專利名稱：有源矩陣襯底,液晶顯示面板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有源矩陣襯底和液晶顯示(LCD)面板，以及具 體來說，涉及一種TFT襯底上的有源矩陣襯底，其中在所述TFT襯底 上形成像素電極和相對電極，以及涉及一種具有TFT襯底的面內切換 (IPS)型LCD面板，其中所述TFT襯底具有所述有源矩陣襯底。
2.
背景技術：
考慮到例如薄、重量輕以及低功耗的優(yōu)點，液晶顯示(LCD)設 備被廣泛地用作視聽設備以及辦公室自動化設備的顯示設備。LCD設 備包括LCD面板以及背光單元，該背光單元向LCD面板提供背光， 其中液晶夾在TFT襯底和相對襯底之間。相對襯底通常配置有濾色器 和黑矩陣，同時TFT襯底以矩陣形式配置有諸如TFT (薄膜晶體管)
的開關元件。
通常，液晶顯示器的操作方式分為TN (扭曲向列)型和IPS型。 在TN型中，在垂直于TFT襯底的平面中旋轉對準的液晶分子的主軸 方向(以下，稱為LC定向器)，同時IPS型在平行于TFT襯底的平 面中旋轉LC定向器。
在IPS型LCD面板中，每一個像素電極和每個相對電極被設置為 彼此平行且交替地形成在TFT襯底上。通過在像素和相對電極之間施 加電壓以及形成平行于襯底表面的電場，從而改變LC定向器分子，且由此控制透射光的量。在IPS型中，由于LC定向器在平行于襯底表面
的平面中旋轉，因此能夠避免TN型中的如下問題，B卩，當從LC定向 器的方向觀看時以及當從TFT襯底的法線方向觀看時，透射光量以及 施加電壓之間的關系具有很大差異。因此，在IPS型中，可以獲得大范 圍的觀看角。(參見，例如，JP-2004-280130)。
然而，在IPS型LCD設備中，液晶分子僅僅在一個方向上旋轉， 并且導致了如下問題，即，當從傾斜方向看時在白色顯示狀態(tài)中出現 了著色。為了解決這個問題，像素電極和公共電極被設計用于在一個 像素中分別具有彎折結構。
圖8示出了平面圖，其典型地表示包含在現有技術的IPS型LCD 設備中的TFT襯底中的一個像素的結構。
如圖8所示，現有技術的TFT襯底包括柵極線ll，其在圖紙的 水平方向上延伸，公共線(所謂的COM線)12，鄰近與其近似平行的 柵極線，數據線13，其在大致正交于柵極線11的方向上延伸，TFT 16， 其配置在柵極線11和數據線13的交叉點附近，線形像素電極14和相 對電極15，近似平行于數據線13，配置在柵極線ll和數據線13圍繞 的區(qū)域中，以及屏蔽公共線20，鄰近數據線13的兩側，屏蔽來自數據 線13的泄漏電場，并且具有相對電極15的功能。
相對電極15連接到公共線12。像素電極14通過TFT 16連接到 數據線13。相對電極15和像素電極14以預定間隔交替地布置并且被 彎折以降低顯色。此外，在柵極線11的方向上延伸的域穩(wěn)定電極17 形成在每個彎折點處。調節(jié)液晶分子的旋轉方向的反向旋轉防止結構 18被形成在相對電極15和像素電極14的每個端部處。
如圖10所示，通過利用以下步驟制造上述TFT襯底。在玻璃襯底上形成金屬膜(步驟B1)。通過利用光刻蝕法從金屬膜
圖案化柵極線11、柵電極、公共線12、相對電極15和屏蔽公共線20(步 驟B2)。
連續(xù)地形成柵極絕緣膜和半導體層以覆蓋先前圖案化的膜(步驟 B3)。隨后，通過利用光刻蝕法，半導體層被圖案化為預定形狀(步驟 B4)。
