專利名稱：浸潤(rùn)微影設(shè)備與浸潤(rùn)曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種浸潤(rùn)微影技術(shù)，且特別涉及一種使用一密封的晶片浴
(seal wafer bath)的浸潤(rùn)微影系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
浸潤(rùn)微影技術(shù)是一種在微影技術(shù)上較新的進(jìn)展，其中曝光步驟是通過(guò)在 晶片表面與鏡頭之間填入液體而進(jìn)行。與在空氣下使用鏡頭的情況相比，使 用浸潤(rùn)微影技術(shù)能創(chuàng)造更大量的開(kāi)口，因而增進(jìn)分辨率。而且，在浸潤(rùn)的情 況下則提供用于提供更小特征的景深(Enhanced Depth-of-Focus; DOF)。本 說(shuō)明書(shū)并不限于浸潤(rùn)微影技術(shù)，而是為浸潤(rùn)微影技術(shù)提供一個(gè)能從下面詳述 的本發(fā)明中獲益的半導(dǎo)體工藝的例子。

發(fā)明內(nèi)容
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種浸潤(rùn)微影設(shè)備，包括 一鏡 頭組(assembly)，包括一影像鏡頭； 一晶片基座，用于將晶片保持于該鏡 頭組下方，該晶片基座包括置于一密封環(huán)框架上且沿著保持于該晶片基座上 的該晶片的一頂部邊緣的一密封環(huán)；以及一流體槽，用于保持浸潤(rùn)流體，其 中流體槽包括該晶片基座，以使保持在該晶片基座上的該晶片完全浸潤(rùn)于該 浸潤(rùn)流體中；以及一外蓋，置于該流體槽的至少一個(gè)部分，用以在該流體槽 內(nèi)提供一個(gè)溫度受到控制且富含流體的環(huán)境。
本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種浸潤(rùn)曝光方法，包括將一晶片置放于一晶 片基座上，其中該晶片基座位于一影像鏡頭下方；使一密封環(huán)降低至該晶片 基座的一密封環(huán)框架上，以使得該密封環(huán)沿著該晶片的一頂部邊緣而放置， 其中該密封環(huán)用于密封位于該晶片的一邊緣與該晶片基座間的間隙；以及以 一浸潤(rùn)流體填充一配置有該晶片基座的流體槽，使得該晶片完全沉沒(méi)于該浸 潤(rùn)流體內(nèi)。
本發(fā)明的實(shí)施例又提供一種浸潤(rùn)微影設(shè)備，包括 一影像裝置； 一保持 裝置，用于將一晶片保持在該影像裝置下，其中該保持裝置包括一密封環(huán)組; 一容器，用于儲(chǔ)存一浸潤(rùn)流體；其中該容器包括該保持裝置以促使保持在該 保持裝置上的該晶片完全沉沒(méi)于該浸潤(rùn)流體內(nèi)；以及一外蓋，覆蓋該容器的 至少一部分，用于在該容器內(nèi)提供一個(gè)溫度受到控制及富含流體的環(huán)境。
為使本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 出較佳實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1A示出一 LBC浸潤(rùn)系統(tǒng)。
圖1B示出一 LBC浸潤(rùn)系統(tǒng)的其它設(shè)計(jì)。
圖2示出一 WBC浸潤(rùn)系統(tǒng)。
圖3示出一較佳實(shí)施例中使用密封晶片浴的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)的上視圖。 圖4示出圖3的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)的側(cè)視圖。
圖5示出圖3的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)的放大側(cè)視圖，顯示其鄰近外蓋。 圖6示出圖3的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)，顯示其封閉(enclosing)外蓋。 圖7示出位于一位置的晶片，其中鏡頭區(qū)域在該位置配置于該晶片的最 頂端的曝光位置。
圖8示出位于一位置的晶片，其中鏡頭區(qū)域在該位置配置于該晶片的最 左邊的曝光位置。
圖9示出圖3的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)，其中保持壁(retaining wall)己被降 低而使浸潤(rùn)流體從該浸潤(rùn)微影系統(tǒng)泄出。
