專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示(LCD)器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著信息社會(huì)的快速發(fā)展，由于平板顯示器件具有外形薄、重量輕和功率 低的優(yōu)良特性，對(duì)于它們的需求日益增長(zhǎng)。作為平板顯示器件中的一種，具有 良好色彩重現(xiàn)的液晶顯示(LCD)器件得到研究和開發(fā)。
LCD器件包括上基板、下基板以及液晶層。上基板和下基板彼此面對(duì)設(shè) 置。電極形成在兩個(gè)基板相互面對(duì)的表面上。液晶層插入在兩個(gè)基板之間并且 通過在兩個(gè)基板之間注入液晶形成。由于當(dāng)在兩個(gè)基板之間施加預(yù)定電壓時(shí)產(chǎn) 生的電場(chǎng)，液晶分子沿一個(gè)方向排列并因此改變光透過率。以這種方式，LCD 器件根據(jù)變化的光透過率而顯示圖像。
已知有各種類型的LCD器件。作為一個(gè)示例，有源矩陣LCD(AM-LCD) 因?yàn)槠鋬?yōu)良的分辨率和移動(dòng)圖像重現(xiàn)特性而得到廣泛地使用。在AM-LCD器 件中，薄膜晶體管(TFT)及與其連接的像素電極以矩陣形式設(shè)置。
在該AM-LCD器件中，像素電極形成于被稱為陣列基板的下基板上，并 且公共電極形成于被稱為濾色片基板的上基板上。液晶分子通過與基板垂直的 電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)。AM-LCD器件具有高的透過率和孔徑比。另外，由于上基板的 公共電極作為地，所以可防止液晶單元受到靜電的損壞。
LCD器件的上基板還包括用于防止在除像素電極以外的部分出現(xiàn)漏光現(xiàn) 象的黑矩陣。
同時(shí)，通過重復(fù)執(zhí)行薄膜沉積和使用掩模的光刻而形成LCD器件的下基 板。通常，使用四或五輪掩模來(lái)制造LCD器件。掩模的數(shù)量表示制造陣列基
板的工序數(shù)量。
如上所述，柵線和數(shù)據(jù)線由諸如鉻(Cr)、鉬(Mo)和鉭(Ta)的導(dǎo)電 金屬形成。由于導(dǎo)電金屬具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性，所以可防止小丘(hillock)的 形成。
使用物理氣相沉積(PVD)工序(例如，濺射)在基板上沉積導(dǎo)電金屬， 并且進(jìn)行濕刻或干刻以形成數(shù)據(jù)線和柵線。
雖然導(dǎo)電金屬具有良好的熱穩(wěn)定性，但是隨著圖像顯示器件的屏幕尺寸變 得更大，導(dǎo)電金屬的高電阻率造成了信號(hào)延遲。
所以，具有低電阻率并且不會(huì)形成小丘的材料對(duì)于圖像顯示器件的形成是 基本的要求。需要用于所述線的新材料能夠制造15英寸或更大的圖像顯示器 件，超級(jí)擴(kuò)展圖形陣列(SXGA)顯示器件以及極端擴(kuò)展圖形陣列(UXGA) 顯示器件。
由于銅(Cu)和鋁(Al)的電阻率最低而被推薦作為合適的線材料。然 而，鋁會(huì)造成小丘的形成，并且推薦作為替代材料的鋁合金具有高電阻率。
因此，正在進(jìn)行使用銅(Cu)作為低電阻率線材料的研究。
以下將參照?qǐng)D1和圖2描述現(xiàn)有技術(shù)的LCD陣列基板及其制造方法。圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件陣列基板的平面圖，并且圖2為沿圖1 的線I 一 I'提取的橫截面圖。
參照?qǐng)D1和圖2，陣列基板包括在水平方向上形成的柵線121以及延伸自 柵線121的柵極122。
在柵線121和柵極122下方形成第一擴(kuò)散勢(shì)壘層123。
第一擴(kuò)散勢(shì)壘層123提高了在柵金屬沉積工序期間柵金屬層與絕緣基板 之間的附著。
在柵線121和柵極122上形成柵絕緣層130。在柵絕緣層130上順序地形 成有源層141和歐姆接觸層151和152。
在歐姆接觸層151和152上形成數(shù)據(jù)線161、源極162、漏極163和電容 電極165。更具體地，數(shù)據(jù)線161形成為與柵線121垂直，并且源極162形成 為延伸自數(shù)據(jù)線161。漏極163相對(duì)于柵極122形成為與源極162相對(duì)。電容 電極165形成為與柵線121重疊。
第二擴(kuò)散勢(shì)壘層164形成于數(shù)據(jù)線161、電容電極165以及源極162和漏
6
極163的下方。
第二擴(kuò)散勢(shì)壘層164防止數(shù)據(jù)線161的金屬離子擴(kuò)散到相鄰層中。
