在本發(fā)明的另一方面，顯示裝置包括第一顯示基板(包括銀鉬合金電極)，并可進一步包括第二顯示基板和液晶層。第一顯示基板包括在第一基板上的針對每個像素的信號施加模塊(例如，TFT晶體管)(該信號施加模塊包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端)；圖樣化絕緣層，具有用于露出該輸出端的接觸孔；以及銀鉬合金電極(由銀和鉬制成)，電連接至該輸出端。第二顯示基板包括共電極，該共電極設置在面向第一基板的第二基板上。共電極面向銀鉬合金電極。液晶層置于第一和第二顯示基板之間。
下面將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明可以多種不同的方式來實現(xiàn)而不應理解為局限于在此描述的實施例；相反，提供這些實施例是為了對本領域的技術人員來說，使得本發(fā)明充分公開并且完全覆蓋本發(fā)明的范圍。附圖中，為清楚起見，擴大了層和區(qū)域的厚度。在整個說明書中，相同的標號表示相似或相同的元件。應該理解的是，當諸如層、區(qū)域、或基板的元件被稱為“位于”、“在”、或“到”另一元件上時，其可直接位于另一元件上或也可存在中間元件。


通過結合附圖對本發(fā)明典型實施例的詳細描述，本發(fā)明的上述和其他特性和優(yōu)點將更加顯而易見，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明典型實施例的顯示基板的一個像素區(qū)域的平面圖；圖2是沿圖1的線I-I′截取的橫截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一的顯示基板的像素區(qū)域的橫截面圖；圖4是顯示基板的橫截面圖，用于示出根據(jù)本發(fā)明典型實施例的制造方法；圖5是示出在圖1、圖2、圖3、以及圖4中所示的典型的信號施加模塊120中形成的晶體管(TFT)等效電路圖；圖6是示出在圖4中的基板105上形成的圖樣化絕緣層的橫截面圖；圖7是示出在圖6中所示的圖樣化絕緣層上形成的銀鉬合金電極的橫截面圖；圖8是用于對根據(jù)本發(fā)明典型實施例的銀鉬合金層進行粘附性測試的測試板的平面圖；圖9是處于測試中的圖8的部分測試板的橫截面圖，用于示出執(zhí)行圖8中的粘附性測試的方法；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明典型實施例的銀鉬合金層在退火之前(菱形)和退火之后(三角形)的色坐標的示意圖；
圖11示出了四幅掃描電子顯微鏡(SEM)照片，其示出在退火前后純銀層和根據(jù)本發(fā)明典型實施例的銀鉬合金層；圖12A、圖12B、圖12C、以及圖12D是示出銀鉬合金層的蝕刻特性的SEM照片；圖13是示出銀鉬合金層的階梯覆蓋(step coverage)的SEM照片；圖14是第一基板的橫截面圖，其示出在根據(jù)本發(fā)明典型實施例的圖樣化絕緣層上形成的定向層(alignment layer)；圖15是第一基板的橫截面圖，其示出根據(jù)本發(fā)明另一典型實施例的顯示基板的制造方法；以及圖16是根據(jù)本發(fā)明典型實施例的裝配好的顯示裝置(包括第一顯示基板、第二顯示基板、以及液晶層)的橫截面圖。
具體實施例方式
顯示基板圖1是根據(jù)本發(fā)明典型實施例的顯示基板的平面圖。圖2是沿圖1的線I-I′截取的橫截面圖。
參照圖1和圖2，顯示基板100包括基板105、具有輸出端110的信號施加模塊120、圖樣化絕緣層130、以及銀鉬合金電極140。
基板105可由諸如玻璃或其他可使光穿過的基板材料形成。
