專利名稱：半導(dǎo)體制造用藥液供給裝置的清洗液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于清洗在半導(dǎo)體制造工序中使用的藥液供給裝置的清洗液。特別涉及用于清洗供給用于浸液曝光處理的藥液、具體而言供給選自光致抗蝕劑膜形成用材料、光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料、及氟類有機(jī)溶劑中的至少1種藥液的裝置的清洗液。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體設(shè)備、液晶設(shè)備等各種電子設(shè)備中的微細(xì)構(gòu)造的制造多采用光刻法。近年來，半導(dǎo)體設(shè)備的高集成化、微小化進(jìn)展迅速，光刻工序中的光致抗蝕劑圖案形成也開始要求進(jìn)一步的微細(xì)化。
現(xiàn)在，利用光刻法，例如，可在最前端的區(qū)域內(nèi)形成線寬90nm左右的微細(xì)光致抗蝕劑圖案，而且正在研究·開發(fā)形成線寬65nm的更微細(xì)圖案。
為了形成上述更微細(xì)的圖案，通?？紤]改良曝光裝置或光致抗蝕劑材料的應(yīng)對(duì)方案。作為利用曝光裝置的應(yīng)對(duì)方案，可以舉出縮短F2準(zhǔn)分子激光、EUV(遠(yuǎn)紫外線)、電子射線、X射線、軟X射線等光源的波長(zhǎng)、或增大透鏡的開口數(shù)(NA)等方案。
但是，縮短光源波長(zhǎng)需要高額的新型曝光裝置。對(duì)于高NA化，由于析像度和焦深幅度具有權(quán)衡(trade-off)的關(guān)系，因此存在即使提高析像度，焦深幅度也降低的問題。
最近，作為能夠解決上述問題的光刻技術(shù)，報(bào)道了液浸曝光(Liquid Immersion Lithography)法(例如參見非專利文獻(xiàn)1～3)。該方法是在曝光時(shí)，使曝光裝置的透鏡與載置在晶片臺(tái)上的曝光對(duì)象物(基板上的光致抗蝕劑膜)之間的曝光光路中、至少上述光致抗蝕劑的膜上部分存在特定厚度的浸液介質(zhì)，將光致抗蝕劑膜曝光，形成光致抗蝕劑圖案。該浸液曝光法的優(yōu)點(diǎn)為通過將現(xiàn)有的空氣或氮?dú)獾榷栊詺怏w的曝光光路空間改為折射率(n)比上述空間(氣體)的折射率大、且比光致抗蝕劑膜的折射率小的浸液介質(zhì)(例如純水、氟類惰性液體等)，即使使用相同曝光波長(zhǎng)的光源，也能夠與使用更短波長(zhǎng)的曝光光線或使用高NA透鏡時(shí)同樣地實(shí)現(xiàn)高清晰度，同時(shí)也不發(fā)生焦深幅度降低。
只要采用上述浸液曝光處理，即可使用現(xiàn)有的曝光裝置中裝配的透鏡低成本地形成清晰度更高、且焦深也優(yōu)良的光致抗蝕劑圖案，因而倍受關(guān)注。
但是，由于浸液曝光處理是在曝光用透鏡與光致抗蝕劑膜之間存在浸液介質(zhì)的狀態(tài)下進(jìn)行曝光，因此擔(dān)心從光致抗蝕劑膜溶出到浸液介質(zhì)中的溶出成分對(duì)曝光裝置造成損傷(例如曝光用透鏡晶材的霧化、及由此引發(fā)的透射率降低、出現(xiàn)曝光不均等)等。
作為應(yīng)對(duì)方案，有改良光致抗蝕劑材料，防止光致抗蝕劑的溶出成分的方案，或在光致抗蝕劑層上設(shè)置一層保護(hù)膜(光致抗蝕劑上層保護(hù)膜)，防止光致抗蝕劑的溶出成分滲出的方案等。其中，設(shè)置保護(hù)膜的方法有可以直接使用現(xiàn)有光致抗蝕劑的優(yōu)點(diǎn)。作為形成該保護(hù)膜的例子，例如提出了將含有全氟代烷基聚醚的保護(hù)膜形成用材料形成在光致抗蝕劑上層的技術(shù)方案(例如參見專利文獻(xiàn)1)。