數(shù)據(jù)線161、源極162和漏極163以及電容電極165由鈍化層170覆蓋。 鈍化層170具有暴露出漏極163的第一接觸孔171以及暴露出電容電極165 的第二接觸孔172。
像素電極181形成于由柵線121和數(shù)據(jù)線161交叉限定出的像素區(qū)域中的 鈍化層170上。像素電極181通過第一接觸孔171和第二接觸孔172分別與漏 極162和電容電極165連接。
以該方式，LCD器件的陣列基板可通過多次執(zhí)行使用多個(gè)掩模的光刻工 序和濺射沉積工序來(lái)制造。光刻工序包括諸如清洗工序、涂覆工序、曝光工序、 顯影工序以及蝕刻工序的大量工序。另外，濺射沉積工序必須在單獨(dú)的濺射腔 室中進(jìn)行。
如果省略一個(gè)光刻工序和一個(gè)濺射工序，將減少制造時(shí)間和制造成本并且 因此減小LCD器件的廢品率。所以，需要通過減少掩模和濺射沉積工序的數(shù) 量來(lái)制造陣列基板。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供了一種LCD器件及其制造方法，其基本上避免了由現(xiàn) 有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)造成的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種具有頂柵型TFT陣列的LCD器件及其制造方 法，其可通過減少掩模和濺射工序的數(shù)量來(lái)簡(jiǎn)化制造工序。
本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將在本說明書中部分闡明并且在檢視以下 內(nèi)容或通過實(shí)施本發(fā)明可理解的基礎(chǔ)上本發(fā)明部分上對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員來(lái)說顯而易見。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可通過在書面說明書及其權(quán)利要 求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體實(shí)施和 廣泛描述的，提供了一種液晶顯示器件，包括形成于透明絕緣基板上方的數(shù) 據(jù)線；與所述數(shù)據(jù)線連接的源極；與所述源極間隔分開的漏極；在所述數(shù)據(jù)線、 源極和漏極下方的所述基板上形成的第一透明金屬圖案；延伸自形成于所述漏 極下方的所述第一透明金屬圖案的像素電極；覆蓋所述源極和漏極的半導(dǎo)體圖
案；形成在所述透明絕緣基板上方的柵絕緣層；與所述數(shù)據(jù)線交叉的柵線；以 及對(duì)應(yīng)于所述半導(dǎo)體圖案形成并且與所述柵線連接的柵極。
在本發(fā)明的另一技術(shù)方案中，提供了一種液晶顯示器件的制造方法，包括: 在透明絕緣基板上順序地形成第一透明金屬層和數(shù)據(jù)金屬層；在所述第一透明 金屬層和所述數(shù)據(jù)金屬層上形成具有高度差的預(yù)備的光刻膠圖案；使用所述預(yù) 備的光刻膠圖案作為掩模對(duì)所述第一透明金屬層和數(shù)據(jù)金屬層進(jìn)行蝕刻，以形 成數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線連接的源極以及與所述源極間隔分開的漏極；對(duì)所述 預(yù)備的光刻膠圖案進(jìn)行灰化以形成暴露出部分所述數(shù)據(jù)金屬層的光刻膠圖案； 使用所述光刻膠圖案作為掩模對(duì)所述數(shù)據(jù)金屬層進(jìn)行蝕刻以形成像素電極，該 像素電極由所述第一透明金屬層形成；形成覆蓋所述源極和漏極的半導(dǎo)體圖 案；形成在所述基板上方的柵絕緣層；以及形成與所述數(shù)據(jù)線交叉的柵線，以 及與所述柵線連接并且相對(duì)于所述半導(dǎo)體圖案設(shè)置的柵極。
具有陣列基板的LCD器件可使用數(shù)量減少的掩?；?yàn)R射工序進(jìn)行制造， 從而減少了 LCD器件的制造時(shí)間并且增加了 LCD器件的產(chǎn)量。
應(yīng)該理解，本發(fā)明前面的概述以及以下的詳細(xì)說明均為示例性和解釋性， 并且意欲提供對(duì)于所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


