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      抑制漏光的色彩模塊的制作方法

      文檔序號:2740954閱讀:214來源:國知局
      專利名稱:抑制漏光的色彩模塊的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及一種色彩模塊與液晶顯示面板,特別涉及一種抑制漏光的色 彩模塊。
      背景技術
      由于互聯(lián)網(wǎng)與無線電通訊技術急遽發(fā)展,筆記本電腦、個人數(shù)字助理、 移動電話、數(shù)碼相機等可攜式信息產品漸漸普及。由于液晶顯示器具有體積 小、重量輕、低耗電量、無輻射污染等優(yōu)點,并順應著這股互聯(lián)網(wǎng)數(shù)字信息 化市場的興起,使得其成為平面顯示器件市場的主流。液晶顯示器主要是以空間混色技術得到全彩化的顯示功能。其背光源的 光線在穿過偏光片后,經由極化而過濾非特定方向的光線,使光線的分子在 能量、相位、頻率和方向上的特性都會相同。極化的光線會穿過液晶,并經 由液晶分子的扭轉而改變極化光線的偏光角度,不同的偏光角度產生出來的 光線強度會不同,再經由彩色濾光片而顯示出各種不同的亮度與不同顏色的像素。其中,彩色光濾光片中用來決定顏色的顏料(pigment)通常會是顆粒 物質,其粒徑大小約幾十到幾百納米。顏料會選擇性吸收部分波長而產生顏 色,但同時也會反射、折射、散色和繞射通過它的極化光,使得極化光產生 部分去極化現(xiàn)象。然而,去極化光經過偏光片會發(fā)生漏光現(xiàn)象,這不僅影響 液晶顯示器的顏色特性,也對液晶顯示器的基本性質如對比值、亮度等有所 影響。因此,在液晶顯示器追求高亮度及高對比值的趨勢下,如何減少彩色濾 光片所產生的暗態(tài)漏光,避免因漏光而影響液晶顯示器的顏色特性,進而提 升液晶顯示器的對比值,是一個刻不容緩的待解決課題。發(fā)明內容有鑒于此,本發(fā)明提出一種抑制漏光的色彩模塊,包含濾光片、配置于濾光片上的偏光片,及配置于偏光片上的光學膜片,其中的光學膜片在第 一波長范圍的全光線透射率為第一透射率,在第二波長范圍的全光線透射率 為第二透射率,且第二透射率小于第一透射率,用以抑制濾光片在第二波長 范圍的漏光。上述抑制漏光的色彩模塊中,該光學膜片可包含至少一個介電膜層。 上述抑制漏光的色彩模塊中,該介電膜層可包含第一介電材料與第二介 電材料,該第一介電材料的折射系數(shù)大于該第二介電材料的折射系數(shù)。上述抑制漏光的色彩模塊中,該第一介電材料可包括MgO, ZnO、 SiNx、SiONx、 Ti02、 ZnSe、 ZnS、 TaOx、 A1203、 TeOx和ITO等其中之一或及其組 合。上述抑制漏光的色彩模塊中,該第一介電材料的厚度可實質上為5nm至 95nm。上述抑制漏光的色彩模塊中,該第一介電材料的厚度可實質上為40nm 至60腿。上述抑制漏光的色彩模塊中,該第二介電材料可包括Si203、MgF2、 Si02、 A1203、 LiF和SiONx等其中之一或及其組合。上述抑制漏光的色彩模塊中,該第二介電材料的厚度可實質上為10nm 至120證。上述抑制漏光的色彩模塊中,該第二介電材料的厚度可實質上為80nm 至100nm。上述抑制漏光的色彩模塊中,該第一波長范圍可實質上為510nrn至 550nm。上述抑制漏光的色彩模塊中,該第一波長范圍可實質上為530nm。 上述抑制漏光的色彩模塊中,該第二波長范圍可實質上為470nrn至 510nm。上述抑制漏光的色彩模塊中,該第二波長范圍可實質上為490nm。 上述抑制漏光的色彩模塊中,該第二波長范圍可實質上為570nrn至 610nm。上述抑制漏光的色彩模塊中,該第二波長范圍可實質上為590nm。 上述抑制漏光的色彩模塊中,該第二透射率可實質上為該第一透射率的90%以下。本發(fā)明能夠提高顯示模塊的對比值。有關本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其效果,現(xiàn)配合


