專利名稱：曝光裝置、曝光方法及設備制造方法、以及系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種曝光裝置、曝光方法及設備制造方法、以及系統(tǒng)，更詳細而言，本發(fā)明是關于一種具備激光裝置作為曝光用光源的曝光裝置、該曝光裝置中所進行的曝光方法及利用該曝光方法的設備制造方法、以及包含多臺激光裝置的系統(tǒng)。
背景技術：
近年，在步進器(stepper)或掃描·步進器(也稱為掃描儀)等逐次移動式曝光裝置中，正使用放電激發(fā)型光譜窄帶化脈沖振蕩受激準分子激光器來作為光源。從該受激準分子激光器振蕩產(chǎn)生的脈沖束(pulse beam)，通過曝光裝置本體的照明光學系統(tǒng)，而照射到涂敷在晶圓平臺上所載置的晶圓表面的感光劑上，從而使感光劑感光而將晶圓曝光。
對于激光的光譜帶寬而言，考慮到曝光裝置的光學系統(tǒng)設計尤其是色差容許量而要求窄帶化。對于該窄帶化品質(zhì)而言，目前，通常對光譜帶寬設置特定的上限值，并且，作為用作曝光裝置的光源的激光，要求將因各種因素所引起的變動考慮在內(nèi)而將光譜帶寬維持在所述特定的上限值或所述特定的上限值以下。向所期望的光譜帶寬的窄帶化，可以通過光柵(grating)、標準具(Fabry-Perot etalon，法布里-珀羅標準具)等光學元件而達成。
而且，目前，曝光裝置成像性能的相對于激光的光譜帶寬變動量的敏感度(sensitivity)也是可以忽略的程度。
逐次移動式曝光裝置正處于如下現(xiàn)狀伴隨著與半導體元件等的高集成化相對應的成像對象圖案的進一步精細化，投影光學系統(tǒng)(投影透鏡)的數(shù)值孔徑不斷增大(高NA化)，其結果，激光光譜的窄帶化也發(fā)展到了極限。而且，目前，由于與成像對象(析象對象)的圖案精細化的發(fā)展相伴隨的設備規(guī)則的精細化，則成像相對于光譜變動的敏感度也到了不容忽視的程度。
尤其是，激光的光譜帶寬變動對孤立線線寬造成的影響已逐漸不容忽視。
而且，近年，正積極地執(zhí)行被稱為光學鄰近效果修正(OPC，OpticalProximity Correction)的光罩修正(掩膜·圖案的修正)，該光學鄰近效果修正是通過事先預測光學鄰近效果(OPE，Optical Proximity Effect)并修正掩膜·圖案，而在晶圓上獲得所期望的圖案。作為該OPC后的線寬誤差的主要原因，使從激光光源振蕩產(chǎn)生的激光的光譜特性發(fā)生變動的各種因素也漸漸成為不容忽視的原因。作為使激光的光譜特性發(fā)生變動的主要因素，可代表性地列舉窄帶化元件的制造誤差、增益發(fā)生器(gain generator)的能量狀態(tài)、共振器的發(fā)光角度特性及振蕩條件(duty)等。
因此，在用作曝光裝置的光源的激光裝置中，必須對激光的光譜帶寬進行前所未有的管理或控制，同時，必須較先前進一步提高光譜監(jiān)控器的測量精度，并且也必須將監(jiān)控器的校準誤差抑制為最小限度。
而且，由于在制造半導體元件時使用了多臺曝光裝置，所以較理想的是，使在同一生產(chǎn)線內(nèi)的編號機器之間，從光源振蕩產(chǎn)生的激光的光譜特性盡量無誤差。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第1觀點，本發(fā)明是一種曝光裝置，其利用能量束使物體曝光而在所述物體上形成圖案，此曝光裝置的特征在于包括激光裝置，射出激光作為所述能量束；存儲有圖案尺寸誤差-光譜特性信息的存儲裝置，該圖案尺寸誤差-光譜特性信息表示物體上所形成的圖案的尺寸誤差與從所述激光裝置射出的激光的光譜特性之間的關系；以及光譜控制裝置，根據(jù)所述圖案尺寸誤差-光譜特性信息及與所使用的圖案相關的信息，來控制所述激光的光譜帶寬。
由此，可以通過光譜控制裝置，并根據(jù)表示物體上所形成的圖案的尺寸誤差與從激光裝置射出的激光的光譜特性之間的關系的圖案尺寸誤差-光譜特性信息、及與所使用的圖案相關的信息，來執(zhí)行例如抑制尺寸誤差之類的激光的光譜帶寬控制。
根據(jù)本發(fā)明的第2觀點，本發(fā)明涉及第1曝光方法，其利用從激光光源射出的激光使物體曝光而在該物體上形成圖案，此第1曝光方法的特征在于包括下述步驟輸入與所使用的圖案相關的信息；以及根據(jù)所述已輸入的信息及圖案尺寸誤差-光譜特性信息，來控制所述激光的光譜帶寬，所述圖案尺寸誤差-光譜特性信息表示所述物體上所形成的圖案的尺寸誤差與從所述激光光源射出的激光的光譜特性之間的關系。
由此，輸入與所使用的圖案相關的信息，并根據(jù)該所輸入的信息、及表示物體上所形成的圖案的尺寸誤差與從激光光源射出的激光的光譜特性之間的關系的圖案尺寸誤差-光譜特性信息，來控制激光的光譜帶寬。因此，通過進行例如抑制尺寸誤差之類的激光的光譜帶寬控制，并在該狀態(tài)下進行曝光，從而可以在物體上無尺寸誤差地形成圖案。
根據(jù)本發(fā)明的第3觀點，本發(fā)明涉及第2曝光方法，其利用從激光光源射出的激光使物體曝光而在所述物體上形成圖案，此第2曝光方法的特征在于包括下述步驟獲取從激光光源射出的激光的累積曝光量的信息；以及根據(jù)所獲取的累積曝光量的信息，來確定光譜帶寬修正值。
由此，獲取從激光光源射出的激光的累積曝光量的信息，并根據(jù)該所獲取的累積曝光量的信息，來確定光譜帶寬修正值。此時，例如可以確定激光的光譜帶寬修正值，以使得不產(chǎn)生圖案的尺寸誤差。因此，通過將從激光光源輸出的激光的光譜帶寬調(diào)整為該所計算出的光譜帶寬并使物體曝光，從而可以在該物體上無尺寸誤差地形成圖案。
而且，在光刻步驟中，通過使用本發(fā)明的第1、第2曝光方法中的任一種曝光方法來進行感應物體的曝光，從而在該感應物體上高精度地形成設備圖案。因此，也可以認為，根據(jù)本發(fā)明的第4觀點，本發(fā)明是一種使用本發(fā)明的第1、第2曝光方法中的任一種曝光方法的設備制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的第5觀點，本發(fā)明是一種系統(tǒng)，其包括多臺激光裝置，此系統(tǒng)的特征在于包括從所述多臺激光裝置輸出的激光的光譜帶寬測定時所共同使用的分光器；以及所述分光器的校準用基準光源。
由此，通過使用基準光源來進行分光器的校準，并使用該經(jīng)過校準的分光器來進行從多臺激光裝置輸出的激光的光譜帶寬測定，從而可以高精度地測量從各激光裝置輸出的激光的光譜帶寬。而且，當各激光裝置具有光譜監(jiān)控器時，通過使用經(jīng)過校準的分光器及各光譜監(jiān)控器來進行激光的光譜帶寬的同時測量，從而可以高精度且容易地對各光譜監(jiān)控器進行校準。


圖1是概略表示第1實施形態(tài)的曝光裝置的結構的圖。
圖2(A)是用來對峰值·偏差進行說明的圖，表示形成在掩膜上的線寬相同而間隔不同的n條線圖案的一例，圖2(B)是表示將圖2(A)的圖案轉(zhuǎn)印到晶圓上后最終獲得的光阻劑像的圖。
圖3是表示用來表示光譜帶寬(例如，F(xiàn)WHM)與峰值·偏差之間的關系的函數(shù)曲線的一例的圖。
圖4是表示某曝光條件下的光譜帶寬(例如，F(xiàn)WHM)與峰值·偏差之間的關系的函數(shù)曲線C1、及與掩膜R1～R3相關的峰值·偏差信息的圖。
圖5是表示掩膜偏差函數(shù)fm(P)及對光譜BIAS函數(shù)fj(P)(j＝1、2、...、n)的圖。
圖6是表示Dose-CD曲線及光譜帶寬-CD曲線的圖。
圖7是以模式方式表示在晶圓上呈矩陣狀排列所形成的光阻劑像的圖。
圖8是表示第2實施形態(tài)的系統(tǒng)的結構的一例的圖。
圖中符號的說明如下10曝光裝置12照明光學系統(tǒng)14XY平臺16、16A、16B 激光裝置16a 激光共振器16b、26、72、74 光束分裂器16c 光束監(jiān)控機構16d 激光電源部16e 激光控制裝置16f、80 光閘16g、76、77 單向透視玻璃
16h、82 基準光源17外殼18光束整形光學系統(tǒng)19驅(qū)動機構20能量粗調(diào)器21第1光閘22光學積分器23第2光閘24照明系統(tǒng)孔徑光闌板28A 第1中繼透鏡28B 第2中繼透鏡30A 固定掩膜遮簾30B 可動掩膜遮簾32、44聚光透鏡34旋轉(zhuǎn)板36A、36D ND濾光片38驅(qū)動馬達40驅(qū)動裝置42R 照明區(qū)域42W 曝光區(qū)域46積分傳感器48掩膜平臺驅(qū)動系統(tǒng)50主控制裝置51存儲器52W、52R 移動鏡54W、54R 激光干涉儀56晶圓平臺驅(qū)動系統(tǒng)58Z傾斜平臺62輸入輸出裝置
