專利名稱：顯示器件的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及具有靜電保護電路的顯示器件。
背景技術(shù)：
例如，在現(xiàn)有的有源矩陣型液晶顯示器件中，具有如下結(jié)構(gòu)為了防止開關(guān)用薄膜晶體管的靜電引起的特性偏移和絕緣破壞等不良現(xiàn)象，在顯示區(qū)域的外側(cè)設置了掃描線用靜電保護線和配置在各掃描線與掃描線用靜電保護線之間的掃描線用靜電保護用薄膜晶體管，上述顯示區(qū)域在設置成矩陣形狀的多根掃描線與多根數(shù)據(jù)線的各交點附近設置了像素電極和與該像素電極連接的開關(guān)用薄膜晶體管(例如參照專利文獻1)。
但是，上述現(xiàn)有的液晶顯示器件中，由于在顯示區(qū)域的外側(cè)設置了掃描線用靜電保護線及掃描線用靜電保護用薄膜晶體管、和數(shù)據(jù)線用靜電保護線及數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管，因此為了確保它們的配置區(qū)域，存在邊框面積增大的問題。
專利文獻1日本特開2005-93459號公報發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠縮小邊框面積的顯示器件。
為實現(xiàn)上述目的，本申請發(fā)明的顯示器件的特征是具有下述結(jié)構(gòu)。
具備具有顯示區(qū)域(3)和非顯示區(qū)域的基板(1)。在上述基板(1)的上述顯示區(qū)域(3)內(nèi)形成有配置成矩陣形狀的多個像素電極(4)、與上述各像素電極(4)相對應配置的顯示元件、與上述各像素電極(4)連接的開關(guān)用薄膜晶體管(5)。并且，上述各開關(guān)用薄膜晶體管(5)上連接有提供掃描信號的掃描線(6)和提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線(7)。上述基板(1)的上述非顯示區(qū)域具有安裝驅(qū)動上述掃描線(6)和上述數(shù)據(jù)線(7)中的至少一個的驅(qū)動用驅(qū)動器的驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域(11、14)，驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域(11、14)中設置有靜電保護電路(30、40)。
如果采用本發(fā)明，由于在基板上的顯示區(qū)域外側(cè)的驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域內(nèi)設有靜電保護電路，因此不需要用于配置靜電保護電路的專用的配置區(qū)域，相應地能夠減小邊框面積。


圖1是作為本發(fā)明的第一實施方式的液晶顯示器件的主要部分的等價電路平面圖。
圖2是在圖1所示的掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域設置的掃描線用靜電保護電路的部分等價電路平面圖。
圖3是在圖1所示的數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域設置的數(shù)據(jù)線用靜電保護電路的部分等價電路平面圖。
圖4是圖1所示的薄膜晶體管和像素電極的局部剖視圖。
圖5是圖2所示的掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域內(nèi)的一部分的剖視圖。
圖6是圖2所示的掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域內(nèi)的其它部分的剖視圖。
圖7是圖3所示的數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域內(nèi)的一部分的剖視圖。
圖8是圖3所示的數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域內(nèi)的其它部分的剖視圖。
圖9是作為本發(fā)明的第二實施方式的液晶顯示器件的、與圖7相同的剖視圖。
圖10是作為第二實施方式的液晶顯示器件的、與圖8相同的剖視圖。
圖11是作為本發(fā)明的第三實施方式的液晶顯示器件的、與圖2相同的等價電路平面圖。
圖12是作為本發(fā)明的第四實施方式的液晶顯示器件的、與圖11相同的等價電路平面圖。
具體實施例方式
(第一實施方式)圖1表示作為本發(fā)明的第一實施方式的液晶顯示器件的主要部分的等價電路平面圖。該液晶顯示器件通過大致方框形的密封部件(未圖示)將有源基板1和位于該有源基板1上方的對置基板2貼合在一起，將液晶(未圖示)密封在密封部件內(nèi)側(cè)的兩基板1、2之間。此時，有源基板1的下邊部分從對置基板2突出。下面，將該突出的部分稱為突出部1a。而且，圖1中用虛線圍成的長方形區(qū)域為顯示區(qū)域3。
在有源基板1上的顯示區(qū)域3設有配置成矩陣狀的多個像素電極4，具有與各像素電極4連接的源電極S的nMOS型開關(guān)用薄膜晶體管5，沿行方向延伸且用于對各開關(guān)用薄膜晶體管5的柵電極G供給掃描信號的掃描線6，以及用于對各開關(guān)用薄膜晶體管5的漏電極D供給數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線7。