包括用于提供本發(fā)明進(jìn)一步理解，并且合并及構(gòu)成本申請(qǐng)一部分的附圖闡 明了本發(fā)明的實(shí)施方式并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理，在附圖中 圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件陣列基板的平面圖； 圖2所示為沿圖1的線I 一 I '提取的橫截面圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的LCD器件陣列基板的一個(gè)像素的 橫截面圖4所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的LCD器件陣列基板的制造方法的 流程圖5A到圖5E所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的LCD器件陣列基板的制 造方法的橫截面圖6所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的共平面開關(guān)(IPS) LCD器件陣列 基板的一個(gè)像素的橫截面圖7所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的IPS LCD器件陣列基板的制造方
法的流程圖；以及
圖8A到圖8D所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的IPS LCD器件陣列基板 的制造方法的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將詳細(xì)參照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，在附圖中示出了其實(shí)施例。 圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的LCD器件陣列基板的一個(gè)像素的 橫截面圖。
參照?qǐng)D3， LCD器件陣列基板包括透明絕緣基板210、柵極222、數(shù)據(jù)線、 源極262以及漏極263。具體地，數(shù)據(jù)線沿一個(gè)方向形成于透明絕緣基板210 上，并且源極262形成為延伸自數(shù)據(jù)線。漏極263相對(duì)于柵極222形成為與源 極262相對(duì)。
第一透明金屬層264形成于數(shù)據(jù)線、源極262和漏極263的下方。 第一透明金屬層264提高了在沉積用于數(shù)據(jù)線的金屬的工序期間數(shù)據(jù)金
屬層和絕緣基板210之間的附著。用于數(shù)據(jù)線的金屬將稱為數(shù)據(jù)金屬。
形成于漏極263下方的第一透明金屬層264延伸到像素區(qū)域中以形成像素
電極281。
可順序地沉積第一透明金屬層264和數(shù)據(jù)金屬層，并且隨后使用半色調(diào)掩 模、透射反射掩模或衍射掩模對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖。
電容電極265可使用數(shù)據(jù)金屬層進(jìn)一步形成于部分像素區(qū)域中，從而其與 像素電極281重疊。
沉積第一透明金屬層264以提高數(shù)據(jù)金屬層和在數(shù)據(jù)金屬沉積之前的絕 緣基板210之間的附著。第一透明金屬層264用作像素電極281，從而減少掩 模或?yàn)R射工序的數(shù)量。
在第一透明金屬層264和數(shù)據(jù)金屬層被順序地沉積之后，通過在數(shù)據(jù)金屬 線中植入雜質(zhì)來(lái)沉積半導(dǎo)體圖案，從而在源極262和漏極263上進(jìn)一步形成歐 姆接觸層251和252。
形成有源層241，從而在設(shè)置在歐姆接觸層251和252下方的源極262和 漏極263之間形成溝道。柵絕緣層230形成在形成有有源層241的絕緣基板210上方。
形成與數(shù)據(jù)線交叉的柵線221以及延伸自柵線221的柵極222。 在柵線221和柵極222的下方形成第二透明金屬層223。 第二透明金屬層223提高了柵金屬層和柵絕緣層230之間的附著并且防止 了在柵金屬沉積期間柵金屬擴(kuò)散到相鄰層中。 最后，在絕緣基板210上方形成鈍化層270 。
同時(shí)，柵線221可在電容電極265的上方延伸。所以，電容電極265、柵 絕緣層230以及柵線221可構(gòu)成存儲(chǔ)電容。
圖4所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的LCD器件陣列基板的制造方法的 流程圖。
圖5A到圖5E所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的LCD器件陣列基板的制 造方法的橫截面圖。