64受激準分子激光器管66全反射鏡(后鏡)68低反射率鏡(前鏡)70窄帶化模塊84分光器86控制裝置LB、LB1、LB2 激光束AX光軸PL投影光學系統(tǒng)RST 掩膜平臺M、78 反射鏡W 晶圓R 掩膜IL照明光具體實施方式
第1實施形態(tài)以下，根據(jù)圖1～圖7，對本發(fā)明的第1實施形態(tài)進行說明。
圖1中，概略表示了第1實施形態(tài)的曝光裝置10的結構。該曝光裝置10，是使用激光裝置作為曝光用光源的步進·掃描(step and scan)方式的掃描型曝光裝置。
該曝光裝置10包括照明系統(tǒng)，該照明系統(tǒng)包含激光裝置16及照明光學系統(tǒng)12；掩膜平臺RST，保持由該照明系統(tǒng)所照亮的掩膜R并在規(guī)定的掃描方向(此處，設為圖1的紙面內(nèi)左右方向即Y軸方向)上移動；投影光學系統(tǒng)PL，將掩膜R的圖案的像投影到晶圓W上；XY平臺14，保持晶圓W并在水平面(XY平面)內(nèi)移動；以及所述多個部分的控制系統(tǒng)等。
作為所述激光裝置16的一例，是使用KrF受激準分子激光器(振蕩波長為248.385nm)。另外，作為激光裝置16，當然可以使用ArF受激準分子激光器(振蕩波長為193nm)或F2激光器(振蕩波長為157nm)，并且也可以使用金屬蒸汽激光器或YAG激光器，或者使用半導體激光諧波產(chǎn)生裝置等脈沖光源，以取代KrF受激準分子激光器。
如圖1所示，激光裝置16包括激光共振器16a；光束分裂器(beam splitter)16b，配置在從該激光共振器16a射出的激光束LB的光路上，且透過率為97％左右；單向透視玻璃(或光束分裂器)16g及光束監(jiān)控機構16c，依次配置在該光束分裂器16b的反射光路上；基準光源16h；激光控制裝置16e，輸入來自所述光束監(jiān)控機構16c的輸出信號；以及利用該激光控制裝置16e來控制電源電壓等的激光電源部16d等。如該圖1所示，激光裝置16的所述構成各部分(16a～16e、16g、16h等)收納在外殼17內(nèi)。從激光共振器16a射出并透過光束分裂器16b的激光束LB，通過外殼17的光透過部及未圖示的送光光學系統(tǒng)，而入射到照明光學系統(tǒng)12中。
另外，可以將激光控制裝置16e及激光電源部16d中的任一者或兩者配置在外殼17的外部。
所述激光共振器16a包括包含放電電極的受激準分子激光器管(激光器腔體)64；配置在該受激準分子激光器管64后側(圖1中紙面內(nèi)左側)的全反射鏡(后鏡)66；配置在受激準分子激光器管64前側(圖1中紙面內(nèi)右側)的低反射率鏡(前鏡)68；以及配置在受激準分子激光器管64與前鏡68之間的窄帶化模塊70等。
此時，由后鏡66及前鏡68構成共振器，可以稍許提高相干性(coherency)。
作為窄帶化模塊70的一例，包括依次配置在受激準分子激光器管64與前鏡68之間的激光束LB的光路上的固定的法布里-珀羅標準具(Fabry-Perotetalon)及傾角可變的法布里-珀羅標準具。
法布里-珀羅標準具(以下，簡稱為“標準具”)，是使2片石英板空開規(guī)定空隙(air gap)而平行相向的裝置，并作為一種帶通濾波器(bandpass filter)而發(fā)揮作用。固定的標準具用于粗調(diào)，傾角可變的標準具用于微調(diào)。此處，這些標準具使從激光共振器16a射出的激光束LB的光譜帶寬，變窄至自然振蕩光譜帶寬的約1/100～1/300左右并輸出。而且，通過調(diào)整傾角可變的標準具的傾角，可以使從激光共振器16a射出的激光束LB的波長(中心波長)在規(guī)定范圍內(nèi)變換。
除此以外，例如也可以拆除所述粗調(diào)用標準具，并以可傾斜的方式而設置作為波長選擇元件之一種的反射型衍射光柵(grating)以代替后鏡66，以此來構成激光共振器。此時，由光柵及前鏡68構成共振器。而且，由光柵及微調(diào)用標準具構成具有與前文所述相同功能的窄帶化模塊(module)。此時，光柵用于設定波長時的粗調(diào)，標準具用于微調(diào)。如果改變標準具及光柵中任一者的傾斜角，可以使從激光共振器射出的激光束LB的波長(振蕩波長)在規(guī)定范圍內(nèi)變化。
另外，例如也可以由棱鏡與衍射光柵(grating)的組合來構成窄帶化模塊。
在所述受激準分子激光器管64內(nèi)，填充有具有特定混合比例的激光氣體(由作為環(huán)境氣體的氪Kr、氟F2及作為緩沖氣體的氦He所構成)。在該受激準分子激光器管64上，通過未圖示的排氣閥而連接有例如由柔軟的管所構成的排氣管。該排氣管中，設置有用來捕捉氟的除害用過濾器或排氣用泵等。這是考慮到氟的毒性，而利用除害用過濾器使排出的氣體無害化之后，使用排氣用泵排出到裝置的外部。
而且，在受激準分子激光器管64上，通過未圖示的供氣閥而連接有柔軟的氣體供給管的一端，而該氣體供給管的另一端則連接于Ar、F2、He等的儲氣瓶(省略圖示)。
所述各閥是由主控制裝置50進行開閉控制的。主控制裝置50例如在進行氣體交換等時進行調(diào)整，以使受激準分子激光器管64內(nèi)的激光氣體達到規(guī)定的混合比例及壓力。而且，在受激準分子激光器管64的內(nèi)部，當激光振蕩時，激光氣體通過未圖示的鼓風機(fan)一直循環(huán)。
然而，由于所述受激準分子激光器管64是放電部，所以其溫度非常高。因此，在本實施形態(tài)中，該受激準分子激光器管64與周圍充分隔熱，并且利用水等冷卻介質(zhì)而將其溫度控制為固定溫度。即，在該受激準分子激光器管64的周圍，布置有未圖示的冷卻水配管，而且該冷卻水配管也通過未圖示的軟管而與外部相連接。從外部的冷卻裝置向該冷卻水配管內(nèi)循環(huán)地供給水或其他冷卻介質(zhì)，且該冷卻介質(zhì)的溫度由冷卻裝置的控制系統(tǒng)來進行控制。
所述單向透視玻璃16g，位于來自基準光源16h的光的光路上。進而，在光束分裂器16b與單向透視玻璃16g之間的光路上，設置有第1光閘(shutter)21，該第1光閘21在圖1中的紙面內(nèi)左右方向(Y軸方向)上移動而使該光路開閉，而且，在基準光源16h與單向透視玻璃16g之間的光路上，設置有第2光閘23，該第2光閘23在圖1中的紙面正交方向(X軸方向)上移動而使該光路開閉。
因此，由光束分裂器16b所反射的激光束LB及來自基準光源16h的光可以入射到光束監(jiān)控機構16c中。此時，第1光閘21及第2光閘23的開閉是由主控制裝置50通過未圖示的光閘驅(qū)動機構來進行控制的，且激光束LB及來自基準光源16h的光，通過單向透視玻璃16g而擇一性地入射到光束監(jiān)控機構16c中。主控制裝置50通常如圖1所示般使第1光閘21為打開狀態(tài)，而使第2光閘23為關閉狀態(tài)，但在后文將述的光束監(jiān)控機構16c內(nèi)的光束監(jiān)控器的絕對波長校準(calibration)等之時，主控制裝置50使第1光閘21為關閉狀態(tài)，而使第2光閘23為打開狀態(tài)。
雖然未圖示，但所述光束監(jiān)控機構16c包括能量監(jiān)控器及光束監(jiān)控器(光譜監(jiān)控器)。能量監(jiān)控器例如配置在單向透視玻璃16g的透過光路上所設置的未圖示的單向透視玻璃的反射光路上。作為該能量監(jiān)控器，例如是使用為檢測出遠紫外區(qū)域的脈沖光而具有高響應頻率的PIN型光電二極管(photodiode)等受光元件。來自該能量監(jiān)控器的光電轉(zhuǎn)換信號(光量信號)輸出到激光控制裝置16e中。
作為光束監(jiān)控器，例如是使用包括依次配置在單向透視玻璃16g的透過光路上的聚光透鏡、準直透鏡(collimator lens)、標準具、遙測透鏡(telemeter lens)及線傳感器等的法布里-珀羅干涉儀。此時，作為標準具，與前文所述同樣，是使用使2片部分反射鏡(石英板等)空開規(guī)定空隙(air gap)而相向配置的裝置。如此，當激光束LB入射到該標準具中時，部分反射面上的衍射光(根據(jù)惠更斯原理(Huygens′principle)的次波)在空隙間反復進行反射及透過。此時，僅滿足下式(1)的入射角θ的方向的光透過標準具而得到增強，以此，在遙測透鏡的焦點面上形成干涉條紋(條紋圖案)，且該條紋圖案由配置在遙測透鏡的焦點面上的線傳感器來進行檢測。
