專利名稱：顯示面板的制造方法及光電裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板的制造方法及包括該顯示面板的光電裝置的 制造方法，尤指一種利用光電偏折層分子的分子轉(zhuǎn)向誘使配向材料表面的分 子呈一配向狀態(tài)，使具有配向狀態(tài)的配向材料聚合而成一配向膜的顯示面板 的制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器利用液晶分子在不同排列狀態(tài)下，對光線具有不同的穿透量 來控制顯示像素的亮度或色彩，進(jìn)而使液晶顯示器得以產(chǎn)生豐富的影像。液 晶顯示器中通常具有配向膜，用以讓鄰近配向膜的液晶分子產(chǎn)生特定配向方 向，以便調(diào)控像素內(nèi)的液晶傾倒方向。傳統(tǒng)最常用的配向方法是在液晶顯示 器未將薄膜晶體管矩陣基板及彩色濾光片基板組裝前，即半成品基板，分別 將配向材料涂布于薄膜晶體管矩陣基板及彩色濾光片基板后，以附有絨毛刷
的滾輪進(jìn)行刷磨來達(dá)到配向的目的，此傳統(tǒng)的配向方法稱為刷磨(rubbing)配 向處理。但刷磨式配向(rubbingalignment)會(huì)造成微塵、應(yīng)力與配向不均等諸 多問題，因此非接觸式的配向處理方式，例如光配向(photoalignment)、離子 束酉己向(ion beam alignment)、等離子束酉己向(plasma beam alignment)等處理， 正在積極發(fā)展。然而，上述多種非接觸式的配向處理方式，仍是分別運(yùn)用于 未將薄膜晶體管矩陣基板及彩色濾光片基板組裝前的液晶顯示器，即半成品 基板上，其中詳細(xì)的制造方法如下所述。
請參考圖1至圖4，圖1至圖4為現(xiàn)有利用光配向法制造多視域液晶面 板的配向膜的方法示意圖，其中圖2為圖1所示的玻璃基板的剖面示意圖。 如圖1與圖2所示，首先提供玻璃基板12，其內(nèi)表面上具有導(dǎo)電層14，且 玻璃基板12上定義有多個(gè)像素區(qū)域16。為了清楚起見，圖1與圖2僅示出 單一像素區(qū)域16作為說明，且部分元件并未同時(shí)示于圖1與圖2中。各像 素區(qū)域16中可進(jìn)一步定義有第一配向區(qū)域18a、第二配向區(qū)域18b、第三配
向區(qū)域18c與第四配向區(qū)域18d，而且玻璃基板12為半成品基板。
接著，于玻璃基板12上涂布一層配向材料20，配向材料20具有可照光 聚合的特性且呈現(xiàn)未配向狀態(tài)。為了于第一配向區(qū)域18a、第二配向區(qū)域18b、 第三配向區(qū)域18c與第四配向區(qū)域18d中分別形成具有不同預(yù)傾角的配向 膜，因此要分別針對位于第一配向區(qū)域18a、第二配向區(qū)域18b、第三配向 區(qū)域18c與第四配向區(qū)域18d中的配向材料20各進(jìn)行一次曝光工藝。如圖1 與圖2所示，第一曝光步驟利用屏蔽層22遮蔽第二配向區(qū)域18b、第三配向 區(qū)域18c與第四配向區(qū)域18d，并暴露出第一配向區(qū)域18a，且利用與玻璃基 板12呈45度夾角的斜向平行光或是偏極光24照射第一配向區(qū)域18a的配 向材料20。
之后如圖3所示，分別依序進(jìn)行第二、第三與第四曝光步驟，各別利用 與玻璃基板12呈135度、225度與315度夾角的斜向平行光或是偏極光24 照射第二配向區(qū)域18b、第三配向區(qū)域18c與第四配向區(qū)域18d的配向材料 20。如圖4所示，由于具有特定方向的斜向平行光或是偏極光24會(huì)引發(fā)配 向材料20的光學(xué)異方性，因此可以誘使配向材料20表面的分子呈現(xiàn)預(yù)定方 向的排列，并且同時(shí)利用斜向平行光或是偏極光24引發(fā)配向材料20產(chǎn)生聚 合反應(yīng)，因此曝光后的配向材料20可形成配向膜26，且配向膜26于第一配 向區(qū)域18a、第二配向區(qū)域18b、第三配向區(qū)域18c與第四配向區(qū)域18d中 分別具有不同的排列方向28。