圖10示出圖3的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)的其它組合。 圖11示出另一實(shí)施例的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)。 圖12示出又一實(shí)施例的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)。
圖13示出一實(shí)施例的用于在使用全浸潤(rùn)微影工藝的曝光后從一晶片移 除殘余流體的干燥頭。
其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下 ( 100LBC系統(tǒng) 102浸潤(rùn)頭 104影像鏡頭 106流體入口
108流體出口 110區(qū)域 112晶片 114晶片基座
116真空系統(tǒng) 204區(qū)域 212流體出口 306真空系統(tǒng) 311流體保持壁 318封閉外蓋 332流體入口 500干燥頭 506凈化氣體入口 402全浸潤(rùn)微影系
120流體排水溝 200 WBC系統(tǒng)
206鏡頭 214外蓋 308鏡頭組 312密封環(huán) 320掃瞄區(qū)域 334溝槽 501晶片
208晶片 302晶片基座 309浸潤(rùn)流體 313密封環(huán)框架 322區(qū)域 336流體溢流孔
202流體 210流體入口 304晶片 310豐〗
瞎
314鄰近外蓋 324狹縫 510箭頭 502流體真空出口
504箭頭
330流體蒸汽入口 400全浸潤(rùn)微影系統(tǒng) 統(tǒng) 300全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及一種液體浸潤(rùn)微影系統(tǒng)，且特別涉及一種使用一密封的晶片 浴的浸潤(rùn)微影系統(tǒng)。
一般而言，有兩種浸潤(rùn)微影系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，包括以鏡頭為基礎(chǔ)(lens-based; LBC)的系統(tǒng)及以晶片為基礎(chǔ)(wafer-based; WBC)的系統(tǒng)。有了 WBC系 統(tǒng)，浸潤(rùn)流體選擇性地施加于一介于鏡頭與晶片間的小區(qū)域且從該區(qū)域被移 除，且當(dāng)晶片被移動(dòng)或掃描時(shí)，浸潤(rùn)組相對(duì)于鏡頭而言是靜止的。
請(qǐng)參考圖1A， 一 LBC系統(tǒng)100包括一浸潤(rùn)頭102，浸潤(rùn)頭102包括一 影像鏡頭104、 一流體入口 106、與一流體出口 108。如圖1A所示，浸潤(rùn)流 體配置于一區(qū)域110，其中該區(qū)域110位于該影像鏡頭104下方且在一晶片 112上方，而晶片112通過(guò)一真空系統(tǒng)116而緊附于一晶片基座114上。通 過(guò)晶片基座114與晶片112的移動(dòng)，流體經(jīng)由流體入口 106而注入?yún)^(qū)域110 且經(jīng)由流體出口 108而排出，其中此程序會(huì)引起流體溫度控制與流體蒸發(fā)的 問(wèn)題。
LBC系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括其晶片基座實(shí)質(zhì)上與干燥系統(tǒng)的晶片基座相同， 因此節(jié)省顯影時(shí)間與花費(fèi)。而且，有了 LBC系統(tǒng)，可以維持干燥系統(tǒng)中所 使用的相同的對(duì)位、對(duì)焦(focus)與位準(zhǔn)調(diào)整(leveling setup)。最后，有 了 LBC系統(tǒng)，所使用的浸潤(rùn)流體的體積小，以至于可以快速對(duì)保持流體的 孔洞(fluid-retaining cavity) 進(jìn)行填充，從而維持高的晶片產(chǎn)出量。
與LBC系統(tǒng)相關(guān)的問(wèn)題包括靠近晶片的邊緣，浸潤(rùn)區(qū)域包括晶片與 吸盤(pán)(chuck)外圍區(qū)域，以至于在流體孔洞維持流體的流動(dòng)性與促使流體移 除可能變得困難。其它問(wèn)題是晶片背面的粒子有被洗至表面的傾向。而且，
當(dāng)晶片在step-and-scan步驟中移動(dòng)時(shí)，LBC浸潤(rùn)頭有在晶片表面留下微量流 體的傾向。這是流體印漬留在晶片上的原因。其它與LBC系統(tǒng)相關(guān)的問(wèn)題 是光阻會(huì)在不同位置與流體接觸。尤其是當(dāng)晶片在不同區(qū)域之間移動(dòng)時(shí)，相 鄰區(qū)域或其部分被流體覆蓋。這樣的情形可能會(huì)在相同區(qū)域發(fā)生多次，且對(duì) 于每一個(gè)區(qū)域而言未必是在相同序列或是相同次數(shù)。最后，在一些LBC系 統(tǒng)設(shè)計(jì)中，如圖1B所示，浸潤(rùn)流體流過(guò)晶片邊緣上方而進(jìn)入一沿著晶片112 的邊緣而配置的流體排水溝(drain) 120。雖然降低了粒子附著，但是導(dǎo)致 晶片在邊緣冷卻，改變晶片的形狀且影響完整覆蓋精度。