      如后。

      圖1為本發(fā)明的抑制漏光的色彩模塊的示意圖。 圖2為本發(fā)明的光學膜片的結構示意圖。 圖3為本發(fā)明的抑制漏光的方法的流程圖。其中,附圖標記說明如下1 色彩模塊10濾光片 20偏光片 30光學膜片 31透光層 32介電膜層 321第一介電材料 322第二介電材料具體實施方式
      圖1與圖2為本發(fā)明公開的一種抑制漏光的色彩模塊。抑制漏光的色彩 模塊1包含濾光片10、偏光片20、光學膜片30。濾光片IO為由玻璃基板(Glass Substrate)、黑色矩陣(BlackMatrix), 彩色層(Color Layer)、保護層(Over Coat) 、 ITO導電膜等組成的彩色濾 光片(Color filter)。偏光片20貼附于濾光片10上,偏光片20主要由偏光本體與保護層組成, 但并不以此為限。光學膜片30貼附于偏光片20上,光學膜片30包含透光層31與多層介 電膜層32,其中,多層介電膜層32依序堆疊于透光層31上(如圖2),介 電膜層32的數(shù)量優(yōu)選地可為8層至9層,但本發(fā)明不限于此,也可依實際需 求予以調整。此外,光學膜片30在第一波長范圍的全光線透射率為第一透射率,在第二波長范圍的全光線透射率為第二透射率,且第二透射率小于第一 透射率。前述說明的介電膜層32包含第一介電材料321與第二介電材料322,第 一介電材料321的折射系數(shù)大于第二介電材料322的折射系數(shù),此外,第一 介電材料321包括MgO、 ZnO、 SiNx、 SiONx、 Ti02、 ZnSe、 ZnS、 TaOx、 A1203、 TeOx和ITO等其中之一,或是前述材料的組合,優(yōu)選地可為MgO, 其厚度實質上可為5nm至95nm,優(yōu)選地實質上可為40nm至60nm,第二介 電材料322包括Si203、 MgF2、 Si02、 A1203、 LiF和SiONx等其中之一,或 是前述材料的組合,優(yōu)選地可為81203,其厚度實質上可為10nm至120nm, 優(yōu)選地實質上可為80nm至100nm。在此,第一介電材料321、第二介電材 料322的材質、厚度僅是舉例,但本發(fā)明不限于此,也可依實際需求予以改 變或調整。第一波長范圍實質上可為510nm至550nm,優(yōu)選地可為530nm,第二波 長范圍實質上可為470nm至510nm,優(yōu)選地可為490nm,上述各數(shù)值并不以 此為限。第二透射率優(yōu)選地實質上可為第一透射率的90%以下,但不限于此, 依其顯示模塊的設計來決定。當背光源的光線在穿過光學膜片30時產生顏色,并穿過偏光片20在 470nm至510nm發(fā)生漏光,再經由光學膜片30抑制濾光片10在470nm至 510nm所產生的漏光,使得顯示模塊在暗態(tài)的層次表現(xiàn)更為分明清晰,進而 提高顯示模塊的對比值。此外,前述說明的第二波長范圍實質上可為570nm至610nm,優(yōu)選地可 為590nm,但不限于此,即可經由光學膜片30抑制濾光片10在570nm至 610nm所產生的漏光,借此達到提高顯示模塊的對比值的目的。本發(fā)明的抑制漏光的色彩模塊1可應用于液晶顯示面板,依照柵極類型, 則液晶顯示面板包含底柵型、頂柵型、多柵極、或其它類型的柵極。