信號施加模塊120設置在基板105上。信號施加模塊120輸出從外部提供的圖像數(shù)據(jù)。
如圖2中更為具體所示，信號施加模塊120包括具有柵電極GE的柵極線GL、柵極絕緣層GIL、溝道圖樣CP、具有源電極SE的數(shù)據(jù)線DL、以及輸出端110。
當包括顯示基板100的三色顯示器具有1024×768的像素分辨率時，多條(768)柵極線GL，以大致垂直于第二(垂直)方向的第一(水平)方向彼此大致平行地延伸；多條(1024×3)數(shù)據(jù)線DL(每條數(shù)據(jù)線包括768個源電極SE)，沿第二(垂直)方向彼此大致平行地延伸；以及多個(1024×3)柵電極GE，從基板105上的各條(768條)柵極線GL突出，并沿與第二方向大致平行的方向突出。
柵極絕緣層GIL覆蓋柵極線GL和柵電極GE，以使柵極線GL與數(shù)據(jù)線DL(包括源電極SE)絕緣。柵極絕緣層GIL可包括透明氮化硅層。
溝道圖樣CP在柵極絕緣層GIL之上形成為半導體島。例如，溝道圖樣CP設置在柵極絕緣層GIL上與柵電極GE對應的區(qū)域中。溝道圖樣(半導體島)CP包括非晶硅圖樣ASP和n+非晶硅圖樣nASP。一對n+非晶硅圖樣nASP設置在非晶硅圖樣ASP上，并彼此隔開。溝道圖樣CP和電極(柵電極、源電極、以及輸出(漏)電極)形成晶體管(數(shù)據(jù)開關)，例如薄膜晶體管(TFT)。
數(shù)據(jù)線DL設置在柵極絕緣層GIL上。數(shù)據(jù)線DL沿大致垂直于第一(水平)方向的第二(垂直)方向延伸。當包括顯示基板100的三色顯示器具有1024×768的分辨率時，1024×3條數(shù)據(jù)線DL沿第一方向大致平行地排列。768個源電極SE沿與第一(水平)方向大致平行的方向從每條數(shù)據(jù)線DL突出。每個源電極SE電連接至半導體島(溝道圖樣CP)中的n+非晶硅圖樣nASP中的一個。
輸出端110電連接至n+非晶硅圖樣nASP中的另一個。輸出端110與數(shù)據(jù)線DL同時形成。
圖樣化絕緣層130設置在基板105上，以使信號施加模塊120被圖樣化絕緣層130所覆蓋。例如，圖樣化絕緣層130包括對光敏感的感光材料，以形成接觸孔。將圖樣化絕緣層130圖樣化，以使接觸孔將信號施加模塊120的輸出端110露出。
多個紋理圖樣(textured pattern)135形成在圖樣化絕緣層130上。紋理圖樣135增加了銀鉬合金電極140的反射面積(下文將描述)，并且將由銀鉬合金電極140反射的光散射。紋理圖樣135可通過壓紋(由此形成壓紋圖樣)或通過其他方法(例如，劃線、或蝕刻)形成。
在圖樣化絕緣層130上的紋理圖樣135上(例如，共形地)形成銀鉬合金電極140。銀鉬合金電極140的一部分(通過接觸孔)電連接至通過接觸孔露出的輸出端110。
優(yōu)選地，銀鉬合金電極140可由重量百分比約99％至重量百分比約95％的銀(Ag)以及重量百分比約1％至重量百分比約5％的鉬(Mo)構成。
定向層150形成在銀鉬合金電極140上。例如，定向層150包括聚酰亞胺樹脂。定向層150上形成有定向槽，以使液晶分子定向。
包括聚酰亞胺樹脂的定向層150在約150℃至約250℃的溫度下固化。
當在約150℃至約250℃的溫度下使定向層150固化時，在銀鉬合金電極140的表面上能夠不形成突起，從而避免銀鉬合金電極140從圖樣化絕緣層130脫落。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一典型實施例的顯示基板的像素區(qū)域的橫截面圖。除了透明電極137和銀鉬合金電極142中的開口145之外，圖3中的顯示基板與圖1和圖2中所示的顯示基板大致相同。因此，將省略對大致相同元件的任何進一步的描述。