通過利用光刻蝕法形成金屬膜并圖案化為數據線13、 TFT 16的源 /漏電極和像素電極14，由此使得TFT 16的源電極連接到數據線13， 同時TFT 16的漏電極連接到像素電極14(步驟B5)。
形成鈍化絕緣膜以覆蓋先前圖案化的膜(步驟B6)。這時，通過利 用光刻蝕法在其需要的位置處形成接觸孔(步驟B7)。然而，在該實例 中，由于現有技術說明了在像素區(qū)域處不需要接觸孔的結構，因此附 圖中沒有示出接觸孔。除像素區(qū)域之外，在周圍的電路區(qū)域中會需要 接觸孔。
將參考圖8描述IPS型LCD面板的操作。通過向所選擇的柵極線 ll施加導通電壓，與所述柵極線11相關的TFT 16導通，從而從數據 線13向每一個像素電極14施加信號電壓。
公共電壓(所謂的COM電壓)總是施加到相對電極15，以及由此像 素電極14和相對電極15之間的電勢差被累積并維持在存儲電容部分 (圖8中的存儲器19)以及液晶電容中。經由絕緣膜而重疊像素電極 14和相對電極15從而形成了存儲電容。在像素電極14和相對電極15 之間的液晶部分中形成液晶電容。
柵極線11變換到斷開電壓，隨后，像素電極14被電氣地與數據 線13斷開，以及由于通過存儲電容和液晶電容進行的電容耦合而變成相對于相對電極15的浮置狀態(tài)。
由于當進入晶體管導通狀態(tài)時相對電極14總是處于預定的公共電 位以及像素電壓被維持在信號電壓，因此也維持了在所選擇的像素處 被施加到液晶的電勢差，以及可以維持由向所選擇的柵極線施加導通 電壓而導致的液晶分子的方向變化狀態(tài)。
然而，在IPS型LCD設備中，像素電極和相對電極之間的水平或 者橫向電場受到鄰近的其他電位的影響，由此改變了電場強度以及導 致了不穩(wěn)定的顯示狀態(tài)。為了改善顯示狀態(tài)，在數據線旁邊配置了屏 蔽公共線。用作像素中的開口的面積變小，以及導致了孔徑比(開口 面積與像素面積的比)降低的問題。
此外，由于數據線不是由像素開口組成的電極，所以用作開口的 面積變得更小，以及進一步降低了孔徑比。

發(fā)明內容
本發(fā)明的示例性目的在于提供一種有源矩陣襯底或者TFT襯底， 其具有改善的孔徑比，以及提供一種具有所述TFT襯底的IPS型LCD 面板。
根據本發(fā)明的示例性方面的有源矩陣襯底包括襯底，形成在襯底 上的柵極線，數據線，形成在襯底上從而與柵極線交叉，公共線，其 形成在大致平行于柵極線延伸的襯底上，像素，形成在由柵極線和數 據線圍繞的區(qū)域中，以及開關元件，形成在柵極線和數據線的交點附 近。像素包括像素電極以及與像素電極交替地布置并連接到數據線的 相對電極。開關元件包括連接到公共線的第一電極，以及連接到像素 電極的第二電極。
根據本發(fā)明的另一方面，面內開關型的液晶顯示面板包括有源矩陣襯底，與該有源矩陣襯底相對的相對襯底，以及夾在所述有源矩陣 襯底和相對襯底之間的液晶。所述有源矩陣襯底包括襯底，形成在襯 底上的柵極線，數據線，其被形成為大致垂直于柵極線，公共線，其 被形成為大致平行于柵極線，像素，形成在由柵極線和數據線圍繞的 區(qū)域中，以及開關元件，形成在柵極線和數據線的交點附近。像素包 括像素電極以及與像素電極交替地布置并連接到數據線的相對電極。 開關元件包括連接到公共線的第一電極，以及連接到像素電極的第二 電極。
根據本發(fā)明的另一方面， 一種制造有源矩陣襯底的制造方法包括 形成包括柵電極的柵極線，大致平行于所述柵極線的公共線，和在襯 底上大致垂直于公共線的像素電極；以及形成大致平行于像素電極并 經過柵電極附近的數據線，連接到數據線并與所述像素電極交替地布 置的相對電極，以及開關元件，具有連接到公共線的第一電極和連接 到像素電極的第二電極。