2·n·d·cosθ＝mλ......(1)此處，d為空隙，n為空隙的折射率，m為次數(shù)。
根據(jù)上式(1)可知，如果n、d、m固定，則由于波長λ的不同而形成在焦點面上的條紋圖案不同。
由配置在遙測透鏡的焦點面上的線傳感器所檢測出的光強度的分布，在遙測透鏡的焦點面上的線傳感器長度方向上，以特定間隔出現(xiàn)與干涉條紋相對應的峰。相當于各光強度分布的峰高1/2的部分的寬度，與激光束LB的光譜線寬(半值全寬(FWHM，F(xiàn)ull Wave at Half Maximum))相對應。而且，與各光強度分布的峰的峰值相對應的線傳感器長度方向的位置，是根據(jù)中心波長而定的。即，所述條紋圖案是與入射光的中心波長、光譜線寬(FWHM)相對應的，且該條紋圖案的攝像信號從光束監(jiān)控機構16c內(nèi)部的光束監(jiān)控器輸出到激光控制裝置16e中。
所述激光電源部16d包括高壓電源以及脈沖壓縮電路(開關電路)等，該脈沖壓縮電路使用該高壓電源，使受激準分子激光器管64內(nèi)部的未圖示的放電電極以規(guī)定的時序進行放電。
所述激光控制裝置16e包括圖像處理電路(包括AD轉(zhuǎn)換器及峰值保持電路等)以及微型計算機等，該圖像處理電路對所述條紋圖案的攝像信號及能量監(jiān)控器的輸出信號執(zhí)行規(guī)定的信號處理，該微型計算機用來進行規(guī)定的運算。激光控制裝置16e通過對條紋圖案的攝像信號執(zhí)行規(guī)定的信號處理，而獲得與入射光(激光束)LB相對于光束監(jiān)控器機構16c的光學特性相關的信息，例如中心波長(或重心波長)λ、光譜線寬(FWHM)等信息。
激光控制裝置16e使用激光束LB的中心波長λ，并根據(jù)下式(2)而運算出中心波長λ相對于由主控制裝置50所設定的設定波長λ0的偏差量(波長偏差量)Δλ。
Δλ＝|λ0-λ|......(2)而且，激光控制裝置16e根據(jù)所述光譜線寬、與光譜線寬的基準值例如初始的光譜線寬之間的差，而運算出光譜線寬的變動量。
進而，在本實施形態(tài)中，在激光裝置16中設置有構成所述激光共振器16a的傾角可變的標準具(或光柵及傾角可變的標準具，或者光柵及棱鏡)等分光元件的驅(qū)動機構19。并且，該驅(qū)動機構19由激光控制裝置16e根據(jù)所述波長偏差量Δλ而進行控制，將中心波長λ控制在所期望的范圍內(nèi)。
而且，激光控制裝置16e在進行通常的曝光時，根據(jù)基于所述能量監(jiān)控器的輸出而檢測出的能量功率，而對激光電源部16d內(nèi)部的高壓電源中的電源電壓進行反饋控制，以使從激光共振器16a輸出的激光束LB的每1脈沖的能量，成為與根據(jù)來自主控制裝置50的控制信息而給予的每1脈沖的能量的目標值相對應的值。
而且，激光控制裝置16e，也可以根據(jù)來自主控制裝置50的控制信息，來控制針對激光電源部16d內(nèi)部的脈沖壓縮電路的觸發(fā)信號的施加時序或施加間隔，以此來控制曝光期間針對晶圓W上的1照射(shot)區(qū)域的脈沖數(shù)或脈沖振蕩的反復頻率(振蕩頻率)。
所述基準光源16h，是進行光束監(jiān)控機構16c內(nèi)部的光束監(jiān)控器的絕對波長校準時所使用的基準光源，其使用固體窄帶激光。本實施形態(tài)中，是使用Ar倍波激光光源(氬離子2倍諧波激光光源)作為基準光源16h。采用Ar倍波激光光源的原因在于該Ar倍波激光光源的中心波長為248.253nm，與KrF受激準分子激光裝置的中心波長λ0＝248.385nm非常接近，可較好地用作基準(reference)，并且，Ar倍波激光光源的光譜半值寬度小于等于0.01pm，非常窄，所以可以高精度地進行后文將述的去卷積(deconvolution)處理。
除此以外，在激光裝置16的外殼17內(nèi)的光束分裂器16b的照明光學系統(tǒng)一側，也配置有光閘16f，該光閘16f是用來根據(jù)來自主控制裝置50的控制信息而遮蔽激光束LB的。
所述照明光學系統(tǒng)12包括光束整形光學系統(tǒng)18、能量粗調(diào)器20、光學積分器(是復眼透鏡(fly eye lens)、內(nèi)面反射型積分器、或衍射光學元件等，由于在圖1中是使用復眼透鏡，因此以下也稱為“復眼透鏡”)22、照明系統(tǒng)孔徑光闌板24、光束分裂器26、第1中繼透鏡28A、第2中繼透鏡28B、固定掩膜遮簾(blind)30A、可動掩膜遮簾30B、光路彎曲用反射鏡M、以及聚光透鏡32等。
能量粗調(diào)器20，配置在對從受激準分子激光器16脈沖發(fā)出的激光束LB的剖面形狀進行整形的光束整形光學系統(tǒng)18后方的激光束LB的光路上。該能量粗調(diào)器20包括沿圓周方向配置有透過率(＝1-消光率)不同的多個(例如6個)ND濾光片(本實施形態(tài)中為消光濾光片，圖1中表示有其中的2個ND濾光片36A、36D)的旋轉(zhuǎn)板34，通過利用驅(qū)動馬達38使該旋轉(zhuǎn)板34旋轉(zhuǎn)，則可以對針對所入射的激光束LB的透過率從100％呈幾何級進行多階段切換。驅(qū)動馬達38由主控制裝置50所控制。另外，能量粗調(diào)器20也可以使針對激光束LB的透過率(激光束LB的脈沖能量)連續(xù)可變，而非階段性可變。
在能量粗調(diào)器20后方的激光束LB的光路上，隔著復眼透鏡22而配置有由圓板狀構件所構成的照明系統(tǒng)孔徑光闌板24。在該照明系統(tǒng)孔徑光闌板24上，以等角度間隔而配置有例如由通常的圓形開口所構成的孔徑光闌、由較小的圓形開口所構成且用來減小相干系數(shù)即σ值的孔徑光闌、同心圓照明用的同心圓狀孔徑光闌、及為用于變形光源法而使多個開口偏心配置而成的變形孔徑光闌(圖1中，僅圖示有其中的2種孔徑光闌)等。照明系統(tǒng)孔徑光闌板24，是配置在復眼透鏡22的射出面附近，即，在本實施形態(tài)中是配置在與照明光學系統(tǒng)的瞳面大致一致的復眼透鏡22的射出側焦點面上。
照明系統(tǒng)孔徑光闌板24，利用由主控制裝置50所控制的馬達等驅(qū)動裝置40而旋轉(zhuǎn)，將任一個孔徑光闌選擇性地設定在照明光IL的光路上。以此，可以利用復眼透鏡22來改變由形成在照明光學系統(tǒng)12的瞳面上的多個點光源所構成的面光源即2次光源的形狀及/或大小。另外，在本實施形態(tài)例中，使用照明系統(tǒng)孔徑光闌板24來改變照明光學系統(tǒng)12的瞳面上的照明光IL的強度分布即照明條件，但用來改變照明條件的光學元件(光學系統(tǒng))并不限定于此。例如，如美國專利第6,563,567號、第6,710,855號說明書中所揭示般，也可以使用具有可更換的光學元件(衍射光學元件等)及可動的光學元件(變焦透鏡及/或棱鏡等)的光學系統(tǒng)來改變照明條件。另外，在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選定國)的國內(nèi)法令所允許的范圍內(nèi)，引用其揭示內(nèi)容來作為本說明書的內(nèi)容的一部分。
在從照明系統(tǒng)孔徑光闌板24射出的激光束LB即照明光IL的光路上，配置有反射率較小而透過率較大的光束分裂器26，進而在其后方的光路上，介隔著固定掩膜遮簾30A及可動掩膜遮簾30B而配置有包括第1中繼透鏡28A及第2中繼透鏡28B的中繼光學系統(tǒng)。
固定掩膜遮簾30A，配置在距離與掩膜R的圖案面相對的共軛面稍微散焦的面上，且形成有規(guī)定該掩膜R上的照明區(qū)域42R的矩形開口。而且，在該固定掩膜遮簾30A的附近，配置有具有可變開口部的可動掩膜遮簾30B，在掃描曝光開始時及結束時，通過該可動掩膜遮簾30B來進一步限制照明區(qū)域42R，從而防止不必要的曝光。
在第2中繼透鏡28B后方的照明光IL的光路上，配置有彎曲反射鏡M，該彎曲反射鏡M將通過第2中繼透鏡28B的照明光IL朝向掩膜R反射，在該反射鏡M后方的照明光IL的光路上配置有聚光透鏡32。
另一方面，由光束分裂器26所反射的照明光IL，通過聚光透鏡44而由積分傳感器46所接收，積分傳感器46的光電轉(zhuǎn)換信號，通過未圖示的保持電路及A/D轉(zhuǎn)換器等而供給到主控制裝置50中作為輸出DS(digit/pulse，數(shù)字/脈沖)。作為積分傳感器46，例如可以使用PIN型光電二極管等，該PIN型光電二極管在遠紫外區(qū)域具有靈敏度，且為檢測出從激光裝置16射出的脈沖光而具有高響應頻率。
