專利名稱：電光裝置及具備該裝置的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及如液晶裝置等的電光裝置及具備該電光裝置的如液晶投影機(jī)等電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在這種電光裝置中，在設(shè)置了像素電極等顯示用電極和用來對(duì)其進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路、掃描線驅(qū)動(dòng)電路等電路部的基板上，沿著其一條邊的邊緣排列多個(gè)外部電路連接端子。在基板上還布線多條信號(hào)布線，用來從這些多個(gè)外部電路連接端子給掃描線驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路等電路部供給多種信號(hào)。
對(duì)于這種信號(hào)布線來說，例如在專利文獻(xiàn)1中做出了下述研究，即通過形成為除了原來的布線之外，還由和像素內(nèi)的導(dǎo)電膜為同一膜的膜來形成補(bǔ)充的布線，也就是說形成為冗余布線結(jié)構(gòu)，不使工藝數(shù)量增加而謀求布線的低電阻化。
專利文獻(xiàn)1特開2002-229061號(hào)公報(bào)但是，對(duì)于供給相互不同種類信號(hào)的信號(hào)布線來說，由于其構(gòu)成為，在基板上平面看上去不重合，因而不能超過可進(jìn)行圖案形成的微細(xì)化界限地，將相鄰的信號(hào)布線間隔在同一平面內(nèi)加窄。因此，存在在縮小布置信號(hào)布線所需要的面積方面，有本質(zhì)上的界限，成為電光裝置小型化的阻礙這樣的問題所在。再者，由于例如伴隨電光裝置的小型化，信號(hào)布線的間隔變窄，因而存在給相鄰的布線供給的相互不同種類的信號(hào)間的干擾增大這樣的問題所在。特別是，還存在因用來使數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路等進(jìn)行工作的頻率較高的時(shí)鐘信號(hào)等而對(duì)圖像信號(hào)產(chǎn)生噪聲這樣的問題所在。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于例如上述的問題所在而做出的，其目的為，提供一種電光裝置及電子設(shè)備，例如可以實(shí)現(xiàn)基板尺寸的縮小，且能夠抑制圖像信號(hào)的噪聲的影響，進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。
本發(fā)明的電光裝置為了解決上述問題，其特征為，在基板上具備多個(gè)像素，設(shè)置于像素區(qū)域；周邊電路，設(shè)置在位于上述像素區(qū)域周邊的周邊區(qū)域，用來控制上述多個(gè)像素；多條信號(hào)布線，分別供給用來控制上述周邊電路的多種信號(hào)之中不同種類的信號(hào)，由通過層間絕緣膜位于相互不同的層的多個(gè)導(dǎo)電膜的各自來形成，并且具有在上述周邊區(qū)域至少在一部分相互重合的部分；以及屏蔽膜，位于上述多條信號(hào)布線相互重合的部分之間。
根據(jù)本發(fā)明的電光裝置，在其工作時(shí)，從外部電路，例如圖像信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、各種控制信號(hào)及電源信號(hào)等例如通過外部電路連接端子被供給多條信號(hào)布線及周邊電路。多條信號(hào)布線及周邊電路設(shè)置在基板上位于像素區(qū)域周邊的周邊區(qū)域。這里本發(fā)明所涉及的“周邊電路”指的是，例如用來控制或驅(qū)動(dòng)與像素電連接的掃描線和數(shù)據(jù)線之掃描線驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路等、裝入或安裝于基板上的各種電路。例如利用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，將圖像信號(hào)通過數(shù)據(jù)線供給各像素。與此同時(shí)，利用掃描線驅(qū)動(dòng)電路，通過掃描線給各像素供給掃描信號(hào)。按每個(gè)像素所設(shè)置的如像素開關(guān)用薄膜晶體管(下面，適當(dāng)稱為“像素開關(guān)用TFT”)，對(duì)掃描線連接?xùn)牛凑諕呙栊盘?hào)將圖像信號(hào)有選擇地供給像素電極。借此，例如通過按各像素來驅(qū)動(dòng)像素電極及對(duì)向電極間所夾持的如液晶等電光物質(zhì)，而可以實(shí)現(xiàn)有源矩陣驅(qū)動(dòng)。還有，作為該電光裝置的驅(qū)動(dòng)方式，不限于有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式，還可以考慮無源矩陣驅(qū)動(dòng)方式、區(qū)段(segment)驅(qū)動(dòng)方式等的各種驅(qū)動(dòng)方式。
在本發(fā)明中，特別是多條信號(hào)布線由通過層間絕緣膜位于相互不同的層的多個(gè)導(dǎo)電膜來形成。再者，多條信號(hào)布線具有在周邊區(qū)域，在基板上平面看上去至少在一部分相互重合的部分。因而，可以在從其法線方向看基板的一定區(qū)域內(nèi)布線更多的信號(hào)布線，使之相互不產(chǎn)生短路。也就是說，能夠既將一條一條的布線寬度相對(duì)確保得較寬，又布線更多的信號(hào)布線。據(jù)此，能夠既將像素區(qū)域確保得較寬，又謀求因周邊區(qū)域的減少而得到的基板整體進(jìn)而電光裝置整體的小型化。
再者，在本發(fā)明中，特別是多條信號(hào)布線由多個(gè)導(dǎo)電膜之中例如按信號(hào)的種類而不同的導(dǎo)電膜來分別形成。這里所謂的“信號(hào)的種類”指的是，信號(hào)的頻率或電位的高低等信號(hào)本身的性質(zhì)。例如，多條信號(hào)布線之中，用來供給頻率比預(yù)定頻率高的信號(hào)的信號(hào)布線作為高頻信號(hào)布線，由一種導(dǎo)電膜來形成，用來供給頻率比預(yù)定頻率低的信號(hào)的信號(hào)布線作為低頻信號(hào)布線，由和高頻信號(hào)布線不同的一種導(dǎo)電膜形成。
除此之外，在本發(fā)明中，特別是在多條信號(hào)布線的基板上的相互重合的部分之間的層具備屏蔽膜，其設(shè)置為和多條信號(hào)線重合。也就是說，例如為了在多條信號(hào)布線之中的一條信號(hào)布線和其它信號(hào)布線之間進(jìn)行電磁屏蔽，而具備屏蔽膜，該屏蔽膜在多條信號(hào)布線的基板上平面看上去，位于相互重合的布線部分之間。因而，一條信號(hào)布線和其它信號(hào)布線利用屏蔽膜，來減低相互由信號(hào)發(fā)生的電磁噪聲。這里本發(fā)明所涉及的“屏蔽膜”指的是，具有導(dǎo)電等電磁屏蔽功能的膜。還有，“屏蔽膜”也可以是多條信號(hào)布線之中位于一條信號(hào)布線和其它信號(hào)布線之間的又一條信號(hào)布線。也就是說，還包括屏蔽膜和多個(gè)導(dǎo)電膜之中的一個(gè)為共用的情形，以及屏蔽膜和多條信號(hào)布線之中的一條為共用的情形。其結(jié)果為，通過使特別是作為與圖像信號(hào)相比頻率較高的信號(hào)如數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路用的時(shí)鐘信號(hào)、對(duì)圖像信號(hào)產(chǎn)生影響的電磁噪聲得到減低，可以進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。
如同上面所說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明的電光裝置，可以縮小基板尺寸，能夠使電光裝置小型化，并且可以減低不同種類的信號(hào)間的電磁干擾，進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。
在本發(fā)明電光裝置的一個(gè)方式中，在上述基板上還具備多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線，其設(shè)置為在上述像素區(qū)域相互交叉；上述像素按照上述數(shù)據(jù)線及上述掃描線的交叉處來設(shè)置；在上述基板上具備按順序疊層有下側(cè)電極、電介質(zhì)膜及上側(cè)電極的存儲(chǔ)電容；上述多個(gè)導(dǎo)電膜及上述屏蔽膜各自和分別構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線、上述下側(cè)電極及上述上側(cè)電極的導(dǎo)電膜之中的任一個(gè)，為同一膜。
根據(jù)這種方式，多個(gè)導(dǎo)電膜及屏蔽膜各自和分別構(gòu)成數(shù)據(jù)線、下側(cè)電極及上側(cè)電極的多個(gè)導(dǎo)電膜之中的任一個(gè)，為同一膜。這里，所謂的“同一膜”指的是，在制造工藝中的同一時(shí)機(jī)制成的膜，并且是同一種類的膜。還有，所謂的“是同一膜”并不是甚至要求到作為一片膜而連續(xù)的意思，而只要基本上是同一膜之中被相互分割的膜部分就可以。因而，多條信號(hào)布線及屏蔽膜可以分別按和數(shù)據(jù)線、下側(cè)電極或上側(cè)電極的形成相同的時(shí)機(jī)，來形成。也就是說，可以在不導(dǎo)致制造工藝復(fù)雜化的狀況下，將多條信號(hào)布線及屏蔽膜由多個(gè)導(dǎo)電膜來形成。
還有，利用存儲(chǔ)電容，例如可以使構(gòu)成像素的像素電極的電位保持特性得到提高，實(shí)現(xiàn)顯示的高對(duì)比度化。
