專利名稱：攝像模塊的制作方法
攝儲塊
相關(guān)申請的交叉引用
本申請基于美國專利法第119條要求韓國專利申請No. 10-2007-0119373 (于2007年11月21日提交)、No. 10-2007-0122755 (于 2007年11月29日提交)、No. 10-2007-0127457 (于2007年12月10曰提 交)、No. 10-2007-0127693 (于2007年12月10日提交)和No. 10-2007-0127694 (于2007年12月10日提交)的優(yōu)先權(quán)，這些申請通過 引用全部結(jié)合于此。
背景技術(shù)：
近來隨著通信技術(shù)和數(shù)字信息處理技術(shù)的t艮，新出現(xiàn)了集成有各種 功能如信息處理和計算、通信、圖像信息輸^/輸出的便攜式終端。
上述便攜式終端的例子有配備有數(shù)字攝像和通信功能的個人數(shù)字助 理(PDA)、具有附加數(shù)字攝像功能的移動電話以及個人多媒體播放器 (PMP )。
另外，由于數(shù)字攝像技術(shù)和信息存儲能力的H高性能數(shù)字攝^#
塊被廣泛安^各種應(yīng)用設(shè)備上。

發(fā)明內(nèi)容
各實施例提供一種攝<1^塊。
在一個實施例中，攝^M^塊包括:透鏡筒；與透鏡單元耦合的支持部 件；圖像傳感器，用于將通過透鏡的光轉(zhuǎn)換成電信號；以及與支持部件耦 合的陶乾板，該陶瓷板具有凹進部分，圖像傳感器插入該凹進部分中。
在另一實施例中，攝^ 塊包括透鏡筒；包括紅外線(IR)截止 濾光器的支持部件，該支持部件與透鏡單元耦合；圖像傳感器，用于將通 過透鏡的光轉(zhuǎn)換成電信號；與支持部件耦合的陶瓷板，該陶瓷板的一個表 面具有第一凹進部分；以及插入到第一凹進部分的圖l象信號處理器(ISP )。
在又一實施例中，攝^^塊包括包括至少一個透鏡的透鏡單元；以及與透鏡單元耦合的陶瓷板;該陶瓷板包括圖像傳感器和IR截止濾光器; 其中，圖像傳感器插入到陶瓷板中。
一個或多個實施例的細節(jié)在附圖和以下說明中進行描述。根據(jù)該說明 和附圖以及根據(jù)權(quán)利要求書，將容易理解其他特征。


圖1到圖3是根據(jù)第一實施例到第三實施例的招WI^塊的側(cè)剖視圖。 圖4是根據(jù)第四實施例的攝H^塊的側(cè)剖視圖。
圖5是陶瓷板的俯視圖。
圖6到圖8是根據(jù)第五實施例到第七實施例的攝#^塊的側(cè)剖視圖。 圖9到圖18是根據(jù)第八實施例到第十七實施例的攝^^塊的側(cè)剖視圖。
圖19到圖25是根據(jù)第十八實施例的攝^ 塊的側(cè)剖視圖和俯視圖。
圖26是根據(jù)第十八實施例的攝^^塊的側(cè)剖視圖。
圖27到圖32是根據(jù)第十九實施例到第二十一實施例的攝^ 塊的側(cè) 剖視圖。
具體實施例方式
在下文中，將參考

根據(jù)各實施例的攝^^塊。
圖l是根據(jù)第一實施例的攝^^塊的側(cè)剖視圖。
如圖1所示，攝^^塊包括透鏡單元20、支持部件30和陶瓷板(PCB)60。
透鏡單元20包括具有透鏡的透鏡筒22和與透鏡筒22耦合的致動器23。
至少一個透鏡21耦合到透鏡筒22，且透鏡21將光收集到圖像傳感 器41。
與透鏡筒22耦合的致動器23通過調(diào)整透鏡21的位置控制焦點，并 實現(xiàn)自動聚焦和光學(xué)變焦功能。壓電器件、步進電動機和音圏電動機 (VCM)被用作致動器23。支持部件30布置在透鏡單元20的底部，且包括紅外線(IR)截止 濾光器31。
陶資板60包括用于將光轉(zhuǎn)換成電信號的圖像傳感器41。
陶資板60包括相互耦合的第一基底60a和第二基底60b，并且通過 高溫共燒陶瓷(HTCC)或低溫共燒陶瓷(LTCC)制造方法制造。
根據(jù)HTCC制造方法，通過陶乾和金屬的共燒方法以高于大約 1300°C的溫度形成基底。根據(jù)LTCC制造方法，通過陶乾和金屬的共燒 方法以大約800°C到大約1000°C的溫度形成基底。
第一基底60a形成的厚度為大約150nm到大約200jim，且第二基底 60b包括大小與圖^象傳感器41的大小相同的孔。該孔穿過要形成圖《象傳 感器41的區(qū)域。
另外，通過將第一基底60a與第二基底60b耦合形成第一凹進部分 101，且圖像傳感器41被插入到第一凹進部分101中。
在該實施例中，第一基底60a和第二基底60b被示出為一層。但是， 第一基底60a和第二基底60b可以通過堆疊多個基底形成，并且在該多個 基底上可以形成電路圖案。
由于陶瓷板60是通過在第一基底60a上形成第二基底60b (其中耦 合有具有孔的一個基底或多個基底)或者將具有孔的已制成的第二基底
60b與第一基底60a耦合形成的，所以圖像傳感器41與第一凹進部分101 的大小對應(yīng)。
在圖像傳感器41安^陶瓷板60上之后，圖像傳感器41的位置是 固定的。
在這里，由于在第一凹進部分IOI的底部布置有粘性材料50a,所以 陶資板60能夠與圖像傳感器41耦合。
粘性材料50a可以由環(huán)氧樹脂形成。
通過將圖像傳感器41插入到陶瓷板60中形成的第一凹進部分101 中，攝^^塊的總高度能夠減小插入到第一凹進部分101中的距離。
此外，由于第一凹進部分101是形成在陶瓷板60中的，所以不需要 附加的傳感器識別標記用于附著圖 <象傳感器41 。
因為圖像傳感器41是插入到陶乾板60中形成的第一凹進部分101中的，所以不會發(fā)生圖像傳感器41的傾斜和移位變化。
此外，在陶瓷板60上形成有第一墊51且在圖像傳感器41上形成有 第二墊52。第一墊51和第二墊52通過第一線55的掩^而相互電連接。
圖2是根據(jù)第二實施例的攝^^塊的側(cè)剖視圖。
在圖l和圖2中，相似的附圖標記表示相似的元件，為了簡潔將省略 其具體i兌明。
如圖2所示，根據(jù)第二實施例的攝#^塊包括透鏡單元20、支持部 件30和陶資板60。
陶乾板60包括相互耦合的第一基底60a和第二基底60b，并且通過 HTCC或LTCC制造方法制造。
第一基底60a形成的厚度為大約150fim到大約200jim，且第二基底 60b包括大小與圖〗象傳感器41的大小相同的孔。該孔穿過要形成圖〗象傳 感器41的區(qū)域。