參照圖3，透明且導電的透明電極137形成在圖樣化絕緣層130上。透明電極137包括例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、以及非晶氧化銦錫(a-ITO)等。透明電極137的一部分電連接至通過接觸孔露出的輸出端110，該接觸孔穿過圖樣化絕緣層130而形成。
銀鉬合金電極142設置在透明電極137上。優(yōu)選地，銀鉬合金電極142可具有重量百分比約99％至重量百分比約95％的銀(Ag)以及重量百分比約1％至重量百分比約5％的鉬(Mo)。
多個開口145可通過銀鉬合金電極142向下到達透明電極137而形成。光可有效地穿過開口145，并有效地穿過透明電極137。例如，當從平面圖上觀察時，開口145可具有多邊形周邊的形狀。
顯示基板的制造方法圖4是包括信號施加模塊120的(不完整)顯示基板的橫截面圖，用于示出根據(jù)本發(fā)明典型實施例的顯示基板(例如，圖1和圖2或圖1和圖3中)的制造方法。圖5是示出在圖1、圖2、圖3、以及在圖4所示的示例性信號施加模塊120中形成的晶體管(TFT)的等效電路圖。
參照圖4和圖5，為了制造顯示基板，首先，在基板105上形成信號施加模塊120。
為了形成信號施加模塊120，在基板105上(例如，通過化學氣相沉積(CVD)工藝或濺射工藝)形成柵極金屬(未示出)。將柵極金屬(例如，通過光刻工藝)圖樣化，以在基板105上形成柵極線GL(以及從柵極線GL突出的柵電極GE)。
隨后，在基板105上(例如，通過CVD工藝)形成柵極絕緣層GIL。柵極絕緣層GIL可包括透明氮化硅層。
在柵極絕緣層GIL上相繼形成n+非晶硅層(未示出)、非晶硅層(未示出)、以及源極/漏極層(未示出)。
將源極/漏極層(例如，通過光刻工藝)圖樣化，從而在n+非晶硅層上形成具有源電極SE的數(shù)據(jù)線DL和與源電極SE隔開的輸出端110。
利用數(shù)據(jù)線DL和輸出端110的掩模，將n+非晶硅層和非晶硅層圖樣化，以在柵極絕緣層GIL上形成n+非晶硅圖樣nASP和非晶硅圖樣ASP。
圖6是示出在圖4中的基板上形成的圖樣化絕緣層135的橫截面圖。
參照圖6，在基板105上形成厚絕緣層(未示出)。該絕緣層包括例如具有感光材料的有機層。將形成在基板105上的絕緣層(例如，利用穿過預定掩模的光)圖樣化，以形成圖樣化絕緣層130。在圖樣化絕緣層130上(中)形成紋理圖樣135，并穿過圖樣化絕緣層130形成接觸孔CT，用于露出信號施加模塊120的輸出端110的一部分。
圖7是示出在圖6中所示的圖樣化絕緣層130上形成的銀鉬合金電極的橫截面圖。
參照圖7，在圖樣化絕緣層130的大致整個表面上形成銀鉬合金層(未示出)，其將接觸孔CT包括在內(nèi)。由此，銀鉬合金層的一部分電連接至通過接觸孔CT露出的輸出端110，該接觸孔穿過圖樣化絕緣層130形成。例如，通過CVD工藝或濺射工藝，形成銀鉬合金層。優(yōu)選地，該銀鉬合金層可具有重量百分比約99％至重量百分比約95％的銀(Ag)以及重量百分比約1％至重量百分比約5％的鉬(Mo)。
通過光刻工藝，可將銀鉬合金層圖樣化，從而在圖樣化絕緣層130上形成銀鉬合金電極140。通過將銀鉬合金層圖樣化而形成的銀鉬合金電極140的一部分電連接至輸出端110。
下面，將詳細地描述根據(jù)本發(fā)明典型實施例的銀鉬合金層的多種特性。
測量銀鉬合金電極和純鋁電極的光反射率。
為了測量銀鉬合金電極和純鋁電極的光反射率，在有機層上形成紋理圖樣，隨后在紋理圖樣上形成銀鉬合金電極和純鋁電極。
下面的表1示出了銀鉬合金電極和純鋁電極的光反射率、色坐標、以及粘附性的測量結果。表1表示從形成在紋理圖樣上的銀鉬合金電極和純鋁電極反射的光的光反射率。