參照?qǐng)D5A，在操作ST100中，第一透明金屬層264和數(shù)據(jù)金屬層順序地 沉積在絕緣基板210上并且隨后對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖以形成數(shù)據(jù)線、源極262、漏極 263和像素電極281。
在數(shù)據(jù)線和源極262、漏極263的下方形成第一透明金屬層264。
第一透明金屬層264可由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦 錫鋅氧化物(ITZO)等形成。
數(shù)據(jù)線可由銅(Cu)、鋁(AL)合金、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鈦(Ti) 等形成。
第一透明金屬層264防止柵金屬的金屬粒子擴(kuò)散到相鄰層中。 形成于漏極263下方的第一透明金屬層264延伸到像素區(qū)域中以形成像素 電極281。
可順序地沉積第一透明金屬層264和數(shù)據(jù)金屬層并且隨后使用半色調(diào)掩 模、透射反射掩?；蜓苌溲谀?duì)其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)線、源極262、漏極 263和像素電極281。
具體地，在第一透明金屬層264和數(shù)據(jù)金屬層上形成光刻膠層。光刻膠層 根據(jù)其位置使用不同的曝光量進(jìn)行曝光并隨后進(jìn)行顯影。結(jié)果，形成具有高度 差的光刻膠圖案。隨后，使用光刻膠圖案作為掩模對(duì)數(shù)據(jù)金屬層和透明金屬 264進(jìn)行蝕刻。對(duì)部分光刻膠圖案進(jìn)行灰化以暴露出部分?jǐn)?shù)據(jù)金屬層。使用已
灰化的光刻膠圖案作為掩模對(duì)數(shù)據(jù)金屬層進(jìn)行蝕刻。
沉積第一透明金屬層264以提高數(shù)據(jù)金屬層和絕緣基板210之間的附著并 且防止了在數(shù)據(jù)金屬沉積之前數(shù)據(jù)金屬擴(kuò)散到相鄰層中。由于沉積的第一透明 金屬層264用作像素電極281 ，所以可減少掩?；?yàn)R射工序的數(shù)量。
參照?qǐng)D5B，在操作ST110中，形成半導(dǎo)體圖案，從而在源極262和漏極 263之間形成溝道。半導(dǎo)體圖案包括有源層241和歐姆接觸層251和252。
歐姆接觸層252和252可在源極262和漏極263的形成過程中形成。
在該情況下，在第一透明金屬層264和數(shù)據(jù)金屬層的沉積之后，通過將雜 質(zhì)離子植入到數(shù)據(jù)金屬層中來(lái)在操作ST100中順序地沉積歐姆接觸層251和 252。因此，歐姆接觸層251和252保留在數(shù)據(jù)線、源極262和漏極263上。 此后，在操作ST110中，在其上形成有歐姆接觸層251和252的源極262和 漏極263上形成有源層241。以該方式，形成半導(dǎo)體圖案。
并且，半導(dǎo)體圖案也可在源極262和漏極263形成之后形成有源層241 的工序過程中形成。
參照?qǐng)D5C，在絕緣基板210上形成柵絕緣層230。
參照?qǐng)D5D，在操作ST120中，在柵絕緣層230上順序地沉積第二透明金
屬層223和柵金屬層。
第二透明金屬層223可由ITO、 ITZ、 ITZO等形成。
柵線221可由Cu、 Al、 Al合金、Mo、 Ta、 Ti等形成。
第二透明金屬層223提高了柵金屬層和柵絕緣層230之間的附著并且防止
了在柵金屬沉積期間柵金屬擴(kuò)散到相鄰層中。
對(duì)第二透明金屬層223和柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖以形成柵線221和柵極222。 柵線221和柵極222可通過順序地沉積第二透明金屬層223和柵金屬層并
且隨后使用半色調(diào)掩模、透射反射掩?；蜓苌溲谀?duì)其進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成。
沉積第二透明金屬層223以提高柵金屬層和在柵金屬沉積之前的絕緣基
板210之間的附著。
參照?qǐng)D5E，在操作ST130中，在己產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上進(jìn)一步形成鈍化層270。 圖6所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的共平面開關(guān)(IPS) LCD器件陣列
基板的一個(gè)像素的橫截面圖。
參照?qǐng)D6，頂柵型IPSLCD器件的陣列基板包括透明絕緣基板310、柵極
