專利名稱：應(yīng)用具有預(yù)定反射率變化的微鏡陣列構(gòu)成的投射系統(tǒng)的無縫隙曝光的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明所述的是應(yīng)用光投射在一曝光表面上進(jìn)行光學(xué)掃描的系統(tǒng)和方法。較為 特別的是，本發(fā)明所涉及的乃是對于半導(dǎo)體或其他電子制造方面應(yīng)用的平面印刷設(shè) 備中在一表面上進(jìn)行無縫隙光投射掃描的投射與掃描系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
盡管常規(guī)的光學(xué)平面印刷技術(shù)由于通過一些特性圖樣的平行生成過程而達(dá)到 高的生產(chǎn)量而具有很大優(yōu)點，現(xiàn)在很廣泛地應(yīng)用于微電子元件的大批量生產(chǎn)中，然 而這種平面印刷技術(shù)仍有一些局限性和缺點。為了克服這些局限性和缺點，已經(jīng)開 發(fā)和披露了各種各樣的無掩模平版印刷技術(shù)。特別是，正如下面將要討論的那樣， 各種各樣專利發(fā)明一直在進(jìn)行嘗試，努力改善無掩摸平版印刷技術(shù)的效率和性能。
但是，這些技術(shù)仍存在著困難，就是常規(guī)系統(tǒng)被局限于要么是水平的要么是豎 直的掃描曝光的重疊，而不是在保持無縫隙曝光圖樣的同時實現(xiàn)二維曝光的重疊。 由于這種單個方向重疊的限制，必須保持具有嚴(yán)格公差限制的精確的運(yùn)動方向控
制。此外，由于技術(shù)的進(jìn)步，對較高清晰度的控制提出了更大的要求，以達(dá)到較高
水平的曝光均勻性。采用空間光調(diào)制(SLM)的常規(guī)技術(shù)難以滿足這些要求，尤其 是那些用大量微鏡實現(xiàn)的SLM更是如此，這是因為對于從每個微鏡上反射的光的控 制程度是有限的。再者，平版印刷操作的生產(chǎn)能力也受到一定的限制，其原因在于 調(diào)整平版印刷曝光要求較高的數(shù)據(jù)傳輸速度，而常規(guī)的技術(shù)不具有滿足這些要求的 足夠的數(shù)據(jù)傳輸速度。最后還有一點很重要，由常規(guī)技術(shù)提供的曝光的對比度水平 仍然受到限制，這將進(jìn)一步限制了用以生產(chǎn)具有超大單元密度并具備可控臨界線度 而又保持嚴(yán)格偏差容許量的集成電路的半導(dǎo)體制造加工方法的質(zhì)量和性能。
在平版印刷技術(shù)中還有種種因素能使加工制造的速度和效率大為降低。特別 是，單個曝光的速度通常是由照明的強(qiáng)度與光刻膠的光敏性決定的。通過提高照明
強(qiáng)度與光刻膠的光敏性能以改進(jìn)曝光速度進(jìn)行了一些嘗試。然而，對于一些電路， 特別是那些有許多特性層的電路，需要許多單個曝光。那些在曝光之間切換掩模的 操作，通常要增加很大的生產(chǎn)能力附加成本。此外，掩模必須放在精確的位置以滿 足排列要求。通過這些操作則進(jìn)一步降低了生產(chǎn)能力。由于制造微電子元件的設(shè)備常須具備生成大量圖樣的各種掩模的庫存量就更加提高了生產(chǎn)的成本。該庫存量則 進(jìn)一步增加制造這些集成電路的管理費(fèi)，由于定購這些掩模需要過程和時間則進(jìn)而 增加了成本和耗時。
除以上因素之外，對開發(fā)無掩模平版印刷技術(shù)的要求進(jìn)一步增強(qiáng)了，這是因為 隨著尺寸的增大和微電子結(jié)構(gòu)部件之間間距的減小，掩模的成本會極大地增加。同 時，集成功能的增多和電子器件的微型化，將進(jìn)一步推動這種生產(chǎn)面積較大而結(jié)構(gòu) 圖案間距小的掩模的傾向，從而使得微電子器件制造所需的掩模十分昂貴。由于這 些原因，提供能夠克服這些局限性和困難的無掩摸平版印刷技術(shù)工藝將舉有很高的 價值。