參考圖2，相對(duì)于LBC系統(tǒng)而言，在WBC系統(tǒng)中，晶片完全地浸泡于 一位于晶片基座上的循環(huán)槽的浸潤(rùn)流體內(nèi)。例如，在一WBC系統(tǒng)200中， 浸潤(rùn)流體經(jīng)由一流體入口 210與一流體出口 212而被選擇性地引入一介于鏡 頭206與晶片208間的小區(qū)域204且從該區(qū)域移除。流體在晶片基座上方或 下方的區(qū)域204內(nèi)連續(xù)地循環(huán)，且當(dāng)其流動(dòng)過(guò)晶片208的表面區(qū)域時(shí)則受到 過(guò)濾與溫控。流體可以完全地由區(qū)域204排出而進(jìn)行晶片的承載與卸載。外 蓋214避免流體202溢出且避免外來(lái)粒子掉入流體中。
WBC系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括在晶片邊緣的曝光與在中心的曝光是一樣的。 而且，每一區(qū)域與晶片接觸同樣的時(shí)間。而且，浸潤(rùn)頭不會(huì)造成流體漬，而 且不會(huì)有因?yàn)榭拷吘壍牧鲃?dòng)性差而產(chǎn)生氣泡的問(wèn)題。然而，WBC系 統(tǒng)確實(shí)遇到某種問(wèn)題，包括每一曝光區(qū)域曝光前與曝光后的浸泡時(shí)間不同。 而且，填充與排放浸潤(rùn)流體要花費(fèi)更多時(shí)間與精力，而且如果不使用兩個(gè)基 座的話則聚焦、傾斜與對(duì)位必須在浸沒(méi)模式下進(jìn)行。最后，與干燥系統(tǒng)相比 而言，必須針對(duì)晶片基座進(jìn)行實(shí)質(zhì)上的重新設(shè)計(jì)。
兩個(gè)額外的問(wèn)題影響LBC與WBC兩系統(tǒng)。其中，因?yàn)槲挥诰吘墡?厘米內(nèi)的光阻(邊緣滴(edgebead))比其它部分光阻涂層厚的緣故，因此 經(jīng)常被移除。上述作法導(dǎo)致在流體沖洗的情況下會(huì)留下破裂的光阻碎片，而 導(dǎo)致微粒缺陷。而且，流體會(huì)滲入晶片下方，而造成污染源且一樣易受污染 影響。流體的蒸發(fā)會(huì)導(dǎo)致冷卻不均與覆蓋不均的問(wèn)題。
請(qǐng)參考圖3和圖4，其中圖3、圖4示出一實(shí)施例的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)300 的上視圖與側(cè)視圖，而此全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)300包括一密封浴。在圖4中，系 統(tǒng)300包括一晶片基座302，且一晶片304可以通過(guò)一真空系統(tǒng)306而緊靠 該晶片基座302。 一鏡頭組308置于晶片304與晶片基座302上。根據(jù)本實(shí) 施例，浸潤(rùn)流體309配置于一區(qū)域或槽310內(nèi)，覆蓋并圍繞晶片304且介于 晶片與鏡頭組308的前表面之間。浸潤(rùn)流體通過(guò)一流體保持壁311而保持于 槽310內(nèi)。在一實(shí)施例中，浸潤(rùn)流體的反射率大體上是1.34。 一密封環(huán)312 由一薄且軟性的材料構(gòu)成，例如是麥拉(Mylar)、鐵弗龍(Teflon)與橡膠 等，厚度介于幾毫米至幾百毫米之間，并通過(guò)一密封環(huán)框架313而置于該晶 片基座302上以接觸置于基座上的晶片304的頂部邊緣(請(qǐng)同時(shí)參考圖4 6、 圖9 12)。由真空系統(tǒng)306在介于晶片304外部邊緣與密封環(huán)框架313內(nèi) 側(cè)間的間隙中產(chǎn)生的吸力使密封環(huán)312的密封變緊，以避免浸潤(rùn)流體309漏 至該間隙內(nèi)。將晶片304移至鏡頭組308下方以進(jìn)行步進(jìn)式掃瞄(stepping and scanning)。
一鄰近外蓋(proximity cover) 314在環(huán)繞鏡頭組308的區(qū)域內(nèi)與浸潤(rùn)流 體309接觸。鄰近外蓋314應(yīng)該盡可能的大；然而，其尺寸因?yàn)榄h(huán)繞該槽310 的流體保持壁311的存在而受限。封閉外蓋318放在鏡頭組308的鏡頭柱上 以封閉該槽310且在其中創(chuàng)造并維持一富含流體與蒸汽的環(huán)境。封閉外蓋318 大于流體保持壁311，以使得在任一晶片位置上浸潤(rùn)流體309上方的區(qū)域總 是被封閉的。