利用附圖，根據以下詳細說明，本發(fā)明的示例性優(yōu)點和特征將變 得明顯，其中
圖1示出了根據第一示例性實施例的IPS型LCD面板中的TFT 襯底的像素的平面圖2示出了根據第二示例性實施例的IPS型LCD面板中的TFT
襯底的像素的平面圖3示出了根據第三示例性實施例的IPS型LCD面板中的TFT 襯底的像素的平面圖4示出了根據第四示例性實施例的IPS型LCD面板中的TFT 襯底的像素的平面圖5示出了根據第五示例性實施例的IPS型LCD面板中的TFT 襯底的像素的平面圖6示出了根據第六示例性實施例的IPS型LCD面板中的TFT襯底的像素的平面圖7示出了根據第七示例性實施例的IPS型LCD面板中的TFT 襯底的像素的平面圖8示出了現有技術的IPS型LCD面板中的TFT襯底的像素的平
面圖9示出了根據示例性實施例的IPS型LCD面板中的TFT襯底的 制造工序的流程圖；以及
圖10示出了現有技術的IPS型LCD面板中的TFT襯底的制造工 序的流程圖。
具體實施例方式
現在，將參考附圖詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。
示例性實施例1
將參考圖1描述根據第一示例性實施例的有源矩陣襯底以及具有 所述有源矩陣襯底或者TFT襯底的IPS型LCD面板。
LCD設備包括LCD面板以及背光單元，在該LCD面板中，液晶 夾在有源矩陣襯底和相對襯底之間。如圖1所示，該示例性實施例的 有源矩陣襯底(TFT襯底)包括柵極線(掃描線)1，其在圖紙中的 水平方向上延伸，公共線(COM線)2，鄰近并近似平行于柵極線1， 以及數據線(信號線)3，該數據線3在大致垂直于柵極線1的方向上 延伸，TFT6的開關元件，配置在柵極線1和數據線3的交點附近，以 及線形的像素電極4和相對電極5，平行于數據線3，配置在由柵極線 1和數據線3圍繞的區(qū)域中。像素電極4和相對電極5以預定間隔交替 地布置。
在現有技術的TFT襯底中，如圖8所示，相對電極15連接到公 共線12，以及像素電極14通過TFT16連接到數據線13。在現有技術 的TFT襯底中，由于通過來自數據信號的泄漏電場而使得電場強度發(fā)生改變，因此在數據線旁邊配置了屏蔽公共線。由于數據線本身不是 包括開口的電極，因此用作開口的面積變小。相應地，存在孔徑比降 低的問題。
相應地，在該示例性實施例中，TFT 6的一個電極(在該示例性 實施例中，源電極)連接到公共線2，以及其他電極(在該示例性實施 例中，漏電極)連接到像素電極4。相對電極5連接到數據線3。艮口， 公共電壓被施加到像素電極。
以下，將參考圖9具體地描述制造上述結構的TFT襯底的方法。
通過利用濺射方法等在諸如玻璃或者塑料的透明襯底上形成諸如 鉻(Cr)的金屬層(步驟A1)。通過利用光刻蝕法圖案化柵極線1、柵 電極、公共線2以及像素電極4(步驟A2)。
連續(xù)地形成諸如二氧化硅膜或者氮化硅膜的柵極絕緣膜以及諸如 非晶硅或者多晶硅的半導體層，以覆蓋先前圖案化的膜(步驟A3)。隨 后，通過利用光刻蝕法，半導體層被圖案化為預定形狀(步驟A4)。
通過利用濺射法等形成諸如Cr的金屬膜，并通過利用光刻蝕法圖 案化為數據線3、源/漏電極和相對電極5(步驟A5)。