在此，圖1中只表示了2個×3個像素電極4，這是為了使圖面簡化，實際上排列有數(shù)百個×數(shù)百個或這個數(shù)以上。在有源基板1上的顯示區(qū)域3的周圍，設置有方框形的公用線8和與其連接的公共連接焊盤9。公共連接焊盤9通過基板間導通材料(未圖示)與設于對置基板2下表面的公用電極(未圖示)連接著。
掃描線6的右端部，通過從顯示區(qū)域3的右側(cè)向下側(cè)引出設置的掃描用引線10，同在有源基板1的突出部1a上右側(cè)的、用虛線表示的掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11內(nèi)的上側(cè)設置的掃描用輸出端子(連接用端子)12連接。數(shù)據(jù)線7的下端部，通過在顯示區(qū)域3的下側(cè)引出設置的數(shù)據(jù)用引線13，同在有源基板1的突出部1a上的左側(cè)的、用虛線表示的數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域14內(nèi)的上側(cè)設置的數(shù)據(jù)用輸出端子(連接用端子)15連接。
在掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11內(nèi)的下側(cè)，設有掃描用輸入端子16。掃描用輸入端子16通過在其下側(cè)設置的掃描用引線17，同在其下側(cè)設置的掃描用外部連接端子18連接。在數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域14內(nèi)的下側(cè)設有數(shù)據(jù)用輸入端子19。數(shù)據(jù)用輸入端子19通過在其下側(cè)設置的數(shù)據(jù)用引線20，同在其下側(cè)設置的數(shù)據(jù)用外部連接端子21連接。公共連接焊盤9通過在其下側(cè)設置的公共引線22，同在其下側(cè)設置的公共外部連接端子23連接。
另外，雖然為了使圖面簡化而省略了圖示，但在有源基板1的掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11上還安裝了內(nèi)置掃描線驅(qū)動電路部的掃描線驅(qū)動芯片，該掃描線驅(qū)動電路部具有與掃描用輸入端子16及掃描用輸出端子12相對應的外部電極，掃描線驅(qū)動芯片的外部電極和掃描用輸入端子16、以及掃描線驅(qū)動芯片的外部電極和掃描用輸出端子12通過COG(Chip On Glass，芯片固定于玻璃上)法接合(bonding)起來。接合方法既可以用釬焊焊接方法，也可以是使用各向異性導電粘接材料的方法。
另外，在有源基板1的數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域14上，還安裝有內(nèi)置數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路部的數(shù)據(jù)線驅(qū)動芯片，數(shù)據(jù)線驅(qū)動芯片的外部電極和數(shù)據(jù)用輸入端子19、以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動芯片的外部電極和數(shù)據(jù)用輸出端子15通過COG法接合起來。此時，接合方法既可以用釬焊焊接方法，又可以是使用各向異性導電粘接材料的方法。
接著，圖2表示在掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11設置的掃描線用靜電保護電路30的一部分的等價電路平面圖。在掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11內(nèi)設置有掃描線用靜電保護線31。在掃描線用靜電保護線31與各掃描用輸出端子12(即圖1所示的同掃描線6連接的掃描用引線10)之間并聯(lián)設置有第1、第2掃描線用靜電保護用薄膜晶體管(掃描線用靜電保護元件)32、33。
此時，第1掃描線用靜電保護用薄膜晶體32是二極管連接型的nMOS型，柵電極G及漏電極D同掃描用輸出端子12連接，源電極S與掃描線用靜電保護線31連接。第2掃描線用靜電保護用薄膜晶體管33是浮柵型，柵電極G不與任何部分連接，成為浮置柵電極，漏電極D與掃描用輸出端子12連接，源電極S與掃描線用靜電保護線31連接。
掃描線用靜電保護線31的一端部通過連接用薄膜晶體管34及連接用引線35，與圖1所示的公用線8連接。此時，連接用薄膜晶體管34的柵電極G及漏電極D同掃描線用靜電保護線31連接，源電極S通過連接用引線35同公用線8連接。
接著，圖3表示在數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域14設置的數(shù)據(jù)線用靜電保護電路40的一部分的等價電路平面圖。在數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域14內(nèi)設有數(shù)據(jù)線用靜電保護線41。在數(shù)據(jù)線用靜電保護線41與各數(shù)據(jù)用輸出端子15(即圖1所示的、同數(shù)據(jù)線7連接的數(shù)據(jù)用引線13)之間設有浮柵型數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管(數(shù)據(jù)線用靜電保護元件)42。