在所述掩膜平臺RST上載置著掩膜R，并通過未圖示的真空夾盤(vacuumchuck)等予以吸附保持著。掩膜平臺RST可以在水平面(XY平面)內(nèi)進行細微的移動，并且，通過掩膜平臺驅(qū)動系統(tǒng)48而在掃描方向(Y軸方向)上在規(guī)定行程(stroke)范圍內(nèi)進行掃描。掩膜平臺RST的位置，是使用固定在掩膜平臺RST上的向移動鏡52R照射一種測長光束的激光干涉儀54R來進行測量的，且該激光干涉儀54R的測量值供給到主控制裝置50中。
作為所述投影光學系統(tǒng)PL，例如是使用兩側遠心(telecentric)的縮小系統(tǒng)，即，包含具有共同的Z軸方向的光軸AX的多片透鏡元件的折射系統(tǒng)。而且，該投影光學系統(tǒng)PL的投影倍率δ例如為1/4或1/5。因此，如上所述，當利用照明光IL來照亮掩膜R上的照明區(qū)域42R時，形成在該掩膜R上的圖案通過投影光學系統(tǒng)PL而在表面涂敷有光阻劑(感光劑)的晶圓W上的狹縫狀曝光區(qū)域(與照明區(qū)域42R共軛的區(qū)域)42W上形成縮小了投影倍率δ后的像(部分像)。
所述XY平臺14，可以通過晶圓平臺驅(qū)動系統(tǒng)56，而在XY面內(nèi)在掃描方向即Y軸方向以及與Y軸方向正交的X軸方向(圖1中的紙面正交方向)上進行二維移動。該XY平臺14上搭載有Z傾斜平臺58，在該Z傾斜平臺58上，通過未圖示的晶圓保持器，利用真空吸附系統(tǒng)等來保持著晶圓W。Z傾斜平臺58具有下述功能，即，調(diào)整晶圓W的Z軸方向的位置(焦點位置)，并且調(diào)整晶圓W相對于XY平面的傾斜角。而且，XY平臺14的位置，是使用固定在Z傾斜平臺58上的向移動鏡52W照射一種測長光束的激光干涉儀54W來進行測量的，且該激光干涉儀54W的測量值供給到主控制裝置50中。
進而，雖省略了圖示，但在掩膜R的上方，例如配置有下述圖像處理方式的一對掩膜對準系統(tǒng)，即，將如日本專利特開平7-176468號公報及與此對應的美國專利第5,646,413號說明書等中所揭示般的曝光波長的光(本實施形態(tài)中的照明光IL)作為對準用照明光。此時，一對掩膜對準系統(tǒng)，是以關于包含投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX的YZ平面對稱(左右對稱)的配置而設置的。在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選定國)的國內(nèi)法令所允許的范圍內(nèi)，引用所述公報及所對應的美國專利說明書中的揭示內(nèi)容來作為本說明書的記載的一部分。
圖1中，控制系統(tǒng)包括主控制裝置50，主控制裝置50包括由CPU(Centralprocessing unit，中央處理裝置)、ROM(Read-only memory，只讀存儲器)、及RAM(Random-access memory，隨機存取存儲器)等所構成的所謂的微型計算機(或小型計算機)。主控制裝置50統(tǒng)括地控制例如掩膜R及晶圓W的同步掃描、晶圓W的步進、曝光時序等，以使得曝光動作準確進行。
具體而言，主控制裝置50例如在進行掃描曝光時，根據(jù)激光干涉儀54R、54W的測量值分別通過掩膜平臺驅(qū)動系統(tǒng)48、晶圓平臺驅(qū)動系統(tǒng)56來分別控制掩膜平臺RST、XY平臺14的位置及速度，以使得與掩膜R通過掩膜平臺RST而在+Y方向(或-Y方向)上以速度VR進行掃描同步地，晶圓W通過XY平臺14在-Y方向(或+Y方向)上以速度δ·VR(δ是從掩膜R針對晶圓W的投影倍率)對曝光區(qū)域42W進行掃描。而且，在步進時，主控制裝置50根據(jù)激光干涉儀54W的測量值，通過晶圓平臺驅(qū)動系統(tǒng)56來控制XY平臺14的位置。
而且，如上所述，主控制裝置50通過將控制信息供給到激光裝置16中，從而控制激光裝置16的發(fā)光時序、及發(fā)光功率等。而且，主控制裝置50分別通過馬達38、驅(qū)動裝置40來控制能量粗調(diào)器20、照明系統(tǒng)孔徑光闌板24，進而，與平臺系統(tǒng)的動作信息同步地控制可動掩膜遮簾30B的開閉動作。
如圖1所示，在主控制裝置50中，并設有存儲器51及輸入輸出裝置62。在存儲器51內(nèi)，存儲有積分傳感器46的輸出DS與晶圓W表面上的照明光IL的照度(強度)的相關系數(shù)(或相關函數(shù))、或能量監(jiān)控器的輸出與積分傳感器46的輸出DS的相關系數(shù)(或相關函數(shù))等信息等、或用來控制光譜帶寬的各種信息(詳細內(nèi)容將在后文進行敘述)等。
此處，對通過主控制裝置50而進行的光束監(jiān)控機構16c內(nèi)部的光束監(jiān)控器的絕對波長校準進行簡單說明。當進行該絕對波長校準時，主控制裝置50在打開第1光閘21而關閉第2光閘23的狀態(tài)下，獲得來自光束監(jiān)控器的與此時的激光束LB相對應的條紋圖案的信息，并將該信息存儲到存儲器51中。
接著，主控制裝置50在關閉第1光閘21而阻斷激光束LB向光束監(jiān)控機構16c入射的同時，打開第2光閘23而使來自基準光源16h的光入射到光束監(jiān)控機構16c中。并且，通過將此時從光束監(jiān)控器所獲得的條紋圖案與圖像存儲器內(nèi)的條紋圖案(直到之前為止所入射的激光束LB的條紋圖案)進行比較，而求出激光束LB的波長與基準波長的偏差，并且調(diào)整窄帶化模塊70以修正該所求出的偏差，以此來進行激光束LB的絕對波長校準。
然而，在進行所述條紋圖案的比較時，必須進行去卷積處理，而作為該去卷積處理對象的卷積(相對于與實測光譜的條紋圖案的實際光譜相對應的條紋圖案較粗者)是各曝光裝置所固有的，是稱為裝置函數(shù)的量。在本實施形態(tài)中，使用Ar倍波激光作為基準光源，由于該Ar倍波激光的光譜帶寬(FWHM)非常窄，小于等于0.01pm，所以可看作是帶寬無限窄的光，可以將Ar倍波激光的實測波形作為裝置函數(shù)而進行去卷積處理。
其次，對去卷積處理(所獲取的裝置函數(shù)的光譜計算處理)進行說明。以下，將裝置函數(shù)記作mi(λ)。定期重新獲取該mi(λ)與光束監(jiān)控器的校準相關聯(lián)。
如果設實測光譜為s(λ)，則可以認為該實測光譜是實際光譜f(λ)與裝置函數(shù)mi(λ)的卷積，所以下式(3)成立。
s(λ)＝f(λ)×mi(λ)......(3)此處，標準的去卷積，是表示將“測定數(shù)據(jù)的傅里葉變換(Fouriertransform)”除以“裝置函數(shù)的傅里葉變換”，進而進行傅里葉逆變換等次序的計算。
因此，如果在進行了下式(4a)的計算之后，如下式(4b)所示般對其計算結果進行傅里葉逆變換，則可以獲得實際光譜信號f(λ)。
F(ω)＝S(ω)/M(ω)......(4a)F-1〔F(ω)〕＝f(λ)......(4b)這樣，在本實施形態(tài)中，主控制裝置50可以進行用來獲得實際光譜信號的去卷積，并且可以根據(jù)實際光譜信號而獲得準確的光譜帶寬(例如FWHM或95％能量純度寬度)的信息。而且，主控制裝置50可以根據(jù)去卷積的結果，而準確地進行激光束LB的絕對波長校準處理，即，大致準確地調(diào)整為設計波長。
其次，對從激光裝置16射出的激光束LB的光譜的管理及控制方法進行說明。
首先，對使用了峰值·偏差(Peak BIAS)的激光束LB的光譜的管理及控制方法進行說明。
此處，對峰值·偏差進行說明。
考慮到下述情況，即，如圖2(A)所示，將形成有線寬相同而間隔不同的(P、2P、......)n條線圖案的掩膜搭載在掩膜平臺RST上，并在規(guī)定的曝光條件下進行曝光，最終獲得如圖2(B)所示的線寬L1、L2、......Ln的光阻劑像。
在實際的曝光中，由于光學接近效果，線寬L1、L2、L3......、Ln-1、Ln是不同的。例如，當為正型光阻劑及剩余圖案的組合時，由于光學接近效果而成為線寬L1＞L2＞L3......＞Ln-1＞Ln。如果將設計線寬設為L，則ΔLi＝|Li-L|(i＝1、2、...n)為各線圖案的偏差(BIAS)。即，所謂偏差，是指晶圓上的實際的光阻劑像的線寬相對于設計線寬的誤差，根據(jù)該偏差來確定OPC中的圖案線寬的修正量。
而且，如果將線寬L1～Ln中的最大者設為Lmax，將最小者設為Lmin，則Lmax-Lmin為峰值·偏差(Peak BIAS)。