322、數(shù)據(jù)線、源極362和漏極363。數(shù)據(jù)線沿一個(gè)方向形成于透明絕緣基板 210上，并且源極362形成為延伸自數(shù)據(jù)線。漏極363相對(duì)于柵極322形成為 與源極362相對(duì)。
第一透明金屬層364形成于數(shù)據(jù)線、源極362和漏極363的下方。
第一透明金屬層364提高了在沉積數(shù)據(jù)金屬層的工序期間數(shù)據(jù)金屬層和 絕緣基板310之間的附著。
形成于漏極363下方的第一透明金屬層364延伸到像素區(qū)域中以形成多個(gè) 以預(yù)定距離彼此分開的像素電極381。
可順序地沉積第一透明金屬層364和數(shù)據(jù)金屬層并且隨后使用半色調(diào)掩 模、透射反射掩?；蜓苌溲谀?duì)其進(jìn)行構(gòu)圖。
電容電極365可使用數(shù)據(jù)金屬層進(jìn)一步形成于部分像素區(qū)域中，從而其與 像素電極381重疊。
沉積第一透明金屬層364以提高數(shù)據(jù)金屬層和數(shù)據(jù)金屬沉積之前的絕緣 基板310之間的附著。第一透明金屬層364用作像素電極281，從而減少掩模 或?yàn)R射工序的數(shù)量。
在第一透明金屬層364和數(shù)據(jù)金屬層順序地沉積之后，通過在數(shù)據(jù)金屬層 中植入雜質(zhì)來(lái)沉積半導(dǎo)體圖案，從而在源極362和漏極363上進(jìn)一步形成歐姆 接觸層351和352。
形成有源層341，從而在設(shè)置在歐姆接觸層351和352下方的源極262和 漏極263之間形成溝道。柵絕緣層330形成在形成有有源層241的絕緣基板 310上方。
形成與數(shù)據(jù)線交叉的柵線321以及延伸自柵線321的柵極322。
在柵線321和柵極322下方形成第二透明金屬層323。
第二透明金屬層323提高了柵金屬層和柵絕緣層230之間的附著并且防止 了在柵金屬沉積期間柵金屬擴(kuò)散到相鄰層中。
第二透明金屬層323在像素中延伸為公共線下方的多個(gè)公共電極325。
通過順序地沉積第二透明金屬層323和柵金屬層并且使用半色調(diào)掩模、透 射反射掩?；蜓苌溲谀?duì)其進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成柵線321、公共線以及公共電極 325。
由于公共電極325接觸公共線，所以公共信號(hào)可傳送給公共電極325而不
必使用附加的接觸孔。
沉積第二透明金屬層323以提高柵金屬層和在柵金屬沉積之前的絕緣基 板310之間的附著。由于沉積的第二透明金屬層323用作公共電極325，所以
減少了掩?；?yàn)R射工序的數(shù)量。
最后，在絕緣基板310上方進(jìn)一步形成鈍化層370。
同時(shí)，柵線321可在電容電極365上方延伸。所以，電容電極365、柵絕 緣層330以及柵線321可構(gòu)成存儲(chǔ)電容。
在第二實(shí)施方式中，第一透明金屬層364和第二透明金屬層323可由ITO、 IZO、 ITZO等形成。
柵線321和數(shù)據(jù)線可由Cu、 Al合金、Mo、 Ta、 Ti等形成。
圖7所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的IPS LCD器件陣列基板的制造方 法的流程圖。
圖8A到圖8D所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的IPS LCD器件陣列基板
的制造方法的橫截面圖。
參照?qǐng)D8A，在操作ST100中，第一透明金屬層364和數(shù)據(jù)金屬層順序地
沉積在絕緣基板310上并且隨后對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖以形成數(shù)據(jù)線、源極362、漏極
363和像素電極381。
在數(shù)據(jù)線和源極362、漏極363下方形成第一透明金屬層364。 第一透明金屬層364可由ITO、 IZO、 ITZO等形成。 數(shù)據(jù)線可由銅Cu、 Al、 AL合金、Mo、 Ta、 Ti等形成。 第一透明金屬層364防止了數(shù)據(jù)金屬層的金屬粒子擴(kuò)散到相鄰層中。 形成于漏極363下方的第一透明金屬層364延伸到像素區(qū)域中以形成像素
電極381。
可順序地沉積第一透明金屬層364和數(shù)據(jù)金屬層并且隨后使用半色調(diào)掩 模、透射反射掩模或衍射掩模對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)線、源極362、漏極 363和像素電極381。