此時，數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42的柵電極G不與任何部分連接，是浮置柵電極，漏電極D與數(shù)據(jù)用輸出端子15連接，源電極S與數(shù)據(jù)線用靜電保護線41連接。
數(shù)據(jù)線用靜電保護線41的一端部通過并聯(lián)設置的第1、第2連接用薄膜晶體管43、44(連接用元件)和連接用引線45，同圖1所示的公用線8連接。此時，第1連接用薄膜晶體管43的柵電極G及漏電極D同數(shù)據(jù)線用靜電保護線41連接，源電極S通過連接用引線45同公用線8連接。第2連接用薄膜晶體管44的柵電極G及漏電極D通過連接用引線45同公用線8連接，源電極S與數(shù)據(jù)線用靜電保護線41連接。
下面，說明該液晶顯示器件的部分具體結(jié)構(gòu)。首先，圖4表示開關(guān)用薄膜晶體管5和像素電極4的一部分的剖視圖。在由玻璃等構(gòu)成的有源基板1上表面的規(guī)定位置設有由鉻等構(gòu)成的柵電極G、與該柵電極G連接的掃描線6(參照圖1)和與該掃描線6連接的掃描用引線10(參照圖1)。
在包含柵電極G和掃描線6等的有源基板1的上表面，設有由氮化硅構(gòu)成的柵極絕緣膜51。在柵電極G上的柵極絕緣膜51上表面的規(guī)定位置，設有由天然非晶硅形成的半導體薄膜52。在半導體薄膜52的上表面大致中央部設有由氮化硅形成的溝道保護膜(channelprotecting film)53。
在溝道保護膜53上表面的兩側(cè)以及這兩側(cè)的半導體薄膜52的上表面上，設有由n型非晶硅形成的歐姆接觸層54、55。在一個歐姆接觸層54的上表面及其附近的柵極絕緣膜51上表面的規(guī)定位置，設有由鉻等形成的源電極S。在另一個歐姆接觸層55的上表面及柵極絕緣膜51的上表面的規(guī)定位置，設有由鉻等形成的漏電極D、與該漏電極D連接的數(shù)據(jù)線7和與該數(shù)據(jù)線7連接的數(shù)據(jù)用引線13(參照圖1)。
其中，開關(guān)用薄膜晶體管5包括柵電極G、柵極絕緣膜51、半導體薄膜52、溝道保護膜53、歐姆接觸層54、55、源電極S和漏電極D。
在開關(guān)用薄膜晶體管5和包含數(shù)據(jù)線7等的柵極絕緣膜51的上表面，設有由氮化硅形成的包覆膜56。在包覆膜56上表面的規(guī)定位置設有由ITO等透明導電材料形成的像素電極4。像素電極4通過在包覆膜56的規(guī)定位置設置的接觸孔57同源電極S連接。
接著，圖5表示掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11內(nèi)的第1、第2掃描線用靜電保護用薄膜晶體管32、33、掃描用輸出端子12和掃描線用靜電保護線31的局部剖視圖。第1、第2掃描線用靜電保護用薄膜晶體管32、33的結(jié)構(gòu)與圖4所示的開關(guān)用薄膜晶體管5基本相同，包括柵電極G、柵極絕緣膜51、半導體薄膜52、溝道保護膜53、歐姆接觸層54、55、源電極S和漏電極D。
掃描用輸出端子12是下層金屬層12a和上層金屬層12b的雙層結(jié)構(gòu)，下層金屬層12a由在有源基板1的上表面設置的鉻等形成，上層金屬層12b通過設置于柵極絕緣膜51的接觸孔57露出、且由在下層金屬層12a的上表面及其周圍的柵極絕緣膜51的上表面設置的鉻等形成，掃描用輸出端子12通過設置于包覆膜56的開口部58而露出。掃描線用靜電保護線31由在柵極絕緣膜51的上表面設置的鉻等金屬層構(gòu)成。
并且，第1掃描線用靜電保護用薄膜晶體管32的柵電極G通過由在有源基板1的上表面設置的鉻等形成的引線59，與掃描用輸出端子12的下層金屬層12a連接，漏電極D與掃描用輸出端子12的上層金屬層12b連接，源電極S與掃描線用靜電保護線31連接著。第2掃描線用靜電保護用薄膜晶體管33的柵電極G是浮置柵極(參照圖2)，漏電極D與掃描用輸出端子12的上層金屬層12b連接，源電極S與掃描線用靜電保護線31連接。
接著，圖6表示掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11內(nèi)的連接用薄膜晶體管34、掃描線用靜電保護線31和公用引線35的局部剖視圖。連接用薄膜晶體管34的結(jié)構(gòu)與圖4所示的開關(guān)用薄膜晶體管5的結(jié)構(gòu)基本相同，包括柵電極G、柵極絕緣膜51、半導體薄膜52、溝道保護膜53、歐姆接觸層54、55、源電極S和漏電極D。公用引線35由在有源基板1的上表面設置的鉻等金屬層構(gòu)成。
并且，在柵極絕緣膜51的上表面設置的掃描線用靜電保護線31的一端部，通過設置于柵極絕緣膜51的接觸孔60，同在有源基板1的上表面與柵電極G連接設置的、由鉻等構(gòu)成的引線61連接，并且與連接用薄膜晶體管34的漏電極D連接。連接用薄膜晶體管34的源電極S通過設置于柵極絕緣膜51的接觸孔62同公用引線35連接。