另外，通過將第一基底60a與第二基底60b耦合形成第一凹進部分 102，圖像傳感器41被插入到第一凹進部分102中。
在這里，第一凹進部分102的高度可以與圖像傳感器41的高度相同。
也就是說，因為在第二基底60b和圖像傳感器41之間沒有高度差， 所以第二基底60b和圖像傳感器41布置在同一平行平面上。
在該實施例中，第一基底60a和第二基底60b被示出為一層。但是， 第一基底60a和第二基底60b可以通過堆疊多個基底形成，并且在該多個 基底上可以形成電路圖案。
由于陶瓷板60是通過在第一基底60a上形成第二基底60b (其中耦 合有具有孔的一個基底或多個基底)或者將具有孔的已制成的第二基底 60b與第一基底60a耦合形成的，所以圖4象傳感器41與第一凹進部分102 的大小對應(yīng)。
在圖像傳感器41安裝在陶瓷板60上之后，圖像傳感器41的位置被 固定。
在這里，在第一凹進部分102的底部布置有粘性材料50b，陶瓷板60 與圖像傳感器41耦合。
粘性材料50b可以由環(huán)氧樹脂形成。由于圖像傳感器41插入到陶瓷板60中形成的第一凹進部分102中， 所以攝^^塊的總高度能夠減小插入到第一凹進部分102中的距離。
此外，由于第一凹進部分102形成在陶瓷板60中，所以不需要附加 的傳感器識別標記用于附著圖4象傳感器41 。
因為圖像傳感器41插入到陶資板60中形成的第一凹進部分102中， 所以不會發(fā)生圖像傳感器41的傾斜和移位變化。
此外，在陶資板60上形成有第一墊51且在圖像傳感器41上形成有 第二墊52。第一墊51和第二墊52通過第一線55的掩^而相互電連接。
圖3是根據(jù)第三實施例的攝^^塊的側(cè)剖視圖。
在圖2和圖3中，相似的附圖標記表示相似的元件，為了簡潔將省略 其具體i兌明。
如圖3所示，形成在陶瓷板60和圖像傳感器41上的第一墊51和第 二墊52可以通過第一傳導(dǎo)帶57相互連接。
也就是說，由于第一凹進部分104的高度與圖像傳感器41的高度相 同，所以在第二基底60b和圖像傳感器41之間沒有高度差，并且第二基 底60b和圖《象傳感器41布置在同一平行平面上。
因為在第二基底60b和圖像傳感器41之間沒有高度差，所以第一墊 51和第二墊52通過第一傳導(dǎo)帶57完全相互連接。
此外，第一墊51和第二塾52之間的距離變短。
如果第 一墊51和第二墊52通過打線結(jié)合(wire bonding)相互連接， 則它們需要在它們之間保持預(yù)定間隔。
但是，根據(jù)該實施例，第一墊51和第二墊52是通過傳導(dǎo)帶而不是打 線結(jié)合相互連接的，所以第一墊51和第二墊52之間的間隔可以減小。
也就是i兌，第一墊51可以移向圖《象傳感器41，而第二墊52可以移 向圖像傳感器41的邊緣。
由于第一墊51和第二墊52之間的間隔減小，所以能夠減小陶瓷板60 的大小。
按照根據(jù)上述第 一到第三實施例的攝^^塊，因為圖像傳感器插入到 陶資;tl^底中形成的凹進部分中，所以攝^^塊的總高度能夠減小凹進部 分的高度。此外，由于凹進部分形成在陶瓷板中，所以不需要附加的傳感器識別 標記用于附著圖像傳感器。
因為圖像傳感器插入到陶瓷板60中形成的凹進部分中，所以不會發(fā) 生圖像傳感器的傾斜和移位變化。
此外，因為在陶瓷板和圖像傳感器之間沒有高度差，所以形成在陶瓷 板上的第一墊通過傳導(dǎo)帶與形成在圖像傳感器上的笫二墊連接。由于在第 一墊和第二墊之間的間隔減小，所以能夠減小陶瓷板的大小。
圖4是根據(jù)第四實施例的攝^^塊的側(cè)剖視圖。圖5是陶瓷板的俯視圖。
在圖3和圖4中，相似的附圖標記表示相似的元件，為了簡潔將省略 其具體i兌明。
如圖4所示，根據(jù)第四實施例的攝^^塊包括透鏡單元20、支持部 件30和陶資板60。
陶瓷板60包括用于將光轉(zhuǎn)換成電信號的圖像傳感器。圖5是陶瓷板 60的俯視圖。
陶資板60包括相互耦合的第一基底60a和第二基底60b，其通過 HTCC或LTCC制造方法制造。
第一基底60a形成的厚度為大約150jim到大約200nm，并且在布置 圖像傳感器41的區(qū)域中形成有至少一個第一孔25。
第一孔25穿過圖像傳感器41下面的第一基底60a。因此，從圖像傳 感器41產(chǎn)生的熱能夠散發(fā)到外部，且能夠防止由熱引起的器件劣化。
在第二基底60b中形成有第二孔。第二孔的大小與與圖傳_傳感器41 相同，并且穿過形成圖4象傳感器41的區(qū)域。
此外，通過將第一基底60a和第二基底60b耦合形成第一凹進部分 104，并且圖4象傳感器41插入到第一凹進部分104中。
在該實施例中，第一基底60a和第二基底60b被示出為一層。但是， 第一基底60a和第二基底60b可以通過堆疊多個基底形成，并且在該多個 基底上可以形成電路圖案。
構(gòu)成第一基底60a的多個基底在其中形成有至少一個孔之后被堆疊。 因此，形成具有第一孔25的第一基底60a。通過在第一基底60a上形成第二基底60b (其中至少一個基底與第二 孑L耦合)或者將具有第二孔的已制成的第二基底60b與第一基底60a耦合， 陶瓷板60具有第一凹進部分104。
在圖像傳感器41安裝在陶瓷板60上之后，圖像傳感器41的位置不變。
在這里，在第一凹進部分104的側(cè)壁布置有粘性材料50d，使得陶瓷 板60與圖像傳感器41耦合。
由于第一孔25布置在第一凹進部分104的下方，所以粘性材料50d 布置在第一凹進部分104的側(cè)壁上以便不阻塞第一孔25。
粘性材料50d可以由環(huán)氧樹脂形成。
由于圖像傳感器41是插入到陶乾板60中形成的第一凹進部分104 中的，所以攝^^塊的總高度能夠減小插入到第一凹進部分104中的距 離。
此外，由于第一凹進部分104形成在陶資板60中，所以不需要附加 的傳感器識別標記用于附著圖《象傳感器41。
此外，由于在陶瓷板60的圖〗象傳感器41所在區(qū)域中形成有至少一 個第一孔25，所以從圖像傳感器41產(chǎn)生的熱能夠歉義到外部。
此外，由于圖像傳感器41插入到陶瓷板60的第一凹進部分104中， 所以不會發(fā)生圖像傳感器41的傾斜和移位變化。
而且，在陶資板60上形成有第一墊51且在圖像傳感器41上形成有 第二墊52。第一墊51和第二墊52通過第一線55的掩^而相互電連接。
圖6是根據(jù)第五實施例的攝^^塊的側(cè)剖視圖。
