專利名稱：一種可改善圖形質(zhì)量的光刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻工藝，尤其涉及一種可改善圖形質(zhì)量的光刻方法。
技術(shù)背景在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，需經(jīng)過多道配套的光刻和刻蝕工序，才能將半導(dǎo)體器 件的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上?，F(xiàn)有技術(shù)在進(jìn)行光刻工藝時(shí)，先將光刻膠涂布在晶圓(其直徑現(xiàn)通常為300毫米)上，然后進(jìn)行溫度為9(H聶氏度的前烘工藝，之后 進(jìn)行曝光工藝，接著進(jìn)行溫度為90攝氏度的曝光后烘烤(Post exposure bake, PEB)工藝，且PEB工藝的烘烤時(shí)間為60秒，最后再進(jìn)行顯影工藝。對(duì)完成上述光刻工藝的三片300毫米直徑的晶圓進(jìn)行顯影后檢驗(yàn)(After Development Inspection, ADI),發(fā)現(xiàn)該三片晶圓上的缺陷凄t量分別為72、 64 和75個(gè)，該些缺陷是由承載圖形的光刻膠出現(xiàn)殘留和橋接現(xiàn)象引起的。對(duì)上述 光刻膠出現(xiàn)殘留和橋接現(xiàn)象的原因進(jìn)行分析，懷疑是曝光后烘烤工藝的烘烤時(shí) 間過短而使感光化合物在曝光工藝中產(chǎn)生的光酸未反應(yīng)完全所造成的。因此，如何提供一種可改善圖形質(zhì)量的光刻方法以通過延長曝光后烘烤工 藝的烘烤時(shí)間來改善光刻膠的殘留和橋接現(xiàn)象，進(jìn)而減少圖形上的缺陷并改善 圖形質(zhì)量，已成為業(yè)界亟待解決的技術(shù)問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種可改善圖形質(zhì)量的光刻方法，通過所述光刻方 法可改善光刻膠的殘留和橋接現(xiàn)象，并有效減少圖形上的缺陷和改善圖形質(zhì)量。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的 一種可改善圖形質(zhì)量的光刻方法，包括以下 步驟a、提供一晶圓；b、在該晶圓上涂布光刻膠；c、進(jìn)行前烘工藝；d、進(jìn) 行曝光工藝；e、進(jìn)行曝光后烘烤工藝，該曝光后烘烤工藝的時(shí)間范圍為85至 95秒；f、進(jìn)行顯影工藝。在上述的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法中，該光刻膠包括溶劑、樹脂和感光化合物。在上述的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法中，在步驟C中，該前烘工藝的溫度為90攝氏度。在上述的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法中，在步驟e中，該曝光后烘烤工藝 的溫度為90攝氏度。與現(xiàn)有技術(shù)中曝光后烘烤工藝的烘烤時(shí)間僅為60秒，從而使感光化合物在 曝光工藝中產(chǎn)生的光酸并未反應(yīng)完全進(jìn)而造成承載圖形的光刻膠出現(xiàn)殘留和橋 接現(xiàn)象相比，本發(fā)明的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法將曝光后烘烤工藝的烘烤時(shí) 間延長為85至95秒，如此可確保感光化合物在曝光工藝中產(chǎn)生的光酸徹底反 應(yīng)，進(jìn)而可改善光刻膠殘留和橋接現(xiàn)象，并有效減小圖形上的缺陷且改善圖形 質(zhì)量。


本發(fā)明的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法由以下的實(shí)施例及附圖給出。 圖1為本發(fā)明的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
