專利名稱：：垂直取向模式液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及一種垂直取向模式液晶顯示裝置。技術(shù)背景液晶顯示裝置(LCD)具有低功耗、外型薄、重量輕等特點(diǎn)，目前廣泛應(yīng)用于顯示器，電視，筆記本電腦等。LCD包括一對(duì)相對(duì)設(shè)置的第一基板、第二基板和插入在兩個(gè)基板之間的液晶，其中第一基板上設(shè)置有諸如薄膜晶體管和像素電極以及儲(chǔ)存電容(Cs)電極，稱為辟列基板，第二基板上設(shè)置有紅、綠、藍(lán)三色素和公共電極，稱為彩膜基板。通過對(duì)電極施加電壓，LCD在液晶層產(chǎn)生電場(chǎng)，并且通過控制電場(chǎng)的強(qiáng)度改變液晶分子的取向、入射到液晶層上的偏振光以及改變?nèi)肷涞揭壕由系墓獾耐腹饴蕘慝@得理想的圖像。以往的液晶顯示裝置一般視角比較小，為了加大LCD的可視視角，業(yè)內(nèi)釆用了多種技術(shù)，其中一種是釆用多域垂直取向技術(shù)，即該類液晶顯示裝置主要由第一基板(即薄膜晶體管陣列基板)、第二基板(即彩膜基板)、液晶層與突起構(gòu)成，其中突起是用來使液晶分子呈多方向排列，且此突起可配置于第二基板或第一基板之上，也可以同時(shí)配置于兩者之上。該突起將單個(gè)像素劃分為幾個(gè)區(qū)域，使得液晶沿互不相同的傾斜方向取向。根據(jù)液晶的取向形成多域像素。例如，第一區(qū)域內(nèi)的液晶沿第一傾斜方向取向，第二區(qū)域的液晶沿第二傾斜方向取向。因此，當(dāng)用戶從LCD的一側(cè)觀看屏幕時(shí)，第一區(qū)域的液晶沒有透光，但是光透過了第二區(qū)域的液晶，由此增大了LCD的視角。為了形成上述多域像素，在LCD中，常釆用垂直取向(VA)模式，使得液晶在不同區(qū)域具有不同的取向。具體地，在彩膜基板的表面上形成突起(protrusion)23，如圖1所示。通過突起改變作用于液晶上的電場(chǎng)的屬性。結(jié)果，以突起作為邊界的液晶沿不同傾斜方向排列。這樣，光可以透過不同的區(qū)域，增大了顯示的視角。但使用中，當(dāng)在液晶層上未施加電壓時(shí)，如圖2所示，由于液晶分子具有傾向于突起表面的特性，因此在突起位置常引起漏光，降低了顯示的對(duì)比度。同時(shí)為了使像素在一幀時(shí)間內(nèi)保持相同的電壓，常在第一基板上制作存儲(chǔ)電容，通過儲(chǔ)存電容電極、像素電極層和介質(zhì)層構(gòu)成，如圖l、圖2所示，存儲(chǔ)電容電極lll作為存儲(chǔ)電容的一極，其與柵極112同時(shí)制作完成，柵極112上形成有SiNx絕緣層12,第一基板10的表面形成有像素電極層15。由于存儲(chǔ)電容電極111為不透光區(qū)域，因此降低了像素的開口率。隨著消費(fèi)者對(duì)顯示畫質(zhì)要求越來越高，因此要求TFT液晶顯示器具有大開口率、高對(duì)比度。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種液晶顯示裝置能改善在突起位置發(fā)生的漏光現(xiàn)象，同時(shí)增大像素的開口率。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的垂直取向模式液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的第一基板、第二基板和液晶層，在第二基板相對(duì)液晶層的表面上設(shè)置有突起或狹縫，在第一基板上設(shè)置有柵極和儲(chǔ)存電容電極，在所述的第一基板上對(duì)應(yīng)于所述突起的位置也設(shè)置有儲(chǔ)存電容電極。在第一基板上對(duì)應(yīng)于所述第二基板上的突起或狹縫的所有位置均可設(shè)置有儲(chǔ)存電容電極。本發(fā)明的垂直取向模式液晶顯示裝置由于在第一基板上對(duì)應(yīng)于設(shè)置于基板上突起的位置設(shè)置了金屬不透光的儲(chǔ)存電容電極，所以大大改善了突起位置的漏光現(xiàn)象；同時(shí)，由于在突起位置設(shè)置了儲(chǔ)存電容電極，所以要達(dá)到要求所需的儲(chǔ)存電容，在原先位置所需設(shè)置的儲(chǔ)存電容電極面積自然可以減少很多，這樣就巧妙地分散了儲(chǔ)存電容電極的分布，提高了液晶顯示裝置的開口率，使得顯示質(zhì)量得到進(jìn)一步提升，從而獲得高品質(zhì)的液晶顯示裝置。圖l現(xiàn)有技術(shù)的垂直取向模式液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2現(xiàn)有技術(shù)圖1的A-A截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3本發(fā)明垂直取向模式液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖4本發(fā)明圖3的B-B截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A-5D本發(fā)明垂直取向模式液晶顯示裝置的陣列基板的制造過程。圖中10.第一基板12.15.像素電極20.第二基板21.