該峰值·偏差會根據(jù)曝光中所使用的激光束的光譜帶寬而變化。所以，在本實施形態(tài)中，通過模擬(simulation)，而求出各種曝光條件(照明條件、投影光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑等)下的如圖3所示的表示光譜帶寬(例如，F(xiàn)WHM)與峰值·偏差之間的關系的函數(shù)曲線的數(shù)據(jù)，并將該所求出的函數(shù)曲線的數(shù)據(jù)存儲到存儲器51中。另外，作為光譜帶寬的指標，例如也可以使用95％能量純度寬度等來取代FWHM。
所以，當操作員通過輸入輸出裝置62而輸入與所使用的掩膜(光罩)相關的峰值·偏差(Peak BIAS)信息時，主控制裝置50求出適合于該所使用的掩膜的激光束的光譜帶寬，并作為光譜帶寬設定要求值而發(fā)送給激光控制裝置16e。
以下，進一步對適合于該所使用的掩膜(曝光對象的圖案)的激光束的光譜帶寬，即光譜帶寬設定要求值的求出方法進行說明。
圖4中，表示了函數(shù)曲線C1，該函數(shù)曲線C1表示存儲器51中所存儲的某曝光條件下的光譜帶寬(例如，F(xiàn)WHM)與峰值·偏差之間的關系。而且，該圖4中，分別以標注有符號R1、R2、R3的長條來表示與掩膜R1、掩膜R2、掩膜R3相關的峰值·偏差信息。各個長條的橫軸方向上的位置相當于下述值，即，根據(jù)預先通過模擬所獲取的各個掩膜的光譜帶寬與線寬誤差之間的關系，而線寬誤差達到容許界限時的光譜帶寬的值。
例如掩膜R3的情況，如圖4所示，求出將以所輸入的峰值·偏差信息而給予的光譜帶寬設為最大值，并將與距離對應于該最大值的峰值·偏差規(guī)定的ΔBIAS范圍內(nèi)的下限相對應的光譜帶寬設為最小值的Δ3的范圍，作為適合于該掩膜R3的激光束的光譜帶寬(光譜帶寬設定要求值)。
而且，掩膜R1的情況如圖4所示，由于以所輸入的峰值·偏差信息而給予的峰值·偏差值未到達曲線C1，所以無法設定以所輸入的峰值·偏差信息而給予的光譜帶寬。所以，此時，求出將與以所輸入的峰值·偏差信息而給予的峰值·偏差值相對應的曲線C1上的點相對應的光譜帶寬的值設為最大值，并將與距離對應于該最大值的峰值·偏差規(guī)定的ΔBIAS范圍內(nèi)的下限相對應的光譜帶寬設為最小值的Δ1的范圍，作為適合于該掩膜R1的激光束的光譜帶寬(光譜帶寬設定要求值)。
對于剩余的掩膜R2及其他掩膜而言，也根據(jù)所輸入的峰值·偏差信息，以與所述掩膜R3或掩膜R1的情況同樣的方式，來求出適合于該掩膜的激光束的光譜帶寬(光譜帶寬設定要求值)。
與利用所述光譜帶寬(例如，F(xiàn)WHM)與峰值·偏差之間的關系的情況不同，當著眼于掩膜上的圖案的特定疏密狀態(tài)時，也可以根據(jù)下述相關系數(shù)，而實施光譜的選定(即光譜帶寬的選定)，該相關系數(shù)是如圖5所示將橫軸設為Pitch(圖案間隔)且將縱軸設為偏差(BIAS)的二維坐標系上所表示的掩膜偏差函數(shù)fm(P)、與多個光譜的各個對光譜BIAS函數(shù)fj(P)(j＝1、2、...n)的相關系數(shù)。
即，也可以對于各個對光譜BIAS函數(shù)fj(P)，而計算出下式的相關系數(shù)_(P)，并且根據(jù)相關度最大的與對光譜BIAS函數(shù)相對應的光譜，而確定適合于所使用的掩膜的光譜帶寬(激光束的光譜帶寬(光譜帶寬設定要求值))。
數(shù)1φ(p)=∫fm(p)·fj(p)dp∫(fm(p))2dp·∫(fj(p))2dp···(5)]]>總而言之，激光控制裝置16e是根據(jù)從主控制裝置50發(fā)送來的光譜帶寬設定要求值，通過調(diào)整受激準分子激光器管64內(nèi)部的激光氣體的混合比例、填充壓力、窄帶化模塊70、及由激光電源部16d內(nèi)的脈沖壓縮電路(開關電路)所決定的受激準分子激光器管64內(nèi)部未圖示的放電電極的放電時序等，而使光譜帶寬最佳化。這樣，通過使用對應于掩膜R的圖案(Peak BIAS信息等)或曝光條件(照明條件等)等而使光譜帶寬最佳化的照明光(曝光用光)IL，能夠在晶圓W上形成具有所期望的線寬的圖案。
其次，對利用了Dose(劑量)與光譜的關系的激光束LB的光譜的管理及控制方法進行說明。
預先進行模擬或?qū)嶒?，求出如圖6所示的Dose-CD曲線C2、及光譜帶寬-CD曲線C3。在圖6中，橫軸是Dose，即，投影光學系統(tǒng)PL的像面(晶圓面)上的累積曝光量(mJ/cm2)或者光譜帶寬(例如FWHM)，縱軸是CD(CriticalDimension，臨界尺寸)，即，線寬(形成在晶圓上的光阻劑像的線寬)。
當通過實驗來求取曲線C2、C3時，可以進行如下所述的處理。
a.在將規(guī)定的測試曝光用掩膜搭載在掩膜平臺RST上，并將光譜帶寬(例如FWHM)設定為某一值的狀態(tài)下，一面以規(guī)定量為單位來變更Dose，一面將測試掩膜的圖案依次轉(zhuǎn)印到晶圓上的假想矩陣的第1行的多個區(qū)域上。另外，此處對測試掩膜的圖案的轉(zhuǎn)印，是在將晶圓設定在投影光學系統(tǒng)PL的最佳焦點位置處的狀態(tài)下而進行的。最佳焦點位置的檢測方法等，有利用烘培(bake)而進行的方法、以及利用空間像測量而進行的方法等，由于這些方法均為眾所周知的方法，所以省略詳細說明。
b.接著，以使光譜帶寬(例如FWHM)增加規(guī)定量的方式來變更光譜帶寬。
c.再接著，在變更后的光譜帶寬下，以與所述a.相同的方式，將測試掩膜的圖案依次轉(zhuǎn)印到晶圓上的假想矩陣的相鄰接的行的多個區(qū)域上。另外，此處對測試掩膜的圖案的轉(zhuǎn)印，也是在將晶圓設定在投影光學系統(tǒng)PL的最佳焦點位置處的狀態(tài)下而進行的。
d.然后，交替重復與所述b.及c.相同的動作。
這樣，當針對預定數(shù)量的光譜帶寬的步進而進行的預定數(shù)量的Dose步進下的測試掩膜的圖案轉(zhuǎn)印結束時，使該晶圓顯影。由此，在晶圓上，以如圖7中以模式方式所示的矩陣狀排列而形成光阻劑像。
e.其次，使用SEM等進行各光阻劑像的線寬測量等，并根據(jù)該測量結果，制作出圖6的Dose-CD曲線C2、及光譜帶寬-CD曲線C3。
根據(jù)以所述方式而獲得的如圖6所示的Dose-CD曲線C2、及光譜帶寬-CD曲線C3，求出Dose與光譜帶寬之間的關系，例如，ΔDose/Δ光譜帶寬。該“ΔDose/Δ光譜帶寬”，例如在光譜帶寬產(chǎn)生變化時，可以用于求出補償因該光譜帶寬的變化而引起的圖案線寬誤差的累積曝光量(Dose)的修正量?；蛘?，該“ΔDose/Δ光譜帶寬”，在針對晶圓W的累積曝光量(Dose)有可能會產(chǎn)生控制誤差時，可以用于求出補償因該累積曝光量的控制誤差而引起的圖案線寬誤差的光譜帶寬修正量。
以所述方式而求出的表示Dose與光譜帶寬之間的關系的信息預先存儲在存儲器51中。
所以，主控制裝置50在進行實際的曝光時，根據(jù)預先存儲在所述存儲器51中的表示Dose與光譜帶寬的關系的信息，使累積曝光量變更與相當于線寬誤差的光譜帶寬的變動相對應的部分，以使得不會產(chǎn)生因光譜帶寬的變動而引起的線寬誤差。即，通過調(diào)整曝光量來防止激光束LB的光譜帶寬的變動成為圖案線寬的誤差因素。
例如，從激光裝置16射出的激光束LB的光譜帶寬由于激光裝置16的運行狀態(tài)而存在細小的變動，但由于主控制裝置50可以從光束監(jiān)控機構16c或激光控制裝置16e依次獲取光譜帶寬的信息，因此也可以根據(jù)該所獲取的光譜帶寬信息及存儲在存儲器51中的Dose與光譜帶寬的關系，而計算出曝光量修正量并反映到曝光量控制中，以使得不會產(chǎn)生因光譜帶寬的變動而引起的殘留線寬誤差。
而且，主控制裝置50也可以與以上所述情況相反，當曝光量有可能會產(chǎn)生控制誤差時，使光譜帶寬變更與相當于線寬誤差的Dose的變動相對應的部分，以使得不會產(chǎn)生因該誤差而引起的線寬誤差，以此來防止曝光量的控制誤差成為圖案線寬的誤差因素。
例如，由于主控制裝置50可以根據(jù)積分傳感器46的測量值，而獲取從激光裝置16射出的激光束LB的累積曝光量(Dose量)的信息，因此也可以根據(jù)該已獲取的累積曝光量的信息及存儲在存儲器51中的Dose與光譜帶寬的關系，而求出光譜帶寬修正量并調(diào)整光譜帶寬，以使得不會產(chǎn)生因累積曝光量的控制誤差而引起的線寬誤差。
當然，可以僅變更光譜帶寬及Dose中的一者，也可以變更兩者，以使得不會產(chǎn)生圖案的線寬誤差。因此，當產(chǎn)生光譜帶寬的變動時，可以調(diào)整(變更)光譜帶寬及Dose中的至少一者。而且，當有可能會產(chǎn)生累積曝光量的控制誤差時，可以調(diào)整(變更)光譜帶寬及Dose中的至少一者。