但是，由于保護(hù)膜與光致抗蝕劑膜的相溶性低，因此清洗供給上述藥液的裝置時(shí)，作為供給藥液使用光致抗蝕劑膜形成用材料(＝有機(jī)材料)時(shí)和使用上層保護(hù)膜形成用材料(氟類材料)時(shí)難以使用同一清洗液進(jìn)行處理。開始研究分別使用用于光致抗蝕劑膜形成用材料的清洗液和用于上層保護(hù)膜形成用材料的清洗液。但是，即使使用上述2種清洗液時(shí)，也會(huì)出現(xiàn)清洗性能不足、因供給裝置污染導(dǎo)致異物產(chǎn)生的風(fēng)險(xiǎn)、隨之而來的涂布不良、涂布后的光致抗蝕劑上層保護(hù)膜的透明性降低等，發(fā)生各種問題的風(fēng)險(xiǎn)增大。
非專利文獻(xiàn)1《真空科學(xué)與技術(shù)雜志，B輯(Journal of VacuumScience & Technology B)》、(美國(guó))、1999年、第17卷、6號(hào)、3306-3309頁(yè)非專利文獻(xiàn)2《真空科學(xué)與技術(shù)雜志，B輯(Journal of VacuumScience & Technology B)》、(美國(guó))、2001年、第19卷、6號(hào)、2353-2356頁(yè)非專利文獻(xiàn)3《國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)會(huì)議錄(Proceeding ofSPIE)》、(美國(guó))、2002年、第4691卷、459-465頁(yè)專利文獻(xiàn)1特開2005-250511號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，特別涉及能夠用于清洗供給選自用于浸液曝光處理的光致抗蝕劑膜形成用材料、光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料、及氟類有機(jī)溶劑中的至少1種的半導(dǎo)體制造用藥液供給裝置、且清洗性能優(yōu)良、而且不使光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料的透明性降低的清洗液。
本發(fā)明人等為了解決上述問題對(duì)半導(dǎo)體制造用藥液供給裝置的清洗液進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)至少含有氫氟醚的清洗液廣泛適用于清洗選自用于浸液曝光處理的光致抗蝕劑膜形成用材料、光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料、特別是含有全氟代烷基聚醚的光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料、及氟類有機(jī)溶劑中的至少1種的供給裝置，清洗效果優(yōu)良，從而完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明提供一種清洗液，該清洗液用于清洗半導(dǎo)體制造工序中使用的藥液供給裝置，其特征為該清洗液至少含有氫氟醚。
本發(fā)明提供一種可以用1種清洗液清洗特別是供給選自用于浸液曝光處理的光致抗蝕劑膜形成用材料、光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料、及氟類有機(jī)溶劑中的至少1種的半導(dǎo)體制造用藥液供給裝置、且清洗性能優(yōu)良、而且不降低光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料的透明性的清洗液。
具體實(shí)施例方式
下面詳細(xì)說明本發(fā)明。
本發(fā)明清洗液的特征為至少含有氫氟醚(HFE)。此處，氫氟醚是指具有醚鍵的氫氟烴。本發(fā)明中，從清洗性、工業(yè)制造的容易性等方面考慮，作為氫氟醚，優(yōu)選碳原子數(shù)在4～12個(gè)范圍內(nèi)的氫氟醚，其結(jié)構(gòu)可以為直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀中的任一種。