通過利用等離子CDV方法等在金屬膜上形成諸如二氧化硅膜或 者氮化硅膜的鈍化絕緣膜(步驟A6)。隨后，通過利用光刻蝕法在其需 要的位置處形成接觸孔IO(步驟A7)。
在絕緣膜上形成諸如氧化銦錫(ITO)的透明導電膜，以及通過利 用光刻蝕法圖案化為連接，從而通過接觸孔IO將金屬層與金屬膜相連 接(步驟A8)。用于導電的材料不局限于諸如ITO的透明導電膜。在不 使用最上層的情況下，在形成金屬膜之前可以在絕緣膜中形成接觸孔，以及金屬層以及金屬膜可以直接導電連接。在上述TFT襯底的情況下，通過向柵極線l施加導通電壓，連接 到柵極線的TFT 6變?yōu)閷顟B(tài)，以及公共電壓被施加到每一個像素 電極4。通過向數據線3施加與圖像數據相對應的電壓信號，在連接到數 據線3的相對電極5和像素電極4之間產生了電勢差。在像素電極4 和相對電極5通過絕緣膜層疊的存儲電容部分(存儲9)中累積并維持 該電勢差，以及在像素電極4和相對電極5之間的液晶部分的電容中、 在液晶電容中累積并維持該電勢差。像素電極4電氣地與公共線2斷開，并且通過將柵極線1改變到 斷開電壓，像素電極4被轉變?yōu)橄鄬τ谙鄬﹄姌O15的浮置狀態(tài)，在該 浮置狀態(tài)中，通過存儲電容和液晶電容進行電容耦合。當數據線電壓變?yōu)樵摖顟B(tài)時，像素電壓也發(fā)生改變。然而，維持 了相對電極5和像素電極4之間的電勢差，隨后，也維持了施加到液 晶的電壓，以及可以維持利用疊加電壓的方向變化狀態(tài)。公共電壓被施加到像素電極4，以及數據線3和相對電極5處于相 同的電位。即使不配置常規(guī)的屏蔽公共線，數據信號的泄漏電場也不 影響液晶分子的方向。由于數據線3作為相對電極5，因此可以省略其 中一個常規(guī)的相對電極5。可以增大開口的面積，從而改善孔徑比。不必說，圖1是范例。只要像素電極4被形成在與柵極線1和公 共線2相同的層中，以及相對電極5被形成在與數據線3相同的層中， 同時公共線2連接到TFT 6的源電極，像素電極4連接到漏電極，以 及相對電極5連接到數據線3，那么每條線和每個電極的形狀、布置、 數量或者材料都可以適當地改變。'示例性實施例2將參考圖2描述根據第二示例性實施例的有源矩陣襯底以及具有所述有源矩陣襯底的IPS型LCD面板。如圖2所示，像素電極4以及相對電極5由最上層(與柵極線l、 公共線2以及數據線3相比更靠上)的導電膜(透明導電膜，諸如ITO) 制成。在該示例性實施例中，存儲電容包括連接到像素電極4的上部存 儲電極(存儲9的上層側上的電極)以及連接到數據線3的下部存儲 電極(存儲9的下層側上的電極)。相對電極5通過接觸孔10a連接到下部存儲電極，相對電極處于 與數據線3相同的電位。為了在相同層上形成一組相對電極5，在數據 線3上配置形狀與數據線3相同的相對電極5，以及通過接觸孔10b連 接數據線3和相對電極5。公共電壓被施加到像素電極4，同時數據線3和相對電極5處于相 同的電位。即使不配置常規(guī)的屏蔽公共線，數據信號的泄漏電場也不 影響液晶分子的方向。由于數據線3作為相對電極5，因此可以省略其 中一個常規(guī)的相對電極5?？梢栽龃箝_口的面積，從而改善孔徑比。不一定需要由數據線3上的最上層的導電膜制成的相對電極5。最 上層導電膜不局限于諸如ITO的透明導電膜。圖2是一個范例。只要 像素電極4和相對電極5由最上層導電膜制成，以及公共線2和像素 電極4分別連接到TFT 6的源和漏電極，同時相對電極5連接到數據 線3，那么每條線和每個電極的形狀、布置、數量或者材料都可以適當 地改變。