在本發(fā)明電光裝置的其他方式中，上述多條信號(hào)布線按預(yù)先所設(shè)定的頻率由上述不同的導(dǎo)電膜來分別形成。
根據(jù)這種方式，例如多條信號(hào)布線之中的，用來供給頻率比預(yù)定頻率高的高頻帶信號(hào)的信號(hào)布線作為高頻信號(hào)布線，由一種導(dǎo)電膜來形成，用來供給頻率比預(yù)定頻率低的低頻帶信號(hào)的信號(hào)布線作為低頻信號(hào)布線，由和高頻信號(hào)布線不同的一種導(dǎo)電膜來形成。例如，用來供給用來驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào)、使能信號(hào)等的信號(hào)布線作為高頻信號(hào)布線來形成。另一方面，例如用來供給下述時(shí)鐘信號(hào)的信號(hào)布線、用來供給下述各種控制信號(hào)的信號(hào)布線以及用來供給圖像信號(hào)的信號(hào)布線也就是圖像信號(hào)線，作為低頻信號(hào)布線來形成，上述時(shí)鐘信號(hào)用來驅(qū)動(dòng)掃描線驅(qū)動(dòng)電路，上述各種控制信號(hào)用來控制數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路和掃描線驅(qū)動(dòng)電路等周邊電路的工作。另外，也可以將用來供給一定電位或固定電位的信號(hào)的信號(hào)布線作為此處的低頻信號(hào)布線，來處理。因而，根據(jù)本實(shí)施方式，在基板上平面看上去，屏蔽膜位于高頻信號(hào)布線和低頻信號(hào)布線相互重合的布線部分之間。因而，能減少如圖像信號(hào)等低頻信號(hào)受到來自下述時(shí)鐘信號(hào)等高頻信號(hào)的電磁影響，換言之，能減少低頻信號(hào)和高頻信號(hào)之間的電磁干擾，上述時(shí)鐘信號(hào)用來驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路。據(jù)此，可以進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。
在上述的多條信號(hào)布線按預(yù)先所設(shè)定的頻帶由不同的導(dǎo)電膜來分別形成的方式中，上述多條信號(hào)布線包括第1頻率信號(hào)布線，用來供給上述頻率為第1頻率的信號(hào)；和第2頻率信號(hào)布線，用來供給上述頻率為比上述第1頻率低的第2頻率的信號(hào)；上述第1頻率信號(hào)布線、上述屏蔽膜及上述第2頻率信號(hào)布線也可以在上述基板上，按該順序相互通過上述層間絕緣膜來疊層。
這種情況下，第1頻率信號(hào)布線、屏蔽膜及第2頻率信號(hào)布線在基板上，按該順序相互通過層間絕緣膜進(jìn)行疊層。也就是說，例如供給圖像信號(hào)的圖像信號(hào)線等作為第2頻率信號(hào)布線，形成于疊層結(jié)構(gòu)的靠近表面的一方。因而，為了電連接靠近疊層結(jié)構(gòu)表面所形成的外部電路連接端子和第2頻率信號(hào)布線所需要的接觸孔數(shù)量可以較少。因而，可以使第2頻率信號(hào)布線低電阻化。特別是，由于可以作為第2頻率信號(hào)布線例如使圖像信號(hào)線低電阻化，因而能夠進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。另一方面，例如用來供給下述時(shí)鐘信號(hào)等的信號(hào)布線作為第1頻率信號(hào)布線，形成于疊層結(jié)構(gòu)的靠近基板面的一方，上述時(shí)鐘信號(hào)用來驅(qū)動(dòng)周邊電路。一般來說，構(gòu)成周邊電路的TFT等形成于靠近基板面的一方。因而，第1頻率信號(hào)布線和周邊電路之間的接觸孔數(shù)量可以較少。因而，可以容易連接第1頻率信號(hào)布線和周邊電路。
在上述的多條信號(hào)布線按預(yù)先所設(shè)定的頻帶由不同的導(dǎo)電膜來分別形成的方式中，上述多條信號(hào)布線包括第1頻率信號(hào)布線，用來供給上述頻率為第1頻率的信號(hào)；和第2頻率信號(hào)布線，用來供給上述頻率為比上述第1頻率低的第2頻率的信號(hào)；上述第2頻率信號(hào)布線、上述屏蔽膜及上述第1頻率信號(hào)布線也可以在上述基板上，按該順序相互通過層間絕緣膜來疊層。
這種情況下，第2頻率信號(hào)布線、屏蔽膜及第1頻率信號(hào)布線在基板上，按該順序相互通過層間絕緣膜進(jìn)行疊層。也就是說，例如用來供給下述時(shí)鐘信號(hào)等頻率高的信號(hào)的信號(hào)布線作為第1頻率信號(hào)布線，形成于疊層結(jié)構(gòu)的靠近表面的一方，上述時(shí)鐘信號(hào)用來驅(qū)動(dòng)周邊電路。因而，可以將因頻率高引起的由第1頻率信號(hào)布線發(fā)生的熱，通過表面散熱或去除。也就是說，可以對(duì)第1頻率信號(hào)布線進(jìn)行冷卻。
在上述包括第1及第2頻率信號(hào)布線的方式中，上述屏蔽膜也可以是用來供給一定電位的定電位布線。
這種情況下，由于定電位布線作為屏蔽膜來發(fā)揮作用，因而能夠在不導(dǎo)致制造工藝復(fù)雜化的狀況下，減低不同種類的信號(hào)間的電磁干擾，進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。還有，屏蔽膜也可以是用來供給下述預(yù)定電位信號(hào)的預(yù)定電位布線，該預(yù)定電位信號(hào)其信號(hào)的電位按一定時(shí)間向預(yù)定電位進(jìn)行變化，例如按一定周期反相。這種情況下，對(duì)于各一定時(shí)間來看，由于信號(hào)的電位為一定，因而能相應(yīng)獲得和上面相同的減低電磁干擾的效果。
在上述定電位布線作為屏蔽膜來發(fā)揮作用的方式中，上述定電位布線的布線寬度也可以在上述基板上平面看上去，至少部分比上述第1及第2頻率信號(hào)布線至少一方的布線寬度寬。
這種情況下，由于定電位布線的布線寬度在基板上平面看上去，至少部分比第1及第2頻率信號(hào)布線至少一方的布線寬度寬，因而可以進(jìn)一步可靠地減低第1及第2頻率信號(hào)布線間的電磁干擾，也就是說可以使定電位布線作為屏蔽膜的功能得到提高。再者，由于布線寬度較寬，因而可以謀求定電位布線的低電阻化。因而，可以通過定電位布線，給周邊電路供給穩(wěn)定的定電位信號(hào)或定電位電源。
在上述定電位布線作為屏蔽膜來發(fā)揮作用的方式中，上述定電位布線的布線寬度也可以在上述基板上平面看上去，至少部分比上述第1及第2頻率信號(hào)布線至少一方的布線寬度窄。
這種情況下，可以減小由定電位布線、層間絕緣膜及第1或第2頻率信號(hào)布線構(gòu)成的電容，也就是布線電容。因而，可以防止定電位信號(hào)的電位因第1及第2頻率的信號(hào)的影響而產(chǎn)生變動(dòng)或波動(dòng)。也就是說，可以防止因第1及第2頻率的信號(hào)引起的電磁噪聲例如通過定電位電源等的定電位信號(hào)影響到圖像信號(hào)。
在上述定電位布線的布線寬度比第1及第2頻率信號(hào)布線至少一方的布線寬度窄的方式中，也可以為上述一定電位是具有第1電位和第2電位的電源電位，該第2電位是比該第1電位低的電位；上述定電位布線由用來供給上述第1電位的第1電位電源布線及用來供給上述第2電位的第2電位電源布線構(gòu)成；上述定電位布線的布線寬度至少部分比上述第1及第2頻率信號(hào)布線任一方的布線寬度窄，上述第1及第2電位電源布線布線為，在上述基板上平面看上去，至少部分并列配置，且和上述第1及第2頻率信號(hào)布線的各自重合。
這種情況下，第1及第2電位電源布線布線為，在基板上平面看上去，至少部分并列配置，且和第1及第2頻率信號(hào)布線的各自重合。因而，第1及第2頻率信號(hào)布線間的電磁噪聲通過第1及第2電位電源布線得到減低。
再者，假設(shè)在一個(gè)第1及第2頻率信號(hào)布線間布線第1電位電源布線，在另一個(gè)第1及第2頻率信號(hào)布線間布線第2電位電源布線時(shí)，兩者對(duì)第1及第2頻率信號(hào)布線間的電磁影響不同。然而，在本方式中，由于第1及第2電位電源布線和第1及第2頻率信號(hào)布線的各自重合，因而可以獲得大致均勻的屏蔽效果。
在本發(fā)明電光裝置的其他方式中，還具備中繼層，由和上述屏蔽膜為同一膜的膜來形成，用來對(duì)上述多條信號(hào)布線之中的與上述屏蔽膜相比形成于上層側(cè)的上層側(cè)信號(hào)布線和上述周邊電路之中的與上述屏蔽膜相比形成于下層側(cè)的下層側(cè)周邊電路進(jìn)行電中繼連接。
根據(jù)這種方式，上層側(cè)信號(hào)布線和下層側(cè)周邊電路在中繼層進(jìn)行中繼，被電連接。也就是說，上層側(cè)信號(hào)布線和中繼層以及中繼層和下層側(cè)周邊電路，例如通過在各自之間的層間絕緣膜所開出的接觸孔，進(jìn)行電連接。因而，可以避免上層側(cè)信號(hào)布線及下層側(cè)周邊電路間的層間距離較長(zhǎng)而難以利用一個(gè)接觸孔來連接雙方間的狀況。而且，由于中繼層由和屏蔽膜為同一膜的膜來形成，因而不導(dǎo)致疊層結(jié)構(gòu)及制造工藝的復(fù)雜化。
在本發(fā)明電光裝置的其他方式中，在上述基板上還具備多個(gè)外部電路連接端子，分別電連接到上述多條信號(hào)布線及屏蔽膜，排列于上述周邊區(qū)域；上述屏蔽膜在上述基板上平面看上去，至少部分和上述信號(hào)布線相互重合，該信號(hào)布線是電連接于與電連接有上述屏蔽膜的上述外部電路連接端子相鄰的上述外部電路連接端子的信號(hào)布線。
根據(jù)這種方式，屏蔽膜在基板上平面看上去，至少部分和下述信號(hào)布線相互重合，該信號(hào)布線是電連接于與電連接有上述屏蔽膜的外部電路連接端子相鄰的外部電路連接端子的信號(hào)布線。因而，在多條信號(hào)布線和外部電路連接端子電連接的區(qū)域，也可以存在屏蔽膜。因而，可以進(jìn)一步可靠地減低由相互通過層間絕緣膜位于相互不同的層的導(dǎo)電膜構(gòu)成的多條信號(hào)布線間的電磁干擾。