接著，圖7表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域14內(nèi)的數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42、數(shù)據(jù)用輸出端子15和數(shù)據(jù)線用靜電保護線41的局部剖視圖。數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42的結(jié)構(gòu)與圖4所示的開關(guān)用薄膜晶體管5的結(jié)構(gòu)基本相同，包括柵電極G、柵極絕緣膜51、半導體薄膜52、溝道保護膜53、歐姆接觸層54、55、源電極S和漏電極D。
數(shù)據(jù)用輸出端子15由在柵極絕緣膜51的上表面設置的鉻等金屬層構(gòu)成。數(shù)據(jù)線用靜電保護線41由在有源基板1的上表面設置的鉻等金屬層構(gòu)成。并且，數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42的柵電極G成為浮置柵極(參照圖3)，漏電極D與數(shù)據(jù)用輸出端子15連接，源電極S通過設置于柵極絕緣膜51的接觸孔63同數(shù)據(jù)線用靜電保護線41連接。
接著，圖8表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域14內(nèi)的第1、第2連接用薄膜晶體管43、44、數(shù)據(jù)線用靜電保護線41和公用引線45的局部剖視圖。第1、第2連接用薄膜晶體管43、44的結(jié)構(gòu)與圖4所示的開關(guān)用薄膜晶體管5的結(jié)構(gòu)大致相同，包括柵電極G、柵極絕緣膜51、半導體薄膜52、溝道保護膜53、歐姆接觸層54、55、源電極S和漏電極D。公用引線45由在有源基板1的上表面設置的鉻等金屬層構(gòu)成。
并且，第1連接用薄膜晶體管43的柵電極G與數(shù)據(jù)線用靜電保護線41連接著。第2連接用薄膜晶體管44的柵電極G與公用引線45連接。第1連接用薄膜晶體管43的源電極S和第2連接用薄膜晶體管44的漏電極D，通過設置于柵極絕緣膜51的接觸孔64同公用引線45連接著。第1連接用薄膜晶體管43的漏電極D和第2連接用薄膜晶體管44的源電極S，通過設置于柵極絕緣膜51的相同的接觸孔65(圖8為了便于表示分別表示)，與數(shù)據(jù)線用靜電保護線41連接。
但是，該液晶顯示器件中，如圖5所示，掃描用輸出端子12是下層金屬層12a和上層金屬層12b的雙層結(jié)構(gòu)，該下層金屬層12a設置在有源基板1的上表面，該上層金屬層12b通過設置于柵極絕緣膜51的接觸孔57露出，且設于下層金屬層12a的上表面及其周圍的柵極絕緣膜51的上表面。
在此，如果參照圖1、圖5和圖8進行說明，在有源基板1上用相同的金屬材料、例如鉻等在同一工序中一體地形成柵電極G、引線59和掃描用輸出端子12的下層金屬層12a。此時，同時地形成各掃描線6、掃描用引線10和方形的公用線8的除右邊8a(參照圖1)以外的三邊。并且，同時一體地形成掃描用輸入端子16、掃描用引線17和掃描用外部連接端子18。
而且，在形成柵極絕緣膜51、形成接觸孔57、64、65(參照圖8)之后形成各薄膜晶體管，但薄膜晶體管32、33的漏電極D與層疊在掃描用輸出端子12的下層金屬層12a上的掃描用輸出端子12的上層金屬層12b一體形成。通過掃描用輸出端子12的上層金屬層12b的形成，形成由下層金屬層12a和上層金屬層12b的雙層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的掃描用輸出端子12，同時，各柵電極G和與其對應的各掃描線6通過掃描用引線10連接，并且通過掃描用引線10連接了薄膜晶體管32、33的漏電極D。
此外，在形成掃描線用靜電保護用薄膜晶體管32、33的漏電極D和掃描用輸出端子12的上層金屬層12b的同時，形成各數(shù)據(jù)線7和與其對應的各數(shù)據(jù)用引線13，另外，形成第1、第2連接用薄膜晶體管43、44的漏電極D，形成掃描線用靜電保護線31和數(shù)據(jù)線用靜電保護線41，而且一體地形成數(shù)據(jù)用輸入端子19、數(shù)據(jù)用引線20和數(shù)據(jù)用外部連接端子21，還形成方形的公用線8的右邊8a和公共引線22。
因此，雙層結(jié)構(gòu)的掃描用輸出端子12將與掃描線6相連接的掃描用引線10和第1、第2掃描線用靜電保護用薄膜晶體管32、33的漏電極D連接起來，并且兼作用于連接保護用薄膜晶體管32的柵電極G和保護用薄膜晶體管32、33的漏電極的層間接觸部，能夠減少層間接觸部的數(shù)量。此外，在該雙層結(jié)構(gòu)的掃描用輸出端子12的上層金屬層12b上，用倒裝片(flip-chip)法直接接合掃描線驅(qū)動芯片的外部電極。
此外，該液晶顯示器件如圖1所示地在有源基板1上的顯示區(qū)域3外側(cè)的突出部1a上的掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11內(nèi)，設置了掃描線用靜電保護線31、第1、第2掃描線用靜電保護用薄膜晶體管32、33和連接用薄膜晶體管34，因此不需要用于配置它們的各自專用的配置區(qū)域，相應地能夠縮小邊框面積。