表1

參照表1，銀鉬合金電極具有比純鋁電極大20％的反射率，而銀鉬合金電極對于有機層的粘附性與純鋁電極對于有機層的粘附性基本上相同。
圖8是用于對根據(jù)本發(fā)明典型實施例形成的銀鉬合金層進行粘附性測試的測試板的平面圖。圖9是處于測試中的圖8的測試板的一部分的橫截面圖，用于示出執(zhí)行圖8中的粘附性測試的方法。
參照圖8和圖9，測試板200包括底膜210(圖9)以及形成在底膜210上的測試膜220(圖9)。
例如，底膜210包括玻璃、氧化硅、氧化銦錫、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、丙烯酸樹脂(acryl resin)、聚酰亞胺等。
測試膜220可包括銀鉬合金層或純銀層。
使用切割機將用于粘附性測試的測試膜220切成約1mm×1mm的塊。在測試膜220形成網(wǎng)格形狀之后，將膠帶230附著到測試膜220，隨后將測試膜220剝離。
下面的表2示出了粘附性測試的結果。在表2中，符號“○”、“△”、以及“×”分別表示(從底膜脫落的測試膜)“無脫落”、“脫落少于約50％”、以及“脫落多于約50％”。
表2

參照表2，不管底膜如何，作為測試膜的純銀層都造成脫落，而作為測試膜的銀鉬合金層不管底膜如何都不造成脫落。因此，銀鉬合金層對于底膜的粘附性比純銀層對于底膜的粘附性要好得多。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明典型實施例的銀鉬合金層在退火之前(菱形)和退火之后(三角形)的色坐標的示意圖。在圖10中，符號“◆”(菱形)和“▲”(三角形)分別表示烘焙之前和烘焙之后的色坐標。
參照圖10，在將純銀烘焙之后，純銀的色坐標發(fā)生很大的變化。通過烘焙，純銀變成淡黃色。相反，在烘焙銀鉬合金之后，銀鉬合金的色坐標幾乎沒有變化，因此，采用銀鉬合金的顯示裝置的圖像顏色也幾乎不改變。
圖11示出根據(jù)本發(fā)明典型實施例，純銀層和銀鉬合金層在退火之前和之后的四幅掃描電子顯微鏡(SEM)照片。
參照圖11，在將純銀層退火之后，在純銀層上會形成突起，使得該純銀層不平坦。當純銀層具有突起時，從外部提供的光被純銀層的不平坦表面不規(guī)則地散射，從而極大地降低了其光反射率。相反，在將銀鉬合金層退火之后，銀鉬層仍然相當平坦(平滑)。
圖12A、圖12B、圖12C、以及圖12D是示出銀鉬合金層的蝕刻特性的SEM照片。
參照圖12A至圖12D，當利用傳統(tǒng)的蝕刻劑(用于蝕刻純銀)來蝕刻銀鉬合金層時，銀鉬合金層被圖樣化成具有約4μm的基本均勻的間隔D，并且發(fā)現(xiàn)最佳蝕刻時間為約17秒。因此，根據(jù)本發(fā)明的銀鉬合金層相對于傳統(tǒng)的蝕刻劑具有良好的蝕刻特性。
圖13是示出銀鉬合金層的階梯覆蓋的SEM照片。
參照圖13，為了觀察位于通孔(接觸孔)中的銀鉬合金層的外型，穿過絕緣層而形成厚度約5μm的通孔。隨后，分別在具有厚度約70nm和約240nm的通孔的絕緣層上相繼沉積氧化銦錫層和銀鉬合金層。如圖13所示，銀鉬合金層具有良好的階梯覆蓋。
圖14是第一基板的橫截面圖，其示出在根據(jù)本發(fā)明典型實施例的圖樣化絕緣層130上形成的定向層150。
參照圖14，定向層150形成在圖樣化絕緣層130上。例如，定向層150包括聚酰亞胺樹脂?？稍诩s150℃至約250℃的溫度下烘焙定向層150，以防止銀鉬合金層發(fā)黃，并防止在銀鉬合金層上形成突起。
圖15是第一基板的橫截面圖，用于示出根據(jù)本發(fā)明另一典型實施例的顯示基板的制造方法。除了透明電極和銀鉬合金電極中的開口之外，圖15中所示的顯示基板的制造方法與圖14中所示的顯示基板的制造方法基本相同。由此，用相同的參考標號和相同的名稱來表示大致相同的元件。