雖然光配向法可避免刷磨式配向所帶來的微塵、應(yīng)力與配向不均等諸多 問題，但為了提供斜向平行光或是偏極光，光配向機(jī)臺(tái)需要具有精確的透鏡 系統(tǒng)，若要進(jìn)行大面積曝光，則需要使用大口徑透鏡系統(tǒng)來調(diào)整光線行進(jìn)， 然而大口徑透鏡系統(tǒng)往往價(jià)格昂貴，因此用以提供平行光或是偏極光的光學(xué) 系統(tǒng)會(huì)導(dǎo)致昂貴的設(shè)備費(fèi)用。
再者，為了制造多區(qū)域配向的結(jié)構(gòu)，制備單一配向膜就需要進(jìn)行多個(gè)曝 光步驟來提供不同的預(yù)傾角，這不但增加產(chǎn)品制造時(shí)間及復(fù)雜度，且需要額 外的光罩費(fèi)用。此外，由于需要利用圖案化光罩進(jìn)行多次曝光步驟，因此產(chǎn) 品結(jié)構(gòu)亦會(huì)受到曝光精準(zhǔn)度與對位精準(zhǔn)度所局限。再者，光配向法仍是分別 針對半成品基板上的配向膜來加以配向，可避免刷磨式配向所帶來的微塵。 但是，環(huán)境中的微塵仍然無法避免，而可能于組裝液晶顯示器時(shí)，造成其它
的問題，如亮點(diǎn)或暗點(diǎn)等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種顯示面板的制造方法及包括該顯示面 板的光電裝置的制造方法，以形成液晶顯示面板的配向膜，并解決前述現(xiàn)有 技術(shù)中的問題，從而利用該方法有效節(jié)省設(shè)備費(fèi)用。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種顯示面板的制造方法。首先提 供第一基板，且其內(nèi)表面上具有透明電極。之后提供第二基板，相對應(yīng)于第 一基板，且其內(nèi)表面上具有像素電極。接著，覆蓋配向材料于透明電極與像 素電極的至少其中之一，配向材料具有可照光聚合的特性且呈現(xiàn)未配向狀 態(tài)，再提供光電偏折層于第一基板與第二基板之間，光電偏折層不包含可照 光聚合的材料。然后，于透明電極與像素電極上施加電壓差，使光電偏折層 的分子轉(zhuǎn)向，并通過分子轉(zhuǎn)向誘使配向材料表面上的分子呈現(xiàn)配向狀態(tài)。同 時(shí)，對配向材料進(jìn)行曝光工藝，使得具有配向狀態(tài)的配向材料聚合而形成第 一配向膜，并且于不具有電壓差時(shí)，第一配向膜表面上的分子仍具有配向狀 態(tài)。
本發(fā)明提供一種光電裝置的制造方法，其中該光電裝置包括顯示面板， 該顯示面板以上述的顯示面板的制造方法制得。
本發(fā)明的有益技術(shù)效果在于，本發(fā)明可以利用光電偏折層(例如液晶層) 的分子誘向技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)曝光工藝，由于曝光工藝所使用的光線不再需要局 限于平行光或是非偏極光，因而能有效節(jié)省設(shè)備費(fèi)用。
以下為有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說明 用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1至圖4為現(xiàn)有利用光配向法制作多視域液晶面板的配向膜的方法示意圖。
圖5至圖7為本發(fā)明顯示面板的制造方法的較佳實(shí)施例示意圖。
圖8與圖9為本發(fā)明顯示面板的制造方法的另一較佳實(shí)施例示意圖。
圖10為本發(fā)明顯示面板的制造方法的另一較佳實(shí)施例示意圖。
圖11為本發(fā)明光電裝置的制造方法的較佳實(shí)施例示意圖。
圖12為根據(jù)本發(fā)明方法所制造的配向膜的反應(yīng)時(shí)間測試結(jié)果的比較表( 其中，附圖標(biāo)記說明如下
12玻璃基板