且依液 晶顯示面板的不同結構包含穿透型顯示面板、半穿透型顯示面板、反射型 顯示面板、彩色濾光片于有源層上(color filter on array)的顯示面板、有源 層于彩色濾光片上(array on color filter)的顯示面板、垂直配向型(VA)顯 示面板、水平切換型(IPS)顯示面板、多域垂直配向型(MVA)顯示面板、 扭曲向列型(TN)顯示面板、超扭曲向列型(STN)顯示面板、圖案垂直配向型(PVA)顯示面板、超級圖案垂直配向型(S-PVA)顯示面板、先進大 視角型(ASV)顯示面板、邊緣電場切換型(FFS)顯示面板、連續(xù)焰火狀 排列型(CPA)顯示面板、軸對稱排列微胞型(ASM)顯示面板、光學補償 彎曲排列型(OCB)顯示面板、超級水平切換型(S-IPS)顯示面板、先進超 級水平切換型(AS-IPS)顯示面板、極端邊緣電場切換型(UFFS)顯示面板、 高分子穩(wěn)定配向型顯示面板、雙視角型(dual-view)顯示面板、三視角型 (triple-view)顯示面板、三維顯示面板(three-dimensional)、同時具有不 同顯示介質的顯示面板(hybridtype)、或其它型面板、或上述的組合。 圖3為本發(fā)明公開的一種抑制漏光的方法,包含下列步驟 步驟301:提供濾光片IO。濾光片10為彩色濾光片,主要由玻璃基板、黑色矩陣,彩色層、保護層、 ITO導電膜等所組成。步驟302:配置偏光片20于濾光片10上。 偏光片20主要由偏光本體與保護層所組成,但非以此為限。 步驟303:配置光學膜片30于偏光片20上。光學膜片30包含透光層31與多層介電膜層32,其中,介電膜層32包 含第一介電材料321與第二介電材料322,第一介電材料321的折射系數(shù)大 于第二介電材料322的折射系數(shù),此外,第一介電材料321包括MgO、 ZnO、 SiNx、 SiONx、 Ti02、 ZnSe、 ZnS、 TaOx、 A1203、 TeOx和ITO等其中之一 , 或是前述材料的組合,優(yōu)選地可為MgO,其厚度實質上可為5nm至95nm, 優(yōu)選地實質上可為40nrn至60nm,第二介電材料322包括Si203、MgF2、Si02、 A1203、 LiF和SiONx等其中之一,或是前述材料的組合,優(yōu)選地可為Si203, 其厚度實質上可為10nm至120nm,優(yōu)選地實質上可為80nm至100nm。在 此,第一介電材料321、第二介電材料322的材質、厚度僅是舉例,但本發(fā) 明不限于此,也可依實際需求予以改變或調整。前述說明的多層介電膜層32依序堆疊于透光層31上(如圖2),介電 膜層32的數(shù)量優(yōu)選地可為8層至9層,但本發(fā)明不限于此,也可依實際需求 予以調整。光學膜片30在第一波長范圍的全光線透射率為第一透射率,在第 二波長范圍的全光線透射率為第二透射率,第二透射率小于第一透射率。此 外,第二透射率優(yōu)選地實質上可為第一透射率的卯%以下,但不限于此,依其顯示模塊的設計來決定。當背光源的光線在穿過光學膜片30時產生顏色,并穿過偏光片20在第 二波長范圍發(fā)生漏光,再經由光學膜片30抑制濾光片10在第二波長范圍所 產生的漏光,使得顯示模塊在暗態(tài)的層次表現(xiàn)更為分明清晰,借此達到提高 顯示模塊的對比值的目的。前述說明的以第一波長范圍實質上為510nm至550nm,優(yōu)選地可為 530nm,第二波長范圍實質上可為470nm至510nm,優(yōu)選地可為490nm為實 施范例,但不限于此,在其它實施例中,第二波長范圍實質上可為570nm至 610nm,優(yōu)選地可為590nm,上述各數(shù)值并不以此為限。雖然本發(fā)明的技術內容己經以優(yōu)選實施例公開如上,然而其并非用以限 定本發(fā)明,任何本領域技術人員,在不脫離本發(fā)明的精神所作些許的更動與 修改,均應涵蓋于本發(fā)明的范疇內,因此本發(fā)明的保護范圍應以所附權利要 求為準。