再者，該液晶顯示器件中，由于在有源基板1上的顯示區(qū)域3外側(cè)的突出部1a上的數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域14內(nèi)，設置了數(shù)據(jù)線用靜電保護線41、數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42和第1、第2連接用薄膜晶體管43、44，因此不需要用于配置它們的各自專用的配置區(qū)域，相應地能夠縮小邊框面積。
下面，說明上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示器件的靜電保護動作。此時，由于開關(guān)用薄膜晶體管5的靜電引起的不良只在正的靜電侵入時產(chǎn)生，因此說明靜電為正時的情況。
假設在某一根掃描線6上因某種原因從外部侵入了正的靜電。這樣一來，通過掃描用引線10及掃描用輸出端子12連接在該掃描線6上的掃描線用靜電保護用薄膜晶體管32成為導通狀態(tài)，電流從該掃描線6經(jīng)過與之相連的掃描線用靜電保護用薄膜晶體管32流向掃描線用靜電保護線31，掃描線用靜電保護線31變成高電位。
當掃描線用靜電保護線31變成高電位時，與其余的掃描線6連接的第2掃描線用靜電保護用薄膜晶體管33成為導通狀態(tài)，電流從掃描線用靜電保護線31經(jīng)過第2掃描線用靜電保護用薄膜晶體管33流向其余的掃描線6，所有的掃描線6成為相同電位。
而且，當掃描線用靜電保護線31成為高電位時，連接用薄膜晶體管34變成導通狀態(tài)，電流從掃描線用靜電保護線31經(jīng)過連接用薄膜晶體管34流向公用線8，進一步經(jīng)過公共連接焊盤9和基板間導通材料流向?qū)χ没?的對置電極。因此，因某種原因從外部侵入掃描線6的正靜電被放電，防止開關(guān)用薄膜晶體管5的因靜電引起的特性偏移和絕緣破壞等不良現(xiàn)象。
此時，由于二極管連接型的連接用薄膜晶體管34只能朝著從漏電極D到源電極S的一個方向?qū)?，因此即使掃描線用靜電保護線31的電位高于公用線8的電位的情況下，電流也從掃描線用靜電保護線31經(jīng)過連接用薄膜晶體管34流向公用線8，不向其反方向流動，因此能夠不增加消耗功率。
另一方面，假設某一根數(shù)據(jù)線7上因某種原因從外部侵入了正的靜電。這樣一來，與該數(shù)據(jù)線7相連的數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42成導通狀態(tài)，電流從該數(shù)據(jù)線7經(jīng)過與其相連的數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42流向數(shù)據(jù)線用靜電保護線41，數(shù)據(jù)線用靜電保護線41成為高電位。
當數(shù)據(jù)線用靜電保護線41成高電位時，與其余的數(shù)據(jù)線7相連的數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42成導通狀態(tài)，電流從數(shù)據(jù)線用靜電保護線41經(jīng)過數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42流向其余的數(shù)據(jù)線7，所有的數(shù)據(jù)線7成為相同電位。
而且，當數(shù)據(jù)線用靜電保護線41成高電位時，第1連接用薄膜晶體管43成導通狀態(tài)，電流從數(shù)據(jù)線用靜電保護線41經(jīng)過第1連接用薄膜晶體管43和公用引線45流向公用線8，進一步，經(jīng)過公共連接焊盤9和基板間導通材料流向?qū)χ没?的對置電極。因此，因某種原因從外部侵入數(shù)據(jù)線7的正靜電被放電，防止開關(guān)用薄膜晶體管5的因靜電引起的特性偏移和絕緣破壞等不良現(xiàn)象。
但是，當數(shù)據(jù)線用靜電保護線41的電位高于公用線8的電位時，第1連接用薄膜晶體管43成導通狀態(tài)，電流從數(shù)據(jù)線用靜電保護線41流向公用線8。另一方面，當公用線8的電位高于數(shù)據(jù)線用靜電保護線41的電位時，第2連接用薄膜晶體管44成導通狀態(tài)，電流從公用線8流向數(shù)據(jù)線用靜電保護線41。并且，當數(shù)據(jù)線用靜電保護線41與公用線8之間的電位差小時，電流向哪個方向都難以流動，能夠不容易增加消耗功率。
但是，如圖7所示，數(shù)據(jù)線用靜電保護線41形成在有源基板1的上表面。因此，如圖7所示，數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42的源電極S通過柵極絕緣膜51的接觸孔63連接在數(shù)據(jù)線用靜電保護線41上。因此，需要接觸孔63。下面說明的第二實施方式是不需要接觸孔63的方式。
(第二實施方式)圖9表示作為本發(fā)明的第二實施方式的液晶顯示器件的與圖7相同的剖視圖。該液晶顯示器件中，數(shù)據(jù)線用靜電保護用薄膜晶體管42的源電極S與在柵極絕緣膜51的上表面設置的數(shù)據(jù)線用靜電保護線41連接。因此，不需要圖7所示的接觸孔63，能夠進一步減少層間接觸部。