16像素區(qū)域
18b第二配向區(qū)域
18d第四配向區(qū)域
22屏蔽
26配向膜
102第一基板
106第二基板
IIO配向材料
114第一配向膜
130光線
210條狀電極部
216第二配向膜
218b第二配向區(qū)域
218d第四配向區(qū)域
220b第二方向
220d第四方向
300顯示面板
410電子裝置
14導(dǎo)電層
18a第一配向區(qū)域
18c第三配向區(qū)域
20配向材料
24偏極光
28排列方向
104透明電極
108像素電極
112光電偏折層
116第二配向膜
208圖案化像素電極
214第一配向膜
218a第一配向區(qū)域
218c第三配向區(qū)域
220a第一方向
220c第三方向
316第二配向膜
400光電裝置
V電壓差
具體實(shí)施例方式
為使熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文 特列舉本發(fā)明的多個(gè)較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容 及所欲達(dá)到的效果。
請參考圖5至圖7，其為本發(fā)明顯示面板的制造方法的較佳實(shí)施例示意 圖。其中，本發(fā)明的相同的元件或部位沿用相同的附圖標(biāo)記來表示，且附圖 僅以說明為目的，并未依照原尺寸作圖。如圖5所示，首先提供第一基板102，
且其內(nèi)表面上具有透明電極104。之后提供第二基板106，相對應(yīng)于第一基 板102而設(shè)置，且其內(nèi)表面上具有像素電極108。接著，將配向材料110覆 蓋于透明電極104與像素電極108至少其中之一，例如利用涂布工藝將配向 材料110覆蓋于透明電極104與像素電極108至少其中之一上，再于第一基 板102與第二基板106之間提供光電偏折層112。于此時(shí)顯示面板已完成， 可視為成品。也就是說，顯示面板的第一基板102或第二基板106于后續(xù)工 藝中，不用再拆除或不用再組裝上述兩個(gè)基板102、 106。于本發(fā)明中，配向 材料110具有可照光聚合的特性，且此時(shí)配向材料110呈現(xiàn)未配向狀態(tài)，而 光電偏折層112不包含可照光聚合的材料。而于本實(shí)施例中，配向材料110 較佳可分別覆蓋于透明電極104與像素電極108的表面，以同時(shí)利用光電偏 折層112的分子誘向技術(shù)(molecule inducing technology)于第一基板102側(cè)與 第二基板106側(cè)制作配向膜，但不限于此。也就是說，利用光電偏折層112 的分子誘向技術(shù)于第一基板102側(cè)與第二基板106側(cè)其中至少一者上制作配 向膜。
配向材料IIO可包含硅氧類(siloxanematerials)材料，例如聚亞酰胺類 (polyimide, PI)材料，且其材料具有可聚合的基團(tuán)。光電偏折層112可包含 任何可根據(jù)電場或磁場效應(yīng)而偏折轉(zhuǎn)向的材料，且較佳可用以偏折光線的偏 振方向，例如光電偏折層112較佳可以為實(shí)際用于控制像素顯示的液晶顯示 層或是其它液晶層。較佳地，光電偏折層112可包含負(fù)型液晶材料，即介電 各向異性(dielectric anisotropy)為負(fù)的液晶材料，例如包含負(fù)型的絲狀液晶 (nematic liquid crystal; nematic LC)，亦可較佳為負(fù)型絲狀且具有垂直分子排 列的液晶材料，但不限于此。
然后，如圖6所示，于透明電極104與像素電極108上施加電壓而讓透 明電極104與像素電極108之間具有電壓差V，進(jìn)而使光電偏折層112的分 子轉(zhuǎn)向，并通過光電偏折層112的分子轉(zhuǎn)向誘使配向材料IIO表面上的分子 呈現(xiàn)配向狀態(tài)。在施加電壓差V的同時(shí)，對配向材料110進(jìn)行曝光工藝，使 得具有配向狀態(tài)的配向材料110分別于透明電極104與像素電極108上聚合 而形成第一配向膜114與第二配向膜116。