      權利要求
      1. 一種抑制漏光的色彩模塊,包含濾光片;偏光片,配置于該濾光片上;及光學膜片,配置于該偏光片上,該光學膜片在第一波長范圍的全光線透射率為第一透射率,在第二波長范圍的全光線透射率為第二透射率,該第二透射率小于該第一透射率,用以抑制該濾光片于該第二波長范圍的漏光。
      2、 如權利要求1所述的抑制漏光的色彩模塊,其中該光學膜片包含至少 一個介電膜層。
      3、 如權利要求2所述的抑制漏光的色彩模塊,其中該介電膜層包含第一 介電材料與第二介電材料,該第一介電材料的折射系數(shù)大于該第二介電材料 的折射系數(shù)。
      4、 如權利要求3所述的抑制漏光的色彩模塊,其中該第一介電材料包括 MgO, ZnO、 SiNx、 SiONx、 Ti02、 ZnSe、 ZnS、 TaOx、 A1203、 Te(^禾卩ITO 等其中之一或及其組合。
      5、 如權利要求4所述的抑制漏光的色彩模塊,其由該第一介電材料的厚 度實質上為5nm至95nm。
      6、 如權利要求5所述的抑制漏光的色彩模塊,其中該第一介電材料的厚 度實質上為40nm至60nm。
      7、 如權利要求3所述的抑制漏光的色彩模塊,其中該第二介電材料包括 Si203、 MgF2、 Si02、 A1203、 LiF和SiONx等其中之一或及其組合。
      8、 如權利要求7所述的抑制漏光的色彩模塊,其中該第二介電材料的厚 度實質上為10nm至120nrn。
      9、 如權利要求8所述的抑制漏光的色彩模塊,其中該第二介電材料的厚 度實質上為80nm至100nm。
      10、 如權利要求1所述的抑制漏光的色彩模塊,其中該第一波長范圍實 質上為510nm至550nm。
      11、 如權利要求IO所述的抑制漏光的色彩模塊,其中該第一波長范圍實 質上為530nm。
      12、 如權利要求1的抑制漏光的色彩模塊,其中該第二波長范圍實質上 為470nm至510nm。
      13、 如權利要求12的抑制漏光的色彩模塊,其中該第二波長范圍實質上 為490nm。
      14、 如權利要求1的抑制漏光的色彩模塊,其中該第二波長范圍實質上 為570nm至610nm。
      15、 如權利要求14的抑制漏光的色彩模塊,其中該第二波長范圍實質上 為590nm。
      16、 如權利要求1的抑制漏光的色彩模塊,其中該第二透射率實質上為 該第一透射率的90%以下。
      全文摘要
      一種抑制漏光的色彩模塊,包含濾光片;偏光片,配置于濾光片上;及光學膜片,配置于偏光片上,光學膜片在第一波長范圍的全光線透射率為第一透射率,在第二波長范圍的全光線透射率為第二透射率,第二透射率小于第一透射率,用以抑制濾光片在第二波長范圍的漏光。本發(fā)明能夠提高顯示模塊的對比值。
      文檔編號G02B1/10GK101276092SQ200810096238
      公開日2008年10月1日 申請日期2008年5月6日 優(yōu)先權日2008年5月6日
      發(fā)明者廖烝賢, 徐雅玲, 林俊良, 王俊杰, 王英力 申請人:友達光電股份有限公司
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