專(zhuān)利名稱：可補(bǔ)償寄生電容的液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
可補(bǔ)償寄生電容的液晶顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)城
本實(shí)用新型涉及一種液晶顯示裝置，特別是涉及一種可補(bǔ)償寄生電 容的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)是目前最被廣泛使用 的一種平面顯示器，具有低功耗、外型薄、重量輕以及低驅(qū)動(dòng)電壓等特征。 一般而言，LCD的顯示區(qū)域包含多個(gè)子像素區(qū)域，每個(gè)子像素區(qū)域一般為 兩條柵極線(gate line,又稱掃描線)與兩條數(shù)據(jù)線(data line)交叉 所定義的矩形或者其他形狀區(qū)域，其內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管(TFT)以及像 素電極，薄膜晶體管充當(dāng)開(kāi)關(guān)元件。通過(guò)在像素中設(shè)置TFT形成有源矩陣 液晶顯示器，適合大畫(huà)面、高分辨率、多灰度的液晶顯示元件。
但是隨著顯示元件畫(huà)面的增大、分辨率的提髙，其畫(huà)面不可避免地會(huì) 出現(xiàn)閃爍、顯示不均(nrnra)等不良現(xiàn)象。


圖1所示的是傳統(tǒng)的有源矩陣 液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖，參考
圖1,柵極線111和數(shù)據(jù)線121交叉的像 素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有TFT10和像素電極20， TFTlO由柵極ll、源極12和漏極 13構(gòu)成，柵極ll形成在第一金屬層(Ml)上，源極12和漏極13由溝道 14隔開(kāi)并形成在第二金屬層(M2)上，柵極11和源極12、漏極13之間 有半導(dǎo)體層30，漏極13通過(guò)接觸孔131和像素電極20相連接，圖中虛 線表示第一金屬層和第二金屬層制作時(shí)發(fā)生重疊偏移的情況,實(shí)線為未發(fā) 生重疊偏移的情況。當(dāng)?shù)谝唤饘賹雍偷诙饘賹影l(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，由于柵 極11與漏極12、源極13的交叉面積發(fā)生變化，從而導(dǎo)致漏極-柵極寄生 電容Cgd和柵極-源極寄生電容Cgs的變化。不同的Cgd會(huì)導(dǎo)致 feedthrough
CW + CiC+C^ 不同(式中Ctc為液晶盒產(chǎn)生的電容，CS為存 儲(chǔ)電容，厶v為柵電極上電壓的變化)，又由于其與像素電容和存儲(chǔ)電容 串聯(lián)，因而導(dǎo)致像素電壓不同，從而產(chǎn)生顯示不均。而對(duì)于Cgs,由于其 與數(shù)據(jù)線相連，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)線RC延遲不均，因而也會(huì)產(chǎn)生顯示不均以及 畫(huà)面閃爍現(xiàn)象。
圖1的虛線所示為在制作的時(shí)候M1相對(duì)M2向左偏移的情 況；使得柵電極與漏電極的交叉重疊面積變大，柵電極與源電極的交叉重 疊面積變小，從而導(dǎo)致Cgd變小，而Cgs變大。尤其是隨著顯示元件的畫(huà) 面的增大，需要多次曝光來(lái)圖形化元件，從而增加了發(fā)生面內(nèi)偏移的幾率， 導(dǎo)致TFT的柵極與漏極、源極的寄生電容的變化的幾率增加，會(huì)導(dǎo)致閃爍
的面內(nèi)分布即畫(huà)面的均勻性惡化。
為了解決這種制作過(guò)程中M1和M2相對(duì)偏移導(dǎo)致的寄生電容的變化產(chǎn) 生的畫(huà)面顯示問(wèn)題。中國(guó)公開(kāi)專(zhuān)利CN 1556437A提供了一種具有電容補(bǔ)償 結(jié)構(gòu)的液晶顯示器，通過(guò)設(shè)計(jì)專(zhuān)門(mén)的補(bǔ)償結(jié)構(gòu)來(lái)平衡Cgd的變化，該結(jié)構(gòu) 的液晶顯示器雖然解決了寄生電容Cgd的變化問(wèn)題，但仍然存在如下問(wèn) 題 一是該結(jié)構(gòu)并沒(méi)有對(duì)寄生電容Cgs的變化進(jìn)行補(bǔ)償，由此引起的顯示 不均及畫(huà)面閃爍現(xiàn)象仍然存在；二是設(shè)置專(zhuān)門(mén)的補(bǔ)償結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致開(kāi)口率的 降低，從而導(dǎo)致液晶顯示的亮度降低。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種不增加額外的補(bǔ)償結(jié)構(gòu)就能夠補(bǔ)償制作過(guò)程導(dǎo)致的Cgd和Cgs的變化、畫(huà)面顯示均勻、產(chǎn)品良率髙的 液晶顯示裝置。
本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的可補(bǔ)償寄生電容的液晶顯示裝置包括有與 柵極線電連接的柵電極、與數(shù)據(jù)線電連接的源電極、漏電極，其中所述源 電極呈分叉結(jié)構(gòu)，通過(guò)溝道隔開(kāi)并對(duì)稱分布在漏電極兩側(cè)。