在圖4和圖6中，相似的附圖標記表示相似的元件，為了簡潔將省略 其具體^兌明。
如圖6所示，根據(jù)第五實施例的攝^^塊包括透鏡單元20、支持部 件30和陶乾板60。
陶乾板60包括第一基底60a和第二基底60b的堆疊層。
第一基底60a形成的厚度為大約150nm到大約200nm，并且在布置 圖《象傳感器41的區(qū)域中形成有至少一個第一孔25。
第一孔25布置在圖像傳感器41下面并穿過第一基底60a。因此，從圖像傳感器41產(chǎn)生的熱能夠散發(fā)到外部，并能夠防止由熱引起的器件劣 化。
在第二基底60b中形成有第二孔。第二孔的大小與與圖像傳感器41 的大小相同，并且穿過形成圖傳_傳感器41的區(qū)域。
此外，通過將第一基底60a和第二基底60b耦合形成第一凹進部分 105，并且圖4象傳感器41插入到第一凹進部分105中。
在這里，第一凹進部分105的高度可以與圖像傳感器41的高度相同。
也就是說，在第二基底60b和圖像傳感器41之間沒有高度差，第二 基底60b和圖像傳感器41布置在同一平行平面上。
在該實施例中，第一基底60a和第二基底60b作為一個層示出。然而， 可以通過堆疊多個基底來形成第一基底60a和第二基底60b，并且可以在 該多個基底上形成電路圖案。
通過在第一基底60a上形成第二基底60b (其中至少一個基底與第二 孔耦合)、或者通過將已經(jīng)制造好的具有第二孔的第二基底60b與第一基 底60a耦合，陶資板60具有第一凹進部分105。
在圖像傳感器41安裝在陶瓷板60上之后，圖像傳感器41的位置不 發(fā)生改變。
另外，在第一凹it部分105的側(cè)壁上布置粘性材料50e，用于將陶瓷 板60與圖像傳感器41耦合。
由于第一孔25布置在第一凹進:部分105下方，因此將粘性材料50e 形成在第一凹進部分105的側(cè)壁上，以1更不阻塞第一孔25。
粘性材料50e可以用環(huán)氧樹脂形成。
由于圖像傳感器41插入到形成在陶瓷板60中的第一凹進部分105 中，因此攝#^塊的總體高度可以減小插入到第一凹進部分105的距離。
另外，由于第一凹進部分105形成在陶瓷板60中，因此附著圖像傳 感器41不需要附加傳感器識別標記。
另夕卜，通it^布置陶瓷板60的圖像傳感器41的區(qū)域內(nèi)形成至少一個 第一孔25，圖像傳感器41產(chǎn)生的熱可以散發(fā)到外部。
由于圖像傳感器41插入到形成在陶瓷板60中的第一凹進部分105 中，因此圖像傳感器41不會出現(xiàn)傾斜和移位變化。另外，在陶瓷板60上形成第一墊51，在圖像傳感器41上形成第二 墊52。因此，第一墊51和第二墊52可以通過第一線55的掩^而彼此電 連接。
圖7是根據(jù)第六實施例的攝#^塊的側(cè)剖視圖。
在圖6和7中，類似的附圖標記表示類似的元件，為了簡要，省略其 詳細描述。
如圖7所示，形成在陶瓷板60和圖像傳感器41上的第一墊51和第 二墊52可以通過傳導(dǎo)帶57彼此電連接。
也就是說，由于第一凹進部分106的高度與圖像傳感器41相同，因 此在第二基底60b和圖像傳感器41之間沒有高度差。因此，第二基底60b 和圖4象傳感器41布置在同一平行平面上。
由于在第二基底60b和圖像傳感器41之間沒有高度差，第一墊51 和第二墊52可以簡單地通過傳導(dǎo)帶57彼此連接。
另外，可以減小第一墊51和第二墊52之間的距離。
如果，第一和第二墊51和52通過打線結(jié)合彼此連接，則需要在它們 之間保持預(yù)定間隔。
然而，在該實施例中，由于第一墊51通過傳導(dǎo)帶57而不是打線結(jié)合 連接到第二墊52，因此可以減小第一墊51和第二墊52之間的間隔。
也就是i兌，第一墊51可以向圖《象傳感器41移動，第二墊52可以向 圖像傳感器41的邊緣移動。
因為第一墊51和第二墊52之間的距離減小，所以陶瓷板60的尺寸 可以減小。
在上述根據(jù)第四至第六實施例的攝^^塊中，通過將圖像傳感器插入 到陶瓷板的凹進部分中，攝<|^塊的總體高度可以減小凹進部分的高度。
另外，由于第一凹進部分形成在陶乾板中，因此附著圖像傳感器不需 要附加傳感器識別標記。
由于圖像傳感器插入到形成在陶瓷板中的第一凹進部分中，因此圖像 傳感器不出現(xiàn)傾斜和移位變化。
另外，通it^要布置陶瓷板的圖像傳感器的區(qū)域內(nèi)形成至少 一個孔， 圖像傳感器產(chǎn)生的熱可以散良到外部。由于在陶瓷板和圖像傳感器之間沒有高度差，陶瓷板上的第 一墊通過 傳導(dǎo)帶電連接到圖像傳感器上的第二墊。另外，由于第一墊和第二墊之間 的間隔減小，因此陶資板的尺寸可以減小。
圖8是根據(jù)第七實施例的攝^^塊的側(cè)剖視圖。
如圖8所示，根據(jù)第七實施例的攝^^塊包括透鏡單元20、支持部 件30和陶資板61。
在圖7和8中，類似的附圖標記表示類似的元件，為了簡要，省略其 詳細描述。
透鏡單元20包括具有透鏡的透鏡筒22和耦合到透鏡筒22的致動器23。
陶瓷板61包括用于將光轉(zhuǎn)換為電信號的圖像傳感器41、以及用于處 理圖像信號的圖像信號處理器(ISP， image signal processor )。
圖像傳感器41布置在紅外線(IR, infrared ray)截止濾光器31和 ISP43之間。
陶瓷板61包括彼此耦合的第 一基底61a和第二基底61b ，通過HTCC 或者LTCC制造方法制造。
第二基底61b包括第一孔。第一孔具有與ISP 43相同或者類似的尺 寸，并且穿過要形成ISP43的區(qū)域。
另外，通過將第一基底61a與第二基底61b耦合而形成第一凹進部分 107，由此可以將ISP43插入到第一凹進:部分107中。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板61的前表面是第一表面61c，其后表 面是第二表面61d時，在第一表面61c上形成第一凹進部分107。
在該實施例中，第一基底61a和第二基底61b作為一個層示出。然而， 可以通過堆疊多個基底來形成第一基底61a和第二基底61b，并且可以在 該多個基底上形成電路圖案。
在陶瓷板61中，在第一基底61a上形成第二基底61b (其中形成具 有第一孔的一個基底或者多個基底)，或者將已經(jīng)制造好的具有第一孔的 第二基底61b耦合到第一基底61a。因此，ISP43具有與第一凹進部分107 相對應(yīng)的尺寸。