本發(fā)明的電子設(shè)備為了解決上述問題，具備有上述本發(fā)明的電光裝置。
根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備，由于具備有上述本發(fā)明的電光裝置，因而還可以實(shí)現(xiàn)能進(jìn)行高品質(zhì)顯示的投影型顯示裝置、便攜式電話機(jī)、電子記事本、文字處理機(jī)、取景器式或監(jiān)視直觀式磁帶錄像機(jī)、工作站、電視電話機(jī)、POS終端及觸摸式面板等各種電子設(shè)備。另外，作為本發(fā)明的電子設(shè)備，例如還能夠?qū)崿F(xiàn)電子紙張之類的電泳裝置等。
本發(fā)明的這種作用及其他優(yōu)勢(shì)將通過下面說明的用來實(shí)施的最佳方式得以明確。


圖1是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式所涉及的液晶裝置整體結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2是圖1的H-H′的剖面圖。
圖3是構(gòu)成圖像顯示區(qū)域的多個(gè)像素中各種元件、布線等的等效電路圖。
圖4是表示TFT陣列基板上的像素所涉及的部分結(jié)構(gòu)的平面圖，相當(dāng)于疊層結(jié)構(gòu)之中的下層部分(圖6中至符號(hào)6a(數(shù)據(jù)線)為止的下層部分)。
圖5是表示TFT陣列基板上的像素所涉及的部分結(jié)構(gòu)的平面圖，相當(dāng)于疊層結(jié)構(gòu)之中的上層部分(圖6中超過符號(hào)6a(數(shù)據(jù)線)的上層部分)。
圖6是將圖4及圖5拼合時(shí)的A-A′剖面圖。
圖7是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路及采樣電路所涉及的電路結(jié)構(gòu)以及利用信號(hào)布線等的電連接關(guān)系的說明圖。
圖8是表示圖7所示的結(jié)構(gòu)之中與傳輸信號(hào)的整形有關(guān)的電路系統(tǒng)的電路圖。
圖9是圖7中B-B′線的剖面圖。
圖10是第1變形例中和圖9相同內(nèi)容的剖面圖。
圖11是第2變形例中和圖9相同內(nèi)容的剖面圖。
圖12是圖像信號(hào)線及分支布線的布置圖。
圖13是圖12中D-D′線的剖面圖。
圖14是外部電路連接端子周邊的信號(hào)布線布置圖。
圖15是圖14中D-D′線的剖面圖。
圖16是圖14中E-E′線的剖面圖。
圖17是圖14中F-F′線的剖面圖。
圖18是第2實(shí)施方式中和圖6相同內(nèi)容的剖面圖。
圖19是表示作為使用電光裝置的電子設(shè)備一例之投影機(jī)結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖20是表示作為使用電光裝置的電子設(shè)備一例之個(gè)人計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖21是表示作為使用電光裝置的電子設(shè)備一例之便攜式電話機(jī)結(jié)構(gòu)的立體圖。
符號(hào)說明9a…像素電極，6a…數(shù)據(jù)線，7…采樣電路，7s…采樣開關(guān)，10…TFT陣列基板，10a…圖像顯示區(qū)域，11a…掃描線，20…對(duì)向基板，21…對(duì)向電極，41、42、43…層間絕緣膜，50…液晶層，75…電介質(zhì)膜，90…信號(hào)布線，91…圖像信號(hào)線，92…使能信號(hào)線，95、95d、95s…電源布線，101…數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，102、102c、102d、102e…外部電路連接端子，104…掃描線驅(qū)動(dòng)電路，VID1～VID6…圖像信號(hào)，ENB1～ENB4…使能信號(hào)具體實(shí)施方式
在下面，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式，在參照附圖的同時(shí)，進(jìn)行說明。在下面的實(shí)施方式中，將舉例說明作為本發(fā)明電光裝置一例的驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置型TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的液晶裝置。
<第1實(shí)施方式>
對(duì)于第1實(shí)施方式所涉及的液晶裝置，參照?qǐng)D1到圖17進(jìn)行說明。
首先，參照?qǐng)D1及圖2，對(duì)于本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。這里，圖1是表示本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置結(jié)構(gòu)的平面圖，圖2是圖1的H-H′線的剖面圖。
在圖1及圖2中，在本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置中，TFT陣列基板10和對(duì)向基板20對(duì)向配置。在TFT陣列基板10和對(duì)向基板20之間封入液晶層50，TFT陣列基板10和對(duì)向基板20利用密封區(qū)域所設(shè)置的密封部件52相互粘接，該密封區(qū)域位于作為本發(fā)明所涉及的“像素區(qū)域”一例的圖像顯示區(qū)域10a周圍。
在圖1中，與配置密封部件52的密封區(qū)域內(nèi)側(cè)并行，規(guī)定圖像顯示區(qū)域10a邊框區(qū)域的遮光性邊框遮光膜53設(shè)置到對(duì)向基板20側(cè)。在周邊區(qū)域之中的位于配置有密封材料52的密封區(qū)域外側(cè)的區(qū)域，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101及外部電路連接端子102沿著TFT陣列基板10的一條邊進(jìn)行設(shè)置。在與沿著該一條邊的密封區(qū)域相比靠?jī)?nèi)側(cè)，使之被邊框遮光膜53覆蓋來設(shè)置采樣電路7。另外，掃描線驅(qū)動(dòng)電路104在沿著與該一條邊相鄰的2條邊的密封區(qū)域內(nèi)側(cè)，使之被邊框遮光膜53覆蓋來設(shè)置。另外，在TFT陣列基板10上，在與對(duì)向基板20的4個(gè)邊角部對(duì)向的區(qū)域，配置上下導(dǎo)通端子106，用來通過上下導(dǎo)通部件107連接兩個(gè)基板之間。借此，可以在TFT陣列基板10和對(duì)向基板20之間取得電導(dǎo)通。還有，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、采樣電路7及掃描線驅(qū)動(dòng)電路104是本發(fā)明所涉及的“周邊電路”一例。
在TFT陣列基板10上，形成信號(hào)布線90，用來對(duì)外部電路連接端子102和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104及上下導(dǎo)通端子106等進(jìn)行電連接。
在圖2中，在TFT陣列基板10上形成下述疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)裝入了作為驅(qū)動(dòng)元件的像素開關(guān)用TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)和掃描線、數(shù)據(jù)線等的布線。在圖像顯示區(qū)域10a，在像素開關(guān)用TFT和掃描線、數(shù)據(jù)線等布線的上層設(shè)置像素電極9a。另一方面，在對(duì)向基板20的和TFT陣列基板10之間的對(duì)向面上，形成遮光膜23。而且，在遮光膜23上，和多個(gè)像素電極9a對(duì)向，形成由ITO等透明材料構(gòu)成的對(duì)向電極21。
還有，在TFT陣列基板10上，除了數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104之外，還可以形成用來對(duì)制造過程中或出廠時(shí)該液晶裝置的品質(zhì)、缺陷等進(jìn)行檢查的檢查電路及檢查用圖形等。
下面，參照?qǐng)D3到圖6，對(duì)于本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置像素的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行說明。這里，圖3是構(gòu)成液晶裝置圖像顯示區(qū)域且形成為矩陣狀的多個(gè)像素中各種元件、布線等的等效電路圖。圖4及圖5是表示TFT陣列基板上的像素所涉及的部分結(jié)構(gòu)的平面圖，分別相當(dāng)于下述疊層結(jié)構(gòu)之中的下層部分(圖4)和上層部分(圖5)。圖6是將圖4及圖5拼合時(shí)的A-A′剖面圖。還有，在圖6中，由于將各層、各部件設(shè)為可在附圖上辨認(rèn)程度的大小，因而對(duì)該各層、各部件的每個(gè)都使比例尺不同。
<像素的原理性結(jié)構(gòu)>
在圖3中，在構(gòu)成本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的圖像顯示區(qū)域且形成為矩陣狀的多個(gè)像素，分別形成像素電極9a和用來對(duì)該像素電極9a進(jìn)行開關(guān)控制的TFT30，并且供給圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線6a電連接到該TFT30的源。向數(shù)據(jù)線6a寫入的圖像信號(hào)VS1、VS2、…、VSn既可以按該順序依線次序來供給，又可以對(duì)相鄰的多條數(shù)據(jù)線6a之間按每個(gè)組來供給。