所述源電極可以設(shè)置成U型結(jié)構(gòu)。
基于上述構(gòu)思，本實(shí)用新型的可補(bǔ)償寄生電容的液晶顯示裝置由于把 源電極設(shè)置成分叉結(jié)構(gòu)，且通過(guò)雙溝道隔開(kāi)對(duì)稱分布在源電極兩側(cè)，此時(shí)， 在制作的應(yīng)許誤差內(nèi)，metall和metal2發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，漏電極與柵電
極相交重疊的面積均為漏電極的寬度乘以柵電極的寬度，交叉面積保持不 變，從而避免了因Cgd變化引起的顯示不均。而對(duì)于Cgs寄生電容的變化 通過(guò)對(duì)稱的源電極分叉結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)自補(bǔ)償，當(dāng)metall和metal2相對(duì)偏移 時(shí)，如果一側(cè)的源電極與柵電極的交叉面積變小，則另一側(cè)的源電極與柵 電極的交叉面積相應(yīng)增大，總的交叉面積始終保持不變，從而也避免了因 Cgs變化引起的顯示不均，且沒(méi)有增加額外的補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，不會(huì)影響液晶顯 示裝置的開(kāi)口率和亮度，達(dá)到畫(huà)面顯示均勻，提髙產(chǎn)品良率。
為了更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容,請(qǐng)參閱以下有關(guān)本 實(shí)用新型的詳細(xì)說(shuō)明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說(shuō)明用，不構(gòu)成對(duì) 本實(shí)用新型的限制。 附困說(shuō)明
圖l是傳統(tǒng)的有源矩陣液晶顯示器的像素區(qū)的平面結(jié)抅示意圖，其申 虛線表示Ml和M2制作發(fā)生重疊偏移的情況,實(shí)線表示未發(fā)生重疊偏移的 情況；
圖2是本實(shí)用新型一實(shí)施例的像素區(qū)的平面示意圖3是M1和M2制作發(fā)生左右重疊偏移時(shí)的示意圖，其中虛線表示 M1和M2制作發(fā)生重疊偏移的情況，實(shí)線表示未發(fā)生重疊偏移的情況；
圖4是M1和M2制作發(fā)生上下重疊偏移時(shí)的示意圖，其中虛線表示 Ml和M2制作發(fā)生重疊偏移的情況，實(shí)線表示未發(fā)生重疊偏移的情況；
圖5是本實(shí)用新型另一實(shí)施例的像素區(qū)的平面示意圖。
圖中
10.薄膜晶體管(TFT) 11.柵極 12.源極
13.漏極 14.溝道
111.柵極線 121.數(shù)據(jù)線 131.接觸孔
20.像素電極 30.半導(dǎo)體層 40.薄膜晶體管(TFT) 41.柵電極 42.源電極 43.漏電極 44.溝道 45.溝道
411.柵極線 421.數(shù)據(jù)線 431.接觸孔
50.像素電極 60.半導(dǎo)體層具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及典型實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。 實(shí)施例一
圖2是本實(shí)施例的像素區(qū)的平面示意圖。
參考圖2，可補(bǔ)償寄生電容的液晶顯示裝置包括有與柵極線411電連 接的柵電極41、與數(shù)據(jù)線421電連接的源電極42、漏電極43，其中所述源電極42呈分叉結(jié)構(gòu)，通過(guò)溝道44和45隔開(kāi)并對(duì)稱分布在漏電極43兩 側(cè)。柵極線411和數(shù)據(jù)線421交叉的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有TFT40和像素電極 50， TFT40由柵電極41、源電極42和漏電極43構(gòu)成，柵電極41形成在第 一金屬層(圖中未繪示)上，源電極42和漏電極43形成在第二金屬層(圖 中未繪示)上，源電極42設(shè)置成U型結(jié)構(gòu)，由溝道44和45隔開(kāi)對(duì)稱分 布在漏電極43兩側(cè)，U型結(jié)構(gòu)的源電極42兩側(cè)與數(shù)據(jù)線421平行，沿著 源電極42的U型底部一邊延伸與數(shù)據(jù)線421電連接，柵電極41和源電極 42、漏電極43之間存在有絕緣層(圖中未繪示)和半導(dǎo)體層60，漏電極 43通過(guò)接觸孔431和像素電極50相連接。
圖3是M1和M2制作發(fā)生左右重疊偏移時(shí)的示意圖，其中虛線表示 Ml和M2制作發(fā)生重疊偏移的情況，實(shí)線表示未發(fā)生重疊偏移的情況。
參照?qǐng)D3，當(dāng)M1和M2制作發(fā)生左右重疊偏移時(shí)，由于漏電極43的 兩側(cè)是溝道44和45,漏電極43和柵電極41的交叉面積均是漏電極43 的寬度乘以柵電極41的寬度，在制作的允許誤差內(nèi)，交叉面積始終保持 不變，因此避免了由于寄生電容Cgd的變化而引起的畫(huà)面顯示不均及閃爍