作為上述氫氟醚，具體可以舉出C3F7OCH3、(CF3)2CFOCH3、C3F7OC2H5、(CF3)2CFOC2H5、C4F9OCH3、C2F5CF(CF3)OCH3、(CF3)2CFCF2OCH3、(CF3)3COCH3、C4F9OC2H5、C2F5CF(CF3)OC2H5、(CF3)2CFCF2OC2H5、(CF3)3COC2H5、C5F11OCH3、C3F7CF(CF3)OCH3、C2F5C(CF3)2OCH3、C2F5CF(CF3)CF2OCH3、CF3C(CF3)2CF2OCH3、(CF3)2CFCF2CF2OCH3、(CF3)3CF2OCH3、C5F11OC2H5、C3F7CF(CF3)OC2H5、C2F5C(CF3)2OC2H5、C2F5CF(CF3)CF2OC2H5、CF3C(CF3)2CF2OC2H5、(CF3)2CFCF2CF2OC2H5、(CF3)3CF2OC2H5、C6F13OCH3、CF3(CF2)3CF(CF3)OCH3、CF3(CF2)2CF(CF3)CF2OCH3、CF3CF2CF(CF3)(CF2)2OCH3、CF3CF(CF3)(CF2)3OCH3、CF3(CF2)2C(CF3)2OCH3、CF3CF2CF(CF3)CF(CF3)OCH3、CF3CF(CF3)CF2C(CF3)FOCH3、CF3CF2C(CF3)2CF2OCH3、CF3CF(CF3)CF(CF3)CF2OCH3、CF3C(CF3)2(CF2)2OCH3、CF3C(CF3)2CF(CF3)OCH3、CF3CF(CF3)C(CF3)2OCH3、C(CF3)2C(CF3)2OCH3、C6F13OC2H5、CF3(CF2)3CF(CF3)OC2H5、CF3(CF2)2CF(CF3)CF2OC2H5、CF3CF2CF(CF3)(CF2)2OC2H5、CF3CF(CF3)(CF2)3OC2H5、CF3(CF2)2C(CF3)2OC2H5、CF3CF2CF(CF3)CF(CF3)OC2H5、CF3CF(CF3)CF2CF(CF3)OC2H5、CF3CF2C(CF3)2CF2OC2H5、CF3CF(CF3)CF(CF3)CF2OC2H5、CF3C(CF3)2(CF2)2OC2H5、CF3C(CF3)2CF(CF3)OC2H5、CF3CF(CF3)C(CF3)2OC2H5、C(CF3)2C(CF3)2OC2H5等。
上述氫氟醚中，特別優(yōu)選C4F9OCH3及C4F9OC2H5。也可以含有上述化合物的結(jié)構(gòu)異構(gòu)體，即C2F5CF(CF3)OCH3、(CF3)2CFCF2OCH3、(CF3)3COCH3、C2F5CF(CF3)OC2H5、(CF3)2CFCF2OC2H5、(CF3)3COC2H5等。
氫氟醚在本發(fā)明清洗液中的配合量?jī)?yōu)選為70質(zhì)量％以上。
本發(fā)明清洗液中，除了配合上述氫氟醚之外，還可以配合與該氫氟醚具有相溶性的任意水溶性有機(jī)溶劑。作為上述水溶性有機(jī)溶劑，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的醇類溶劑，具體而言，優(yōu)選乙醇、異丙醇等。
上述水溶性有機(jī)溶劑的配合量沒有特別限定，相對(duì)于全部清洗液，優(yōu)選以30質(zhì)量％為上限進(jìn)行配合。
本發(fā)明清洗液中還可以進(jìn)一步配合與上述氫氟醚具有相溶性的任意表面活性劑等。作為上述表面活性劑，只要是不使清洗性能劣化的表面活性劑即可，可以為離子類表面活性劑，也可以為非離子類表面活性劑，沒有特別限定。