在無掩摸平版印刷技術(shù)領(lǐng)域新近披露了幾個專利，其中有美國專利6238852， 披露的是利用把光投射于兩個方向，以使兩個襯底能同時曝光。該平版印刷加工過 程是用一個無掩模平版印刷系統(tǒng)完成的，這種系統(tǒng)能提供大面積無縫隙圖案的形 成，在此圖案的形成中采用了諸如可變形的微鏡裝置(DMD)的反射空間光調(diào)制器， 它直接被一控制系統(tǒng)編址，通過第一個投射子系統(tǒng)在第一塊光刻膠覆蓋的襯底面板 上提供第一個圖樣，而與之同時，通過第二個投射子系統(tǒng)在第二塊光敏襯底面板上， 提供一個復(fù)制的圖樣，不過它是第一塊襯底面板上樣的負(fù)版，這樣，采用由該DMD 像素微鏡的"關(guān)閉"反射正常被棄去的無圖樣"關(guān)閉"像素輻射，使第二塊形成圖 樣。既然該"關(guān)閉"像素反射建立一個與"開啟"像素圖樣互補(bǔ)的圖樣，采用覆蓋 于第二塊襯底面板上的光刻膠，就能如通常所期望的那樣提供復(fù)制的圖樣。由于"開 啟"與"關(guān)閉"反射二者共同應(yīng)用于每個像素位置，所以該相同的選擇其結(jié)果則是 生產(chǎn)能力提高了一倍。
在專利6379867中披露了另一個無掩模平版印刷系統(tǒng)，提供了一個用于對諸如 晶片的主體(subject)提供掩模圖像的照相平版印刷系統(tǒng)和方法。該掩模圖像被 分成許多子圖樣，繼而提供給一個像素面板，例如可變形的面鏡器件或液晶顯示器。 該像素面板把每一個子圖樣轉(zhuǎn)變?yōu)榇罅康南袼貑卧?。此外用一個微型透鏡陣列把每 一個像素單元同時聚焦于該主體分離的不相鄰接的部分。接著該主體與像素單元被 移位(舉例來說， 一個或兩個都被移動)，并且依次把下一個子圖樣提供給該像素 面板。結(jié)果光可以按照該像素單元投射到該主體上，以在其上建造一個鄰接的圖像。
專利6304316還披露了一種投射微型平版印刷系統(tǒng)，它能以很高的曝光速度和
任何需要的圖像清晰度使很大的彎曲襯底呈現(xiàn)圖樣，該襯底可容許具有二維的任意 曲率。該襯底被牢固的裝載掃描臺上，其上還安裝包含要在襯底上形成圖樣的掩模。
該掩模借助于一個投射子系統(tǒng)在該襯底上成像，這個子投射系統(tǒng)固定不動位于該掃 描臺的上面。該掩模被一多邊形照明光束來照明，引發(fā)一個相似于在該襯底上形成 圖像形狀相似的圖樣區(qū)域?；w的不同區(qū)域沿著平行于基體上的光軸的方向(z軸)移動適當(dāng)?shù)牧?，以保持被曝光的部分在成像透鏡的焦點深度范圍之內(nèi)。該掃描臺被 編程，對掩模和襯底橫過多邊形區(qū)域同時進(jìn)行掃描，以得到整個掩模的圖樣。由多 邊形的照明結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的強(qiáng)度互補(bǔ)的輪廓圖之間的適當(dāng)重疊保證了這些掃描的無縫 隙連接。這種微型平版印刷系統(tǒng)包括一些用于動態(tài)感測每一點襯底高度的光學(xué)機(jī)械 結(jié)構(gòu)，用以在Z方向移動該襯底，并且構(gòu)成該投射子系統(tǒng)的焦面以便總是保持要被 曝光的襯底區(qū)域在該投射子系統(tǒng)的焦點深度范圍之內(nèi)。然而，這些專利發(fā)明對以上討論的難題與限制并未提供有效的解答。因此，在 微型平版印刷系統(tǒng)與方法的技術(shù)方面仍然需求提供新的改進(jìn)的無掩模平版印刷系 統(tǒng)和加工過程，其中包括對用于半導(dǎo)體制造的平板印刷設(shè)備的那些應(yīng)用能提供新的 改進(jìn)的方法和系統(tǒng)，從而使以上所述的困難得以解決。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個方面是，提供了一個無掩模平版印刷系統(tǒng)，它包括一個微鏡的陣 列，其中每一個微鏡均覆蓋一涂層以使之具有預(yù)定反射率并借助于安排微鏡反射率 的變化與分布，就實現(xiàn)了能夠在水平與豎直方向自由移動的無縫隙曝光，解決了上 述的困難與問題。