示例性實施例3將參考圖3描述根據第三示例性實施例的有源矩陣襯底以及具有 所述有源矩陣襯底的IPS型LCD面板。如圖3所示，像素電極4由最上層(與柵極線1、公共線2和數據 線3相比更靠上)的導電膜(透明導電膜，諸如ITO)制成，而相對電 極5由金屬膜制成。上述像素電極通過接觸孔連接到漏電極。公共電壓被施加到像素電極4，以及數據線3和相對電極5處于相 同電位，即使不配置常規(guī)的屏蔽公共線，來自數據信號的泄漏電場也 不會影響液晶分子的方向。由于數據線3作為相對電極5，因此可以省 略其中一個相對電極5?？梢栽龃箝_口的面積，從而改善孔徑比。相對電極5和下部存儲電極處于相同的層中，接觸孔(圖2中接 觸孔10a和10b)在存儲部分中不是必需的。與第二示例性實施例相比， 可以進一步增大存儲電容和孔徑比。圖3是一個范例。只要像素電極4由最上層導電膜制成，相對電 極5被形成在與數據線3相同的層中，以及公共線2和像素電極4分 別連接到TFT6的源和漏電極，同時相對電極5連接到數據線3，那么 每條線和每個電極的形狀、布置、數量或者材料都可以適當地改變。示例性實施例4將參考圖4描述根據第四示例性實施例的有源矩陣襯底以及具有 所述有源矩陣襯底的IPS型LCD面板。如圖4所示，在第一示例性實施例的結構中，公共線2被配置在 與金屬層不同的層中(在該示例性實施例中，在金屬層和金屬膜之間)。公共電壓被施加到像素電極4,以及數據線3和相對電極5處于相同電位，即使不配置常規(guī)的屏蔽公共線，來自數據信號的泄漏電場也
不會影響液晶分子的方向。由于數據線3作為相對電極5，因此可以省 略其中一個相對電極5。可以增大開口的面積，從而改善了孔徑比。
在該示例性實施例中，TFT 6的源電極和公共線2可以形成在相 同層中，以及可以省略接觸孔(圖1的接觸孔10)?？梢匀菀椎貙崿F 該示例性實施例。
金屬膜可以配置在金屬層的上層中，以及金屬膜可以低于公共線 的下層。圖4是一個范例。只要像素電極4被形成在與公共線2相同 的層中，相對電極5被形成在與數據線3相同的層中，以及公共線2 和像素電極4分別連接到TFT 6的源和漏電極，同時相對電極5連接 到數據線3，那么每條線和每個電極的形狀、布置、數量或者材料都可 以適當地改變。
示例性實施例5
將參考圖5描述根據第五示例性實施例的有源矩陣襯底以及具有 所述有源矩陣襯底的IPS型LCD面板。
如圖5所示，公共線2被配置在與第二示例性實施例中的金屬層 不同的層(在該示例性實施例中，在金屬層和金屬膜之間)中。
公共電壓被施加到像素電極4，以及數據線3和相對電極5處于相 同電位，即使不配置常規(guī)的屏蔽公共線，來自數據信號的泄漏電場也 不會影響液晶分子的方向。由于數據線3作為相對電極5，因此可以省 略其中一個相對電極5?？梢栽龃箝_口的面積，從而改善了孔徑比。
在該示例性實施例中，TFT 6的源電極和公共線2可以形成在相 同的層處，以及可以部分地省略接觸孔。可以容易地實現該示例性實 施例。像素電極和相對電極通過接觸孔分別連接到漏電極和數據線。圖5是一個范例。只要像素電極4和相對電極5形成在最上層中， 以及公共線2和像素電極4分別連接到TFT 6的源和漏電極，同時相 對電極5連接到數據線3，那么每條線和每個電極的形狀、布置、數量 或者材料都可以適當地改變。
示例性實施例6
將參考圖6描述根據所述第六示例性實施例的有源矩陣襯底以及 具有所述有源矩陣襯底的IPS型LCD面板。