沉積第一透明金屬層364以提高數(shù)據(jù)金屬層和絕緣基板310之間的附著并 且防止了在數(shù)據(jù)金屬沉積之前數(shù)據(jù)金屬擴(kuò)散到相鄰層中。由于第一透明金屬層 364用作像素電極381，所以可減少掩?；?yàn)R射工序的數(shù)量。
參照?qǐng)D8B，在操作ST110中，形成半導(dǎo)體圖案，從而在源極362和漏極
363之間形成溝道。半導(dǎo)體圖案包括有源層341和歐姆接觸層351和352。
歐姆接觸層351和352可通過順序沉積在源極362和漏極363的形成過程 中植入雜質(zhì)的半導(dǎo)體圖案，并且同時(shí)對(duì)沉積的半導(dǎo)體圖案進(jìn)行蝕刻來(lái)形成?？?選地，在源極362和漏極363的形成之后，可在形成有源層341的工序過程中 形成歐姆接觸層351和352。
參照?qǐng)D8C，在操作ST120中，在絕緣基板310上方形成柵絕緣層330。 隨后，在柵絕緣層330上順序地沉積第二透明金屬層323和柵金屬層。
第二透明金屬層323提高了柵金屬層和絕緣基板310之間的附著并且防止 了在柵金屬沉積期間柵金屬擴(kuò)散到相鄰層中。
對(duì)第二透明金屬層323和柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖以形成柵線321、柵極322以 及公共電極325。
第二透明金屬層323在像素中延伸為公共線下方的多個(gè)公共電極325。 柵線321 、公共線以及公共電極325可通過順序地沉積第二透明金屬層323
和柵金屬層并且隨后使用半色調(diào)掩模、透射反射掩模或衍射掩模對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖
來(lái)形成。
沉積第二透明金屬層323以提高柵金屬層和柵金屬沉積之前的絕緣基板 310之間的附著。由于沉積的第二透明金屬層323用作公共電極325，所以可 減少掩?；?yàn)R射工序的數(shù)量。
參照?qǐng)D8D，在操作ST130中，在已產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上進(jìn)一步形成鈍化層370。
如上所述，可使用數(shù)量減少的掩?；?yàn)R射工序制造LCD器件的陣列基板， 從而減少了 LCD器件的制造時(shí)間并且增加了 LCD器件的產(chǎn)量。
雖然本發(fā)明描述了應(yīng)用于頂柵型LCD器件陣列基板及其制造方法的實(shí)施 方式，但是本發(fā)明并不限于在此所闡述的實(shí)施方式。并且，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù) 人員來(lái)說顯而易見的，在本發(fā)明中可做出各種修改和變型。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示器件，包括陣列基板，其包括形成于基板上方的數(shù)據(jù)線；與所述數(shù)據(jù)線連接的源極；與所述源極間隔分開的漏極；在所述數(shù)據(jù)線、源極和漏極下方的所述基板上形成的第一透明金屬圖案；延伸自形成于所述漏極下方的所述第一透明金屬圖案的像素電極；覆蓋所述源極和漏極的半導(dǎo)體圖案；形成在所述基板上方的柵絕緣層；與所述數(shù)據(jù)線交叉的柵線；以及對(duì)應(yīng)于所述半導(dǎo)體圖案形成并且與所述柵線連接的柵極。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括形成于所 述柵線和柵絕緣層之間以及所述柵極和柵絕緣層之間的第二透明金屬圖案。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括 沿與所述柵線平行的方向形成的公共線；以及與所述公共線電連接并且與所述像素電極形成水平電場(chǎng)的多個(gè)公共電極。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括在所述公 共線和柵絕緣層之間的第二透明金屬圖案，其中所述公共電極延伸自所述第二 透明金屬圖案。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述第一透明金 屬圖案由選自包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)的組中的透明金屬形成。