在另一個方面，本發(fā)明提供了一個無掩模平版印刷系統(tǒng)，它包括一個微鏡的陣 列，其中每一個微鏡均覆蓋一涂層以使之具有預(yù)定反射率并借助于安排微鏡反射率 的變化與分布，實現(xiàn)了對每一微鏡具有精確可控反射率的無縫隙曝光，從而對于在 以前技術(shù)工藝中遭遇到的難題給出了解答。又在另一個方面，本發(fā)明提供了一個無掩模平版印刷系統(tǒng)，它包括一個微鏡的 陣列，其中每一個微鏡均覆蓋一涂層以使之具有預(yù)定反射率并借助于安排微鏡反射率的變化與分布，實現(xiàn)了在曝光中具有較高對比度的無縫隙曝光，這是由于圖樣的 方向能夠安排得免受夫瑯和費(fèi)耗損。還在另一個方面，本發(fā)明提供了一個無掩模平版印刷系統(tǒng)，它包括一個微鏡陣 列，其中每一個微鏡均覆蓋一涂層以使之具有預(yù)定反射率并借助于安排微鏡反射率的變化與分布，在水平與豎直方向移動能有較大容差的無縫隙曝光，這是因為應(yīng)用 預(yù)先在水平與垂直兩個方向上安排了可均勻曝光的灰度色標(biāo)。還在另一個方面，本發(fā)明提供了一個無掩模平版印刷系統(tǒng)，它包括一個微鏡的 陣列，在其中實現(xiàn)了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度，這是由于安排了平行移位寄存器，以至 能夠達(dá)到較高的平板印刷操作生產(chǎn)能力。本發(fā)明的各種意圖和優(yōu)點對于在此項技術(shù)具有一般能力的人們來說，在閱讀過 下列推薦方案的詳細(xì)說明之后，無疑將會非常清楚，這將在各個繪圖中予以說明。以下是本發(fā)明的的詳細(xì)說明，有附圖供參閱。


圖1所示為說明一個無掩模照相平版印刷系統(tǒng)的方框圖。該系統(tǒng)利用可偏轉(zhuǎn)的微鏡的陣列(DMD)無需掩模即可獲得可控平面印刷圖像。圖2A和圖3A是在掃描過程中進(jìn)行無縫隙曝光的具有可變反射系數(shù)的兩個微鏡 陣列的俯視圖。圖2B和圖3B是按照每個微鏡在微鏡陣列中所處的不同位置示出的微鏡反射系 數(shù)變化曲線。圖4A說明的是在平板印刷掃描過程中沿二維方向移動微鏡陣列的機(jī)動性。 圖4B說明的是，在掃描過程中光束無縫隙的跨越掃描表面進(jìn)行移動時，當(dāng)存在重疊區(qū)域時曝光的均勻性。圖5A所示為每一列或行的微鏡提供微鏡驅(qū)動數(shù)據(jù)的列或行驅(qū)動器。圖5B是一個線路圖，用以說明用來緩沖或傳輸至微鏡陣列以移動一列或一行微鏡的驅(qū)動信號，在該列或行驅(qū)動器中應(yīng)用的位移寄存器列陣。
具體實施方式
參閱圖1，它是應(yīng)用本發(fā)明的一個新的微鏡陣列實現(xiàn)的無掩模平版印刷系統(tǒng)的 示意圖。光源1發(fā)射出作為曝光照明的光束2。輸出光束2投射到一空間光調(diào)制器 (SLM)上，它是一個微鏡的陣列3，將在以下圖2中予以討論。該微鏡陣列3是 在一個可由一邏輯和存儲電路(未示出)控制的微型芯片上形成的。這些微鏡透鏡 可選擇在不同方向上傾斜，以使個別像素的偏轉(zhuǎn)有選擇的反射。然后投射透鏡4把 從微鏡3反射來的光成像于支撐于掃描臺6上的襯底5上。那些投射透鏡可具有依 賴于像素清晰度的不同的衰減系數(shù)來減弱從微鏡3反射到襯底5上的反射光，以進(jìn) 行無掩模平版印刷掃描操作?？刂葡到y(tǒng)7對掃描臺6，光源1和微鏡陣列3進(jìn)行控 制，以調(diào)節(jié)掃描臺6的移動、光源1投射的光強(qiáng)以及從微鏡陣列3個個不同面鏡上 發(fā)生的反射。圖2A是用作圖1中所示微鏡陣列3的微鏡陣列100的俯視圖。該微鏡陣列100 包含大量的微鏡110。為了提供無縫隙掃描，每個微鏡110都具有預(yù)訂的反射系數(shù)。 為了進(jìn)行無縫隙掃描，每個微鏡的反射系數(shù)是根據(jù)如圖2B中所示的圖樣形成的。 