圖3示出密封環(huán)312、晶片304與封閉外蓋318之間的關(guān)系。如圖3所 示，晶片304包括多個(gè)掃瞄區(qū)域320。區(qū)域322代表鏡頭組308的鏡頭區(qū)域。 區(qū)域322內(nèi)有一狹縫324。掃瞄區(qū)域受限于狹縫324的區(qū)域。鄰近外蓋314 的尺寸應(yīng)該允許鏡頭組308 (特別是狹縫324)配置成可以盡可能地靠近晶 片304的邊緣，如同受限于流體保持壁311的存在。圖5示出以鄰近晶片304 的邊緣的鄰近外蓋314定位鏡頭組308。封閉外蓋318用以避免浸潤(rùn)流體309 的蒸發(fā)。如圖6所示，封閉外蓋318使流體蒸汽的逸散緩和而降低由流體蒸 發(fā)引起的冷卻，提供一富含流體與蒸汽的環(huán)境而避免流體蒸發(fā)。可以在由封 閉外蓋318、晶片302及流體保持壁311所封閉的區(qū)域310中引進(jìn)飽和蒸汽， 優(yōu)選地通過(guò)一流體蒸汽入口 330來(lái)穿過(guò)封閉外蓋318。相似地，流體經(jīng)由一
或多個(gè)流體入口 332而被引進(jìn)區(qū)域310。溢出的流體經(jīng)由配置于壁上的流體 溢流孔(圖未示)而從區(qū)域310流出并流入環(huán)繞流體保持壁311的溝槽334。 溝槽334所收集的流體可以通過(guò)任何數(shù)量的排放系統(tǒng)(圖未示)而適當(dāng)?shù)嘏?出。
圖7示出位于一位置的晶片304，其中鏡頭區(qū)域322在該位置配置于該 晶片的最頂端的曝光位置。圖8示出位于一位置的晶片，其中鏡頭區(qū)域322 在該位置配置于該晶片的最左邊的曝光位置。
在一實(shí)施例中，承載順序包括使用一可垂直移動(dòng)的機(jī)構(gòu)來(lái)升起密封環(huán) 312與密封環(huán)框架313，之后將晶片304降低并置于晶片基座302上。在一 實(shí)施例中，上述動(dòng)作可以伴隨著將晶片304放置在環(huán)繞具有一晶片移動(dòng)手臂 的鏡頭軸的3個(gè)支撐插腳上，且降低該支撐插腳以使晶片降至晶片基座302 上。接著，降低包括密封環(huán)框架313與密封環(huán)312的密封環(huán)組以將晶片304 的邊緣密封。接著，將晶片基座302移至鏡頭組308下方，而此時(shí)可以將浸 潤(rùn)流體309與流體蒸汽注入該槽310。在一實(shí)施例中，蒸汽填充先發(fā)生直到 達(dá)到完全飽和。流體蒸汽的溫度(如同浸潤(rùn)流體309的溫度)應(yīng)該被系統(tǒng)地 管理。可以通過(guò)區(qū)域310的不完全密封而連續(xù)地注入流體蒸汽以補(bǔ)償蒸汽的 損失。尤其是，故意在密封外蓋318的底部與流體保持壁311之間留下一間 隙，以使得當(dāng)晶片基座302移動(dòng)時(shí)不會(huì)與密封外蓋發(fā)生摩擦。 一旦晶片經(jīng)過(guò) 完全曝光，則降低流體保持壁311以使浸潤(rùn)流體流出并進(jìn)入溝槽332，如圖 9所示。移除浸潤(rùn)流體309的步驟還可以包括移動(dòng)流體槽的流體保持壁311 以便讓浸潤(rùn)流體309由流體槽流出。也可以提供一流體排水溝((drain)圖 未示)以從區(qū)域310排出流體。在晶片304由鏡頭組308下方移至晶片承載 /卸載位置或晶片測(cè)量位置(例如，在雙晶片吸盤(pán)掃描儀內(nèi))后，可以使用一 空氣噴射流或空氣刀而使殘余流體干燥。
另外，可以使浸潤(rùn)流體309填充整個(gè)區(qū)域310，如圖10所示。在這種方 式下，不需使用飽和蒸汽來(lái)避免流體的蒸發(fā)；然而，仍必須小心控制流體的 溫度。在晶片304曝光之后，可以將流體從槽310中移除，如上所述及圖9 所示。
圖11示出另一實(shí)施例的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)400，此全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)400不 同于全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)300;全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)400不具有一鄰近外蓋。在全浸
潤(rùn)微影系統(tǒng)400中，不需要在流體上方保持一個(gè)富含流體與蒸汽的環(huán)境。