如圖6所示，第五示例性實施例的公共線2被縱向連接，并且加 強了 COM電壓電源電容。
由于公共電壓被施加到像素電極4，以及數據線3和相對電極5 處于相同電位，即使不配置常規(guī)的屏蔽公共線，來自數據信號的泄漏 電場也不會影響液晶分子的方向。由于數據線3作為相對電極5，因此 可以省略其中一個相對電極5?？梢栽龃箝_口的面積以改善孔徑比。
圖6是一個范例。只要像素電極4和相對電極5形成在最上層中， 以及公共線2和像素電極4分別連接到TFT 6的源和漏電極，同時相 對電極5連接到數據線3，那么每條線和每個電極的形狀、布置、數量 或者材料都可以適當地改變。
示例性實施例7
將參考圖7描述根據第七示例性實施例的有源矩陣襯底以及具有 所述有源矩陣襯底的IPS型LCD面板。
如圖7所示，公共線2被配置在與第三示例性實施例中的金屬層 不同的層(在該示例性實施例中，在金屬層和金屬膜之間)中。相對 電極通過接觸孔連接到數據線。公共電壓被施加到像素電極4,以及數據線3和相對電極5處于相 同電位，即使不配置常規(guī)的屏蔽公共線，來自數據信號的泄漏電場也 不會影響液晶分子的方向。由于數據線3作為相對電極5，因此可以省 略其中一個相對電極5?？梢栽龃箝_口的面積以改善孔徑比。
在圖7中，盡管為了說明而沒有在數據線3上配置電極，但是也 可以在數據線上布置最上層的電極。圖7是一個范例。只要像素電極4 被形成在與公共線2相同的層中，相對電極5被形成在最上層中，以 及公共線2和像素電極4分別連接到TFT 6的源和漏電極，同時相對 電極5連接到數據線3，那么每條線和每個電極的形狀、布置、數量或 者材料都可以適當地改變。
本發(fā)明不局限于上述示例性實施例，以及像素電極3和相對電極4 可以具有直線形狀?？梢允∪ビ蚍€(wěn)定極7或者反向旋轉防止結構8。在 上述的每個示例性實施例中，TFT6具有反向交錯型(底柵型)，其中 柵電極被布置在半導體層之下而源/漏電極被布置在半導體層之上。然 而，所述TFT也可以具有交錯型(頂柵型)，其中源/漏電極被布置在 半導體層之下而柵電極被布置在半導體層之上。
根據示例性實施例的LCD面板包括夾在上述有源矩陣襯底和相對 襯底之間的液晶。
在示例性實施例中，由于數據線和相對電極處于相同電位，即使 不配置用于電氣地屏蔽數據線的線，來自數據信號的泄漏電場也不會 影響液晶分子的方向。由于數據線作為相對電極，因此可以很大程度 上確保用作開口的面積，從而改善了孔徑比。
根據示例性實施例的有源矩陣襯底和具有所述有源矩陣襯底的 IPS型LCD面板，可以獲得大孔徑比。由于公共電壓被施加在像素電極中，以及數據線和相對電極處于 相同電位，因此來自數據信號的泄漏電場不會干擾液晶分子的方向。 不需要用于電氣地屏蔽數據線的布線。
由于數據線作為相對電極，因此可以省略其中一個相對電極。
可以在很大程度上確保用作像素電極和相對電極之間開口的面 積，由此孔徑比較高并且可以獲得高亮的顯示特性。
盡管已經參考其示例性實施例具體地示出了以及描述本發(fā)明，但 本發(fā)明不局限于這些實施例。應當認為，在不背離如權利要求書中定 義的本發(fā)明的精神和保護范圍的情況下，本領域普通技術人員可以理 解能夠做出各種形式和細節(jié)的變化。
進一步，發(fā)明人意圖是即使在法律程序期間修改權利要求書時也 保留請求保護的本發(fā)明的所有等價物。
權利要求