另外，對(duì)TFT30的柵電連接掃描線11a，并且其構(gòu)成為，按預(yù)定的定時(shí)對(duì)掃描線11a以脈沖方式將掃描信號(hào)G1、G2、…、Gm按該順序依線次序施加。像素電極9a電連接到TFT30的漏，并且通過將作為開關(guān)元件的TFT30，只按一定期間關(guān)閉其開關(guān)，來以預(yù)定的定時(shí)寫入從數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號(hào)VS1、VS2、…、VSn。
通過像素電極9a對(duì)液晶所寫入的預(yù)定電平的圖像信號(hào)VS1、VS2、…、VSn，在其和在對(duì)向基板所形成的對(duì)向電極之間被保持一定期間。由于液晶根據(jù)施加的電壓電平不同，分子集合的取向和秩序產(chǎn)生變化，因而可以對(duì)光進(jìn)行調(diào)制，實(shí)現(xiàn)灰度等級(jí)顯示。如果是常時(shí)亮態(tài)模式，則按照以各像素為單位所施加的電壓減少對(duì)入射光的透射率，如果是常時(shí)暗態(tài)模式，則按照以各像素為單位所施加的電壓增加對(duì)入射光的透射率，并且整體上從液晶裝置出射具有與圖像信號(hào)相應(yīng)的對(duì)比度的光。
在此，為了防止所保持的圖像信號(hào)出現(xiàn)漏損，與形成于像素電極9a和對(duì)向電極之間的液晶電容并聯(lián)，附加了存儲(chǔ)電容70。存儲(chǔ)電容70的一方電極和像素電極9a并聯(lián)，連接到TFT30的漏，另一方電極連接到電位固定的電容布線400，使之成為定電位。
<像素的具體結(jié)構(gòu)>
下面，參照?qǐng)D4到圖5，對(duì)于實(shí)現(xiàn)上述工作的像素具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
在圖4到圖5中，上述像素的各電路要件作為進(jìn)行了圖形化并疊層了的導(dǎo)電膜，構(gòu)成于TFT陣列基板10上。TFT陣列基板10例如由玻璃基板、石英基板、SOI基板及半導(dǎo)體基板等構(gòu)成，并且和例如由玻璃基板或石英基板構(gòu)成的對(duì)向基板20對(duì)向配置。另外，各電路要件從下按順序，包括第1層，包括掃描線11a；第2層，包括TFT30等；第3層，包括數(shù)據(jù)線6a等；第4層，包括存儲(chǔ)電容70等；和第5層，包括像素電極9a等。另外，在第1層-第2層間設(shè)置基底絕緣膜12，在第2層-第3層間設(shè)置第1層間絕緣膜41，在第3層-第4層間設(shè)置第2層間絕緣膜42，在第4層-第5層間設(shè)置第3層間絕緣膜43，防止上述各要件間產(chǎn)生短路。還有，其中第1層到第3層作為下層部分表示于圖4中，第4層到第5層作為上層部分表示于圖5中。
(第1層的結(jié)構(gòu)-掃描線等-)在圖4中，第1層由掃描線11a構(gòu)成。掃描線11a已被構(gòu)圖為下述形狀，該形狀包括主線部，沿著圖4的X方向延伸；和突出部，按數(shù)據(jù)線6a延伸的、圖4的Y方向延伸。這種掃描線11a例如由導(dǎo)電性多晶硅構(gòu)成，并且除此之外還可以采用含有鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)及鉬(Mo)等高熔點(diǎn)金屬之中至少一種的金屬單質(zhì)、合金、金屬硅化物、多晶硅化物或它們的疊層體等，來形成。
如圖4及圖6所示，掃描線11a包括與溝道區(qū)域1a′對(duì)向的區(qū)域地配置于TFT30的下層側(cè)，并且由導(dǎo)電膜構(gòu)成。
(第2層的結(jié)構(gòu)-TFT等-)如圖6所示，第2層由TFT30構(gòu)成。TFT30例如為L(zhǎng)DD(Lightly DopedDrain，輕摻雜漏)結(jié)構(gòu)，并且具備柵電極3a、半導(dǎo)體層1a及絕緣膜2，該絕緣膜2包括對(duì)柵電極3a和半導(dǎo)體層1a進(jìn)行絕緣的柵絕緣膜。柵電極3a例如采用導(dǎo)電性多晶硅來形成。半導(dǎo)體層1a例如由多晶硅構(gòu)成，并且由溝道區(qū)域1a′、低濃度源區(qū)域1b與低濃度漏區(qū)域1c以及高濃度源區(qū)域1d與高濃度漏區(qū)域1e構(gòu)成。還有，雖然優(yōu)選的是，TFT30具有LDD結(jié)構(gòu)，但既可以是不對(duì)低濃度源區(qū)域1b、低濃度漏區(qū)域1c進(jìn)行雜質(zhì)摻入的補(bǔ)償(off set)結(jié)構(gòu)，又可以是以柵電極3a作為掩模將雜質(zhì)摻入成高濃度來形成高濃度源區(qū)域及高濃度漏區(qū)域的自匹配型。
TFT30的柵電極3a在其一部分3b，通過在基底絕緣膜12所形成的接觸孔12cv，電連接到掃描線11a?；捉^緣膜12例如由氧化硅膜等構(gòu)成，并且除第1層和第2層的層間絕緣功能之外，還因?yàn)樾纬捎赥FT陣列基板10的整個(gè)面上，而具有防止因基板表面研磨而產(chǎn)生的裂紋或污漬等引起的TFT30元件特性變化的功能。
還有，本實(shí)施方式所涉及的TFT30雖然是頂柵型，但是也可以是底柵型。
(第3層的結(jié)構(gòu)-數(shù)據(jù)線等-)如圖6所示，第3層由數(shù)據(jù)線6a及中繼層600構(gòu)成。
數(shù)據(jù)線6a從下按順序，作為鋁、氮化鈦、氮化硅的3層膜來形成。數(shù)據(jù)線6a的形成為，部分覆蓋TFT30的溝道區(qū)域1a′。因此，可以利用能與溝道區(qū)域1a′接近配置的數(shù)據(jù)線6a，相對(duì)來自上層側(cè)的入射光，將TFT30的溝道區(qū)域1a′加以遮光。另外，數(shù)據(jù)線6a通過貫通第1層間絕緣膜41的接觸孔81，和TFT30的高濃度源區(qū)域1d進(jìn)行電連接。
還有，在數(shù)據(jù)線6a的與溝道區(qū)域1a′對(duì)向的一側(cè)，還可以形成與構(gòu)成數(shù)據(jù)線6a主體的Al膜等導(dǎo)電膜相比反射率較低的導(dǎo)電膜。這樣一來，就可以減低對(duì)溝道區(qū)域1a′的光影響。
中繼層600作為和數(shù)據(jù)線6a同一膜來形成。中繼層600和數(shù)據(jù)線6a如圖4所示，其形成為各自被分割。另外，中繼層600通過貫通第1層間絕緣膜41的接觸孔83，和TFT30的高濃度漏區(qū)域1e進(jìn)行電連接。
第1層間絕緣膜41例如采用NSG(無摻雜硅酸鹽玻璃)來形成。此外，還可以對(duì)第1層間絕緣膜41使用PSG(磷硅酸鹽玻璃)、BSG(硼硅酸鹽玻璃)、BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)等的硅酸鹽玻璃以及氮化硅或氧化硅等。
(第4層的結(jié)構(gòu)-存儲(chǔ)電容等-)如圖6所示，第4層由存儲(chǔ)電容70構(gòu)成，存儲(chǔ)電容70的結(jié)構(gòu)為，作為本發(fā)明所涉及的“上側(cè)電極”一例的電容電極300和作為本發(fā)明所涉及的“下側(cè)電極”的下部電極71，通過作為本發(fā)明所涉及的“層間絕緣膜”一例的電介質(zhì)膜75對(duì)向配置。
電容電極300的延伸部通過貫通第2層間絕緣膜42的接觸孔84，和中繼層600進(jìn)行電連接。
電容電極300或下部電極71例如由含有Ti、Cr、W、Ta及Mo等高熔點(diǎn)金屬之中至少一種的金屬單質(zhì)、合金、金屬硅化物、多晶硅化物、將它們疊層后的疊層體等或者最好是鎢硅化物，來構(gòu)成。
電介質(zhì)膜75如圖5所示，在TFT陣列基板10上平面看上去形成在下述非開口區(qū)域，也就是說幾乎不形成到開口區(qū)域，上述非開口區(qū)域位于每個(gè)像素的開口區(qū)域間隙。電介質(zhì)膜75不用考慮透射率，而由介電常數(shù)較高的氮化硅膜等來形成。還有，作為電介質(zhì)膜除了氮化硅膜之外，例如還可以使用氧化鉿(HfO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鉭(Ta2O5)等的單層膜或多層膜。
第2層間絕緣膜42例如采用NSG來形成。此外，對(duì)第2層間絕緣膜42可以使用PSG、BSG、BPSG等的硅酸鹽玻璃、氮化硅或氧化硅等。第2層間絕緣膜42的表面進(jìn)行過化學(xué)研磨處理(Chemical MechanicalPolishingCMP，化學(xué)機(jī)械研磨)或研磨處理、旋壓覆蓋處理、對(duì)凹處的填埋處理等平坦化處理。因而，因下層側(cè)的這些要件引起的凹凸被去除，第2層間絕緣層42的表面得以平坦化。還有，這種平坦化處理也可以對(duì)其他層間絕緣膜的表面進(jìn)行。
(第5層的結(jié)構(gòu)-像素電極等-)如圖6所示，在第4層的整個(gè)面形成第3層間絕緣膜43，并且在其上作為第5層形成像素電極9a。第3層間絕緣膜43例如采用NSG來形成。此外，對(duì)第3層間絕緣膜43可以使用PSG、BSG、BPSG等硅酸鹽玻璃、氮化硅或氧化硅等。第3層間絕緣膜43的表面和第2層間絕緣膜42相同，進(jìn)行過CMP等的平坦化處理。
如圖4及圖5所示，像素電極9a(在圖5中，用虛線9a′表示出輪廓)配置于按縱橫所劃分排列的像素區(qū)域各自，并且其形成為，在其邊界數(shù)據(jù)線6a及掃描線11a排列成網(wǎng)格狀。另外，像素電極9a例如由ITO(IndiumTin Oxide，氧化銦錫)等的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。