6、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述第二透明金 屬圖案由選自包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)的組中的透明金屬形成。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線由選 自包括銅(Cu)、鋁(AL)合金、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鈦(Ti)的組中的 至少一種材料而形成。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述柵線由選自 包括銅(Cu)、鋁(AL)合金、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鈦(Ti)的組中的至 少一種材料而形成。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括形成于所 述源極和半導(dǎo)體圖案之間以及所述漏極和所述半導(dǎo)體圖案之間的歐姆接觸層。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述歐姆接觸層 形成為沿著所述數(shù)據(jù)線。
11、 一種液晶顯示器件的制造方法，包括 在基板上形成第一透明金屬層； 在所述第一透明金屬層上形成數(shù)據(jù)金屬層； 在所述數(shù)據(jù)金屬層上形成具有高度差的預(yù)備的光刻膠圖案； 使用所述預(yù)備的光刻膠圖案作為掩模對(duì)所述第一透明金屬層和數(shù)據(jù)金屬層進(jìn)行蝕刻，以形成數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線連接的源極以及與所述源極間隔分 開的漏極；對(duì)所述預(yù)備的光刻膠圖案進(jìn)行灰化以形成暴露出部分所述數(shù)據(jù)金屬層的 光刻膠圖案；使用所述光刻膠圖案作為掩模對(duì)所述數(shù)據(jù)金屬層進(jìn)行蝕刻，以形成與所述 第一透明金屬層連接的像素電極；形成覆蓋所述源極和漏極的半導(dǎo)體圖案； 在所述基板上方形成柵絕緣層；以及形成與所述數(shù)據(jù)線交叉的柵線，以及與所述柵線連接并且相對(duì)于所述半導(dǎo) 體圖案設(shè)置的柵極。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，還包括，在形成所述第 一透明金屬層和數(shù)據(jù)金屬層之后，形成包括在所述數(shù)據(jù)金屬層上植入雜質(zhì)的半 導(dǎo)體層的歐姆接觸層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述柵線和柵極的形成 包括-在所述柵絕緣層上形成第二透明金屬層； 在所述第二透明金屬層上形成柵金屬層；以及 對(duì)所述第二透明金屬層和柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖以形成所述柵線和柵極。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述柵線和柵極的形成還包括沿與所述柵線平行的方向形成公共線。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，使用半色調(diào)掩模、透射 反射掩模以及衍射掩模的其中之一對(duì)所述第二透明金屬層和柵金屬層進(jìn)行構(gòu) 圖以形成與所述公共線連接的公共電極，所述公共電極由所述第二透明金屬層 形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有頂柵型TFT的陣列基板的LCD器件及其制造方法。沉積第一透明金屬層以提高數(shù)據(jù)金屬層和數(shù)據(jù)金屬沉積之前的絕緣基板之間的附著。由于沉積的第一透明金屬層用作像素電極，所以可減少掩模或?yàn)R射工序的數(shù)量。沉積第二透明金屬層以提高柵金屬層和柵金屬沉積之前的絕緣基板之間的附著。由于沉積的第二透明金屬層用作公共電極，所以可減少掩模或?yàn)R射工序的數(shù)量。具有頂柵型TFT的陣列基板的LCD器件可使用數(shù)量減少的掩?；?yàn)R射工序進(jìn)行制造，從而減少了LCD器件的制造時(shí)間并且增加了LCD器件的產(chǎn)量。
文檔編號(hào)G03F7/00GK101105615SQ20071010582
公開日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2007年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月29日
發(fā)明者楊熙正 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社