微鏡的反射系數(shù)由邊沿至中央逐漸增加。圖3A是本發(fā)明另一個微鏡陣列100'的俯視圖，它是圖1中微鏡陣列3的替 代設(shè)計方案。該微鏡陣列100'包含大量的微鏡110'。這些微鏡的每一個都覆涂 以條紋，以形成如圖3B所示那樣的從邊沿至中央漸增的反射系數(shù)。圖4A所示的是，在掃描過程中當(dāng)光反射區(qū)沿一豎直方向移動時，在圖l中作為空間光調(diào)制器(SLM) 3的微鏡陣列100或100'的移動。在該掃描過程中，為了 被掃描的區(qū)域之間防止出現(xiàn)間隙，存在一個重疊的區(qū)域120，以此實現(xiàn)無縫隙掃描 過程。不過，這也要求重疊區(qū)域具有與非重疊區(qū)域相同的曝光強(qiáng)度。圖4B是說明 重疊區(qū)120的曝光強(qiáng)度是和非重疊區(qū)相同的，這是由于其預(yù)定的反射系數(shù)圖樣具有 從該微鏡陣列的邊沿到中央逐漸增加的反射系數(shù)的緣故。正如在圖4B中所示，該 重疊區(qū)域120具有與該非重疊的區(qū)域相同的曝光。因此，借助應(yīng)用微鏡陣列100 或100'就實現(xiàn)了無縫隙曝光，并且用如在圖3A與圖3B中所示的微鏡逐漸增加的 反射系數(shù)實現(xiàn)了在被掃描面積上均勻曝光。圖5A所示是用以控制一列或一行微鏡110 (或110')的一列驅(qū)動器200。當(dāng) 前的技術(shù)仍然不能管理微鏡的空間控制。對于以250KHz進(jìn)行操作的曝光系統(tǒng)需要 在4微秒內(nèi)顯示一個圖像畫面。圖像的每一畫面包含有大約10萬個像素。這就需 要系統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒25G個比特(25Gbps)。當(dāng)前的工藝技術(shù)仍然不能傳 送這樣的數(shù)據(jù)傳輸速度，以實現(xiàn)二維的微鏡控制。在一個方案中， 一個列或行數(shù)據(jù) 被傳輸?shù)皆撐㈢R陣列，以調(diào)整每個微鏡110 (或110')的方向。圖5B所示是一個 移位寄存器的示范電路。用一個行或列移位寄存器來控制并列的多重的微鏡，達(dá)到 了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度。如圖5B中所示的平行移位寄存器從一微機(jī)(PC)或任何 一個處理控制器接收數(shù)據(jù)，來控制微鏡陣列的一行或一列，這樣就能達(dá)到較高的平 板印刷作業(yè)的生產(chǎn)能力。該無縫隙曝光系統(tǒng)還能進(jìn)一步應(yīng)用于投射到一個可變形的表面，例如一個柔韌 的可變性的襯底上。本發(fā)明的微鏡陣列能夠依照實時測量到的被投射的表面的變 形，實時地靈活地調(diào)整，以在該變形的表面上投射均勻的曝光。因此，本發(fā)明還進(jìn) 而披露了一種用于給可變形襯底表面均勻且無縫隙曝光的光投射裝置，該裝置包含 一個預(yù)定的反射系數(shù)變化分布圖樣的微鏡陣列，按照量度到的變形大小靈活地調(diào)整 微鏡陣列的每一面微鏡，以反射入射光到可變形襯底上。所以，在一個推薦方案中，該無縫隙曝光系統(tǒng)如所披露的那樣能夠在一系統(tǒng)中 實現(xiàn)顯現(xiàn)一些圖形以在一個可變形襯底上生成大量電子元件。該系統(tǒng)包含一個光測 量器件，以用光學(xué)方法量測一襯底上現(xiàn)有的幾何圖形。該現(xiàn)有圖形是被記錄于襯底 的現(xiàn)有的一層上的。一個與光測量器件相連接的計算裝置計算出現(xiàn)有的幾何圖形與 第N層所期望的圖形間的修正。 一個與計算裝置相連接的圖形變換部件根據(jù)前面計 算出的修正來完成用于在現(xiàn)有層上生成的一個覆蓋層上用的電子圖樣的圖像變換， 以生成一個修正的電子圖樣。一個與圖像變換部件相連接的寫入部件用該微鏡陣列 把修正的電子圖樣記寫在覆蓋層上，成為一個數(shù)字掩模系統(tǒng)。