由于本發(fā)明利用光電偏折層112的分子轉(zhuǎn)向誘使配向材料IIO表面上的 分子呈現(xiàn)配向狀態(tài)，因此曝光工藝所使用的光線130不再需要局限于平行光
或是非偏極光，較佳地可利用非平行的紫外光或是非偏極光來照射配向材料
110,但不限于此。本發(fā)明的實(shí)施例所使用的功率實(shí)質(zhì)上小于或等于每秒IOO 毫焦耳(milli-Joule/秒；mJ/s)，例如較佳可利用功率為每秒75至80毫焦耳(mJ/s) 的紫外光照射配向材料110約1至2秒為范例;其中光照射配向材料的時(shí)間， 依配向材料及/或光的功率而定，并沒有特殊限制。此外，配向材料110表面 上的分子排列方向不局限于要與光電偏折層112的分子偏轉(zhuǎn)方向相同，例如 配向材料110表面上的分子排列方向也可以與光電偏折層112的分子偏轉(zhuǎn)方 向相差180度。據(jù)此，本發(fā)明的曝光工藝可以不需要使用平行光或是偏極光 的光學(xué)系統(tǒng)，因而有效節(jié)省設(shè)備費(fèi)用。
曝光工藝中的電壓差V可以為任意值以調(diào)整光電偏折層112的分子轉(zhuǎn) 向。根據(jù)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，為了有效控制光電偏折層112的分子轉(zhuǎn)向而提供較佳 的排列順序與扭轉(zhuǎn)角度，曝光工藝中的電壓差V實(shí)質(zhì)上較佳可大于光電偏折 層于顯示時(shí)的最大驅(qū)動(dòng)電壓的兩倍或兩倍以上，其中，光電偏折層于顯示時(shí) 的最大驅(qū)動(dòng)電壓是指若顯示面板顯示灰階色彩分為0階至255階，則于顯 示面板顯示灰階色彩為第0階或第255階時(shí)，調(diào)整光電偏折層112的分子轉(zhuǎn) 向所需要的電壓差(如像素電極與透明電極所施加的電壓)。例如，當(dāng)光電 偏折層于顯示時(shí)的最大驅(qū)動(dòng)電壓約為5至6伏特時(shí)，曝光工藝中的電壓差V 約可大于10伏特或以上，而較佳可大約介于15至20伏特之間，更佳可大 于25伏特，即約等于2倍或大于2倍以上，但不限于此。施加電壓差V之 后，較佳可以使光電偏折層112的分子扭轉(zhuǎn)角度大于0且小于80度，以提 供配向材料110足夠的預(yù)傾角。
如圖7所示，如此一來，在不具有電壓差V時(shí)，第一配向膜114與第二 配向膜116表面上的分子仍可具有配向狀態(tài)。較佳地，第一配向膜114的配 向方向?qū)嵸|(zhì)上可不同于第二配向膜的配向方向。如前所述，光電偏折層112 較佳可為實(shí)際用于控制像素顯示的液晶顯示層，因此于制作第一配向膜114 與第二配向膜116之后，可接著進(jìn)行面板切割、偏光片貼附于第一基板102 與第二基板106的外表面上等工藝(圖未示)而形成本發(fā)明的顯示面板。此外， 亦可再進(jìn)一步進(jìn)行驅(qū)動(dòng)裝置電連接、組裝等工藝(圖未示)，以形成顯示裝置。
本發(fā)明可利用電極的圖案來輔助控制光電偏折層112的分子轉(zhuǎn)向，也可 更進(jìn)一步利用電極的圖案使光電偏折層112的不同區(qū)域具有不同分子轉(zhuǎn)向，
進(jìn)而控制配向膜的配向方向。請參考圖8與圖9，其為本發(fā)明顯示面板的制 造方法的另一較佳實(shí)施例示意圖。
圖8示出了四種圖案化像素電極的布局實(shí)施例，其中圖8所示的圖案化 像素電極可將像素區(qū)別為多個(gè)區(qū)域，而不同區(qū)域的配向膜可具有不同配向方 向，因此可應(yīng)用至多視域液晶顯示器。如圖8所示，第二基板106上定義有 第一配向區(qū)域218a、第二配向區(qū)域218b、第三配向區(qū)域218c與第四配向區(qū) 域218d，其中第二基板106的像素電極較佳可包含圖案化像素電極208，且 位于不同配向區(qū)域中的圖案化像素電極208較佳可具有不同圖案排列設(shè)計(jì)。 舉例來說，圖案化像素電極208可包含多個(gè)條狀電極部210，而位于第一配 向區(qū)域218a、第二配向區(qū)域218b、第三配向區(qū)域218c與第四配向區(qū)域218d 中的各條狀電極部210可分別朝向第一方向220a、第二方向220b、第三方 向220c與第四方向220d排列，其中條狀電極部210彼此之間則具有多個(gè)狹 縫(圖未示)，但不限于本發(fā)明所述的這四種設(shè)計(jì)，其它可幫助配向的設(shè)計(jì)亦 可適用。