本發(fā)明的用于清洗藥液供給裝置的清洗液特別適用于清洗將選自用于浸液曝光處理的光致抗蝕劑形成用材料、光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料、及氟類有機(jī)溶劑中的至少1種藥液供給到基板上、或形成在基板上的涂層上的裝置。
上述光致抗蝕劑形成用材料適合使用i線規(guī)格、KrF規(guī)格、ArF規(guī)格等多種多樣的各種光致抗蝕劑材料。其中可以有效地用于包括負(fù)型及正型光致抗蝕劑、能夠被堿水溶液顯影的光致抗蝕劑。作為上述光致抗蝕劑，可以舉出(i)含有堿可溶性酚醛清漆樹脂和含萘醌二疊氮基的化合物的正型光致抗蝕劑、(ii)含有經(jīng)曝光產(chǎn)生酸的化合物、被酸分解后對(duì)堿水溶液的溶解性增大的化合物及堿可溶性樹脂的正型光致抗蝕劑、(iii)含有經(jīng)曝光產(chǎn)生酸的化合物、具有被酸分解后對(duì)堿水溶液的溶解性增大的基團(tuán)的堿可溶性樹脂的正型光致抗蝕劑、及(iv)含有在光的作用下產(chǎn)生酸或自由基的化合物、交聯(lián)劑及堿可溶性樹脂的負(fù)型光致抗蝕劑等，但是并不限定于上述物質(zhì)。需要說明的是，光致抗蝕劑材料通常將上述光致抗蝕劑溶解在有機(jī)溶劑中進(jìn)行使用。作為有機(jī)溶劑，優(yōu)選使用多元醇類及其衍生物、內(nèi)酯類、及有機(jī)酸的低級(jí)烷基酯等。但是并不限定于上述物質(zhì)。
作為多元醇類及其衍生物，可以舉出乙二醇、丙二醇、二甘醇、乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、二甘醇單乙酸酯、或上述化合物的單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等。
作為內(nèi)酯類，可以舉出γ-丁內(nèi)酯。
作為有機(jī)酸的低級(jí)烷基酯，可以舉出乳酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯類。
除上述溶劑外，還可以使用丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等酮類、或二氧雜環(huán)己烷之類環(huán)醚類等。
作為上述光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料，優(yōu)選使用氫原子部分或全部被氟原子取代的氟代烷基聚醚。作為該氟取代氟代烷基聚醚，環(huán)式、鏈?zhǔn)蕉伎梢允褂谩?br> 其中，優(yōu)選具有環(huán)式結(jié)構(gòu)、氫原子全部被氟原子取代的全氟代烷基聚醚。環(huán)式全氟代烷基聚醚的市售品有“Cytop”系列(旭硝子(株)制)、“特富龍(Teflon)-AF1600”、“特富龍-AF2400”(以上為杜邦公司制)等，可以優(yōu)選使用上述產(chǎn)品。環(huán)式全氟代烷基聚醚優(yōu)選單獨(dú)使用，也可以與其他氟類樹脂、例如鏈?zhǔn)饺榛勖训纫煌褂谩?br> 作為上述鏈?zhǔn)饺榛勖?，可以使用聚氯三氟乙烯、聚四氟乙烯、四氟乙?全氟烷氧基乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物等。鏈?zhǔn)椒榛勖训氖惺燮酚小癉emnum S-20”、“DemnumS-65”、“Demnum S-100”、“Demnum S-200”(以上為大金工業(yè)(株)制)等，可以優(yōu)選使用上述物質(zhì)。
該光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料優(yōu)選將上述氟取代聚合物溶解在氟類有機(jī)溶劑中進(jìn)行使用。濃度優(yōu)選為0.1～30質(zhì)量％左右。