在ISP 43安裝在陶瓷板61上之后，ISP 43的位置不發(fā)生改變。在ISP 43上形成間隔物42和圖《象傳感器41。
間隔物42調(diào)節(jié)ISP43和圖像傳感器41之間的間隔。
在ISP 43上形成第一墊51，在陶瓷板61上形成第二墊52。第一墊 51和第二墊52通過第一線55的接合而彼此連接。
另外，在圖《象傳感器41上形成第三墊53，在陶乾板61上形成第四 墊54。第三墊53和第四墊54通過第二線56的^^彼此連接。
就此而言，間隔物42的厚度可以根據(jù)用于將第一墊51電連接到第二 墊52的第一線55的高度而改變，其范圍可以從大約200nm至大約 250,。
另外，在圖像傳感器41和間隔物42之間形成第一粘性材料50g,在 ISP43和間隔物42之間形成第二粘性材料50h。由此，將ISP43掩^到 圖像傳感器41。
此外，在第一凹進部分107的底部上形成第三粘性材料50i，使得ISP 43可以附著到陶瓷板61。
第一至第三粘性材料50g、 50h和50i可以由環(huán)氧樹脂或者雙面帶形成。
圖9是根據(jù)第八實施例的攝^^:的陶瓷板的側(cè)剖視圖。省略了攝像 模塊的透鏡單元20和支持部件30的圖示。
在圖8和9中，類似的附圖標記表示類似的元件，為了簡要，省略其 詳細描述。
陶瓷板62包括彼此耦合的第一基底62a和第二基底62b，通過HTCC 或者LTCC制造方法制造。
第二基底62b包括第二孔。第二孔具有與ISP 43相同或者類似的尺 寸，并且穿過要形成ISP43的區(qū)域。
另夕卜，通過將第一基底62a與第二基底62b耦合而形成第一凹進部分 108，由此ISP43可以插入到第一凹進部分108中。
就此而言，第一凹進部分108的高度與ISP43相同。
也就是說，由于在第二基底62b和ISP 43之間沒有高度差，因此第 二基底62b和ISP43布置在同一平行平面上。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板62的前表面是第一表面62c,其后表面是第二表面62d時，在第一表面62c上形成第一凹進部分108。
在該實施例中，第一基底62a和第二基底62b作為一個層示出。然而， 可以通過堆疊多個基底來形成第一基底62a和第二基底62b，并且可以在 該多個基底上形成電路圖案。
在陶瓷板62中，在第一基底62a上形成第二基底62b (其中形成具 有第二孔的一個基底或者多個基底)，或者將已經(jīng)制造好的具有第一孔的 第二基底62b耦合到第一基底62a。因此，ISP43具有與第一凹進部分108 相對應(yīng)的尺寸。
在ISP43安裝在陶資板62上之后，ISP 43的位置不發(fā)生改變。 在ISP 43上形成圖像傳感器41。
另外，第一墊51和第二墊52可以通過第一傳導(dǎo)帶57彼此電連接， 第三墊53和第四墊54可以通過第二線56的^^彼此電連接。
此外，在圖像傳感器41和ISP 43之間形成第一粘性材料50j，使得 ISP43、圖像傳感器41和陶瓷板62彼此^。
就此而言，雖然在上述的第二實施例中在ISP 43和圖像傳感器41之 間形成粘性材料，但是可以僅在ISP43和陶瓷板62之間布置第一粘性材 料50j。
也就是說，通過在ISP43和圖像傳感器41之間形成間隔，ISP產(chǎn)生 的熱可以散義到外部。
此外，在第一凹進部分108的底部上布置第二粘性材料50k，使得陶 資板62附著到ISP43。
第一和第二粘性材料50j和50k可以由環(huán)氧樹脂或者雙面帶形成。
由于ISP43插入到陶瓷板62的第一凹進部分108中，因此通過減小 形成ISP43的附加空間可以實現(xiàn)纟聶H^塊的小型化。
圖10是根據(jù)第九實施例的攝^^塊的陶瓷板的側(cè)剖視圖。省略了攝 H^塊的透鏡單元20和支持部件30的圖示。
在圖9和10中，類似的附圖標記表示類似的元件，為了簡要，省略 其詳細描述。
陶資板63包括彼此耦合的第 一基底63a和第二基底63b，通過HTCC 或者LTCC制造方法制造。另外，通過將第一基底63a與第二基底63b耦合形成第一凹進部分 109，由此ISP43可以插入到第一凹進部分109中。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板63的前表面是第一表面63c,其后表 面是第二表面63d時，在第一表面63c上形成第一凹進部分109。
就此而言，第一凹進部分109的高度與ISP43相同。
也就是說，在第二基底63b和ISP43之間沒有高度差，第一表面63c 和ISP 43布置在同 一平行平面上。
在該實施例中，第一基底63a和第二基底63b作為一個層示出。然而， 可以通過堆疊多個基底來形成第一基底63a和第二基底63b，并且可以在 該多個基底上形成電路圖案。
在ISP43安裝在陶資板63上之后，ISP43的位置不發(fā)生改變。
另夕卜，ISP43通ittt"陣列(BGA， ball grid array)方式安^^t陶瓷板 63上，使得ISP43通過球59電連接到陶瓷板63。
第三墊53和第四墊54可以通過第二線56的M彼此電連接。
此外，在圖像傳感器41和ISP 43之間形成第一粘性材料501，使得 ISP43、圖像傳感器41和陶瓷板63掩^。
就此而言，雖然在該實施例中在ISP 43和圖傳》傳感器41之間形成粘 性材料，但是可以僅在ISP43和陶瓷板63之間形成第一粘性材料501。
第一粘性材料501可以由環(huán)氧樹脂或者雙面帶形成。
由于ISP43插入到形成在陶瓷板63中的第一凹進部分109中，可以 減小形成ISP43的附加空間。因此，可以實現(xiàn)^WI^塊的小型化。
圖11是根據(jù)第十實施例的攝#^塊的陶瓷板的側(cè)剖視圖。省略了攝 ^^塊的透鏡單元20和支持部件30的圖示。
在圖lO和ll中，類似的附圖標記表示類似的元件，為了簡要，省略 其詳細描述。
陶資板64包括彼此耦合的第一基底64a、第二基底64b和第三基底 64c，通過HTCC或者LTCC制造方法制造。