如圖6所示，像素電極9a通過貫通層間絕緣膜43的接觸孔85，和電容電極300的延伸部進(jìn)行電連接。因而，作為像素電極9a正下方的導(dǎo)電膜之電容電極300的電位為像素電位。因而，在液晶裝置工作時(shí)，沒有因像素電極9a和其下層的導(dǎo)電膜之間的寄生電容而使像素電位受到不良影響的狀況。
再者，如上所述，電容電極300的延伸部和中繼層600以及中繼層600和TFT30的高濃度漏區(qū)域1e分別通過接觸孔84及83進(jìn)行電連接。也就是說，像素電極9a和TFT30的高濃度漏區(qū)域1e在中繼層600及電容電極300的延伸部進(jìn)行中繼，被進(jìn)行中繼連接。
在像素電極9a的上側(cè)設(shè)置取向膜16，該取向膜16實(shí)施過摩擦處理等預(yù)定的取向處理。
以上是TFT陣列基板10側(cè)的像素結(jié)構(gòu)。
另一方面，在對(duì)向基板20，在其對(duì)向面的整個(gè)面設(shè)置對(duì)向電極21，并且在其上(圖6中是對(duì)向電極21的下側(cè))設(shè)置取向膜22。對(duì)向電極21和像素電極9a相同，例如由ITO膜等的透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。還有，在對(duì)向基板20和對(duì)向電極21之間，為了防止TFT30中光泄漏電流的發(fā)生等，設(shè)置有遮光膜23，使之至少覆蓋和TFT30正相對(duì)的區(qū)域。
在這樣所構(gòu)成的TFT陣列基板10和對(duì)向基板20之間，設(shè)置液晶層50。液晶層50是在利用密封部件將基板10及20的周緣部密封所形成的空間內(nèi)封入液晶來形成的。液晶層50在未對(duì)像素電極9a和對(duì)向電極21之間施加電場(chǎng)的狀態(tài)下，利用實(shí)施過摩擦處理等取向處理的取向膜16及取向膜22，取得預(yù)定的取向狀態(tài)。
上面所說明的像素結(jié)構(gòu)如圖4及圖5所示，在各像素中相同。在上述圖像顯示區(qū)域10a(參見圖1)，此像素被周期性形成。
下面，參照?qǐng)D7及圖8，對(duì)于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路及采樣電路所涉及的電路結(jié)構(gòu)以及利用信號(hào)布線等進(jìn)行的電連接關(guān)系，進(jìn)行說明。這里，圖7是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路及采樣電路所涉及的電路結(jié)構(gòu)以及利用信號(hào)布線等進(jìn)行的電連接關(guān)系的說明圖。圖8是表示圖7所示的結(jié)構(gòu)之中與傳輸信號(hào)的整形有關(guān)的電路系統(tǒng)的電路圖。
在圖7中，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101具備移位寄存器51和邏輯電路52。
移位寄存器51的構(gòu)成為，根據(jù)輸入數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101內(nèi)的預(yù)定周期的X側(cè)時(shí)鐘信號(hào)CLX(及其反相信號(hào)CLX′)、移位寄存器起始信號(hào)DX，從各級(jí)依次輸出傳輸信號(hào)Pi(i＝1、…、n)。在液晶裝置的工作時(shí)，對(duì)移位寄存器51，從外部電路通過外部電路連接端子102以及作為本發(fā)明所涉及的“定電位布線”一例的電源布線95，供給電源VDDX(及與電源相比低電位的電源VSSX)，驅(qū)動(dòng)構(gòu)成移位寄存器51的晶體管。
邏輯電路52包括脈沖寬度限制機(jī)構(gòu)，并且具有下述功能，即根據(jù)使能信號(hào)ENB1～ENB4，對(duì)從移位寄存器51依次輸出的傳輸信號(hào)Pi進(jìn)行整形，并基于此最后輸出采樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)Si。在圖8中，在邏輯電路52中，包括脈沖寬度控制機(jī)構(gòu)540、預(yù)充電用電路521及反相電路523。
在圖8中，脈沖寬度控制機(jī)構(gòu)540具備邏輯電路，用來對(duì)從移位寄存器51所輸出的傳輸信號(hào)Pi的波形進(jìn)行整形。更為具體而言，脈沖寬度控制機(jī)構(gòu)540由對(duì)應(yīng)于移位寄存器51的各級(jí)所設(shè)置的單位電路540A來構(gòu)成，并且單位電路540A由NAND(與非)電路來構(gòu)成。
在圖8中，給NAND電路540A的柵，輸入從移位寄存器51對(duì)應(yīng)的級(jí)輸出的傳輸信號(hào)Pi和由作為本發(fā)明所涉及的“多條信號(hào)布線”一例的4條使能信號(hào)線92供給的使能信號(hào)ENB1～ENB4之中的一個(gè)。給NAND電路540A，作為NAND電路540A的電源，通過圖8中未圖示的布線供給電源VDDX(及VSSX)。電源VDDX是對(duì)構(gòu)成NAND電路540A的晶體管的漏輸入的信號(hào)，電源VSSX是對(duì)構(gòu)成NAND電路540A的晶體管的源輸入的信號(hào)。
NAND電路540A通過計(jì)算所輸入的傳輸信號(hào)Pi及使能信號(hào)ENB1～ENB4的邏輯積，來進(jìn)行傳輸信號(hào)Pi的整形。據(jù)此，NAND電路540A生成整形信號(hào)Qai并加以輸出，該整形信號(hào)Qai是對(duì)傳輸信號(hào)Pi實(shí)施過整形的信號(hào)。還有，在各單位電路540A中除NAND電路之外，還可以設(shè)置反相電路等，用來使輸入給NAND電路的傳輸信號(hào)Pi或使能信號(hào)ENB1～ENB4以及從NAND電路輸出的整形信號(hào)Qai的邏輯產(chǎn)生反相。
傳輸信號(hào)Pi的波形通過脈沖寬度控制機(jī)構(gòu)540并根據(jù)脈沖寬度窄的使能信號(hào)ENB1～ENB4的波形進(jìn)行修整，最終脈沖寬度或脈沖周期等的脈沖形狀得到限制。
邏輯電路52具備對(duì)應(yīng)于移位寄存器51的各級(jí)所設(shè)置的預(yù)充電用電路521。單位電路521A利用反相電路521a和NAND電路521b，實(shí)質(zhì)上作為NOR(或非)電路來形成，該反相電路521a用來使由預(yù)充電用信號(hào)供給線93所供給的預(yù)充電用選擇信號(hào)NRG的邏輯產(chǎn)生反相，該NAND電路521b其柵被輸入在反相電路521a中邏輯反相后的預(yù)充電用選擇信號(hào)NRG及整形信號(hào)Qai。在NOR電路521A中，運(yùn)算整形信號(hào)Qai及預(yù)充電用選擇信號(hào)NRG的邏輯和，輸出整形信號(hào)Qai及預(yù)充電用選擇信號(hào)NRG的某一個(gè)，來作為輸出信號(hào)Qbi。這樣所輸出的輸出信號(hào)Qbi通過2個(gè)反相電路523，作為采樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)Si加以輸出。
還在圖7中，從作為本發(fā)明所涉及的“多條信號(hào)布線”一例的圖像信號(hào)線91分支的分支布線116連接到構(gòu)成采樣電路7且由TFT等構(gòu)成的采樣開關(guān)7s的源，從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101分支的采樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)線117連接到采樣開關(guān)302的柵。因而，在液晶裝置的工作時(shí)，從外部電路給圖像信號(hào)VID1～VID6用的外部電路連接端子102施加的圖像信號(hào)，經(jīng)由從圖像信號(hào)線91分支的分支布線116供給采樣電路7，在此按照與從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101經(jīng)由采樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)線117所供給的采樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)Si相應(yīng)的定時(shí)，進(jìn)行采樣。然后，所采樣的圖像信號(hào)被向各數(shù)據(jù)線6a供給。
經(jīng)由從圖像信號(hào)線91分支的分支布線116給采樣電路7供給的圖像信號(hào)雖然也可以按線順序來供給，但是在本實(shí)施方式中其構(gòu)成為，圖像信號(hào)對(duì)應(yīng)于按6相進(jìn)行了串行-并行展開后的圖像信號(hào)各自，對(duì)6條數(shù)據(jù)線6a的組按每個(gè)組進(jìn)行供給。還有，有關(guān)圖像信號(hào)的相展開數(shù)，并不限于6相，例如也可以構(gòu)成為，按9相、12相、24相等多個(gè)相展開后的圖像信號(hào)對(duì)于將與其展開數(shù)對(duì)應(yīng)的數(shù)目作為一組的數(shù)據(jù)線6a的組進(jìn)行供給。
下面，參照?qǐng)D6、圖7及圖9到圖11，對(duì)于本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的信號(hào)布線進(jìn)行詳細(xì)說明。這里，圖9是圖7中B-B′線的剖面圖。圖10是第1變形例中和圖9相同內(nèi)容的剖面圖。圖11是第2變形例中和圖9相同內(nèi)容的剖面圖。還有，在圖9到圖11中，由于將各層、各部件設(shè)為可在附圖上辨認(rèn)程度的大小，因而對(duì)該各層、各部件的每個(gè)都使比例尺不同。