參照圖15，透明導電層(例如，137)形成在圖樣化絕緣層130的大致整個表面上，并且銀鉬合金層(例如，142)形成在透明導電層上。盡管在圖15中銀鉬合金層形成于透明導電層之上，但可選地，透明導電層也可形成在銀鉬合金層之上。
將在圖樣化絕緣層130上形成的透明導電層和銀鉬合金層(例如，通過光刻工藝)圖樣化，以在圖樣化絕緣層130上形成透明電極137和銀鉬合金電極142。透明電極137和銀鉬合金電極142電連接至(TFT的)輸出端110。銀鉬合金電極142可具有多個開口145。例如，當從平面圖上觀察時，開口145為多邊形形狀。
顯示裝置圖16是根據(jù)本發(fā)明典型實施例的組裝顯示裝置(包括第一顯示基板、第二顯示基板、以及液晶層)的橫截面圖。
參照圖16，顯示裝置800包括第一顯示基板500、第二顯示基板600、以及液晶層700。
第一顯示基板500包括第一基板505、具有輸出端510的信號施加模塊520、圖樣化絕緣層530、以及銀鉬合金電極540。
第一基板505包括可使光通過的透明基板(例如，玻璃基板)。
(各個像素的)信號施加模塊520設置在第一基板505上。當使用顯示器時，(各個像素的)信號施加模塊520輸出從外部提供的圖像數(shù)據(jù)。
具體來說，信號施加模塊520包括具有柵電極GE的柵極線(未示出)、柵極絕緣層GIL、溝道圖樣CP、具有源電極SE的數(shù)據(jù)線(未示出)、以及輸出(漏極)端510。
例如，柵極線沿第一(例如，水平)方向延伸。當?shù)谝伙@示基板500具有1024×768的分辨率時，768條柵極線沿大致垂直于第一方向的第二方向大致平行地分布。1024×3個柵電極GE從第一基板505上的每條柵極線突出。
柵極絕緣層GIL覆蓋具有柵電極GE的柵極線，以使柵極線與具有源電極SE的數(shù)據(jù)線絕緣。柵極絕緣層GIL可包括透明氮化硅層。
溝道圖樣CP(半導體島)形成在柵極絕緣層GIL上。例如，溝道圖樣CP設置在對應于柵電極GE的柵極絕緣層GIL上。溝道圖樣CP包括非晶硅圖樣ASP以及n+非晶硅圖樣nASP。一對n+非晶硅圖樣nASP設置在非晶硅圖樣ASP上，并且彼此隔開。
在柵極絕緣層GIL上設置數(shù)據(jù)線。每條數(shù)據(jù)線沿大致垂直于第一方向的第二(垂直)方向延伸。當?shù)谝伙@示基板500具有1024×768的分辨率時，1024×3條數(shù)據(jù)線沿第一方向分布；768個源電極SE從第一基板505上的每條數(shù)據(jù)線突出。
各個源電極SE電連接至n+非晶硅圖樣nASP中的一個。輸出端510電連接至n+非晶硅圖樣nASP中的另一個。輸出端510與數(shù)據(jù)線同時形成。
在第一基板505上設置圖樣化絕緣層530，從而使信號施加模塊520由圖樣化絕緣層530覆蓋。圖樣化絕緣層530包括接觸孔，用于露出信號施加模塊520的輸出端510。例如，圖樣化絕緣層530包括對光敏感的感光材料，以促進接觸孔的形成。
在圖樣化絕緣層530上形成多個紋理(例如，壓紋)圖樣535。紋理圖樣535增加了銀鉬合金電極540的反射面積(將在下面進行描述)，并將從銀鉬合金電極540反射的光散射。
在圖樣化絕緣層530上的紋理圖樣535上形成銀鉬合金電極540。銀鉬合金電極540的一部分電連接至通過接觸孔露出的輸出端510。
優(yōu)選地，銀鉬合金電極540可具有重量百分比約99％至重量百分比約95％的銀(Ag)以及重量百分比約1％至重量百分比約5％的鉬(Mo)。