作為上述氟類有機(jī)溶劑，只要是能夠溶解氟取代聚合物的溶劑即可，沒有特別限定，例如可以舉出全氟己烷、全氟庚烷等全氟鏈烷烴或全氟環(huán)烷烴、上述化合物中的一部分殘留雙鍵的全氟烯烴、以及全氟四氫呋喃、全氟(2-丁基)四氫呋喃等全氟環(huán)醚、全氟三丁基胺、全氟四戊基胺、全氟四己基胺等。但是并不限定于上述示例。需要說明的是，該氟類有機(jī)溶劑也用作除去光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料的除去液。
本發(fā)明的清洗液可以用1種液體清洗供給上述光致抗蝕劑形成用材料之類有機(jī)成分、與該有機(jī)成分無相溶性的含氟光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料或供給氟類有機(jī)溶劑等氟類成分的半導(dǎo)體制造用藥液供給裝置的內(nèi)部、配管、以及廢液管等，而且清洗效果優(yōu)良。
以下列舉一個(gè)例子具體說明使用本發(fā)明清洗液的使用方案。
首先，經(jīng)由藥液供給裝置在基板上采用旋涂法等公知方法涂布光致抗蝕劑形成用材料，使其干燥，形成光致抗蝕劑膜。
然后，將光致抗蝕劑上層膜形成用材料通過藥液供給裝置涂布在上述光致抗蝕劑膜上，使其干燥形成光致抗蝕劑上層膜。
需要說明的是，由于光致抗蝕劑膜形成用材料與光致抗蝕劑上層膜形成用材料(氟類材料)之間不具有相溶性，因此可以共用1個(gè)藥液供給裝置。也可以使用不同的藥液供給裝置。
然后，使本發(fā)明清洗液接觸上述藥液供給裝置的配管、噴嘴、杯內(nèi)等周邊機(jī)器，清洗除去附著固結(jié)在裝置內(nèi)的殘留物。作為具體例，藥液供給裝置的配管清洗方法例如有從藥液供給裝置的配管內(nèi)排空藥液，使本發(fā)明的清洗液流入其中充滿配管內(nèi)，保持該狀態(tài)放置規(guī)定時(shí)間。規(guī)定時(shí)間后，在將清洗液從配管中排出的同時(shí)、或在排出后，使藥液流入配管內(nèi)，少量通液后，開始對(duì)基板上供給光致抗蝕劑膜形成用材料、或?qū)庵驴刮g劑膜上供給上層保護(hù)膜形成用材料。本發(fā)明清洗液可同時(shí)適用于光致抗蝕劑膜形成用材料(有機(jī)材料)、保護(hù)膜形成用材料(氟類材料)，相溶性優(yōu)良，并且無反應(yīng)性，因此，具有不發(fā)熱、不產(chǎn)生氣體、也未見在配管內(nèi)發(fā)生分離·白濁等液體性狀異常、液體中無異物增加等優(yōu)良的效果。特別是即使在因長(zhǎng)期使用而在配管內(nèi)附著藥液的殘?jiān)那闆r下，也可以用本發(fā)明的清洗液溶解上述殘?jiān)?，徹底除去?dǎo)致微粒產(chǎn)生的因素。再次開始藥液供給作業(yè)時(shí)，在排出清洗液的同時(shí)或在排出后，特別是只需進(jìn)行少量的空流，即可開始藥液供給作業(yè)。而且，不影響保護(hù)膜形成用材料的透明性。
接下來，將形成了上述光致抗蝕劑層-保護(hù)膜的基板通過浸液曝光法曝光、顯影，形成光致抗蝕劑圖案。
具體而言，在上述保護(hù)膜與曝光裝置(透鏡)之間設(shè)置浸液曝光用液體。在該狀態(tài)下經(jīng)由掩模圖案對(duì)光致抗蝕劑膜進(jìn)行選擇性曝光。
因此，曝光光線通過浸液曝光用液體和保護(hù)膜到達(dá)光致抗蝕劑膜。
此時(shí)，光致抗蝕劑膜通過保護(hù)膜與浸液曝光用液體隔離，防止受浸液曝光用液體的侵襲而發(fā)生膨潤(rùn)等變質(zhì)、或相反地使成分溶出到浸液曝光用液體中導(dǎo)致浸液曝光用液體本身的折射率等光學(xué)特性變質(zhì)。本發(fā)明的清洗液具有不引起保護(hù)膜的透明性降低的效果，因此經(jīng)由使用本發(fā)明的清洗液清洗的藥液供給裝置在光致抗蝕劑膜上涂布·形成的上層保護(hù)膜透明性優(yōu)良，從而對(duì)利用曝光光線形成圖案無不良影響。
曝光光線無特別限定，可以使用ArF準(zhǔn)分子激光、KrF準(zhǔn)分子激光、F2準(zhǔn)分子激光、EB、EUV、VUV(真空紫外線)等放射線進(jìn)行曝光。上述曝光光線的選擇主要取決于光致抗蝕劑膜的特性。