在圖7中，圖像信號(hào)線91、使能信號(hào)線92及電源布線95等的信號(hào)布線90分別從對(duì)應(yīng)的外部電路連接端子102向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101等進(jìn)行布線。還有，作為信號(hào)布線90，還設(shè)置用來供給時(shí)鐘信號(hào)、各種控制信號(hào)及電源信號(hào)等的布線，這些信號(hào)用來驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101及掃描線驅(qū)動(dòng)電路104等的周邊電路。
如圖9所示，在本實(shí)施方式中，特別是圖像信號(hào)線91、使能信號(hào)線92及電源布線95等的信號(hào)布線90由通過第2層間絕緣膜42及電介質(zhì)膜75位于相互不同的層的多個(gè)導(dǎo)電膜來形成。因而，圖像信號(hào)線91、使能信號(hào)線92及電源布線95等的信號(hào)布線90可以布線為，在TFT陣列基板10上平面看上去至少部分相互重合。因而，在從其法線方向看基板的一定區(qū)域內(nèi)，可以布線更多的信號(hào)布線90，使之相互不產(chǎn)生短路。也就是說，能夠既將一條一條的布線寬度相對(duì)確保得較寬，又布線更多的信號(hào)布線90。據(jù)此，能夠既將圖像顯示區(qū)域10a確保得較寬，又謀求由位于圖像顯示區(qū)域10a周邊的周邊區(qū)域的削減而得到的TFT陣列基板10整體進(jìn)而液晶裝置整體的小型化。
再者，在本實(shí)施方式中，特別是多條信號(hào)布線90按信號(hào)的頻帶由不同的導(dǎo)電膜來分別形成。如圖9所示，也就是說供給使能信號(hào)ENB1～ENB4的使能信號(hào)線92，由和用來供給圖像信號(hào)的圖像信號(hào)線91不同的導(dǎo)電膜來分別形成，該使能信號(hào)具有比圖像信號(hào)VID1～VID6高的頻率。還有，使能信號(hào)線92是本發(fā)明所涉及的“第1頻率信號(hào)布線”一例，圖像信號(hào)線91是本發(fā)明所涉及的“第2頻率信號(hào)布線”一例。除此之外，在圖像信號(hào)線91和使能信號(hào)線92之間，分別通過電介質(zhì)膜75及第2層間絕緣膜42，布線電源布線95。因而，由于通過電源布線95供給的電源VDDX的電位為一定，因此電源布線95在圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92間作為屏蔽膜來發(fā)揮作用。也就是說，可以減低圖像信號(hào)及使能信號(hào)間的電磁干擾。特別是，可以減低因使能信號(hào)ENB1～ENB4比圖像信號(hào)VID1～VID6的頻率高而產(chǎn)生的對(duì)圖像信號(hào)VID1～VID6的電磁噪聲。因而，可以進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。還有，對(duì)于下述信號(hào)布線90來說，也同樣因?yàn)橛珊托纬蓤D像信號(hào)線91的導(dǎo)電膜不同的導(dǎo)電膜來形成，所以可以減低對(duì)圖像信號(hào)VID1～VID6的電磁噪聲，上述信號(hào)布線90供給比圖像信號(hào)的頻帶高的頻率的信號(hào)，例如用來驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101的時(shí)鐘信號(hào)CLK等。
在圖6及圖9中，在本實(shí)施方式中，特別是圖像信號(hào)線91由和構(gòu)成電容電極300的導(dǎo)電膜為同一膜的膜來形成，電源布線95由和構(gòu)成下部電極71的導(dǎo)電膜為同一膜的膜來形成，使能信號(hào)線92由和構(gòu)成數(shù)據(jù)線6a的導(dǎo)電膜為同一膜的膜來形成。因而，圖像信號(hào)線91、電源布線95及使能信號(hào)線92可以分別按和電容電極300、下部電極71及數(shù)據(jù)線6a的形成相同的時(shí)機(jī)，來形成。也就是說，可以在不導(dǎo)致制造工藝復(fù)雜化的狀況下，將多條信號(hào)布線及屏蔽膜由多個(gè)導(dǎo)電膜來形成。還有，圖像信號(hào)線91、電源布線95及使能信號(hào)線92等的信號(hào)布線90也可以分別由和構(gòu)成電容電極300、下部電極71及數(shù)據(jù)線6a某一個(gè)的導(dǎo)電膜為同一膜的膜，來形成。再者，也可以由和像素中的除電容電極300、下部電極71及數(shù)據(jù)線6a之外的導(dǎo)電膜為同一膜的膜，來形成。
除此之外，如圖9所示，在本實(shí)施方式中，特別是使能信號(hào)線92、電源布線95及圖像信號(hào)線91在TFT陣列基板10上，按該順序分別通過第2層間絕緣膜42及電介質(zhì)膜75進(jìn)行疊層。也就是說，圖像信號(hào)線91形成于疊層結(jié)構(gòu)的靠近表面的一方。因而，為了電連接靠近疊層結(jié)構(gòu)表面所形成的外部電路連接端子102和圖像信號(hào)線91所需要的接觸孔數(shù)量可以較少。因而，可以使圖像信號(hào)線91低電阻化。據(jù)此，可以進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。另一方面，使能信號(hào)線92形成于疊層結(jié)構(gòu)的靠近TFT陣列基板10表面的一方。電連接使能信號(hào)線92且構(gòu)成邏輯電路52的TFT等形成于靠近基板面的一方。因而，使能信號(hào)線92和構(gòu)成邏輯電路52的TFT等之間的接觸孔數(shù)量可以較少。因而，可以容易連接使能信號(hào)線92和邏輯電路52。
這里，如圖10中作為第1變形例所示，圖像信號(hào)線91、電源布線95及使能信號(hào)線92也可以在TFT陣列基板10上，按該順序分別通過第2層間絕緣膜42及電介質(zhì)膜75進(jìn)行疊層。也就是說，使能信號(hào)線92也可以形成到疊層結(jié)構(gòu)的靠近表面的一方。這種情況下，可以將因使能信號(hào)ENB1～ENB4的頻率較高引起的由使能信號(hào)線92發(fā)生的熱，通過疊層結(jié)構(gòu)的表面散熱或去除。也就是說，可以對(duì)使能信號(hào)線92進(jìn)行冷卻。
還在圖7中，在本實(shí)施方式中，特別是電源布線95的布線寬度在TFT陣列基板10上平面看上去，比圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92的布線寬度寬。換言之，電源布線95形成為，在TFT陣列基板10上平面看上去，和多條圖像信號(hào)線91及多條使能信號(hào)線92部分相互重合。因而，可以進(jìn)一步可靠地減低圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92間的電磁干擾，也就是說，可以使電源布線95作為屏蔽膜的功能得到提高。再者，由于電源布線95的布線寬度較寬，因而可以謀求電源信號(hào)布線95的低電阻化。因而，可以利用電源布線95，給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101供給穩(wěn)定的電源VDDX。
在此，如圖11中作為第2變形例所示，電源將具有預(yù)定電位之電源VDDX及具有比電源VDDX的電位低的電位之電源VSSX作為一組，并且用來供給電源VDDX的電源布線95d及用來供給電源VSSX的電源布線95s的布線寬度，也可以至少部分比圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92任一個(gè)的布線寬度窄。還有，電源VDDX是本發(fā)明所涉及的“第1電位”一例，電源VSSX是本發(fā)明所涉及的“第2電位”一例。另外，電源布線95d是本發(fā)明所涉及的“第1電位電源布線”一例，電源布線95s是本發(fā)明所涉及的“第2電位電源布線”一例。再者，電源布線95d及95s作為一組，也可以布線為，在TFT陣列基板10上平面看上去，至少部分相互排列且和圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92的各自重合。這種情況下，圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92間的電磁噪聲通過電源布線95d及95s得到減低。再者，假設(shè)在一個(gè)圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92間布線電源布線95d并且在另一個(gè)圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92間布線電源布線95s時(shí)，兩者對(duì)圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92間的電磁影響不同。然而，在本實(shí)施方式中，由于電源布線95d及95s作為一組，和圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92的各自重合，因而可以獲得大致均勻的屏蔽效果。
下面，參照?qǐng)D12及圖13，對(duì)于與圖像信號(hào)線和采樣電路之間的電連接有關(guān)的具體結(jié)構(gòu)，進(jìn)行說明。這里，圖12是圖像信號(hào)線及分支布線的布置圖。圖13是圖12中D-D′線的剖面圖。