又由于源電極42對(duì)稱分布在漏電極43的左右兩側(cè)，當(dāng)Ml和M2制作 發(fā)生左右重疊偏移時(shí)，如果左邊的源電極42和柵電極41的交叉面積變小， 則右邊的源電極42和柵電極41的交叉面積相應(yīng)增大，同理，如果右邊的 源電極42和柵電極41的交叉面積變小，則左邊的源電極42和柵電極41 的交叉面積相應(yīng)增大，因此源電極42和柵電極41的交叉總面積保持不變， 也避免了因寄生電容Cgs變化引起的畫(huà)面顯示不均及閃爍問(wèn)題。 圖4是M1和M2制作發(fā)生上下重疊偏移時(shí)的示意圖，其中虛線表示 Ml和M2制作發(fā)生重疊偏移的情況，實(shí)線表示未發(fā)生重疊偏移的情況。
參照?qǐng)D4，當(dāng)M1和M2制作發(fā)生上下重疊偏移時(shí)，在制程偏差允許的 范圍內(nèi)，柵電極41與源電極42、漏電極43的交叉面積均保持不變，從 而避免了因寄生電容Cgs和Cgd的變化而引起的畫(huà)面顯示不均及閃爍問(wèn) 題。
綜上所述，本實(shí)用新型釆用這樣的TFT結(jié)構(gòu)上的改變來(lái)凈Hi制作過(guò)程 中M1和M2相對(duì)偏移而產(chǎn)生的寄生電容的變化，不需要增加額外的補(bǔ)償結(jié)
構(gòu)，就能夠達(dá)到畫(huà)面顯示的均勻，提髙產(chǎn)品良率。另外，本實(shí)用新型還可 以在保持TFT的溝道寬度和溝道長(zhǎng)度不變的情況下，增加TFT的溝道寬度 與長(zhǎng)度比(W/L),有利于提高TFT的電氣特性。
實(shí)施例二
圖5是本實(shí)施例的像素區(qū)的平面示意圖。
參照?qǐng)D5，可補(bǔ)償寄生電容的液晶顯示裝置，其中呈U型結(jié)構(gòu)的源電 極42的上下兩側(cè)與數(shù)據(jù)線421垂直，通過(guò)溝道44和45垂直分布在漏電 極43的兩側(cè)，底部中間垂直延伸與數(shù)據(jù)線421連接；跟上述實(shí)施例同樣 的犀理，在制程允許的誤差內(nèi)，不管M1和M2如何相對(duì)重疊偏移，源電極 42、漏電極43與柵電極41的交叉面積均不變，同樣避免了因寄生電容 Cgd和Cgs的變化而引起的畫(huà)面顯示不均、閃爍問(wèn)題。
以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，凡在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)所 做的等效變化與修飾，皆應(yīng)屬本實(shí)用新型專(zhuān)利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求1.一種可補(bǔ)償寄生電容的液晶顯示裝置，包括與柵極線電連接的柵電極；與數(shù)據(jù)線電連接的源電極；漏電極；其中所述源電極呈分叉結(jié)構(gòu)，通過(guò)溝道隔開(kāi)并對(duì)稱分布在漏電極兩側(cè)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的源電極呈 U型結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的源電極兩 側(cè)與數(shù)據(jù)線平行，底部一邊延伸與數(shù)據(jù)線電連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述源電極兩側(cè) 與數(shù)據(jù)線垂直，底部中間垂直延伸與數(shù)據(jù)線連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的柵電極形 成在第一金屬層上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的源電極、 漏電極形成在第二金屬層上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的柵電極與 源電極、漏電極之間存在絕緣層和半導(dǎo)體層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的漏電極通 過(guò)接觸孔與像素電極連接。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可補(bǔ)償寄生電容的液晶顯示裝置，包括有與柵極線電連接的柵電極、與數(shù)據(jù)線電連接的源電極、漏電極，其中源電極呈分叉結(jié)構(gòu)，通過(guò)溝道隔開(kāi)并對(duì)稱分布在漏電極兩側(cè)，當(dāng)制程過(guò)程中第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)移動(dòng)時(shí)，柵極-漏極、柵極-源極寄生電容均維持不變，避免了由寄生電容變化而引起的畫(huà)面顯示問(wèn)題。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK201000520SQ20062004746
公開(kāi)日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2006年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月2日
發(fā)明者李喜峰 申請(qǐng)人:上海廣電光電子有限公司