該寫入部件包含一個 輻射光源，它與一光學(xué)系統(tǒng)相連接，以引導(dǎo)發(fā)射光源輻射的光到微鏡透鏡陣列作為 可編程數(shù)字掩模，以在可變形襯底上生成電子元件。盡管對本發(fā)明所作的描述是通過目前推薦的方案，但是可以知道，在此所作 的披露不應(yīng)解釋成是有限制的。那些對本領(lǐng)域技術(shù)嫻熟的工作者，在讀過以上披露 后，無疑會作出多種多樣的修改與替換。因而可以期望，以下附加的諸項權(quán)利要求 應(yīng)解釋為涵蓋所有那些屬于本發(fā)明領(lǐng)域并符合本發(fā)明精神實質(zhì)的替換與修改。
權(quán)利要求
1.一個用以無縫隙和均勻曝光一曝光區(qū)域的光投射設(shè)備包含一個具有預(yù)定的反射系數(shù)變化分布圖樣的微鏡陣列用以反射入射光到上述曝光區(qū)域上，以投射一反射光束均勻地，無縫隙地在上述曝光區(qū)域上進(jìn)行掃描。
2. 權(quán)利要求l的光投射設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同反射系數(shù) 的反射覆蓋層，以提供所說預(yù)定的反射系數(shù)變化的分布圖樣。
3. 權(quán)利要求l的光投射設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低反射系數(shù) 的條紋，借此每一微鏡可以具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的反射系數(shù)變 化分布圖樣。
4. 權(quán)利要求1的光投射設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同反射系數(shù) 反射覆蓋層，以提供上述預(yù)定的從上述微鏡陣列的一個邊緣向著中心部分逐漸增加 反射系數(shù)的反射系數(shù)變化的分布圖樣。
5. 權(quán)利要求1的光投射設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低反射系數(shù) 的條紋，借此每一微鏡可以具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的從上述微鏡 陣列的一個邊緣向著中心部分逐漸增加反射系數(shù)的反射系數(shù)變化的分布圖樣。
6. 權(quán)利要求1的光投射設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同反射系數(shù) 反射覆蓋層，以提供所說預(yù)定的反射系數(shù)變化的分布圖樣。其中所說的微鏡陣列組 成一個實際是多邊形的陣列，而所說預(yù)定的反射系數(shù)變化分布圖樣是組成一個反射 系數(shù)從微鏡陣列的一個邊緣向著該微鏡陣列的中心部分逐漸增加的圖樣。
7. 權(quán)利要求l的光投射設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低反射系數(shù) 的條紋，借此每一微鏡可以具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的反射系數(shù)變 化分布圖樣，其中所說的微鏡陣列組成一個實際是多邊形的陣列，而所說反射系數(shù) 變化分布圖樣是反射系數(shù)從微鏡陣列的一個邊緣向著該微鏡陣列的中心部分逐漸 增加的圖樣。
8. 權(quán)利要求1的光投射設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同反射系數(shù) 反射覆蓋層，以提供預(yù)定的在外圍區(qū)域降低反射系數(shù)的反射率變化的分布圖樣，以 允許從上述降低反射系數(shù)的微鏡以及從上述微鏡陣列外圍區(qū)域向微鏡陣列中心區(qū) 域逐漸增加反射系數(shù)的微鏡反射的光的重疊曝光。.