另外，在該第二實施方式的液晶顯示器件中，如與圖8相同的剖視圖的圖10所示，即使將數(shù)據(jù)線用靜電保護線41設置在柵極絕緣膜51的上表面，也需要用于將第1連接用薄膜晶體管43的源電極S和第2連接用薄膜晶體管44的漏電極D連接到公用引線45上的接觸孔64，和用于將數(shù)據(jù)線用靜電保護線41連接到第1連接用薄膜晶體管43的柵電極G上的接觸孔65。
(第三實施方式)圖11表示作為本發(fā)明的第三實施方式的液晶顯示器件的與圖2相同的等價電路平面圖。在該液晶顯示器件中，與圖2所示結(jié)構(gòu)的不同點在于，省略了第2掃描線用靜電保護用薄膜晶體管33，將連接用薄膜晶體管34的源電極S連接到設于掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11內(nèi)的Vgl端子71上。
此時，在Vgl端子71上被提供了施加在非選擇狀態(tài)的掃描線6上的負電壓(例如Vgl＝-20～-15V)。該非選擇狀態(tài)的掃描線6的電位Vgl(-20～-15V)低于公用線8的電位(例如Vcom＝-5～+5V)。因此，電流從掃描線用靜電保護線31經(jīng)過連接用薄膜晶體管34流向Vgl端子71。
(第四實施方式)圖12表示作為本發(fā)明的第四實施方式的液晶顯示器件的與圖11相同的等價電路平面圖。在該液晶顯示器件中，與圖11所示結(jié)構(gòu)的不同點在于，省略了連接用薄膜晶體管34，將掃描線用靜電保護線31的一端部連接到Vgl端子71上。這樣一來，電流也可以從掃描線用靜電保護線31直接流向Vgl端子71。
(其他實施方式)在圖3所示的情況下，也可以將第1連接用薄膜晶體管43的源電極S和第2連接用薄膜晶體管44的柵電極G、漏電極D與圖11所示一樣地連接到Vgl端子71上。并且，在圖3所示的情況下，也可以省略第1、第2連接用薄膜晶體管43、44，而是與圖12所示情況相同地將數(shù)據(jù)線用靜電保護線41的一端部連接到Vgl端子71上。
而且，雖然在上述實施方式中掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11與數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域14分離，但市場上有將掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器和數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器集成在一個芯片中的驅(qū)動器出售，當使用這種單芯片驅(qū)動器時，也可以連續(xù)地形成掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域和數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)連續(xù)或者分開形成掃描線用靜電保護電路和數(shù)據(jù)線用靜電保護電路。
此外，雖然在上述實施方式中將掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域11和數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域14形成在作為有源基板1的一邊的突出部1a上，但也可以使有源基板的多個邊作為突起部，在各突出部形成掃描線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域和數(shù)據(jù)線驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域，分別在各區(qū)域設置靜電保護電路。
而且，在上述各實施方式中，靜電保護電路不必整個形成在驅(qū)動器安裝區(qū)域內(nèi)，也可以使靜電保護電路的一部分超出驅(qū)動器安裝區(qū)域。
而且，雖然在上述各實施方式中說明的是用液晶顯示器件作為顯示器件的情況，但也可以應用于有機EL、場致發(fā)光設備等具有其它顯示元件的顯示器件。
權(quán)利要求
1.一種顯示器件，其特征在于，具備具有顯示區(qū)域(3)和非顯示區(qū)域的基板(1)；在上述基板(1)上的上述顯示區(qū)域(3)內(nèi)配置成矩陣狀的多個像素電極(4)；與上述各像素電極(4)相對應配置的顯示元件；與上述各像素電極(4)連接的開關(guān)用薄膜晶體管(5)；用于對上述各開關(guān)用薄膜晶體管(5)供給掃描信號的掃描線(6)；以及用于對上述各開關(guān)用薄膜晶體管(5)供給數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線(7)；上述基板(1)的上述非顯示區(qū)域包括安裝有驅(qū)動上述掃描線(6)和上述數(shù)據(jù)線(7)中的至少一個的驅(qū)動用驅(qū)動器的驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域(11、14)，在驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域(11、14)設有靜電保護電路(30、40)。