圖12示出又一實(shí)施例的全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)402，此全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)402不 同于全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)300;全浸潤(rùn)微影系統(tǒng)402不具有一密封外蓋。全浸潤(rùn) 微影系統(tǒng)402可能使用一段很長(zhǎng)的時(shí)間直到在鄰近外蓋內(nèi)的流體的反射率的 穩(wěn)定度與均勻性(homogeneity)達(dá)到可接受的程度。
圖13示出一實(shí)施例的用于在使用全浸潤(rùn)微影工藝的曝光后從一晶片501 上移除殘余流體的干燥頭500。如圖13所示，干燥頭500包括至少一個(gè)用于 沿箭頭504所指的方向排放浸潤(rùn)流體的流體真空出口 502。而且，干燥頭500 包括一凈化氣體入口 506;其中當(dāng)晶片沿箭頭510所指的方向移動(dòng)至干燥頭 500的下方時(shí)，該凈化氣體入口 506用于將凈化氣體引入至晶片501的表面 上。通過(guò)流體真空出口 502而移除浸潤(rùn)流體的步驟與通過(guò)凈化氣體入口 506 而引入凈化氣體以干燥晶片501的步驟的組合在從晶片移除殘余流體方面非 常有效。
如上述實(shí)施例所述，由于晶片一直在浸潤(rùn)流體下直到曝光完成，所以可 以避免水漬。而且，防止流體蒸發(fā)可以確保均勻性，以避免晶片變形而影響 覆蓋精確度。最后，密封環(huán)可以降低微粒且避免亂流引起的氣泡。另外，密 封環(huán)也覆蓋晶片邊緣滴以避免微粒的增生。
雖然本發(fā)明已以多個(gè)較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明， 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍內(nèi)，可作任意的改動(dòng)與變化， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以后附的權(quán)利要求書(shū)界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種浸潤(rùn)微影設(shè)備，包括一鏡頭組，包括一影像鏡頭；一晶片基座，用于將晶片保持于該鏡頭組下方，該晶片基座包括置于一密封環(huán)框架上且沿著保持于該晶片基座上的該晶片的一頂部邊緣的一密封環(huán)；一流體槽，用于保持浸潤(rùn)流體，其中流體槽容納該晶片基座以使保持在該晶片基座上的該晶片完全浸潤(rùn)于該浸潤(rùn)流體中；以及一外蓋，置于該流體槽的至少一個(gè)部分，用以在該流體槽內(nèi)提供一個(gè)溫度受到控制且富含流體的環(huán)境。
2. 如權(quán)利要求1所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該外蓋是一鄰近外蓋。
3. 如權(quán)利要求1所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該外蓋是一封閉外蓋。
4. 如權(quán)利要求3所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該封閉外蓋與該鏡頭組連接。
5. 如權(quán)利要求3所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該封閉外蓋大于該流體保持壁。
6. 如權(quán)利要求3所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該封閉外蓋不接觸該晶片基座。
7. 如權(quán)利要求3所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該封閉外蓋在該流體槽內(nèi)創(chuàng) 造一個(gè)富含流體蒸汽的環(huán)境。
8. 如權(quán)利要求1所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該浸潤(rùn)流體的溫度受到控制。
9. 如權(quán)利要求3所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該鄰近外蓋介于該封閉外蓋 與該晶片之間。
10. —種浸潤(rùn)曝光方法，包括將一晶片放置于一晶片基座上，其中該晶片基座位于一影像鏡頭下方；使一密封環(huán)降低至該晶片基座的一密封環(huán)框架上，以使得該密封環(huán)沿著 該晶片的一頂部邊緣而放置，其中該密封環(huán)用于密封位于該晶片的一邊緣與該晶片基座間的間隙；以及以一浸潤(rùn)流體填充一配置有該晶片基座的流體槽，使得該晶片完全沉沒(méi) 于該浸潤(rùn)流體內(nèi)。