9. 權(quán)利要求1的光投射設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低反射系數(shù) 的條紋，借此每一微鏡可以具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的周邊區(qū)域降 低反射系數(shù)的反射系數(shù)變化分布圖樣，以允許從上述降低反射系數(shù)的微鏡和從所述 微鏡陣列周邊區(qū)域向所述微鏡陣列中心部分逐漸增加反射系數(shù)的微鏡反射的光重 疊曝光。
10. 權(quán)利要求1的光投射設(shè)備還包含 一個微鏡控制器用以控制上述每一個 微鏡，以進(jìn)行無掩模平版印刷光投射。
11. 權(quán)利要求1的光投射設(shè)備還包含 一個微鏡控制器根據(jù)支撐于一個可變 形襯底上的上述曝光區(qū)域的變形測量結(jié)果，對上述每一個微鏡進(jìn)行控制，以完成在 上述可變形襯底上的無掩模平版印刷曝光。
12. —個平版印刷掃描設(shè)備包含 一個用以無縫隙地，均勻地投射一掃描光 到一曝光區(qū)上面的光投射裝置；并且上述光投射裝置還包含一個具有預(yù)定的反射系 數(shù)變化分布圖樣的微鏡陣列，用來反射入射光到上述曝光區(qū)域上，以在整個曝光區(qū) 域上進(jìn)行無縫隙的均勻的反射光掃描。
13. 權(quán)利要求12的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡涂覆以不同反 射系數(shù)的反射層以提供所說預(yù)定的反射系數(shù)變化的分布圖樣。
14. 權(quán)利要求12的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低 反射系數(shù)的條紋，借此，每一面微鏡可以具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的 反射系數(shù)變化的分布圖樣。
15. 權(quán)利要求12的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同 反射系數(shù)的反射層，以提供預(yù)定的由上述微鏡陣列的邊緣向上述微鏡陣列的中心部 分逐漸增強(qiáng)的反射系數(shù)變化的分布圖樣。
16. 權(quán)利要求12的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以一些 降低反射系數(shù)的條紋，借此，每一面微鏡可以具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供預(yù)定 的由上述微鏡陣列的邊緣向上述微鏡陣列的中心部分逐漸增大的反射系數(shù)變化的 分布圖樣。
17. 權(quán)利要求12的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被涂覆以不同 反射系數(shù)的反射層，以提供所說預(yù)定的反射系數(shù)變化的分布圖樣，其中上述微鏡陣 列實際組成一個多邊形陣列，并且其反射系數(shù)變化的圖樣組成一個反射系數(shù)由多邊 形陣列的邊緣向上述微鏡陣列的中心部分逐漸增大的圖樣。
18. 權(quán)利要求12的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以一些 降低反射系數(shù)的條紋，借此，每一面微鏡可以具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供所述 預(yù)定的反設(shè)系數(shù)變化的分布圖樣，其中上述微鏡陣列實際組成一個多邊形陣列，并 且其反射系數(shù)變化的圖樣組成一個反射系數(shù)由多邊形陣列的邊向微鏡陣列的中心 部分逐漸增加的圖樣。
19. 權(quán)利要求12的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同 反射系數(shù)的反射層，以提供上述預(yù)定的周邊區(qū)域降低反射系數(shù)的反射系數(shù)變化分布 圖樣，以允許從上述降低反射系數(shù)的微鏡和從所述微鏡陣列周邊區(qū)域向所述微鏡陣 列中心部分逐漸增加反射系數(shù)的微鏡反射的光進(jìn)行重疊曝光。
20. 權(quán)利要求12的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低 反射系數(shù)的條紋，借此每一微鏡可以具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的周 邊區(qū)域降低反射系數(shù)的反射系數(shù)變化分布圖樣，以允許從上述降低反射系數(shù)的微鏡 和從所述微鏡陣列周邊區(qū)域向所述微鏡陣列中心部分逐漸增加反射系數(shù)的微鏡反 射的光進(jìn)行重疊曝光。
21. 權(quán)利要求12的平版印刷掃描設(shè)備還包含 一個用于控制每一面微鏡進(jìn)行 無掩模平版印刷光投射的微鏡控制器。