如圖9所示，于透明電極104與圖案化像素電極208上施加電壓而使光 電偏折層112的分子轉(zhuǎn)向，并誘使配向材料110表面上的分子呈現(xiàn)配向狀態(tài)。 由于圖案化像素電極208于第一配向區(qū)域218a、第二配向區(qū)域218b、第三 配向區(qū)域218c與第四配向區(qū)域218d(第一配向區(qū)域218a與第三配向區(qū)域 218c未示于圖9中)內(nèi)具有不同方向的圖案排列設(shè)計(jì)，因此于施加電壓差時(shí)， 位于第一配向區(qū)域218a、第二配向區(qū)域218b、第三配向區(qū)域218c與第四配 向區(qū)域218d內(nèi)的光電偏折層112的分子可具有不同的預(yù)傾方向，進(jìn)而誘使 位于不同配向區(qū)域的配向材料110表面上的分子呈現(xiàn)不同方向的配向狀態(tài)。 在施加電壓差的同時(shí)，亦可對配向材料110進(jìn)行曝光工藝，使得具有配向狀 態(tài)的配向材料110分別于透明電極104與圖案化像素電極208上聚合而形成 第一配向膜214與第二配向膜216，且不同區(qū)域的第一配向膜214與第二配 向膜216可具有不同角度的預(yù)傾角。
于其它實(shí)施例中，本發(fā)明亦可利用其它方法，例如電壓值的不同，來使 光電偏折層112的不同區(qū)域具有不同分子轉(zhuǎn)向，進(jìn)而使不同區(qū)域的配向膜具 有不同配向方向。
前述實(shí)施例利用光電偏折層112的分子誘向技術(shù)同時(shí)于第一基板102側(cè)
與第二基板106側(cè)制作光配向膜，然而本發(fā)明不需局限于此。本發(fā)明可僅于 第一基板102側(cè)或第二基板106側(cè)制作前述的光配向膜，而其相對的基板上 則利用其它方式來制作配向膜，例如光配向膜的相對基板上則以非曝光工藝 來制作配向膜?；蛘弑景l(fā)明亦可以先于第一基板102側(cè)或第二基板106側(cè)其 中之一制作前述的光配向膜，再于相對基板上制作另一個(gè)光配向膜。請參考 圖10，其為本發(fā)明顯示面板的制造方法的另一較佳實(shí)施例示意圖。如圖10 所示，本實(shí)施例的第二基板106較佳包含有覆蓋于像素電極208上的第二配 向膜316，且第二配向膜316于進(jìn)行光電偏折層112的分子誘向步驟與曝光 工藝之前已呈現(xiàn)配向狀態(tài)，且已呈現(xiàn)配向狀態(tài)的第二配向膜316可通過配向 工藝或不通過配向工藝來獲得。
較佳地，第二配向膜316的配向狀態(tài)不通過配向工藝來獲得，其利用第 二配向膜316本身的特性來使得光電偏折層112 (如液晶層)偏折。例如 若光電偏折層112 (如液晶層)為垂直配向模式(vertical alignment mode; VA Mode),則第二配向膜316本身即具有VA模式的特性，使得光電偏折層112 (如:液晶層)鄰近第二配向膜316的分子的長軸實(shí)質(zhì)上垂直于第二配向膜316 的表面，即第二配向膜316本身的特性跟據(jù)光電偏折層112的模式來選用。
次佳地，第二配向膜316的配向狀態(tài)通過配向工藝來獲得，如可利用 非曝光工藝所形成，例如刷磨式配向、離子、中子或原子轟擊等處理。此外， 第一配向膜114的配向方向?qū)嵸|(zhì)上較佳不同于第二配向膜316的配向方向。 之后，于第一基板102的透明電極104上覆蓋配向材料110，再于透明電極 104與像素電極208上施加電壓差V，并通過光電偏折層112的分子轉(zhuǎn)向誘 使配向材料110表面上的分子呈現(xiàn)配向狀態(tài)，同時(shí)，對第一基板102的配向 材料110進(jìn)行曝光工藝，使得具有配向狀態(tài)的配向材料110分別于透明電極 104上聚合而形成第一配向膜214。