上述浸液曝光用液體只要是折射率大于空氣的折射率且小于使用的光致抗蝕劑膜的折射率的液體即可，無特別限定。作為上述浸液曝光用液體，可以舉出水(純水、去離子水)、氟類惰性液體等，也可以使用不久的將來可能開發(fā)出來的具有高折射率特性的浸液曝光用液體。作為氟類惰性液體的具體例，可以舉出以C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等氟類化合物為主成分的液體。作為浸液曝光用液體，從成本、安全性、環(huán)境問題及泛用性方面考慮，優(yōu)選使用水(純水、去離子水)，使用波長(zhǎng)為157nm的曝光光線(例如F2準(zhǔn)分子激光等)的情況下，從曝光光線的吸收少方面考慮，優(yōu)選使用氟類溶劑。
在上述浸液狀態(tài)下進(jìn)行的曝光工序結(jié)束后，除去浸液曝光用液體，從基板上除去液體。
然后，保持在曝光后的光致抗蝕劑膜上層疊有保護(hù)膜的狀態(tài)，對(duì)光致抗蝕劑膜進(jìn)行PEB(曝光后加熱)處理，接下來，使氟類有機(jī)溶劑等除去液與曝光后的基板接觸除去保護(hù)膜。接觸的方法可以為塘(puddle)法、浸漬法、噴淋法等中的任一種。
除去保護(hù)膜后，使用由堿性水溶液構(gòu)成的堿性顯影液進(jìn)行顯影處理。堿性顯影液可以任意使用慣用的顯影液。需要說明的是，也可以在顯影處理后接著進(jìn)行后烘焙(post bake)。接下來，使用純水等進(jìn)行沖洗。該水沖洗例如邊旋轉(zhuǎn)基板邊在基板表面滴加或噴霧水，沖洗除去基板上的顯影液及被該顯影液溶解的光致抗蝕劑組合物。然后進(jìn)行干燥，光致抗蝕劑膜形成對(duì)應(yīng)于掩模圖案的形狀的圖案，得到光致抗蝕劑圖案。
通過如上所述地形成光致抗蝕劑圖案，能夠以良好的析像度制造微細(xì)線寬的光致抗蝕劑圖案、特別是間距小的線與間隔(line andspace)圖案。
如上所述，在作為本發(fā)明清洗液的清洗對(duì)象的半導(dǎo)體制造用藥液供給裝置上附著有選自光致抗蝕劑膜形成用材料、光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料、及氟類有機(jī)溶劑中的至少1種殘留物的狀態(tài)下，對(duì)光致抗蝕劑形成用材料之類有機(jī)成分、和與該有機(jī)成分無相溶性的含氟光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料或氟類有機(jī)溶劑等氟類成分混在的殘留物進(jìn)行清洗，能夠有效地除去混在的殘留物。
實(shí)施例下面通過實(shí)施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于下述例子。
(實(shí)施例1)在100mL的容器中投入30mL正型光致抗蝕劑材料〔“TArF-P6111”(東京應(yīng)化工業(yè)(株)制)〕、30mL光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料〔將“Cytop CTX-809SP2”(旭硝子(株)制)溶解在全氟三丁基胺中形成的濃度為1質(zhì)量％的溶液〕、及30mL作為清洗劑成分的C4F9OCH3，進(jìn)行混合，放置30分鐘。用肉眼觀察此時(shí)容器中的混合液，結(jié)果為混合液呈無色透明，未觀察到層分離，完全溶解。
(比較例1)
在上述實(shí)施例1中，不配合C4F9OCH3，除此之外，與實(shí)施例1完全相同地混合2種形成材料，放置30分鐘后，用肉眼觀察容器中的混合液，結(jié)果為混合液分離成2層。