11. 如權(quán)利要求IO所述的浸潤(rùn)曝光方法，其中該以一浸潤(rùn)流體填充一配 置有該晶片基座的流體槽的步驟還包括填滿該流體槽。
12. 如權(quán)利要求10所述的浸潤(rùn)曝光方法，還包括 將該浸潤(rùn)流體的蒸汽引進(jìn)該流體槽。
13. 如權(quán)利要求12所述的浸潤(rùn)曝光方法，其中該蒸汽是飽和蒸汽。
14. 如權(quán)利要求IO所述的浸潤(rùn)曝光方法，還包括在該晶片曝光后，從該流體槽移除該浸潤(rùn)流體。
15. 如權(quán)利要求14所述的浸潤(rùn)曝光方法，還包括 在移除該浸潤(rùn)流體之前，從該晶片升起該密封環(huán)。
16. 如權(quán)利要求14所述的浸潤(rùn)曝光方法，其中移除該浸潤(rùn)流體的步驟包括移動(dòng)該流體槽的一流體保持壁以便讓該浸潤(rùn)流體由該流體槽流出。
17. 如權(quán)利要求14所述的浸潤(rùn)曝光方法，在移除該浸潤(rùn)流體之后使用一 干燥頭而使該晶片的一表面干燥。
18. 如權(quán)利要求10所述的浸潤(rùn)曝光方法，還包括控制該流體槽內(nèi)的該浸潤(rùn)流體的溫度。
19. 一種浸潤(rùn)微影設(shè)備，包括一影像裝置；一保持裝置，用于將一晶片保持在該影像裝置下，其中該保持裝置包括一密封環(huán)組；一容器，用于儲(chǔ)存一浸潤(rùn)流體，其中該容器容納該保持裝置以促使保持 在該保持裝置上的該晶片完全沉沒(méi)于該浸潤(rùn)流體內(nèi)；以及一外蓋，覆蓋該容器的至少一部分，用于在該容器內(nèi)提供一個(gè)溫度受到 控制及富含流體的環(huán)境。
20. 如權(quán)利要求19所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該容器與該影像裝置連接。
21. 如權(quán)利要求19所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該容器大于該保持裝置。
22. 如權(quán)利要求19所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該容器不接觸該保持裝置。
23. 如權(quán)利要求19所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，其中該密封環(huán)組包括一密封環(huán) 框架與一密封環(huán)，其中該密封環(huán)置于該密封環(huán)框架上。
24. 如權(quán)利要求19所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，還包括 以該浸潤(rùn)流體填充滿該容器的裝置。
25. 如權(quán)利要求19所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，還包括 將該浸潤(rùn)流體的蒸汽引入該容器。
26. 如權(quán)利要求19所述的浸潤(rùn)微影設(shè)備，還包括 在該晶片曝光后用于從該容器移除該浸潤(rùn)流體的裝置；以及 在從該容器移除該浸潤(rùn)流體后用于使該晶片的一表面干燥的裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種使用一密封晶片底部的浸潤(rùn)微影系統(tǒng)與方法。一實(shí)施例提供一種浸潤(rùn)微影設(shè)備，包括一鏡頭組(assembly)，包括一影像鏡頭；及一晶片基座，用于將晶片保持于該鏡頭組下方，該晶片基座包括置于一密封環(huán)框架上且沿著保持于該晶片基座上的該晶片的一頂部邊緣的一密封環(huán)。此實(shí)施例更包括一流體槽，用于保持浸潤(rùn)流體，其中流體槽包括該晶片基座以使保持在該晶片基座上的該晶片完全浸潤(rùn)于該浸潤(rùn)流體中；以及一外蓋，置于該流體槽的至少一個(gè)部分，用以在該流體槽內(nèi)提供一個(gè)溫度控制且富含流體的環(huán)境。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101174101SQ20071015319
公開(kāi)日2008年5月7日 申請(qǐng)日期2007年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月3日
發(fā)明者張慶裕, 林本堅(jiān) 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司