彩膜(CF)22.公共電極23.突起112.柵極121.薄膜層24.液晶層122.保護(hù)膜111.儲(chǔ)存電容電極123.接觸孔131.半導(dǎo)體圖形141.源極142.漏極具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖3、4示出了本發(fā)明的垂直取向模式液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的第一基板10、第二基板20及設(shè)置在第一基板10和第二基板20之間的液晶層24，所述第二基板20上形成有彩膜(CF)21，第二基板20的表面形成有公共電極22，在所述公共電極22上設(shè)置有突起23，在第一基板10上設(shè)置有柵極112和儲(chǔ)存電容電極111，在所述的第一基板10上對(duì)應(yīng)于所述突起23的位置也設(shè)置有儲(chǔ)存電容電極lll，儲(chǔ)存電容電極lll的線寬可以為5-20jLim。如圖5制作該垂直取向模式液晶顯示裝置時(shí)，在洗凈的玻璃基板表面濺射上第一層金屬膜，例如鋁(Al)或鋁合金(AlNd)，或多層金屬膜(AlNd/MoNb)作為柵極材料，然后在該金屬膜上涂布光刻膠并圖形化后，通過刻蝕形成柵極112和存儲(chǔ)電容電極lll，存儲(chǔ)電容電極lll的圖形化如圖3所示，與設(shè)置于第二基板20上的突起23位置相吻合。隨后在第一金屬膜上通過PECVD工藝沉積一層絕緣薄膜層121,例如SiNx或Si02柵極絕緣膜，如圖5B所示。接著在SiNx或Si02絕緣膜上通過CVD工藝，繼續(xù)沉積半導(dǎo)體材料a-Si和N+Si薄膜層，最后釆用sputter濺射第二層金屬膜，例如Cr或Al及其合金材料。通過GTM(GreyToneMask)技術(shù)，釆用曝光和刻蝕后，分別定義出源極141、漏極142和半導(dǎo)體圖形131,制成TFT開關(guān)元件，以及源極141和TFT的歐姆接觸層132。如圖5C所示，通過PECVD技術(shù)在半導(dǎo)體層和源、漏極141和142上形成一層SiNx保護(hù)膜122,然后進(jìn)行曝光和顯影，釆用干法刻蝕絕緣膜，得到接觸孔123,作為連接源極141和像素電極15的通道。最后在SiNx保護(hù)膜122上濺射上一層透明薄膜，如氧化銦錫(ITO),然后進(jìn)行圖形化等工序后獲得像素電極15，如圖5D所示，這樣就形成本發(fā)明液晶顯示裝置中的第一基板(陣列基板)。使用該結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置將可以獲得高品質(zhì)的顯示效果。本發(fā)明的垂直取向模式液晶顯示裝置與現(xiàn)有顯示裝置的參數(shù)比較如下表<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>由上表可見，由于釆用了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，既改善了突起部位的漏光現(xiàn)象，同時(shí)巧妙地分散了儲(chǔ)存電容電極的分布，使得儲(chǔ)存電容電極的線寬較小，提高了液晶顯示裝置的開口率，使得顯示質(zhì)量得到進(jìn)一步提升。上述實(shí)施例中設(shè)置于第二基板上的突起也可以以狹縫來替代。只要是采用了在第一基板上對(duì)應(yīng)于所述第二基板上的突起或狹縫的位置也設(shè)置有儲(chǔ)存電容電極的結(jié)構(gòu)，均落入本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種垂直取向模式液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的第一基板、第二基板和液晶層，在第二基板相對(duì)液晶層的表面上設(shè)置有突起或狹縫，在第一基板上設(shè)置有柵極和儲(chǔ)存電容電極，其特征在于在所述的第一基板上對(duì)應(yīng)于所述突起或狹縫的位置也設(shè)置有儲(chǔ)存電容電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直取向模式液晶顯示裝置，其特征在于在第一基板上對(duì)應(yīng)于所述第二基板上的突起或狹縫的所有位置均設(shè)置有儲(chǔ)存電容電極。全文摘要本發(fā)明公開了一種垂直取向模式液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的第一基板、第二基板和液晶層，在第二基板相對(duì)液晶層的表面上設(shè)置有突起或狹縫，在第一基板上設(shè)置有柵極和儲(chǔ)存電容電極，在所述的第一基板上對(duì)應(yīng)于所述突起的位置也設(shè)置有儲(chǔ)存電容電極；該結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置改善了突起位置的漏光現(xiàn)象，同時(shí)提高了開口率。文檔編號(hào)G02F1/13GK101144945SQ20071004715公開日2008年3月19日申請(qǐng)日期2007年10月18日優(yōu)先權(quán)日2007年10月18日發(fā)明者李喜峰,高孝裕申請(qǐng)人:上海廣電光電子有限公司