將第一基底64a、第二基底64b和第三基底64c耦合以形成第二凹進 部分110和第一凹進部分111。圖像傳感器41可以插入到第二凹進部分 110中，ISP43可以插入到第一凹進部分111中。當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板64的前表面是第一表面64d，其后表 面是第二表面64e時，在第一表面64d上形成第二凹進部分110，在第二 凹進部分110下方形成第一凹進部分111。
就此而言，第一凹進部分lll的高度與ISP43相同。
也就是說，插入到第二基底64b中的ISP43與ISP43上的圖像傳感 器41接觸。
在該實施例中，第一、第二和第三基底64a、 64b和64c作為一個層 示出。然而，可以通過堆疊多個基底來形成第一、第二和第三基底64a、 64b和64c，并且可以在該多個基底上形成電路圖案。
在ISP43安裝在陶資板64上之后，ISP43的位置不發(fā)生改變。
另外，ISP43通過BGA方式安裝在陶瓷板64上，使得ISP43通過 球59與陶瓷板64電連接。
第三墊53和第四墊54可以通過第二線56的^^彼此電連接。
此外，在圖像傳感器41和ISP43之間形成第一粘性材料50m，使得 ISP43、圖像傳感器41和陶瓷板64彼此^。
就此而言，雖然在該實施例中在ISP43和圖像傳感器41之間布置了 粘性材料，但是可以僅在ISP 43和陶瓷板64之間布置第一粘性材料50m。
第一粘性材料50m可以由環(huán)氧樹脂或者雙面帶形成。
由于圖像傳感器41插入到形成在陶瓷板64中的第二凹進部分110 中，攝^^塊的總體高度可以減小插入到第二凹進部分110中的距離。
另外，由于ISP 43插入到形成在第二凹進部分110下方的第一凹進 部分111中，因此形成ISP 43的附加空間和攝^^塊的高度可以減小。 因此，可以實現(xiàn)攝^^塊的小型化。
另外，由于第二凹進部分110形成在陶瓷板64中，附著圖傳*傳感器 41不需要附加傳感器識別標記。
由于圖像傳感器41插入到形成在陶瓷板64中的第二凹進部分110 中，圖像傳感器41不發(fā)生傾斜和移位變化。
圖12是根據(jù)第十一實施例的攝#^塊的陶瓷板的側(cè)剖視圖。省略了 攝^^塊的透鏡單元20和支持部件30的圖示。
在圖11和圖12中，類似的附圖標記表示類似的元件，并為求簡潔省略對其詳細說明。
陶資板65包括彼此耦合的第一基底65a、第二基底65b和第三基底 65c,陶資板65通過HTCC或LTCC制造方法來制造。
第一基底65a、第二基底65b和第三基底65c被耦合以形成第二凹進 部分112和第一凹進部分113。圖像傳感器41可插入第二凹進部分112 中，且ISP43可插入第一凹進部分113中。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板65的前表面是第一表面65d，且其后 表面是第二表面65e時，第二凹進部分112形成在第一表面65d上，且第 一凹進部分113形成在第二凹進部分112以下。
就此而言，第一凹進部分113的高度與ISP 43的高度相同，且第二 凹進部分112的高度與圖像傳感器41的高度相同。因此，圖像傳感器41 和第三基底65c布置在同一平行平面上。
在該實施例中，第一、第二和第三基底65a、 65b和65c被示為一層。 然而，第一、第二和第三基底65a、 64b和65c可通過堆疊多個基底形成， 且在該多個基底上可形成電路圖案。
第三墊53和第四墊54通過第二傳導(dǎo)帶58彼此電連接，ISP 43通過 BGA方式安裝在陶資板65上，使得ISP 43通過球59電連接到陶瓷板65 。
另外，第一粘性材料50n布置在圖像傳感器41和ISP43之間，使得 ISP43、圖像傳感器41和陶資板65彼此^^。
在該實施例中，粘性材料布置在ISP43和圖像傳感器41之間，但是 第 一粘性材料50n可僅布置在圖像傳感器41和陶瓷板65彼此接觸的區(qū)域 上。
第一粘性材料50n可由環(huán)氧樹脂或雙面帶形成。
由于圖像傳感器41被插入形成在陶瓷板65中的第二凹進部分112 中，攝#^塊的整個高度可減小插入第二凹進部分112中的距離。
另外，由于在陶資板65和圖像傳感器41之間不存在高度差，因此形 成在陶瓷板65上的第四墊54和形成在圖〗象傳感器41上的第三墊53通過 傳導(dǎo)帶彼此連接。因為第三墊53和第四墊54之間的間隔可減小，所以陶 資板65的尺寸可減小。
而且，由于ISP 43被插入形成在第二凹進部分112以下的第一凹進 部分113中，要形成ISP 43的另外的空間和攝^^塊的高度可減小。因此，可實現(xiàn)攝^^塊的小型化。
另外，由于在陶瓷板65中形成第二凹進部分112,因此不需要另外 的傳感器識別標記附著圖像傳感器41。
由于圖像傳感器41被插入形成在陶瓷板65中的第二凹進部分112 中，因此不會出現(xiàn)圖像傳感器41的傾斜和移位變化。
圖13是根據(jù)第十二實施例的攝^^塊的陶瓷板的側(cè)剖視圖。省略了 攝像漠塊的透鏡單元20和支持部件30的圖示。
在圖12和圖13中，類似的附圖標記表示類似的元件，并為求簡潔省 略對其詳細說明。
陶瓷板66包括彼此耦合的第一基底66a、第二基底66b和第三基底 66c，并且陶乾板66通過HTCC和LTCC制造方法來制造。
第一基底66a、第二基底66b和第三基底66c被耦合以形成第二凹進 部分114和第一凹進部分115。圖4象傳感器41可插入第二凹進部分114 中，且ISP43可插入第一凹進部分115中。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板66的前表面是第一表面66d且其后表 面是第二表面66e時，第二凹進部分114形成在第一基底66d上，且第一 凹進部分115形成在第二凹進部分114以下。
就此而言，第一凹進部分115的高度與ISP 43的高度相同，且第二 凹進部分114的高度與圖像傳感器41的高度相同。因此，圖像傳感器41 和第一表面66d布置在同一平行平面上。
在該實施例中，第一、第二和第三基底66a、 66b和66c示為一層。 然而，第一、第二和第三基底66a、 66b和66c可以通過堆疊多個差^底而 形成，且在該多個基底上可形成電路圖案。
第一墊51和第二墊52通過第一傳導(dǎo)帶57彼此連接，且第三墊53 和第四墊54通過第二傳導(dǎo)帶58彼此連接。