再者，由于第二基板106上可具有像素電極108等會(huì)影響光電偏折層112 的排列或轉(zhuǎn)向的元件，像素電極108圖案所產(chǎn)生的電場與表面高度起伏均可 輔助控制光電偏折層112的分子轉(zhuǎn)向，因此前述曝光工藝中亦可省略第二配 向膜316。在第二基板106不具有第二配向膜316的情況下，本發(fā)明也可以 直接利用第二基板106的像素電極108使得施加電壓差V之后的光電偏折層 112的分子能規(guī)則轉(zhuǎn)向至所需的預(yù)傾方向，并利用分子誘向技術(shù)與曝光工藝
獲得光配向膜214。當(dāng)然，若為了協(xié)助像素電極108上方的光電偏折層112 的分子能夠進(jìn)一步轉(zhuǎn)向，可于光電偏折層112填充于第一基板102及第二基 板106之前，將具有與光電偏折層112的特性相同的配向膜覆蓋于像素電極 108上，其相關(guān)步驟、方法或描述為上面所述，不再贅言；或者是，為了協(xié) 助像素電極108上方的光電偏折層112的分子能夠進(jìn)一步轉(zhuǎn)向，可于光電偏 折層112填充于第一基板102及第二基板106之前，將已配向完成的配向膜 覆蓋于像素電極108上，其相關(guān)步驟、方法或描述為上述所述，不再贅言。
于其它實(shí)施例中，前述第二配向膜316亦可設(shè)置于第一基板102的透明 電極104上，再利用光電偏折層112的分子誘向技術(shù)與曝光工藝而于第二基 板106的像素電極108上形成第一配向膜114或第一配向膜214。
與前述實(shí)施例相較之下，本實(shí)施例僅于第二基板106側(cè)制作前述的光配 向膜(即第一配向膜114)，而所制作出的顯示面板呈現(xiàn)的對比度可以比兩側(cè) 基板均采用光配向膜(即第一配向膜114與第二配向膜116)的面板更高，且 本實(shí)施例的顯示面板的液晶關(guān)閉反應(yīng)時(shí)間可以比兩側(cè)基板均采用光配向膜 的顯示面板更短。另一方面，兩側(cè)基板均采用光配向膜的面板的工藝較為簡 單，而所制造出的顯示面板的液晶開啟反應(yīng)時(shí)間可以比僅第二基板106采用 光配向膜的顯示面板更短，較適用于低灰階的液晶顯示器。
另外，本發(fā)明依照彩色濾光片(colorfilter)的位置也可以有不同的變化型 態(tài)。顯示面板的彩色濾光片可形成于第一基板102或第二基板106上(圖未 示)，當(dāng)彩色濾光層在第一基板102上時(shí)，薄膜晶體管陣列層可設(shè)置于第二基 板106上，而與彩色濾光層相對?；蛘?，本發(fā)明亦可將彩色、濾光片與薄膜晶 體管陣列層整合于第二基板106上，如彩色 慮光片設(shè)置于薄膜晶體管陣列 層上(color on array; COA)或者薄膜晶體管陣列層設(shè)置于彩色濾光片上(array on color; AOC)等結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所應(yīng)用的顯示面板亦不需局限于前述結(jié)構(gòu)， 實(shí)際上應(yīng)用的顯示面板可以包含其它元件或裝置以提供所需的顯示效果。
根據(jù)前述的顯示面板的制造方法，本發(fā)明可進(jìn)一步提供一種光電裝置的 制造方法。請參考圖11，其為本發(fā)明光電裝置的制造方法的較佳實(shí)施例示意 圖。如圖11所示，首先可根據(jù)前述各實(shí)施例的方法制造出顯示面板300，接 著將顯示面板300電連接至電子裝置410，以控制顯示面板300的運(yùn)行，經(jīng) 過適當(dāng)?shù)慕M裝進(jìn)而形成光電裝置400。