如圖12所示，在TFT陣列基板10上，采樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)線117從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101按和圖像信號(hào)線91交叉的方向來布線，并且按每個(gè)采樣開關(guān)7s分支按數(shù)據(jù)線6a延伸的方向來布置。另外，分支布線116，從通過在電介質(zhì)膜75中所開出的接觸孔181電連接于對(duì)應(yīng)的圖像信號(hào)線91的一端側(cè)，沿?cái)?shù)據(jù)線6a延伸的方向來布線。而且，分支布線116的一部分形成采樣開關(guān)7s的源電極，數(shù)據(jù)線6a的一部分形成采樣開關(guān)7s的漏電極，采樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)線117的一部分形成采樣開關(guān)7s的柵電極。還有，如圖12及圖13所示，分支布線116通過第1層間絕緣膜41中所開出的接觸孔183，和采樣開關(guān)7s的半導(dǎo)體層1a進(jìn)行電連接。
如圖13所示，在本實(shí)施方式中，特別是該分支布線116包括一端與對(duì)應(yīng)的圖像信號(hào)線91進(jìn)行電連接的作為本發(fā)明所涉及的“中繼層”一例的中繼布線500。中繼布線500由和構(gòu)成作為屏蔽膜來發(fā)揮作用的電源布線95之導(dǎo)電膜、也就是構(gòu)成下部電極71的導(dǎo)電膜為同一膜的膜，來形成，中繼布線500與分支布線116之中的除去中繼布線500的部分的布線，通過第2層間絕緣膜42中所開出的接觸孔182進(jìn)行電連接。也就是說，作為本發(fā)明所涉及的“上層側(cè)信號(hào)布線”一例的圖像信號(hào)線91和中繼布線500以及中繼布線500和構(gòu)成作為本發(fā)明所涉及的“下側(cè)周邊電路”一例的采樣電路7之采樣開關(guān)7s，通過各自之間的介質(zhì)膜75或第2層間絕緣膜42中所開出的接觸孔181或182，進(jìn)行電連接。因而，可以避免圖像信號(hào)線91及構(gòu)成采樣電路7的采樣開關(guān)7s間的層間距離較長(zhǎng)而難以利用一個(gè)接觸孔來連接雙方之間的狀況。而且，由于中繼布線500由和作為屏蔽膜來發(fā)揮作用的電源布線95為同一膜的膜，來形成，因而不導(dǎo)致疊層結(jié)構(gòu)及制造工藝的復(fù)雜化。
下面，參照?qǐng)D14到圖17，對(duì)于外部電路連接端子周邊的信號(hào)布線布置，進(jìn)行說明。這里，圖14是外部電路連接端子周邊的信號(hào)布線布置圖。圖15是圖14中D-D′線的剖面圖。圖16是圖14中E-E′線的剖面圖。圖17是圖14中F-F′線的剖面圖。還有，在圖15到圖17中，由于將各層、各部件設(shè)為可在附圖上辨認(rèn)程度的大小，因而對(duì)該各層、各部件的每個(gè)都使比例尺不同。
在圖14中，圖像信號(hào)線91、電源布線95及使能信號(hào)線92分別電連接到對(duì)應(yīng)的外部電路連接端子102d、102e及102f。外部電路連接端子102d、102e及102f相互相鄰。如圖15到圖17所示，這些外部電路連接端子102d、102e及102f由和構(gòu)成圖像信號(hào)線91的導(dǎo)電膜、也就是構(gòu)成電容電極300的導(dǎo)電膜為同一膜的膜，來形成。
如圖14及圖15所示，圖像信號(hào)線91由和外部電路連接端子102d為同一膜的膜，來整體形成。
如圖14及圖16所示，電源布線95通過設(shè)置于外部電路連接端子102e的周圍、在電介質(zhì)膜75中所開出的接觸孔191，和外部電路連接端子102e進(jìn)行電連接。
如圖14及圖17所示，使能信號(hào)線92通過設(shè)置于外部電路連接端子102f的周圍、貫通電介質(zhì)膜75及第2層間絕緣膜42的接觸孔192，和外部電路連接端子102f進(jìn)行電連接。
如圖14所示，在本實(shí)施方式中，特別是電源布線95在TFT陣列基板10上平面看上去，部分和電連接于與外部電路連接端子102e相鄰的外部電路連接端子102d及102f的圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92相互重合。也就是說，在TFT陣列基板10上平面看上去，在位于圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92和外部電路連接端子102d及102f分別連接的部分的周邊的區(qū)域，也存在電源布線95的一部分。因而，在位于圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92和外部電路連接端子102d及102e分別電連接的部分的周邊的區(qū)域，也可以利用作為屏蔽膜的電源布線95，進(jìn)一步可靠地減低圖像信號(hào)線91及使能信號(hào)線92間的電磁干擾。還有，作為屏蔽膜的電源布線95也可以在TFT陣列基板10上平面看上去，和外部電路連接端子102c或102e部分或完全重合。
如同上面所說明的那樣，根據(jù)本實(shí)施方式的液晶裝置，可以縮小TFT陣列基板10的尺寸，能夠使液晶裝置小型化，并且可以減低不同種類的信號(hào)間的電磁干擾，進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。
<第2實(shí)施方式>
下面，對(duì)于第2實(shí)施方式所涉及的液晶裝置，參照?qǐng)D18進(jìn)行說明。這里，圖18是第2實(shí)施方式中和圖6相同內(nèi)容的剖面圖。還有，在圖18中，對(duì)和圖6所示的第1實(shí)施方式所涉及的結(jié)構(gòu)要件相同的結(jié)構(gòu)要件附上相同的參照符號(hào)，對(duì)它們的說明適當(dāng)予以省略。
在圖18中，本實(shí)施方式的液晶裝置中的像素從下按順序，包括第1層，包括掃描線11a；第2層，包括柵電極3a；第3層，包括存儲(chǔ)電容70；第4層，包括數(shù)據(jù)線6a等；第5層，包括電容布線400等；以及第6層，包括像素電極9a等。
第1層及第2層的結(jié)構(gòu)和上述第1實(shí)施方式中的像素結(jié)構(gòu)大體相同。
(第3層的結(jié)構(gòu)-存儲(chǔ)電容等-)在圖18中，第3層由存儲(chǔ)電容70構(gòu)成。其中，電容電極300電連接到電容布線400。下部電極71電連接到TFT30的高濃度漏區(qū)域1e及像素電極9a的各自。還有，電容布線400是本發(fā)明所涉及的“上側(cè)電極”一例。
下部電極71和高濃度漏區(qū)域1e通過第1層間絕緣膜41中所開出的接觸孔83進(jìn)行連接。另外，下部電極71和像素電極9a通過接觸孔881、882、804及89，利用在中繼電極719、第2中繼電極6a2及第3中繼電極402的各層中進(jìn)行中繼所構(gòu)成的路徑，進(jìn)行電連接。
在這種電容電極300中，例如由含有Ti、Cr、W、Ta及Mo等高熔點(diǎn)金屬之中至少一種的金屬單質(zhì)、合金、金屬硅化物、多晶硅化物、將它們疊層后的疊層體或者最好是鎢硅化物，來構(gòu)成。另外，對(duì)下部電極71，例如使用導(dǎo)電性的多晶硅。
(第4層的結(jié)構(gòu)-數(shù)據(jù)線等-)在圖18中，第4層由數(shù)據(jù)線6a構(gòu)成。數(shù)據(jù)線6a從下按順序，作為鋁、氮化鈦、氮化硅的3層膜來形成。另外，在第4層中作為和數(shù)據(jù)線6a為同一膜的膜，形成第2中繼電極6a2。
其中，數(shù)據(jù)線6a通過貫通第1層間絕緣膜41及第2層間絕緣膜42的接觸孔81，和TFT30的高濃度源區(qū)域1d進(jìn)行電連接。另外，第2中繼電極6a2如上所述，通過貫通第1層間絕緣膜41及第2層間絕緣膜42的接觸孔882，電連接到中繼電極719。
(第5層的結(jié)構(gòu)-電容布線等-)在圖18中，第5層由電容布線400及第3中繼電極402來構(gòu)成。電容布線400例如為疊層了鋁、氮化鈦的雙層結(jié)構(gòu)。電容布線400和電容電極300為通過接觸孔801進(jìn)行連接的結(jié)構(gòu)。另外，作為和電容布線400同一膜，形成第3中繼電極402。第3中繼電極402如上所述，通過接觸孔804及接觸孔89，對(duì)第2中繼電極6a2-像素電極9a間進(jìn)行中繼。
(第6層的結(jié)構(gòu)-像素電極等-)在圖18中，在第4層間絕緣膜44，開出用來電連接像素電極9a-第3中繼電極402間的接觸孔89。
以上是本實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)。
如上所述，在本實(shí)施方式的像素中，分別形成電容布線400、數(shù)據(jù)線6a、電容電極300及下部電極71的膜是導(dǎo)電膜。因而，也可以將圖像信號(hào)線91、電源布線95、使能信號(hào)線92等的信號(hào)布線90或屏蔽膜，由和它們4種導(dǎo)電膜的任一為同一膜的膜來形成。這樣一來，和第1實(shí)施方式的液晶裝置相同，可以在不導(dǎo)致制造工藝復(fù)雜化的狀況下，將圖像信號(hào)線91、電源布線95、使能信號(hào)線92等信號(hào)布線90或屏蔽膜的各自，由相互不同的導(dǎo)電膜來形成。因而，可以減小為了布線圖像信號(hào)線91、電源布線95、使能信號(hào)線92等信號(hào)布線90所需要的TFT陣列基板10上的面積，并且可以利用屏蔽膜來減低不同種類的信號(hào)間的電磁干擾。
(電子設(shè)備)下面，對(duì)于將作為上述電光裝置的液晶裝置使用于各種電子設(shè)備中的情形，進(jìn)行說明。
首先，對(duì)于將該液晶裝置作為光閥來使用的投影機(jī)，進(jìn)行說明。圖19是表示投影機(jī)結(jié)構(gòu)例的平面圖。如該圖19所示，在投影機(jī)1100內(nèi)部，設(shè)置由鹵素?zé)舻劝咨庠礃?gòu)成的燈組件1102。從該燈組件1102所射出的投影光通過光導(dǎo)向裝置1104內(nèi)所配置的4片反射鏡1106及2片分色鏡1108，分離成RGB的3原色，入射到作為與各原色對(duì)應(yīng)的光閥之液晶面板1110R、1110B及1110G。