另外，第一粘性材料50o布置在圖像傳感器41和ISP43之間，且第 二粘性材料50p布置在ISP43和陶瓷板66之間。因此，ISP43、圖像傳 感器41和陶資板66彼此接合。
盡管在第六實施例中粘性材料布置在ISP43和圖像傳感器41之間， 第 一粘性材料50o可僅形成在圖像傳感器41和陶資板66彼此接觸的區(qū)域 上。第一和第二粘性材料50o和50p可由環(huán)氧樹脂或雙面帶形成。
由于圖像傳感器41被插入形成在陶瓷板66中的第二凹進部分114 中，因此攝^^塊的整個高度可減小插入第二凹進部分114中的距離。
另外，由于在第三基底66c和圖像傳感器41之間以及在第二基底66b 和ISP 43之間不存在高度差，因此第二墊52和第四墊54分別通過第一 和第二傳導(dǎo)帶57和58電連接到形成在陶資板66中的第一墊51和第二墊 52。
由于第一墊51和第二墊52之間的間隔以及第三墊53和第四墊54 之間的間隔減小，因此陶瓷板65的尺寸可減小。
而且，因為ISP 43被插入形成在第二凹進部分114以下的第一凹進 部分115中，所以可減小要形成ISP43的另外的空間和攝^b^塊的高度。 因此，可實現(xiàn)攝^ 塊的小型化。
另外，因為第二凹進部分114形成在陶資板66中，所以不需要另外 的傳感器識別標記附著圖像傳感器41。
由于圖像傳感器41被插入形成在陶瓷板66中的第二凹進部分114 中，因此不會出現(xiàn)圖像傳感器41的傾斜和移位變化。
圖14是根據(jù)第十三實施例的攝^^塊的陶瓷板的側(cè)剖視圖。省略了 攝^^塊的透鏡單元20和支持部件30的圖示。
在圖13和圖14中，類似的附圖標記表示類似的元件，且為求簡潔省 略其詳細說明。
陶乾板67包括彼此耦合的第一基底67a、第二基底67b和第三基底 67c，且陶瓷板67通過HTCC或LTCC制造方法來制造。
第一基底67a、第二基底67b和第三基底67c被耦合以形成第二凹進 部分116和第一凹進部分117。圖像傳感器41可插入第二凹進部分116 中，且ISP43可插入笫一凹進部分117中。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板67的前表面是第 一表面67d且其后表 面是第二表面67e時，第二凹進部分116形成在第一表面67d上，且第一 凹進部分117形成在第二表面67e上。
在該實施例中，第一、第二和第三基底67a、 67b和67c示為一層。 然而，第一、第二和第三基底67a、 67b和67c可通過堆疊多個基底而形 成，且在該多個基底上可形成電路圖案。第一墊51和第二墊52通過第一線55彼此電連接，且第三墊53和第 四墊54通過第二線56彼此電連接。
第一粘性材料50q形成在第二凹進部分116的底部以將圖〗象傳感器 41與陶資板67接合，第二粘性材料50r形成在第一凹進部分U7的底部 以將ISP 43與陶瓷板67掩^。
第一和第二粘性材料50q和50r可由環(huán)氧樹脂或雙面帶形成。
攝^^塊的整個高度可減小圖像傳感器41和ISP43插入形成在陶瓷 板67中的第二凹進部分116和第一凹進部分117中的距離。
另夕卜，由于ISP43被插入第一凹進部分117中，可減小要形成ISP43 的另外的空間和攝^^塊的高度。因此，可實現(xiàn)攝<|^塊的小型化。
而且，由于第二凹進部分116形成在陶瓷板67中，因此不需要另外 的傳感器識別標記附著圖《象傳感器41。
由于圖像傳感器41被插入形成在陶瓷板67中的第二凹進部分116 中，因此不會出現(xiàn)圖像傳感器41的傾斜和移位變化。
圖15是根據(jù)第十四實施例的攝H^塊的陶瓷板的側(cè)剖視圖。省略了 攝^^塊的透鏡單元20和支持部件30的圖示。
在圖14和圖15中，類似的附圖標記表示類似的元件并為求筒潔省略 對其詳細說明。
陶乾板68包括彼此耦合的第一基底68a和第二基底68b，且陶資板 68通過HTCC或LTCC制造方法來制造。
第一基底68a和第二基底68b被耦合以形成第一凹進部分118。 ISP 43 可被插入第一凹進部分118中。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板68的前表面是第一表面68c且其后表 面是第二表面68d時，第一凹進部分118形成在第二表面68d上。
在該實施例中，第一基底68a和第二基底68b示為一層。然而，第一 基底68a和第二基底68b可通過堆疊多個基底而形成，且在該多個基底上 可形成電路圖案。
第三墊53和第四塾54通過第二線56彼此電連接。而且，ISP43通 過BGA方式安裝在陶乾板68上，使得ISP43通過球59電連接到陶乾板 68。而且，第一粘性材料50s形成在圖像傳感器41的底部，使得圖像傳 感器41掩^到陶瓷板68。
第一粘性材料50s可由環(huán)氧樹脂或雙面帶形成。
因為ISP 43被插入第一凹進部分118，所以可減小要形成ISP 43的 另外的空間和攝^^塊的高度。因此，可實現(xiàn)攝#^塊的小型化。
圖16是根據(jù)第十五實施例的攝H^塊的陶瓷板的側(cè)剖視圖。省略了 攝^t^塊的透鏡單元20和支持部件30的圖示。
在圖15和16中，類似的附圖標記表示類似的元件，且為求簡潔省略 對其詳細說明。
陶瓷板69包括彼此耦合的第一基底69a、第二基底69b和第三基底 69c，且陶瓷板69通過HTCC或LTCC制造方法來制造。
第一基底69a、第二基底69b和第三基底69c耦合以形成第二凹進部 分119和第一凹進部分120。圖l象傳感器41可插入第二凹進部分119中， 且 ISP43可插入第一凹進部分120中。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板69的前表面是第一表面69d且其后表 面是第二表面69e時，第二凹進部分119形成在第一表面69d上，且第一 凹進部分120形成在第二表面69e上。
在該實施例中，第一、第二和第三基底69a、 69b和69c示為一層。 然而，第一、第二和第三基底69a、 69b和69c可通過堆疊多個基底而形 成，且在該多個基底上可形成電路圖案。
第三墊53和第四墊54通過第二線56彼此電連接，且ISP 43通過 BGA型態(tài)安裝在陶瓷板69上,使得ISP 43通過球59電連接到陶乾板69。
而且，第一粘性材料50t布置在第二凹進部分119的底部，使得圖像 傳感器41接合到陶瓷板69。