22. 權(quán)利要求12的平版印刷掃描設(shè)備還包含 一個根據(jù)支撐于可變形襯底上 的曝光區(qū)域變形的測量結(jié)果來控制每一面微鏡，以在上述可變形襯底上完成無掩模 平版印刷曝光的微鏡控制器。
23. —個用于給一可變形襯底表面無縫隙地，均勻地曝光的平版印刷掃描設(shè)備 還包含:一個有預(yù)定的反射系數(shù)變化分布圖樣的微鏡陣列，它根據(jù)量測到的變形尺 寸靈活地調(diào)整微鏡陣列的每一面微鏡，以反射一掃描光線到可變形襯底上。
24. 權(quán)利要求23中的平版印刷掃描設(shè)備還包含:一個用以投射上述掃描光到 上述可變形襯底表面光源。
25. 權(quán)利要求23的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同 反射系數(shù)的反射涂層，以提供預(yù)定的反射系數(shù)變化的分布圖樣。
26. 權(quán)利要求23的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低 反射系數(shù)的條紋，借此每一面微鏡可具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供預(yù)定的反射系 數(shù)變化的分布圖樣。
27. 權(quán)利要求23的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同 反射系數(shù)的反射涂層，以提供預(yù)定的反射系數(shù)從所述微鏡陣列邊緣向著微鏡陣列中 心部分逐漸增加的變化分布圖樣。
28. 權(quán)利要求23的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低 反射系數(shù)的條紋，借此每一面微鏡可具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供預(yù)定的從所述 微鏡陣列邊緣向著微鏡陣列中心部分逐漸增加的反射系數(shù)變化分布圖樣。
29. 權(quán)利要求23的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同 反射系數(shù)的反射涂層，以提供預(yù)定的反射系數(shù)變化的分布圖樣，其中，上述微鏡陣 列組成實際為多邊形的陣列，所說反射系數(shù)變化的圖樣是反射系數(shù)從多邊形陣列的 邊緣向著微鏡陣列的中心部分逐漸增加的圖樣。
30. 權(quán)利要求23的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低 反射系數(shù)的條紋，借此每一面微鏡可具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供預(yù)定的反射系 數(shù)變化的分布圖樣，其中，上述微鏡陣列組成實際為多邊形的陣列，所說反射系數(shù) 變化的圖樣是反射系數(shù)從多邊形陣列的邊緣向著微鏡陣列的中心部分逐漸增加的圖樣。
31. 權(quán)利要求23的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同 反射系數(shù)的反射涂層，以提供上述預(yù)定的周邊區(qū)域降低反射系數(shù)的反射系數(shù)變化分 布圖樣，以允許從上述降低反射系數(shù)的微鏡和從所述微鏡陣列周邊區(qū)域向所述微鏡 陣列中心部分逐漸增加反射系數(shù)的微鏡反射的光進(jìn)行重疊曝光。
32. 權(quán)利要求23的平版印刷掃描設(shè)備中上述微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低 反射系數(shù)的條紋，借此每一微鏡可以具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的周 邊區(qū)域降低反射系數(shù)的反射系數(shù)變化分布圖樣，以允許從上述降低反射系數(shù)的微鏡 和從所述微鏡陣列周邊區(qū)域向所述微鏡陣列中心部分逐漸增加反射系數(shù)的微鏡反 射的光進(jìn)行重疊曝光。
33. 權(quán)利要求23的平版印刷掃描設(shè)備還包含:一個用以控制每一面微鏡以執(zhí) 行無掩模平版光投射的微鏡控制器。
34. 權(quán)利要求23的平版印刷掃描設(shè)備還包含:一個光學(xué)測量器件，以用光學(xué) 方法量測一襯底上現(xiàn)有電子元件的圖樣，以確定其變形的大小，靈活地調(diào)整所說的 微鏡陣列，在上述可變形襯底上完成平版印刷掃描。
35. —個進(jìn)行平版印刷掃描的方法包含投射一個平版印刷掃描光到一具有 預(yù)定的反射系數(shù)變化的分布圖樣的微鏡陣列上，以反射上述平版印刷掃描光到平版 印刷掃描區(qū)域，以無縫隙地，均勻地在該曝光區(qū)域上掃描反射光。
36. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含用不同反射系數(shù)的覆蓋層覆蓋上述微鏡 陣列的微鏡，以提供所說預(yù)定的反射系數(shù)變化的分布圖樣。
37. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含用降低反射系數(shù)的條紋覆蓋上述微鏡陣 列的微鏡，借此，每一面微鏡能具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的反射系 數(shù)變化圖樣。
38. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含用不同反射系數(shù)的反射覆蓋層覆蓋上述 微鏡陣列的微鏡，以提供所說的預(yù)定的從所說微鏡陣列邊緣向所說微鏡陣列中心部 分逐漸增加的反射系數(shù)變化的分布圖樣。
39. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含用降低反射系數(shù)的條紋覆蓋上述微鏡陣 列的微鏡，借此，每一面微鏡能具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的從所說 微鏡陣列邊緣向所說微鏡陣列中心部分逐漸增加的反射系數(shù)變化的分布圖樣。
40. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含用不同反射系數(shù)的反射覆蓋層覆蓋上述 微鏡陣列的微鏡，以提供所說預(yù)定的反射系數(shù)變化的分布圖樣，其中，該微鏡陣列 實際組成多邊形陣列并且所說的反射系數(shù)變化圖樣實際是反射系數(shù)從多邊形的邊 緣向微鏡陣列中心部分逐漸增加的圖樣。
41. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含用降低反射系數(shù)的條紋覆蓋上述微鏡陣列的微鏡，借此，每一面微鏡能具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的反射系 數(shù)變化分布圖樣，其中，該微鏡陣列實際組成多邊形陣列，并且所說的反射系數(shù)變 化的分布圖樣是反射系數(shù)從多邊形的邊緣向微鏡陣列的中心部分逐漸增加的圖樣。
42. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含用不同反射系數(shù)的反射覆蓋層覆蓋上述微鏡陣列的微鏡，以提供所說的預(yù)定的反射系數(shù)在外圍區(qū)域降低的反射系數(shù)變化的 分布圖樣，以允許從上述降低反射系數(shù)的微鏡和從所述微鏡陣列外圍向該微鏡陣列 中心部分逐漸增加反射系數(shù)的微鏡反射的上述反射光的重疊曝光。
43. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含用降低反射系數(shù)的條紋覆蓋所說微鏡陣 列的微鏡，借此每一微鏡可以具有預(yù)定的總反射系數(shù)，以提供上述預(yù)定的周邊區(qū)域 降低反射系數(shù)的反射系數(shù)變化分布圖樣，以允許從上述降低反射系數(shù)的微鏡和從所 述微鏡陣列周邊區(qū)域向所述微鏡陣列中心部分逐漸增加反射系數(shù)的微鏡反射的光 進(jìn)行重疊曝光。
44. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含實現(xiàn)一個微鏡控制器用來控制每一面微鏡，以完成無掩模平版印刷光投射。
45. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含實現(xiàn)一個微鏡控制器用來根據(jù)量測到的 支撐于一可變形襯底上的曝光區(qū)域的變形尺寸來控制每一面微鏡，以在上述可變形 襯底上完成無掩模平版印刷曝光。
46. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含用光學(xué)法量測現(xiàn)有的電子元件的圖樣， 以確定其變形的大小，來靈活地調(diào)整上述微鏡陣列，以在一個可變形襯底上進(jìn)行平 版印刷掃描。
47. 權(quán)利要求35的方法進(jìn)一步包含用光學(xué)法測量現(xiàn)有的電子元件的圖樣， 以確定其變形的尺寸；實現(xiàn)一個微鏡控制器以控制每一面微鏡，根據(jù)上述測得的變形尺寸大小在一個 可變形的襯底上進(jìn)行無掩模平版印刷掃描。
全文摘要
一個平版印刷掃描設(shè)備包含一個用以無縫隙地，均勻地投射一掃描光到曝光區(qū)域上的光投裝置。該光投射裝置進(jìn)一步包含一具有預(yù)定的反射系數(shù)變化分布圖樣微鏡陣列，以反射一入射光到曝光區(qū)域，以在整個曝光區(qū)域進(jìn)行無縫隙地，均勻地反射光掃描。在一平版印刷掃描設(shè)備中，該微鏡陣列的微鏡被覆蓋以不同反射系數(shù)的反射覆蓋層，以提供所說預(yù)定的反射系數(shù)變化分布圖樣。在另一個平版印刷掃描裝置中，該微鏡陣列的微鏡被覆蓋以降低反射系數(shù)的條紋，借此每個微鏡可以預(yù)定的總反射系數(shù)，可具有該預(yù)定的反射系數(shù)變化的分布圖樣。
文檔編號G02B26/00GK101553750SQ200680052352
公開日2009年10月7日 申請日期2006年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月5日
發(fā)明者石井房雄 申請人:石井房雄