液晶面板1110R、1110B及1110G的結(jié)構(gòu)和上述液晶裝置相同，按照從圖像信號(hào)處理電路供給的R、G、B原色信號(hào)分別進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。而且，由這些液晶面板調(diào)制后的光從3個(gè)方向入射到分色棱鏡1112。在該分色棱鏡1112，R及B的光彎折90度，另一方面G的光直行。因而，各色的圖像被合成的結(jié)果為，通過投影透鏡1114，向屏幕等投影彩色圖像。
在此，注意由各液晶面板1110R、1110B及1110G得到的顯示像得知，由液晶面板1110G得到的顯示像需要對(duì)由液晶面板1110R、1110B得到的顯示像進(jìn)行左右翻轉(zhuǎn)。
還有，在液晶面板1110R、1110B及1110G，由于通過分色鏡1108，入射與R、G、B的各原色對(duì)應(yīng)的光，因而不需要設(shè)置濾色器。
接著，對(duì)于將液晶裝置使用于便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)中的例子，進(jìn)行說明。圖20是表示該個(gè)人計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的立體圖。在圖20中，計(jì)算機(jī)1200由具備鍵盤1202的主體部1204和液晶顯示單元1206來構(gòu)成。該液晶顯示單元1206是通過在上面所述的液晶裝置1005背面附加背光源來構(gòu)成的。
再者，對(duì)于將液晶裝置使用于便攜式電話機(jī)中的例子，進(jìn)行說明。圖21是表示該便攜式電話機(jī)結(jié)構(gòu)的立體圖。在圖21中，便攜式電話機(jī)1300除多個(gè)操作按鍵1302之外，還具備反射型的液晶裝置1005。在該反射型的液晶裝置1005中，根據(jù)需要在其前面設(shè)置前光源。
還有，除了參照?qǐng)D19到圖21所說明的電子設(shè)備之外，還能列舉出液晶電視、取景器式、監(jiān)視直觀式的磁帶錄像機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本、計(jì)算器、文字處理機(jī)、工作站、電視電話機(jī)、POS終端及具備觸摸面板的裝置等。而且，不言而喻，可以使用于這些各種電子設(shè)備中。
另外，本發(fā)明除上述實(shí)施方式中所說明的液晶裝置之外，還可以使用于在硅基板上形成元件的反射型液晶裝置(LCOS)、等離子體顯示器(PDP)、場(chǎng)致發(fā)射型顯示器(FED、SED)及有機(jī)EL顯示器等中。
本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，而可以在不違反從技術(shù)方案及說明書總體領(lǐng)會(huì)的發(fā)明宗旨或構(gòu)思的范圍內(nèi)，進(jìn)行適當(dāng)變更，并且伴隨那種變更的電光裝置及具備該電光裝置的電子設(shè)備，也全都包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征為，在基板上，具備多個(gè)像素，其設(shè)置于像素區(qū)域；周邊電路，其設(shè)置在位于上述像素區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域，用來控制上述多個(gè)像素；多條信號(hào)布線，其分別供給用來控制上述周邊電路的多種信號(hào)之中的不同種類的信號(hào)，由通過層間絕緣膜位于相互不同的層的多個(gè)導(dǎo)電膜分別形成，并且具有在上述周邊區(qū)域至少在一部分相互重合的部分；以及屏蔽膜，其設(shè)置為，位于上述多條信號(hào)布線相互重合的部分之間的層、與上述多條信號(hào)布線重合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征為在上述基板上還具備多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線，其設(shè)置為，在上述像素區(qū)域相互交叉，上述像素對(duì)應(yīng)于上述數(shù)據(jù)線及上述掃描線的交叉處設(shè)置，在上述基板上具備按順序疊層有下側(cè)電極、電介質(zhì)膜及上側(cè)電極的存儲(chǔ)電容，上述多個(gè)導(dǎo)電膜及上述屏蔽膜，和分別構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線、上述下側(cè)電極及上述上側(cè)電極的導(dǎo)電膜之中的任一個(gè)，分別為同一膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光裝置，其特征為上述多條信號(hào)布線按預(yù)先所設(shè)定的頻率由不同的上述導(dǎo)電膜分別形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光裝置，其特征為上述多條信號(hào)布線，包括第1頻率信號(hào)布線，其用來供給上述頻率為第1頻率的信號(hào)；和第2頻率信號(hào)布線，其用來供給上述頻率為比上述第1頻率低的第2頻率的信號(hào)；按上述第1頻率信號(hào)布線、上述屏蔽膜、上述第2頻率信號(hào)布線的順序，在上述基板上，將它們相互通過層間絕緣膜疊層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光裝置，其特征為上述多條信號(hào)布線，包括第1頻率信號(hào)布線，其用來供給上述頻率為第1頻率的信號(hào)；和第2頻率信號(hào)布線，其用來供給上述頻率為比上述第1頻率低的第2頻率的信號(hào)；按上述第2頻率信號(hào)布線、上述屏蔽膜、上述第1頻率信號(hào)布線的順序，在上述基板上，將它們相互通過層間絕緣膜疊層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電光裝置，其特征為上述屏蔽膜是用來供給一定電位的定電位布線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光裝置，其特征為上述定電位布線的布線寬度在上述基板上平面看，至少部分比上述第2頻率信號(hào)布線及上述第1頻率信號(hào)布線至少一方的布線寬度寬。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光裝置，其特征為上述定電位布線的布線寬度在上述基板上平面看，至少部分比上述第1及第2頻率信號(hào)布線至少一方的布線寬度窄。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電光裝置，其特征為上述一定電位是具有第1電位和第2電位的電源電位，該第2電位是比該第1電位低的電位，上述定電位布線由用來供給上述第1電位的第1電位電源布線及用來供給上述第2電位的第2電位電源布線構(gòu)成，上述定電位布線的布線寬度至少部分比上述第1及第2頻率信號(hào)布線任一個(gè)的布線寬度窄，上述第1及第2電位電源布線其布線為，在上述基板上平面看，至少部分并列配置，且和上述第1及第2頻率信號(hào)布線分別重合。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征為還具備中繼層，其由和上述屏蔽膜為同一膜的膜來形成，用來對(duì)上層側(cè)信號(hào)布線和下層側(cè)周邊電路進(jìn)行電中繼連接，該上層側(cè)信號(hào)布線為上述多條信號(hào)布線之中的、與上述屏蔽膜相比在上層側(cè)所形成的布線，該下層側(cè)周邊電路為上述周邊電路之中的、與上述屏蔽膜相比在下層側(cè)所形成的電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求1到10中任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征為在上述基板上還具備多個(gè)外部電路連接端子，其分別電連接于上述多條信號(hào)布線及屏蔽膜，排列于上述周邊區(qū)域，上述屏蔽膜在上述基板上平面看，至少部分和上述信號(hào)布線相互重合，該信號(hào)布線電連接于與電連接有上述屏蔽膜的上述外部電路連接端子相鄰的上述外部電路連接端子。
12.一種電子設(shè)備，其特征為具備權(quán)利要求1到11中任一項(xiàng)所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電光裝置，例如在液晶裝置等的電光裝置中，例如可以實(shí)現(xiàn)基板尺寸的縮小，且能夠抑制圖像信號(hào)的噪聲的影響，進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示，電光裝置在基板上具備多個(gè)像素，設(shè)置于像素區(qū)域；和周邊電路，設(shè)置在位于像素區(qū)域周邊的周邊區(qū)域，用來控制多個(gè)像素。再者，還具備多條信號(hào)布線，分別供給用來控制周邊電路的多種信號(hào)之中不同種類的信號(hào)，由通過層間絕緣膜位于相互不同的層的多個(gè)導(dǎo)電膜之中不同的導(dǎo)電膜來分別形成，并且具有在周邊區(qū)域至少在一部分相互重合的部分；和屏蔽膜，位于多條信號(hào)布線的在基板上相互重合的部分之間。
文檔編號(hào)G02F1/133GK1908790SQ20061011068
公開日2007年2月7日 申請(qǐng)日期2006年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月5日
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