而且，也可以將Dose-CD曲線C2所示的累積曝光量與線寬誤差之間的關系、及如光譜帶寬-CD曲線C3所示的光譜帶寬與線寬誤差之間的關系存儲在存儲器51中，以取代將累積曝光量與光譜帶寬之間的關系存儲在存儲裝置51中。此時，可以根據(jù)所述已獲取的光譜帶寬信息及已獲取的累積曝光量信息中的至少一者、以及存儲在存儲器51中的信息，來執(zhí)行曝光量控制及光譜帶寬控制中的至少一者，以使得不會產(chǎn)生圖案的線寬的誤差。
而且，為求出Dose-CD曲線C2所示的累積曝光量與線寬誤差之間的關系、及如光譜帶寬-CD曲線C3所示的光譜帶寬與線寬誤差之間的關系，也可以不使用測試掩膜，而使用制造設備時所使用的形成有設備圖案的掩膜。
如上所述，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置10，主控制裝置50可以根據(jù)表示形成在晶圓W上的圖案的尺寸誤差(例如BIAS或peak BIAS)與從激光裝置16射出的激光束LB的光譜特性(例如FWHM或95％能量純度寬度)之間的關系的圖案尺寸誤差-光譜特性信息(例如，圖3中所示的表示光譜帶寬(例如，F(xiàn)WHM)與峰值·偏差之間的關系的函數(shù)曲線)、以及與所使用的圖案相關的信息(例如圖4中所示的與掩膜(光罩)相關的峰值·偏差(Peak BIAS)信息)，并通過激光控制裝置16e來執(zhí)行激光束LB的光譜帶寬控制，以使得在曝光時形成在晶圓W上的掩膜的圖案的像不會殘留有尺寸誤差(例如線寬誤差)。此處，與所使用的掩膜相關的信息，可以如上所述由操作員通過輸入輸出裝置62而輸入，但例如也可以將與該掩膜相關的峰值·偏差(Peak BIAS)信息等制成條形碼(或二維碼)信息并附在掩膜R上，主控制裝置50在裝載(load)該掩膜R時利用條形碼讀取器等來讀取條形碼信息，以此來獲取信息。
而且，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置10，主控制裝置50例如根據(jù)積分傳感器46的測量值，而獲取從激光裝置16射出的激光束LB的累積能量的量(與晶圓面上的dose量相對應)的信息，并根據(jù)該所獲取的累積能量的量的信息，而確定光譜帶寬修正值。此時，以在曝光時形成在晶圓W上的掩膜的圖案的像不會產(chǎn)生尺寸誤差的方式，來確定激光束LB的光譜帶寬修正值。并且，主控制裝置50將從激光裝置16輸出的激光束的光譜帶寬調(diào)整成該所計算出的光譜帶寬。
通過如上所述的光譜帶寬的控制或調(diào)整來控制激光束LB的光譜帶寬，以使得能夠獲得最佳析象性能。因此，通過利用進行了光譜帶寬的控制或調(diào)整的激光來進行晶圓W的曝光，可以將形成在掩膜R上的圖案轉(zhuǎn)印到晶圓W上，并且使圖案的轉(zhuǎn)印像(例如光阻劑像)無尺寸誤差地形成在該晶圓W上。
而且，在所述實施形態(tài)中，例如主控制裝置50一直對光束監(jiān)控機構16c內(nèi)部的光束監(jiān)控器的輸出進行監(jiān)控，并根據(jù)激光束LB的光譜帶寬的變化而使晶圓W的曝光量控制最佳化，以此，也可以一直以最佳的析象性能來進行曝光，而不受激光束LB的光譜帶寬變化的影響。
另外，當由于激光束LB的中心波長的變動，而導致形成在晶圓W上的圖案產(chǎn)生線寬誤差時，也可以使用光束監(jiān)控機構16c一直對激光束LB的中心波長進行監(jiān)控，并根據(jù)其結果來調(diào)整(控制)光譜帶寬及累積曝光量中的至少一者。
另外，在所述第1實施形態(tài)中，基于所述已獲取的信息(光譜帶寬及累積曝光量中的至少一者的信息)而對光譜帶寬及累積曝光量中的至少一者所進行的控制(調(diào)整)，可以在針對晶圓W上的1個照射區(qū)域的曝光期間執(zhí)行，也可以在晶圓W上的1個照射區(qū)域的曝光結束后、下一個照射區(qū)域的曝光開始之前進行，并且也可以在1片晶圓的曝光結束后、下一片晶圓的曝光開始之前進行。
而且，也可以對應于根據(jù)所述已獲取的信息(光譜帶寬及累積曝光量中的至少一者的信息)而求出的線寬誤差的控制量(調(diào)整量)，來執(zhí)行光譜帶寬的控制(調(diào)整)或曝光量的控制(調(diào)整)。例如，可以在線寬誤差的控制量大于規(guī)定的閾值時進行光譜帶寬的調(diào)整(控制)，而在線寬誤差的控制量小于規(guī)定的閾值時進行累積曝光量的控制(調(diào)整)。
而且，在根據(jù)所述已獲取的信息(光譜帶寬及累積曝光量中的至少一者的信息)來執(zhí)行光譜帶寬的控制(調(diào)整)、及累積曝光量的控制(調(diào)整)這兩者時，也可以利用不同的時序來執(zhí)行各控制。例如，累積曝光量的控制(調(diào)整)也可以在1個照射區(qū)域的曝光期間執(zhí)行，而光譜帶寬的控制(調(diào)整)則在晶圓W上未照射有激光的期間，例如在2個照射區(qū)域的曝光之間所進行的步進移動期間、晶圓更換等期間執(zhí)行。
因此，主控制裝置50也可以并不一直接受光束監(jiān)控機構16c內(nèi)部的光束監(jiān)控器的輸出，而是以預定的間隔，具體而言是每當進行晶圓更換時接受所述輸出，或者也可以每當規(guī)定片數(shù)例如1批晶圓的曝光結束時接受所述輸出。
而且，在所述實施形態(tài)的曝光裝置中，光譜帶寬與線寬誤差之間的關系及累積曝光量與線寬誤差之間的關系、或者光譜線寬的變化量與Dose的變化量之間的關系(例如ΔDose/Δ光譜帶寬)等，也可以與曝光條件一一對應，例如與光阻劑的種類或形成在晶圓上的圖案一一對應，或者與照明條件一一對應而預先設定。
然而，在所述實施形態(tài)中，當進行曝光量的調(diào)整(變更)時，在曝光范圍(所述曝光區(qū)域42W)內(nèi)，也可以不拘于該范圍內(nèi)的部位而使曝光量均勻地增減，也可以僅使該范圍內(nèi)的一部分以與其他部分不同的方式增減。
另外，也可以由激光裝置16內(nèi)部的激光控制裝置16e來執(zhí)行所述實施形態(tài)中的主控制裝置50的與光譜控制相關聯(lián)的功能的一部分。而且，當然也可以通過多個硬件例如存儲裝置、運算裝置、控制裝置等的組合來執(zhí)行激光控制裝置16e及主控制裝置50中的至少一者的至少一部分功能。
另外，在所述第1實施形態(tài)中，執(zhí)行了基于所使用的掩膜的信息(峰值·偏差信息等)而進行的光譜帶寬的調(diào)整(控制)、以及基于所述所獲取的信息(光譜帶寬、累積曝光量的信息等)而進行的光譜帶寬及累積曝光量中的至少一者的控制這兩者，但也可以僅執(zhí)行其中的某一者。而且，在所述實施形態(tài)中，使用了“以使得不會產(chǎn)生線寬誤差”的表述，但這并不限定于誤差為零的情況，也包括誤差處在容許范圍內(nèi)的情況。
第2實施形態(tài)其次，根據(jù)圖8說明本發(fā)明的第2實施形態(tài)。該第2實施形態(tài)的系統(tǒng)，具備多臺分別作為多臺曝光裝置的曝光用光源的激光裝置，但以下考慮到避免復雜化的觀點，僅對2臺激光裝置16A、16B進行說明。而且，對與所述第1實施形態(tài)相同或等同的構成部分標注相同的符號，并簡化或省略其說明。
圖8所示的各激光裝置16A、16B，除了未設有基準光源16h、單向透視玻璃16g、及光閘21、23之處以外，以與所述激光裝置16相同的方式而構成。在從激光裝置16A的激光共振器16a射出的激光束LB1的光路上，配置有透過率為97％左右的光束分裂器72。在該光束分裂器72的反射光路上，依次配置有單向透視玻璃76、77。
在光束分裂器72中的激光束LB1的透過光路的后方，介隔著未圖示的送光光學系統(tǒng)而配置有以與所述曝光裝置10相同的方式所構成的曝光裝置(以下，稱為第1曝光裝置)的照明光學系統(tǒng)。即，激光裝置16A為該第1曝光裝置的曝光用光源。
在從所述激光裝置16B的激光共振器16a射出的激光束LB2的光路上，配置有透過率為97％左右的光束分裂器74。在該光束分裂器74的反射光路上，配置有可使光路彎曲90°的反射鏡78，并且在由該反射鏡所彎曲的激光束LB2的光路上，配置有所述單向透視玻璃77。
在光束分裂器74中的激光束LB2的透過光路的后方，介隔著未圖示的送光光學系統(tǒng)而配置有以與所述曝光裝置10相同的方式所構成的曝光裝置(以下，稱為第2曝光裝置)的照明光學系統(tǒng)。即，激光裝置16B為該第2曝光裝置的曝光用光源。