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，靜電保護電路(30、40)是與上述掃描線(6)連接的掃描線用靜電保護電路(30)。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示器件，其特征在于，上述掃描線用靜電保護電路(30)具有掃描線用靜電保護線(31)和配置在上述掃描線用靜電保護線(31)與上述各掃描線(6)之間的掃描線用靜電保護元件(32、33)。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，上述掃描線用靜電保護元件(32、33)包括二極管連接型薄膜晶體管(32)，該二極管連接型薄膜晶體管(32)在上述掃描線(6)上產(chǎn)生的靜電的作用下導通，并將該靜電從上述掃描線(6)流向上述掃描線用靜電保護線(31)。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，上述掃描線用靜電保護元件(32、33)包括浮柵型薄膜晶體管(33)。
6.如權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，上述掃描線用靜電保護元件(32、33)包括二極管連接型薄膜晶體管(32)和與上述二極管連接型薄膜晶體管并聯(lián)配置的浮柵型薄膜晶體管。
7.如權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，還具有連接上述掃描線用靜電保護電路(30)與上述各掃描線(6)的掃描用引線(10)；在上述驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域(11)內(nèi)設有連接了上述掃描用引線(10)及上述掃描線用靜電保護元件(32、33)的掃描用輸出端子(12)。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示器件，其特征在于，上述各掃描用輸出端子(12)具有為了連接掃描線驅(qū)動芯片的外部電極而露出在外部的露出部分。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示器件，其特征在于，上述掃描線用靜電保護元件(32、33)具有多個電極(G、S、D)；上述掃描用輸出端子(12)由與上述掃描線用靜電保護元件(32、33)的一個電極(G)連接的下層金屬層(12a)和連接在上述掃描線用靜電保護元件(32、33)的其它電極(D)上的上層金屬層(12b)的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示器件，其特征在于，上述掃描線用靜電保護元件(32、33)是具有柵電極(G)、源電極(S)和漏電極(D)的薄膜晶體管；下層金屬層(12a)與上述柵電極(G)連接，上述上層金屬層(12b)與上述漏電極(D)連接。
11.如權(quán)利要求2所述的顯示器件，其特征在于，還具有形成在上述基板(1)上并圍繞上述顯示區(qū)域(3)周圍的公用線(8)。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示器件，其特征在于，上述掃描線用靜電保護電路(30)具有使上述掃描線(6)上產(chǎn)生的靜電經(jīng)過上述掃描線用靜電保護元件(32、33)流向上述公用線(8)的連接用元件(34)。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示器件，其特征在于，上述連接用元件(34)具有柵電極(G)、源電極(S)和漏電極(D)，并包括連接了上述柵電極(G)及上述漏電極(D)的二極管連接型薄膜晶體管(32)。
14.如權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，上述靜電保護電路(30、40)是連接在上述掃描線(6)上的掃描線用靜電保護電路(30)和連接在上述數(shù)據(jù)線(7)上的數(shù)據(jù)線用靜電保護電路(40)。
15.如權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，靜電保護電路(30、40)是連接在上述數(shù)據(jù)線(7)上的數(shù)據(jù)線用靜電保護電路(40)。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示器件，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線用靜電保護電路(40)具有數(shù)據(jù)線用靜電保護線(41)和配置在上述數(shù)據(jù)線用靜電保護線(41)與上述各數(shù)據(jù)線(7)之間的數(shù)據(jù)線用靜電保護元件(42)。
17.如權(quán)利要求16所述的顯示器件，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線用靜電保護元件(42)是浮柵型薄膜晶體管。