在銀鉬合金電極540上形成定向層550。例如，定向層550包括聚酰亞胺樹脂。定向槽形成在定向層550上，以使液晶層700的液晶分子定向。
包括聚酰亞胺樹脂的定向層550在約150℃至約250℃的溫度下固化。
當在上述約150℃至約250℃的溫度下使定向層550固化時，在銀鉬合金電極540的表面上不會形成突起，從而避免銀鉬合金電極540從圖樣化絕緣層530脫落。
第二顯示基板600包括第二基板605、彩色濾光片610(例如，形成在第二基板605上)、形成在彩色濾光片610上的共電極620、以及第二定向層630。
在圖16中，將彩色濾光片610設置成與第一顯示基板500的銀鉬合金電極540相對應。例如，彩色濾光片610包括使白光中的紅光穿過的紅色濾光片、使白光中的綠光穿過的綠色濾光片、以及使白光中的藍光穿過的藍色濾光片。
在彩色濾光片610上形成共電極620。共電極620可包括諸如氧化銦錫、氧化銦鋅、非晶氧化銦錫等的透明導電材料。共電極620與第一顯示基板500的銀鉬合金電極540面對。
將第二定向層630設置成面對第一定向層550。定向槽形成在第二定向層630上，以使液晶層700的液晶分子定向。
液晶層700設置在第一顯示基板500和第二顯示基板600之間。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，顯示裝置的電極包括銀鉬合金，從而提高了顯示裝置所顯示的圖像的顯示質量。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的典型實施例，但是應當理解，本發(fā)明并不局限于這些典型實施例，在本文所要求保護的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)，本領域技術人員可以做出各種修改和替換。
權利要求
1.一種顯示基板，包括信號施加模塊，設置在基板上，并具有輸出端，所述輸出端用于輸出數(shù)據(jù)信號；圖樣化絕緣層，具有用于露出所述輸出端的接觸孔；以及銀鉬合金電極，包括銀和鉬，所述銀鉬合金電極與所述輸出端電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板，其中，所述信號施加模塊還包括晶體管-柵電極，從柵極線突出，所述晶體管-柵電極接收定時信號；柵極絕緣層，用于使所述晶體管-柵電極絕緣；半導體層中的晶體管溝道，設置在所述柵電極之上的所述柵極絕緣層上；以及晶體管-源電極，從數(shù)據(jù)線突出，用于將所述數(shù)據(jù)信號輸入到所述晶體管溝道，其中，所述輸出端是晶體管-漏極端。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板，其中，所述圖樣化絕緣層上形成有紋理圖樣。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示基板，其中，所述紋理圖樣是壓紋圖樣。
5.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板，其中，所述銀鉬合金電極具有重量百分比約99％至重量百分比約95％的銀以及重量百分比約1％至重量百分比約5％的鉬。
6.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板，其中，所述銀鉬合金電極具有多個多邊形形狀的開口。
7.根據(jù)權利要求6所述的顯示基板，其中，所述圖樣化絕緣層和所述銀鉬合金電極之間形成有透明且導電的電極。
8.根據(jù)權利要求7所述的顯示基板，其中，所述透明且導電的電極包括氧化銦錫和氧化銦鋅中的至少一種。