(實(shí)施例2)當(dāng)量混合正型光致抗蝕劑材料〔“TArF-P6111”(東京應(yīng)化工業(yè)(株)制)〕、光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料〔將“Cytop CTX-809SP2”(旭硝子(株)制)溶解在全氟三丁基胺中形成的濃度為1質(zhì)量％的溶液〕，得到混合溶液。
使用丙二醇單甲基醚乙酸酯清洗附著有該混合溶液的涂覆杯，然后用由C4F9OCH3組成的清洗液進(jìn)行清洗，再使用全氟(2-丁基)四氫呋喃溶液進(jìn)行清洗處理。肉眼觀察清洗處理后的杯內(nèi)，結(jié)果為溶液被完全除去。
(實(shí)施例3)在實(shí)施例2中，作為清洗液，使用C4F9OC2H5代替C4F9OCH3，除此之外，采用與實(shí)施例2完全相同的方法進(jìn)行清洗處理。肉眼觀察清洗處理后的杯內(nèi)，結(jié)果為固體物質(zhì)被完全除去。
(比較例2)在實(shí)施例2中，不利用C4F9OCH3進(jìn)行清洗，除此之外，采用與實(shí)施例2完全相同的方法對(duì)涂覆杯進(jìn)行清洗處理。肉眼觀察清洗處理后的杯內(nèi)，結(jié)果為殘留有殘留物。
工業(yè)上的可利用性本發(fā)明的清洗液可用于清洗供給用于浸液曝光處理的藥液、具體而言供給選自光致抗蝕劑膜形成用材料、光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料、及氟類有機(jī)溶劑中的至少1種藥液的裝置，且具有優(yōu)良的清洗性能。
權(quán)利要求
1.一種清洗液，是用于清洗半導(dǎo)體制造工序中使用的藥液供給裝置的清洗液，其特征為，所述清洗液至少含有氫氟醚。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征為，所述藥液供給裝置是將選自光刻工序中使用的光致抗蝕劑膜形成用材料、光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料、及氟類有機(jī)溶劑中的至少1種藥液供給到基板上或基板上形成的涂層上的裝置。
3.如權(quán)利要求2所述的清洗液，其特征為，所述光刻工序采用浸液曝光處理。
4.如權(quán)利要求2所述的清洗液，其特征為，所述光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料至少含有氫原子部分或全部被氟原子取代的氟代烷基聚醚。
5.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征為，所述氫氟醚是選自C4F9OCH3、C4F9OC2H5及其異構(gòu)體中的至少1種。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種清洗液，是用于清洗半導(dǎo)體制造工序中使用的藥液供給裝置的清洗液，其特征為，該清洗液至少含有氫氟醚。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種清洗液，該清洗液可清洗供給特別是選自用于浸液曝光處理的光致抗蝕劑膜形成用材料、光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料、及氟類有機(jī)溶劑中的至少1種的半導(dǎo)體制造用藥液供給裝置，且清洗性能優(yōu)良，而且不使光致抗蝕劑上層保護(hù)膜形成用材料的透明性降低。
文檔編號(hào)G03F7/32GK1970715SQ20061014672
公開日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2006年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
發(fā)明者吉田正昭, 肋屋和正 申請(qǐng)人:東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社