18.如權(quán)利要求16所述的顯示器件，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線用靜電保護線(41)設置在與上述數(shù)據(jù)線(7)相同的層(51)上。
19.如權(quán)利要求16所述的顯示器件，其特征在于，還具有連接上述數(shù)據(jù)線用靜電保護電路(40)和上述各數(shù)據(jù)線(7)的數(shù)據(jù)用引線(13)，在上述驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域(14)內(nèi)設有連接了上述數(shù)據(jù)用引線(13)及上述數(shù)據(jù)線用靜電保護元件(42)的數(shù)據(jù)用輸出端子(15)。
20.如權(quán)利要求19所述的顯示器件，其特征在于，上述各數(shù)據(jù)用輸出端子(15)具有為了連接數(shù)據(jù)線驅(qū)動芯片的外部電極而露出在外部的露出部分。
21.如權(quán)利要求16所述的顯示器件，其特征在于，還具有形成在上述基板(1)上并圍繞上述顯示區(qū)域(3)周圍的公用線(8)。
22.如權(quán)利要求21所述的顯示器件，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線用靜電保護電路(40)具有使上述數(shù)據(jù)線(7)上產(chǎn)生的靜電經(jīng)過上述數(shù)據(jù)線用靜電保護元件(42)流向上述公用線(8)的連接用元件(43、44)。
23.如權(quán)利要求22所述的顯示器件，其特征在于，連接用元件(43、44)具有柵電極(G)、源電極(S)和漏電極(D)，并包括連接有柵電極(G)和漏電極(D)的一對薄膜晶體管(43、44)。
24.一種顯示器件，其特征在于，具備配置成矩陣狀的多個像素電極(4)；與上述各像素電極(4)對應配置的顯示元件；與上述像素電極(4)連接的開關(guān)元件(5)；安裝有通過上述開關(guān)元件(5)驅(qū)動上述顯示元件的驅(qū)動用驅(qū)動器、且排列了與上述驅(qū)動用驅(qū)動器的外部電極連接的連接用端子(12、15)的驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域(11、14)；以及配置在上述驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域(11、14)內(nèi)的靜電保護電路(30、40)。
25.如權(quán)利要求24所述的顯示器件，其特征在于，上述靜電保護電路(30、40)具有靜電保護線(31、41)和配置在上述靜電保護線(31、41)與上述開關(guān)元件(5)之間的靜電保護元件(32、33、42)。
26.如權(quán)利要求24所述的顯示器件，其特征在于，上述開關(guān)元件(5)是具有柵電極(G)、源電極(S)和漏電極(D)的薄膜晶體管，上述靜電保護電路(30、40)是對上述薄膜晶體管的柵電極(G)供給掃描信號的掃描線用靜電保護電路(30)。
27.如權(quán)利要求24所述的顯示器件，其特征在于，上述開關(guān)元件(5)是具有柵電極(G)、源電極(S)和漏電極(D)的薄膜晶體管，上述靜電保護電路(30、40)是對上述薄膜晶體管的漏電極(D)供給數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線用靜電保護電路(40)。
28.如權(quán)利要求24所述的顯示器件，其特征在于，上述開關(guān)元件(5)是具有柵電極(G)、源電極(S)和漏電極(D)的薄膜晶體管，上述靜電保護電路(30、40)包括對上述薄膜晶體管的柵電極(G)供給掃描信號的掃描線用靜電保護電路(30)和對上述薄膜晶體管的漏電極(D)供給數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線用靜電保護電路(40)。
全文摘要
提供一種能夠縮小邊框面積的顯示器件。該顯示器件具備具有顯示區(qū)域(3)和非顯示區(qū)域的基板(1)。在上述基板(1)上的上述顯示區(qū)域(3)內(nèi)，形成有配置成矩陣狀的多個像素電極(4)、與上述各像素電極(4)相對應配置的顯示元件、與上述各像素電極(4)連接的開關(guān)用薄膜晶體管(5)。而且，上述各開關(guān)用薄膜晶體管(5)上連接有供給掃描信號的掃描線(6)和供給數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線(7)。上述基板(1)的上述非顯示區(qū)域具有安裝用于驅(qū)動上述掃描線(6)和上述數(shù)據(jù)線(7)中的至少一個的驅(qū)動用驅(qū)動器的驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域(11、14)，在驅(qū)動用驅(qū)動器安裝區(qū)域(11、14)設有靜電保護電路(30、40)。
文檔編號G02F1/133GK101078845SQ20071010419
公開日2007年11月28日 申請日期2007年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月23日
發(fā)明者中村彌生 申請人:卡西歐計算機株式會社