9.一種顯示基板的制造方法，包括在基板上形成信號施加模塊，所述信號施加模塊包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端；形成圖樣化絕緣層，用于覆蓋除接觸孔之外的所述信號施加模塊，所述接觸孔露出所述輸出端的一部分；在所述圖樣化絕緣層上形成銀鉬合金層，以通過所述接觸孔電連接至所述輸出端；以及將所述銀鉬合金層圖樣化，以形成銀鉬合金電極。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，所述銀鉬合金電極層具有重量百分比約99％至重量百分比約95％的銀以及重量百分比約1％至重量百分比約5％的鉬。
11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，形成所述圖樣化絕緣層的步驟還包括在所述絕緣層上壓紋出圖樣。
12.根據(jù)權利要求9所述的方法，還包括在形成所述圖樣化絕緣層之后并在形成所述銀鉬合金層之前，在所述圖樣化絕緣層上形成透明且導電的電極層。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，所述銀鉬合金電極具有多個開口。
14.根據(jù)權利要求9所述的方法，還包括在形成所述銀鉬合金電極之后，在所述圖樣化絕緣層上形成定向層，以覆蓋所述銀鉬合金電極；以及在約150℃至約250℃的溫度下烘焙所述定向層。
15.根據(jù)權利要求9所述的方法，還包括在形成所述銀鉬合金電極之后，在所述圖樣化絕緣層上形成定向層，以覆蓋所述銀鉬合金電極；以及在選定溫度下烘焙所述定向層，以防止所述銀鉬合金電極發(fā)黃。
16.一種顯示裝置，包括第一顯示基板，包括信號施加模塊，設置在第一基板上，并具有用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端；圖樣化絕緣層，具有露出所述輸出端的接觸孔；以及銀鉬合金電極，電連接至所述輸出端。
17.根據(jù)權利要求16所述的顯示裝置，還包括第二顯示基板，包括設置在與所述第一基板面對的第二基板上的共電極，所述共電極面對所述銀鉬合金電極；以及液晶層，設置在所述第一和第二顯示基板之間。
18.根據(jù)權利要求17所述的顯示裝置，其中，所述銀鉬合金電極具有重量百分比約99％至重量百分比約95％的銀以及重量百分比約1％至重量百分比約5％的鉬。
19.根據(jù)權利要求17所述的顯示裝置，其中，設置有與所述銀鉬合金電極和所述圖樣化絕緣層接觸的透明電極。
20.根據(jù)權利要求19所述的顯示裝置，其中，所述透明電極設置在所述銀鉬合金電極和所述圖樣化絕緣層之間。
21.根據(jù)權利要求19所述的顯示裝置，其中，所述透明電極包括氧化銦錫和氧化銦鋅中的至少一種。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示裝置，該顯示裝置包括銀鉬合金電極，該銀鉬合金電極具有與退火溫度無關的高反射率。顯示器可具有第一顯示基板、第二顯示基板、以及液晶層。第一顯示基板包括設置在第一顯示基板上的多個信號施加模塊(例如，TFT)，每個信號施加模塊均包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端；圖樣化絕緣層，具有用于露出輸出端的接觸孔；以及由銀和鉬制成的銀鉬合金電極，電連接至所述輸出端。在顯示裝置中采用銀鉬合金電極，從而提高了顯示裝置的反射率，并提高了通過顯示裝置顯示的圖像的顯示質量。
文檔編號G02F1/1333GK1885114SQ200610090049
公開日2006年12月27日 申請日期2006年6月22日 優(yōu)先權日2005年6月23日
發(fā)明者趙晟煥, 廉虎男, 秋大鎬 申請人:三星電子株式會社