第一粘性材料50t可由環(huán)氧樹脂或雙面帶形成。
攝^ 塊的蒼本高度可由于圖像傳感器41和ISP 43插入形成在陶瓷 板69中的第二凹進部分119和第一凹進部分120中的距離而減小。
由于ISP 43被插入第一凹進部分120中，因此可減小要形成ISP 43 的另外的空間和攝^^塊的高度。因此，可實現(xiàn)攝^ 塊的小型化。
另外，由于第二凹進部分119形成在陶瓷板69中，因此不需要另外的傳感器識別標記附著圖像傳感器41。
由于圖像傳感器41被插入形成在陶瓷板69中的第二凹進部分119 中，因此不會出現(xiàn)圖4象傳感器41的傾斜和移位變化。
圖17是根據(jù)第十六實施例的攝^^塊的陶瓷板的側(cè)剖視圖。省略了 攝^^塊的透鏡單元20和支持部件30的圖示。
在圖16和17中，類似的附圖標記表示類似的元件，并為求簡潔省略 對其詳細"i兌明。
陶資板70包括彼此耦合的第一基底70a、第二基底70b和第三基底 70c，并陶瓷板70通過HTCC或LTCC制造方法來制造。
第一基底70a、第二基底70b和第三基底70c被耦合以形成第二凹進 部分121和第一凹進部分122。圖像傳感器41可插入第二凹進部分121 中，且ISP43可插入第一凹進部分122中。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板70的前表面是第一表面70d且其后表 面是第二表面70e時，第二凹進部分121形成在第一表面70d上，且第 一凹進部分122形成在第二表面70e上。
第二凹進部分121的高度與圖像傳感器41的高度相同，第一凹進部 分122的高度與ISP43的高度相同。因此，圖像傳感器41和笫一表面70d 布置在同一平行平面上。ISP43和第二表面70e布置在同一平行平面上。
在該實施例中，第一、第二和第三基底70a、 70b和70c示為一層。 然而，第一、第二和第三基底70a、 70b和70c可通過堆疊多個基底而形 成，且在該多個基底上可形成電路圖案。
第一墊51和第二墊52通過第一傳導(dǎo)帶57彼此電連接，且第三墊53 和第四墊54通過第二傳導(dǎo)帶58彼此電連接。
第一粘性材料50u形成在第二凹進部分121的底部，且第二粘性材料 50v形成在第一凹進部分122的底部，使得陶瓷板70、圖像傳感器41和 ISP43彼此^^。
第一和第二粘性材料50u和50v可由環(huán)氧樹脂或雙面帶形成。
由于圖像傳感器41被插入第二凹進部分121中，因此照相機的整個 高度可減小插入第二凹進部分121的距離。
在陶瓷板70中，由于在圖像傳感器41和第三基底70c之間以;Mt ISP43和第一基底70a之間不存在高度差，因此形成在陶瓷板70中的第二墊 52和第四墊54分別通過第一和第二傳導(dǎo)帶57和58電連接到第一墊51 和第二墊52。
由于第一墊51和第二墊52之間的間隔以及第三墊53和第四墊54 之間的間隔減小，因此陶瓷板70的尺寸可減小。
另外，由于ISP 43被插入第一凹進部分122中，因此可減小要形成 ISP43的另外的空間和攝^^塊的高度。因此，可實現(xiàn)攝^ 塊的小型化。
而且，由于第二凹進部分121形成在陶瓷板70中，因此不需要另外 的傳感器識別標記附著圖像傳感器41。
由于圖像傳感器41被插入形成在陶瓷板70中的第二凹進部分121 中，因此不會出現(xiàn)圖像傳感器41的傾斜和移位變化。
圖18是根據(jù)第十七實施例的攝^^塊的陶資板的側(cè)剖視圖。省略了 攝^^塊的透鏡單元20和支持部件30的圖示。
在圖17和圖18中，類似的附圖標記表示類似的元件，并為求簡潔省 略其詳細說明。
陶資板71包括彼此耦合的第一基底71a、第二基底71b和第三基底 71c，且陶乾板71通過HTCC或LTCC制造方法來制造。
第一基底71a、第二基底71b和第三基底71c被耦合以形成第二凹進 部分123和第一凹進部分124。圖〗象傳感器41可以插入到第二凹進部分 123中，并且ISP43可以插入到第一凹進部分124中。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板71的前表面為第 一表面71d并且其后 表面為第二表面71e時，第二凹進部分123形成在第一表面71d中，并且 第一凹進部分124形成在第二表面71e中。
就此而言，第二凹進部分123的高度與圖像傳感器41相同，并且第 一凹進部分124的高度與ISP43相同。圖像傳感器41和第一表面71d布 置在相同的平行平面上。ISP 43和第二表面71 e布置在相同的平行平面上。
在這個實施例中，第一、第二和第三基底71a、 71b和71c被圖示為 一層。然而，可以通過堆疊多個基底來形成第一、第二和第三基底71a、 71b和71c，并且可以在該多個基底上形成電路圖案。
第三墊53和第四墊54通過第二導(dǎo)電帶58彼此電連接，并且ISP 43 通過BGA方式安裝在陶資板71上，使得ISP43通過球59電連接到陶瓷板71。
第一粘性材料50w形成在第二凹進部分123的底部，使得陶資板71 與圖像傳感器41掩^。
第一粘性材料50w可以由環(huán)氧樹脂或雙面帶形成。
由于圖像傳感器41插入到第二凹進部分123中，所以攝^^塊的總 體高度可以減少插入到第二凹進部分123中的距離。
另外，由于在圖像傳感器41和第三基底71c之間以及在ISP43和第 一基底70a之間沒有高度差，所以陶瓷板71上形成的第四墊54通過第二 導(dǎo)電帶58電連接到第三墊53。
另外，隨著第三墊53和第四墊54之間的間隔變得退化，可以減少陶 資板71的尺寸。
此夕卜，由于ISP43插入到第一凹進部分124中，所以可以減少ISP43 將要形成在其中的另外的空間以及攝^^塊的高度。因此，可以實現(xiàn)攝像 模塊的小型化。
另外，由于第二凹進部分123形成在陶瓷板71中，所以不需要另外 的傳感器識別標記以便附著圖像傳感器41。
由于圖像傳感器41插入到陶瓷板71中形成的第二凹進部分123中， 所以圖像傳感器4i的傾斜和移位變化不^^發(fā)生。
在根據(jù)上述第七至第十七實施例的攝<|^塊中，由于圖像傳感器和 ISP插入到陶瓷板中形成的凹進部分中，所以攝^M^塊的整體高度可以減 少凹進部分的高度。
此外，由于凹進部分形成在陶瓷板中，所以不需要另外的傳感器識別 標記以便附著圖像傳感器。