以下將對(duì)本發(fā)明的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。參見圖1，本發(fā)明的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法首先進(jìn)行步驟SIO,提供一 晶圓。在本發(fā)明的第一至第三實(shí)施例中，所述晶圓的直徑為300毫米。在本發(fā) 明的其他實(shí)施例中，所述晶圓的直徑可為200亳米。接著繼續(xù)步驟Sll，在所述晶圓上涂布光刻膠，所述光刻膠具有溶劑、樹脂 和感光化合物。在本發(fā)明的第一至第三實(shí)施例中，所述光刻膠為正性光刻膠。 在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述光刻膠可為負(fù)性光刻膠。接著繼續(xù)步驟S12,進(jìn)行前烘工藝。在本發(fā)明的第一至第三實(shí)施例中，所述 前烘工藝的溫度均為90攝氏度。接著繼續(xù)步驟S13，進(jìn)行曝光工藝。接著繼續(xù)步驟S14,進(jìn)行時(shí)間范圍為85至95秒的曝光后烘烤工藝，所述曝 光后烘烤工藝的溫度為90攝氏度。在本發(fā)明的第一至第三實(shí)施例中，所述曝光后烘烤工藝的烘烤時(shí)間分別為85、 90和95秒。 接著繼續(xù)步驟S15，進(jìn)行顯影工藝。對(duì)經(jīng)本發(fā)明的第一至第三實(shí)施例光刻后的晶圓(直徑為300毫米)進(jìn)^f亍顯 影后檢驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)晶圓上的缺陷數(shù)量分別為51、 56和55個(gè)，另外發(fā)現(xiàn)光刻膠的 殘留和橋接現(xiàn)象也大大得到改善，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明大大降低了光刻在 圖形上所形成的缺陷數(shù)量且有效改善了圖形的質(zhì)量。綜上所述，本發(fā)明的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法將曝光后烘烤工藝的烘烤 時(shí)間延長為85至95秒，如此可確保感光化合物在曝光工藝中產(chǎn)生的光酸徹底 反應(yīng)，進(jìn)而可以改善光刻膠殘留和橋接現(xiàn)象，并有效減小圖形上的缺陷且改善 光刻的圖形質(zhì)量。
權(quán)利要求
1、一種可改善圖形質(zhì)量的光刻方法，包括以下步驟a、提供一晶圓；b、在該晶圓上涂布光刻膠；c、進(jìn)行前烘工藝；d、進(jìn)行曝光工藝；e、進(jìn)行曝光后烘烤工藝；f、進(jìn)行顯影工藝；其特征在于，在步驟e中，該曝光后烘烤工藝的時(shí)間范圍為85至95秒。
2、 如權(quán)利要求1所述的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法，其特征在于，該光刻 膠具有溶劑、樹脂和感光化合物。
3、 如權(quán)利要求1所述的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法，其特征在于，在步驟 c中，該前烘工藝的溫度為90攝氏度。
4、 如權(quán)利要求1所述的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法，其特征在于，在步驟 e中，該曝光后烘烤工藝的溫度為90攝氏度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種可改善圖形質(zhì)量的光刻方法。現(xiàn)有技術(shù)中曝光后烘烤工藝的時(shí)間過短，從而使光刻膠在曝光工藝中產(chǎn)生的光酸未完全反應(yīng)而產(chǎn)生光刻膠殘留和橋接現(xiàn)象，進(jìn)而在圖形上形成缺陷并影響圖形質(zhì)量。本發(fā)明的可改善圖形質(zhì)量的光刻方法先提供一晶圓并在該晶圓上涂布光刻膠，接著進(jìn)行前烘工藝，然后進(jìn)行曝光工藝，之后進(jìn)行時(shí)間范圍為85至95秒的曝光后烘烤工藝，最后進(jìn)行顯影工藝。本發(fā)明可確保光刻膠在曝光工藝中產(chǎn)生的光酸完全反應(yīng)，進(jìn)而改善光刻膠殘留和橋接現(xiàn)象，并有效減少圖形上的缺陷和改善圖形質(zhì)量。
文檔編號(hào)G03F7/38GK101251715SQ200810035119
公開日2008年8月27日 申請日期2008年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月25日
發(fā)明者杰 李 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司