1. 一種有源矩陣襯底，包括襯底；形成在襯底上的柵極線；數據線，形成在襯底上從而與柵極線相交；公共線，形成在大致平行于柵極線延伸的襯底上；像素，形成在由柵極線和數據線圍繞的區(qū)域中，包括像素電極；以及相對電極，與像素電極交替地布置并連接到數據線；以及開關元件，形成在柵極線和數據線的交點附近，包括連接到公共線的第一電極；以及連接到像素電極的第二電極。
2. 根據權利要求1的有源矩陣襯底，其中所述像素電極形成在與 柵極線和公共線相同的層中，以及相對電極形成在與數據線相同的層中。
3. 根據權利要求1的有源矩陣襯底，其中所述像素電極形成在柵 極線、公共線和數據線上的第一層中，以及所述像素電極通過第一接 觸孔連接到第二電極，以及相對電極形成在柵極線、公共線和數據線上的第二層中，以及通 過第二接觸孔連接到數據線。
4. 根據權利要求3的有源矩陣襯底，進一步包括 第二相對電極，形成在數據線上的第三層中，以及形成在襯底的法線方向上與數據線交疊的第二區(qū)域中。
5. 根據權利要求1的有源矩陣襯底，其中像素電極形成在柵極線、 公共線和數據線上的層中，以及通過接觸孔連接到第二電極，以及相對電極形成在與數據線相同的層中。
6. 根據權利要求1的有源矩陣襯底，其中公共線形成在柵極線上 的層中，像素電極形成在與公共線相同的層中，以及 相對電極形成在與數據線相同的層中。
7. 根據權利要求1的有源矩陣襯底，其中公共線形成在柵極線上的第一層中；像素電極形成在柵極線、公共線和數據線上的第二層中，以及通 過第一接觸孔連接到第二電極，以及相對電極形成在柵極線、公共線和數據線上的第三層中，以及通 過第二接觸孔連接到所述數據線。
8. 根據權利要求7的有源矩陣襯底，其中彼此鄰近的公共線沿著 數據線連接。
9. 根據權利要求l的有源矩陣襯底，其中公共線形成在柵極線上 的第一層中，像素電極形成在與公共線相同的層中，以及相對電極形成在柵極線、公共線和數據線上的第二層中，并通過 接觸孔連接到數據線。
10. —種面內開關型液晶顯示面板，包括 有源矩陣襯底，包括襯底；柵極線，形成在襯底上；數據線，形成為大致垂直于柵極線；公共線，形成為大致平行于柵極線；像素，形成在由柵極線和數據線圍繞的區(qū)域中，包括像素電極；以及相對電極，其與所述像素電極交替地布置并連接到所述數據 線；以及開關元件，形成在柵極線和數據線的交點附近，包括 連接到公共線的第一電極；以及 連接到像素電極的第二電極； 相對襯底，與所述有源矩陣襯底相對；以及 液晶，夾在所述有源矩陣襯底和相對襯底之間。
11. 一種制造有源矩陣襯底的方法，包括-在襯底上形成包括柵電極的柵極線，大致平行于所述柵極線的公 共線，和大致垂直于公共線的像素電極；以及形成大致平行于像素電極并穿過柵電極附近的數據線，連接到數 據線并與所述像素電極交替地布置的相對電極，以及開關元件，該開 關元件具有連接到公共線的第一電極和連接到像素電極的第二電極。
全文摘要
公開了一種有源矩陣襯底，包括襯底，形成在襯底上的柵極線，數據線，形成在襯底上從而與柵極線交叉，公共線，其形成在大致平行于柵極線延伸的襯底上，像素，形成在由柵極線和數據線圍繞的區(qū)域中，以及開關元件，形成在柵極線和數據線的交點附近。像素包括像素電極以及與像素電極交替地布置并連接到數據線的相對電極。開關元件包括連接到公共線的第一電極，以及連接到像素電極的第二電極。
文檔編號G02F1/13GK101286516SQ20081009150
公開日2008年10月15日 申請日期2008年4月11日 優(yōu)先權日2007年4月11日
發(fā)明者佐佐木健 申請人:Nec液晶技術株式會社