所述單向透視玻璃76，位于由光束分裂器72形成的激光束LB1的反射光路上且位于來自基準光源82的光的光路上。作為基準光源82，與基準光源16h同樣，使用Ar倍波激光光源(氬離子2倍諧波激光光源)。
在從基準光源82向單向透視玻璃76射出的光的光路上，配置有光閘80。該光閘80通常將光路關閉。在控制裝置86根據(jù)來自第1曝光裝置及第2曝光裝置的信息而判定任一曝光裝置的光閘16f也處于關閉狀態(tài)時，根據(jù)需要而由控制裝置86打開該光閘80。在該光閘打開的狀態(tài)下，來自基準光源82的光通過單向透視玻璃76、77而入射到分光器84中。此時的分光器84的輸出信號作為裝置函數(shù)而由控制裝置86所接收。控制裝置86以規(guī)定的時間間隔(interval)來執(zhí)行該裝置函數(shù)的更新。
而且，控制裝置86在與各個曝光裝置的主控制裝置之間進行通信，且在關閉了光閘80的狀態(tài)下，將分別來自激光裝置16A、16B的激光束LB1、LB2擇一性地輸入至分光器84中，對該分光器84的輸出信號進行所述去卷積處理，獲得激光束LB1、LB2的實際光譜信號，根據(jù)該已獲得的實際光譜信號，而獲得準確的光譜帶寬(例如FWHM或95％能量純度寬度)的信息。也定期地或根據(jù)需要來執(zhí)行該激光束LB1、LB2的光譜的測量。
而且，當控制裝置86使來自激光裝置16A的激光束LB1(或來自激光裝置16B的激光束LB2)輸入分光器84時，向第1曝光裝置(或第2曝光裝置)的主控制裝置發(fā)出向激光裝置16A(或激光裝置16B)內(nèi)部的光束監(jiān)控機構16c輸入激光束LB1(或激光束LB2)的指示。并且，控制裝置86也可以從第1曝光裝置(或第2曝光裝置)的主控制裝置獲得該光束監(jiān)控機構16c內(nèi)部的光束監(jiān)控器的輸出，即，光束監(jiān)控器的光譜帶寬測量值，且將該測量值、與根據(jù)分光器84的輸出信號而計算出的激光束LB1(或激光束LB2)的光譜帶寬進行比較，并將用來對光束監(jiān)控機構16c內(nèi)的光束監(jiān)控器的測量值進行校準的系數(shù)發(fā)送給第1曝光裝置(或第2曝光裝置)的主控制裝置。
另外，圖8中圖示有，當在激光裝置16A、16B的光閘16f打開的狀態(tài)下，從激光共振器16a振蕩產(chǎn)生激光束LB1(或LB2)時，激光束LB1(或LB2)總是入射到分光器84中，但實際上設置有光閘，該光閘分別使由光束分裂器72形成的激光束LB1的反射光路、及由光束分裂器74形成的激光束LB2的反射光路開閉。這些光閘在無須使激光束LB1、LB2入射到分光器84中時，由控制裝置86關閉。
根據(jù)以上所說明的本第2實施形態(tài)的系統(tǒng)，使用基準光源82來進行分光器84的校準，并使用該經(jīng)過校準的分光器84來進行從多臺激光裝置16A、16B等輸出的激光束LB1、LB2等的光譜帶寬測定，由此，可以高精度地測量從各臺激光裝置輸出的激光束的光譜帶寬。而且，通過使用各臺激光裝置16A、16B的光束監(jiān)控機構16c內(nèi)的光束監(jiān)控器(光譜監(jiān)控器)、及經(jīng)過校準的分光器84來進行激光束(LB1或LB2)的光譜帶寬的同時測量，可以高精度且容易地校準各個光束監(jiān)控器(光譜監(jiān)控器)。
而且，在本第2實施形態(tài)中，由于激光裝置16A、16B分別為各曝光裝置的光源，所以在進行使用了這些曝光裝置的混合與匹配(mix and match)曝光時，期望曝光裝置間的CD匹配率的提高、及共有掩膜時的適應性(flexibility)的提高。
另外，在所述第2實施形態(tài)中，當未在曝光中使用激光裝置時，也可以在例如用來保持所謂的激光品質(zhì)的自身振蕩(自鎖振蕩)時實施激光裝置16A、16B等的校準。此時，可以利用裝置群共有的界面來切換來自各激光裝置的Syncout信號等，并實施光譜測量。但是，在這樣的情況下，必須變更系統(tǒng)的一部分結構，以使得可以在光閘16f已關閉的狀態(tài)下使自身振蕩時的激光束入射到分光器中。
另外，在所述實施形態(tài)中，對本發(fā)明適用于步進掃描方式的掃描型曝光裝置的情況進行了說明，但并不限定于此，本發(fā)明也可以較好地適用于步進重復(step and repeat)方式的曝光裝置(所謂的步進器)或步進縫合(step and stitch)方式的曝光裝置。當將本發(fā)明適用于步進器等中時，可以采用下述方法中的任一種來控制針對晶圓的曝光量，即將從激光裝置輸出的每一脈沖的能量值設為固定而調(diào)整照射到晶圓上的1點的激光脈沖數(shù)的方法；將照射脈沖數(shù)設為固定值而改變每一脈沖的能量值的方法；或者組合上述兩種方法而進行控制的方法。
除此以外，也可以將本發(fā)明適用于在投影光學系統(tǒng)PL與晶圓之間充滿有液體的液浸式曝光裝置等中，該液浸式曝光裝置例如在國際公開第2004/053955號手冊及與此相對應的美國專利申請案公開第2005/0259234號說明書等中有所揭示。除此以外，本發(fā)明也可以適用于在作為曝光對象的晶圓等的整個表面浸漬于液體中的狀態(tài)下進行曝光的液浸曝光裝置中，該液浸曝光裝置在日本專利特開平6-124873號公報、日本專利特開平10-303114號公報、及美國專利第5,825,043號說明書等中有所揭示。而且，也可以將本發(fā)明適用于例如國際公開第2001/035168號手冊中所揭示般，通過在基板上形成干涉條紋而在基板上形成線和空間圖案的曝光裝置(光刻系統(tǒng))中。進而，也可以將本發(fā)明適用于例如日本專利特表2004-519850號公報(對應美國專利第6,611,316號說明書)中所揭示般，通過投影光學系統(tǒng)而在基板上合成2個掩膜的圖案，并且利用1次掃描曝光而使基板上的1個照射區(qū)域大致同時地進行兩次曝光的曝光裝置等中。在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選定國)的國內(nèi)法令所允許的范圍內(nèi)，引用所述國際公開手冊及所述各公報、以及與這些手冊及公報相對應的美國專利申請案公開說明書或美國專利說明書中的揭示，來作為本說明書的記載的一部分。
另外，在所述實施形態(tài)中，使用了在透光性基板上形成有規(guī)定的遮光圖案(或相位圖案·消光圖案)的透光型光罩，但也可以使用例如美國專利第6,778,257號說明書中所揭示般，根據(jù)應曝光的圖案的電子數(shù)據(jù)而形成透過圖案或反射圖案、或者發(fā)光圖案的電子光罩(也稱為可變成形光罩，包括例如作為非發(fā)光型圖像顯示元件(空間光調(diào)變器)之一種的DMD(Digital Micro-mirrorDevice，數(shù)字微鏡元件)等)，以取代所述光罩。在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選定國)的國內(nèi)法令所允許的范圍內(nèi)，引用所述美國專利說明書中的揭示，來作為本說明書的記載的一部分。
而且，在所述實施形態(tài)中，也可以使用如下所述的諧波作為激光，即，例如國際公開第1999/46835號手冊(對應美國專利第7,023,610號說明書)中所揭示般，利用例如摻雜有鉺(或鉺及鐿兩者)的光纖放大器，將從DFB半導體激光器或纖維激光器振蕩產(chǎn)生的紅外區(qū)域或可視區(qū)域的單一波長激光放大，并使用非線性光學結晶且也使用波長已轉(zhuǎn)換為紫外光的高調(diào)波。
而且，也可以使用能夠產(chǎn)生波長為146nm的Kr2激光(氪·二聚物激光)、及波長為126nm的Ar2激光(氬·二聚物激光)等產(chǎn)生真空紫外光的光源，以作為激光光源。
而且，投影光學系統(tǒng)不僅可以是縮小系統(tǒng)，也可以是等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)中的任一種。投影光學系統(tǒng)不僅可以是折射系統(tǒng)，也可以是反射系統(tǒng)及反射折射系統(tǒng)中的任一種，并且其投影像也可以是倒像及正像中的任一種。
而且，本發(fā)明的曝光裝置的用途并不限定于半導體制造用曝光裝置，例如，也可以廣泛地適用于將液晶顯示元件圖案轉(zhuǎn)印到方形玻璃板上的液晶用曝光裝置，或用來制造薄膜磁頭、微電機及DNA芯片等的曝光裝置中。而且，本發(fā)明不僅適用于用來制造半導體元件等微型設備的曝光裝置中，也可以適用于為了制造光曝光裝置、EUV曝光裝置、X射線曝光裝置、及電子束曝光裝置等中所使用的掩膜或光罩，而將電路圖案轉(zhuǎn)印到玻璃基板或硅晶圓等上的曝光裝置中。