另外，電子裝置410包括如控制元件、操作元件、處理元件、輸入元 件、存儲(chǔ)元件、驅(qū)動(dòng)元件、發(fā)光元件、保護(hù)元件、感測元件、偵測元件、或
其它功能元件、或前述的組合。而光電裝置400的類型包括可攜式產(chǎn)品(如
手機(jī)、攝影機(jī)、照相機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)、手表、音樂播放器、電子信 件收發(fā)器、地圖導(dǎo)航器、數(shù)字相片、或類似的產(chǎn)品)、影音產(chǎn)品(如影音放 映器或類似的產(chǎn)品)、屏幕、電視、廣告牌、投影機(jī)內(nèi)的面板等。 根據(jù)實(shí)際的測試結(jié)果，本發(fā)明方法所制作的配向膜能有效縮短液晶控制
時(shí)的反應(yīng)時(shí)間。請參考圖12，其為本發(fā)明方法所制造的配向膜的反應(yīng)時(shí)間測 試結(jié)果的比較表。其中，列表的布局設(shè)計(jì)一、二、三、四分別表示，如圖8 所示的四種具有不同布局設(shè)計(jì)的圖案化像素電極的實(shí)施例，且這些實(shí)施例中 的配向膜均采用本發(fā)明的方法來制造配向膜，而測試組一與測試組二的曝光 工藝?yán)蒙鲜鰧?shí)施例所述功率實(shí)質(zhì)上小于或等于每秒100毫焦耳 (milli-Joule/sec)，例如較佳可利用功率為每秒75至80毫焦耳(milli-Joule/sec) 的紫外光照射配向材料110約1至2秒為范例；其中光照射配向材料的時(shí)間，
依配向材料及/或光的功率而定，并沒特殊限制。如圖12所示，例如不論
是曝光1秒還是2秒所制造的配向膜均可有效縮短液晶控制時(shí)的反應(yīng)時(shí)間。
本發(fā)明可以利用光電偏折層(例如液晶層)的分子誘向技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)曝 光工藝，由于曝光工藝所使用的光線不再需要局限于平行光或是非偏極光， 因而有效節(jié)省設(shè)備費(fèi)用。
再者，本發(fā)明可利用圖案化電極等方式使光電偏折層(例如液晶層)的 不同區(qū)域具有不同分子轉(zhuǎn)向，進(jìn)而造成不同區(qū)域的配向膜具有不同配向方 向，因此可利用自動(dòng)曝光制成形成多區(qū)域配向的結(jié)構(gòu)，不但縮短產(chǎn)品制造時(shí) 間、簡化工藝復(fù)雜度、節(jié)省光罩費(fèi)用，且顯示面板的工藝設(shè)計(jì)不須受到前述 曝光工藝的曝光精準(zhǔn)度與對位精準(zhǔn)度所局限。另外，由于本發(fā)明所使用的光 電偏折層可為實(shí)際用于控制像素顯示的液晶顯示層，因此配向膜的制作可以 有效整合于顯示面板的工藝中，不需增加繁復(fù)的工藝步驟。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明的保護(hù)范圍所做的均等 變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1. 一種顯示面板的制造方法，包含以下步驟提供一第一基板，且該第一基板的內(nèi)表面上具有一透明電極；提供一第二基板，該第二基板相與該第一基板相對，且該第二基板的內(nèi)表面上具有一像素電極；于該透明電極與該像素電極至少其中之一上覆蓋一配向材料，該配向材料具有可照光聚合的特性且呈現(xiàn)一未配向狀態(tài)；于該第一基板與該第二基板之間提供一光電偏折層，該光電偏折層不包含可照光聚合的材料；于該透明電極與該像素電極上施加一電壓差，使該光電偏折層的分子轉(zhuǎn)向，并通過分子轉(zhuǎn)向誘使該配向材料表面上的分子呈現(xiàn)一配向狀態(tài)；以及對該配向材料進(jìn)行一曝光工藝，使得具有該配向狀態(tài)的該配向材料聚合而形成一第一配向膜，并且于不具有該電壓差時(shí)，該第一配向膜表面上的分子仍具有該配向狀態(tài)。
2. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該曝光工藝包含利用非平行的 紫外光照射該配向材料。
3. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該曝光工藝包含利用非偏極光 照射該配向材料。
4. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該第二基板具有至少一個(gè)第一配 向區(qū)域與至少一個(gè)第二配向區(qū)域，在施加該電壓差時(shí)，位于該第一配向區(qū)域 與該第二配向區(qū)域內(nèi)的該光電偏折層的分子具有不同的預(yù)傾方向。
5. 如權(quán)利要求4所述的制造方法，其中該像素電極包含至少一個(gè)圖案化 像素電極，且該圖案化像素電極包含多個(gè)條狀電極部，位于該第一配向區(qū)域 中的各條狀電極部朝向一第一方向排列，而位于該第二配向區(qū)域中的各條狀 電極部朝向一第二方向排列，其中所述多個(gè)條狀電極部間具有多個(gè)狹縫。
6. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該曝光工藝中的該電壓差實(shí)質(zhì)上 大于該光電偏折層于顯示時(shí)的一最大驅(qū)動(dòng)電壓的兩倍或兩倍以上。
7. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該曝光工藝之前，該第二基板 包含有一覆蓋于該像素電極上的第二配向膜，且該第二配向膜呈現(xiàn)一配向狀 態(tài)，其中該第二配向膜的該配向狀態(tài)以非曝光工藝或不需配向工藝所形成。
8. 如權(quán)利要求7所述的制造方法，其中該第一配向膜的配向方向?qū)嵸|(zhì)上 不同于該第二配向膜的配向方向。
9. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該曝光工藝之前，該第一基板 與該第二基板分別包含有該配向材料，該配向材料覆蓋于該透明電極與該像素電極上，而該曝光工藝包含使得具有該配向狀態(tài)的配向材料分別于該透明電極與該像素電極上聚合而形成該第一配向膜與一第二配向膜。
10. 如權(quán)利要求9所述的制造方法，其中該第一配向膜的配向方向?qū)嵸|(zhì)上 不同于該第二配向膜的配向方向。
11. 一種光電裝置的制造方法，其中該光電裝置包括顯示面板，該顯示面 板以權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法制得。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種顯示面板的制造方法及光電裝置的制造方法，該顯示面板的制造方法包含提供具有透明電極的第一基板以及具有像素電極的第二基板。接著，覆蓋配向材料于透明電極與像素電極至少其中之一上，再于第一基板與第二基板之間提供光電偏折層。配向材料具有可照光聚合的特性且呈未配向狀態(tài)，而光電偏折層則不含可照光聚合的材料。然后，施加電壓差使光電偏折層的分子轉(zhuǎn)向，并對配向材料進(jìn)行曝光工藝。通過光電偏折層的分子轉(zhuǎn)向誘使配向材料表面上的分子呈配向狀態(tài)，且使配向材料聚合而形成第一配向膜。本發(fā)明可以利用光電偏折層的分子誘向技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)曝光工藝，因而有效節(jié)省設(shè)備費(fèi)用。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101382687SQ20081017396
公開日2009年3月11日 申請日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月31日
發(fā)明者葉麗雅, 吳國華, 吳銘洪, 徐士峰, 楊榮清, 簡維誼 申請人:友達(dá)光電股份有限公司