另外，半導體設備是經(jīng)過下述步驟而制造的，即進行設備的功能·性能設計的步驟；制作基于該設計步驟的掩膜的步驟；利用硅材料而制作出晶圓的步驟；光刻步驟，該光刻步驟包括將光阻劑等感應材料涂敷到晶圓等物體上的涂敷處理、利用所述實施形態(tài)的曝光裝置并通過所述液浸曝光而將形成在掩膜上的圖案轉(zhuǎn)印到涂敷有感應材料的晶圓等物體上的曝光處理、及使曝光后的晶圓顯影的顯影處理；設備組裝步驟(包括切割步驟、焊接步驟、及封裝步驟)；以及檢查步驟等。此時，由于在光刻步驟中使用了所述實施形態(tài)的曝光裝置及曝光方法，所以能夠以高良率制作出高集成度的設備。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，本發(fā)明的曝光裝置及曝光方法、以及設備制造方法，適用于半導體元件等電子設備的制造。而且，本發(fā)明的系統(tǒng)，適用于多個激光裝置的光學特性的校準。
權利要求
1.一種曝光裝置，其利用能量束使物體曝光而在所述物體上形成圖案，此曝光裝置的特征在于包括激光裝置，射出激光作為所述能量束；存儲裝置，存儲有圖案尺寸誤差-光譜特性信息，該圖案尺寸誤差-光譜特性信息表示物體上所形成的圖案的尺寸誤差與從所述激光裝置射出的激光的光譜特性之間的關系；以及光譜控制裝置，根據(jù)所述圖案尺寸誤差-光譜特性信息及與所使用的圖案相關的信息，來控制所述激光的光譜帶寬。
2.如權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述光譜控制裝置，根據(jù)所述圖案尺寸誤差-光譜特性信息及與所使用的圖案相關的信息，而計算出用來抑制所述尺寸誤差的所述激光的光譜帶寬，并根據(jù)該計算結果來控制所述光譜帶寬。
3.如權利要求2所述的曝光裝置，其特征在于還包括掩膜臺，該掩膜臺是用來載置形成有所述所使用圖案的掩膜，并且，使用與所述掩膜相關的信息，作為所述與所使用的圖案相關的信息。
4.如權利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，所述圖案尺寸誤差-光譜特性信息包括曝光裝置所固有的光譜偏差函數(shù)，與所述掩膜相關的信息包括掩膜偏差函數(shù)；所述光譜控制裝置，根據(jù)所述光譜偏差函數(shù)與所述掩膜偏差函數(shù)的相關系數(shù)，而計算出用來抑制所述尺寸誤差的所述激光的光譜帶寬。
5.如權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述光譜控制裝置的至少一部分設置在所述激光裝置中。
6.如權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于還包括曝光量控制裝置，該曝光量控制裝置根據(jù)所述光譜帶寬，來控制針對所述物體的累積曝光量。
7.如權利要求6所述的曝光裝置，其特征在于，在所述存儲裝置中，進而存儲有第2信息，該第2信息表示激光的光譜帶寬與累積曝光量之間的關系；所述曝光量控制裝置，獲取從所述激光裝置射出的激光的光譜帶寬信息，并根據(jù)該所獲取的光譜帶寬的信息及所述第2信息，來控制針對所述物體的累積曝光量。
8.如權利要求7所述的曝光裝置，其特征在于，所述第2信息包括激光的光譜帶寬與圖案的尺寸誤差之間的關系、及累積曝光量與圖案的尺寸誤差之間的關系。
9.如權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述光譜控制裝置，根據(jù)針對所述物體的累積曝光量來控制所述激光的光譜帶寬。
10.如權利要求9所述的曝光裝置，其特征在于，在所述存儲裝置中，進而存儲有光譜帶寬-累積曝光量信息，該光譜帶度-累積曝光量信息表示激光的光譜帶寬與累積曝光量之間的關系，所述光譜控制裝置，獲取從所述激光裝置射出的激光的所述累積曝光量的信息，并根據(jù)該所獲取的累積曝光量的信息及所述光譜帶寬-累積曝光量信息，來控制所述激光的光譜帶寬。
11.如權利要求10所述的曝光裝置，其特征在于，所述光譜帶寬-累積曝光量信息包括激光的光譜帶寬與圖案的尺寸誤差之間的關系、及累積曝光量與圖案的尺寸誤差之間的關系。
12.一種曝光方法，其利用從激光光源射出的激光使物體曝光而在該物體上形成圖案，此曝光方法的特征在于包括下述步驟輸入與所使用的圖案相關的信息；以及根據(jù)所述已輸入的信息及圖案尺寸誤差-光譜特性信息，來控制所述激光的光譜帶寬，所述圖案尺寸誤差-光譜特性信息表示形成在所述物體上的圖案的尺寸誤差與從所述激光光源射出的激光的光譜特性之間的關系。
13.如權利要求12所述的曝光方法，其特征在于，在控制所述光譜帶寬的步驟中，根據(jù)所述圖案尺寸誤差-光譜特性信息及與所使用的圖案相關的信息，而計算出用來抑制所述尺寸誤差的所述激光的光譜帶寬，并根據(jù)該計算結果來控制所述光譜帶寬。
14.如權利要求13所述的曝光方法，其特征在于，所述所使用的圖案是形成在掩膜上，使用與所述掩膜相關的信息，作為與所述所使用的圖案相關的信息。
15.如權利要求14所述的曝光方法，其特征在于，所述圖案尺寸誤差-光譜特性信息包括曝光裝置固有的光譜偏差函數(shù)，與所述掩膜相關的信息包括掩膜偏差函數(shù)，在所述控制步驟中，根據(jù)所述光譜偏差函數(shù)與所述掩膜偏差函數(shù)的相關系數(shù)，而計算出用來抑制所述尺寸誤差的所述激光的光譜帶寬。
16.如權利要求12所述的曝光方法，其特征在于還包括以下步驟根據(jù)所述光譜帶寬，來控制針對所述物體的累積曝光量。
17.如權利要求16所述的曝光方法，其特征在于還包括獲取表示激光的光譜帶寬與累積曝光量之間的關系的光譜帶寬-累積曝光量信息的步驟，并且在控制所述累積曝光量的步驟中，獲取從所述激光光源射出的激光的光譜帶寬信息，并根據(jù)該所獲取的光譜帶寬的信息及所述光譜帶寬-累積曝光量信息，來控制針對所述物體的累積曝光量。
18.如權利要求17所述的曝光方法，其特征在于，所述光譜帶寬-累積曝光量信息包括激光的光譜帶寬與圖案的尺寸誤差之間的關系、及累積曝光量與圖案的尺寸誤差之間的關系。
19.如權利要求12所述的曝光方法，其特征在于還包括獲取表示激光的光譜帶寬與累積曝光量之間的關系的光譜帶寬-累積曝光量信息的步驟，并且在控制所述光譜帶寬的步驟中，獲取從所述激光光源射出的激光的所述累積曝光量的信息，并根據(jù)該所獲取的累積曝光量的信息及所述光譜帶寬-累積曝光量信息，來控制所述激光的光譜帶寬。
20.如權利要求19所述的曝光方法，其特征在于，所述光譜帶寬-累積曝光量信息包括激光的光譜帶寬與圖案的尺寸誤差之間的關系、及累積曝光量與圖案的尺寸誤差之間的關系。
21.一種曝光方法，其利用從激光光源射出的激光使物體曝光而在所述物體上形成圖案，此曝光方法的特征在于包括下述步驟獲取從激光光源射出的激光的累積曝光量的信息；以及根據(jù)所獲取的累積曝光量的信息，來確定光譜帶寬修正值。
22.一種曝光方法，其特征在于，在所述獲取步驟之前還包括下述步驟進行測試曝光，并根據(jù)該測試曝光結果而求出所述激光的光譜帶寬與累積曝光量之間的關系，所述測試曝光是一面以規(guī)定步進間距來改變所述累積曝光量及所述光譜帶寬，一面使用測試掩膜并利用所述曝光裝置，而將所述測試掩膜的圖案分別轉(zhuǎn)印到同一測試基板上。
23.一種設備制造方法，其包括光刻步驟，此設備制造方法的特征在于，在所述光刻步驟中，使用如權利要求12至22中任一項所述的曝光方法而在感應物體上形成圖案。
24.一種包括多臺激光裝置的系統(tǒng)，此系統(tǒng)的特征在于包括從所述多臺激光裝置輸出的激光的光譜帶寬測定時所共同使用的分光器；以及所述分光器的校準用基準光源。
全文摘要
曝光裝置(10)包括射出激光的激光裝置(16)；存儲有第1信息的存儲器(51)，該第1信息表示形成在晶圓上的圖案的線寬誤差與從激光裝置射出的激光的光譜特性之間的關系；以及主控制裝置(50)，根據(jù)第1信息及與所使用的掩膜相關的信息，通過激光控制裝置(16e)來控制激光的光譜帶寬。主控制裝置(50)根據(jù)第1信息及與所使用的掩膜相關的信息來執(zhí)行例如抑制線寬誤差之類的激光的光譜帶寬控制。
文檔編號G03F7/20GK101080807SQ20068000136
公開日2007年11月28日 申請日期2006年6月30日 優(yōu)先權日2005年7月1日
發(fā)明者新井誠義 申請人:株式會社尼康