進而，由于圖像傳感器插入到陶資板中形成的凹進部分中，所以圖像 傳感器的傾斜和移位變化不會發(fā)生。
另外，由于ISP插入到陶瓷板中形成的凹進部分中，所以可以減少 ISP將要形成在其中的另外的空間以及攝^^塊的高度。因此，可以實現(xiàn) 攝^^塊的小型化。
此外，由于在陶瓷板和圖像傳感器之間沒有高度差，所以陶瓷板上形 成的墊通過導(dǎo)電帶連接到圖像傳感器和ISP上形成的塾a而且，由于墊之間的間隔變得減小，所以可以減少陶瓷板的尺寸。
圖19至25是圖示用于制造根據(jù)第十八實施例的攝^ 塊的方法的側(cè) 剖視圖和俯視圖。
如圖19所示，形成包括第一凹進部分125、第二凹進部分126、第三 凹進部分127和第四凹進部分128的陶瓷板72。
陶瓷板72包括彼此耦合的第一基底72a、第二基底72b和第三基底 72c，并且通過HTCC或LTCC制造方法來制造。
第一基底72a包括第一孔和第二孔，它們具有與圖像傳感器和第一外 圍器件相同或類似的尺寸。第一孔和第二孔穿過圖4象傳感器和第一外圍器 件將要形成在其中的區(qū)域。
另夕卜，第三基底72c包括第三孔和第四孔，它們具有與ISP和第二外 圍器件相同或類似的尺寸。笫三孔和第四孔穿過ISP和第二外圍器件將要 形成在其中的區(qū)域。
然后，第一基底72a和第二基底72b被耦合以形成第一凹進部分125 和第二凹進部分126，并且第二基底72b和第三基底72c被耦合以形成第 三凹進部分127和第四凹進部分128。因此，可以形成陶瓷板72。
下一步，當(dāng)耦合到支持部件的陶乾板72的前表面為第一表面72d并 且其后表面為第二表面72e時，第一凹進部分125和第二凹進部分126形 成在第一表面72d中，并且第三凹進部分127和第四凹進部分128形成在 第二表面72e中。
在這個實施例中，第一、第二和第三基底72a、 72b和72c被圖示為 一層。然而，可以通過堆疊多個^^底來形成第一、第二和第三基底72a、 72b和72c，并且可以在該多個基底上形成電路圖案。
如圖20和21所示，圖4象傳感器41、第一外圍器件35a、 ISP43和第 二外圍器件35b安M陶資板72中。
圖20是圖示陶瓷板72的第一表面72d的平面圖。如圖20所示，圖 4象傳感器41布置在第一凹進部分125中，并且第一外圍器件35a布置在 第二凹進部分126中。
圖像傳感器41包括第一墊51,并且陶瓷板72包括第二墊52。
第一外圍器件35a可以包括有源元件、無源元件和驅(qū)動器。圖21是圖示陶乾板72的第二表面72e的平面圖。如圖21所示，ISP 43布置在第三凹進部分127中，并且第二外圍器件35b布置在第四凹進 部分128中。
ISP43包括第三墊53，并且陶乾板72包括第四墊54。
第二外圍器件35b可以包括有源器件和無源器件。
如圖22和23所示，第一墊51和第二墊52通過第一焊料81相互連 接，并且第三墊53和第四墊54通過第二焊料82相互連接。
第一焊料81和第二焊料82可以通過焊接工藝由諸如Au、 Al、 Pb和 Cu之類的材料形成。
由于上述材料用于通過焊接工藝來形成第一焊料81和第二焊料82, 所以如果存在有缺陷的器件，則可以進行維修。
第一墊51和第三墊53可以分別通過第一焊料81和第二焊料82電連 接到陶資板72中形成的第二墊52和第四墊54。
下一步，如圖24和25所示，第一模制材料36a、第二模制材料36b 和第三模制材料36c被形成以覆蓋第一外圍器件35a、第二外圍器件35b 和ISP43。
第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材料36c保護第一 外圍器件35a、第二外圍器件35b和ISP43免受外部的光電子的影響，以 便防止噪聲發(fā)生。
此外，可以增強技術(shù)安全性以防止產(chǎn)品的技術(shù)伕竅泄漏。
就此而言，第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材料36c 可以由不透明絕緣材料形成。
如圖26所示，陶乾板72耦合到透鏡單元20和支持部件30。
就此而言，支持部件30可以耦合到陶資板72的第一表面72d。
圖26是根據(jù)笫十八實施例的攝^^塊的側(cè)剖視圖。
如圖26所示，根據(jù)實施例的攝<|^塊包括透鏡單元20、支持部件30 和陶瓷板72。
貫穿圖1和26,相同的附圖標記指示相同的元件，并且為了簡明起 見，將省略它們的詳細描述。
陶瓷板72包括圖像傳感器41，用于將光轉(zhuǎn)換成電信號；ISP43，用于處理圖4象信號；第一外圍器件35a;以及第二外圍器件35b。而且， 陶瓷板72包括第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材料36c 以覆蓋ISP 43 、第 一外圍器件35a和第二外圍器件35b。
圖像傳感器41布置在IR截止濾光器31和ISP43之間。
陶資板72通it^合第一基底72a、第二基底72b和第三基底72c來 形成，并且通過HTCC或LTCC方法來制造。
當(dāng)耦合到支持部件30的陶瓷板72的前表面為第 一表面72d并且其后 表面為第二表面72e時，陶資板72的第一表面72d包括第一凹進部分125 和第二凹進部分126，并且第二表面72e包括第三凹進部分127和第四凹 進部分128。
圖像傳感器41插入到第一凹進部分125中，并且ISP43插入到第三 凹進部分127中。第一外圍器件35a和第二外圍器件35b插入到第二凹進 部分126和第四凹進部分128中。
就此而言，第一粘性材料50x形成在第一凹進部分125的底部，并且 第二粘性材料50y形成在第三凹進部分127的底部。
第一和第二粘性材料50x和50y可以由環(huán)氧樹脂形成。
插入到第一凹進部分125中的圖4象傳感器41和第一表面72d布置在 相同的平行平面上，并且插入到第三凹進部分127中的ISP 43和第二表 面72e布置在相同的平行平面上。
第一外圍器件35a和第二外圍器件35b可以包括有源元件、無源元件 和驅(qū)動器。
在這個實施例中，第一、第二和第三基底72a、 72b和72c被圖示為 一層。然而，可以通過堆疊多個基底來形成第一、第二和第三基底72a、 72b和72c，并且可以在該多個基底上形成電路圖案。
第一墊51形成在圖像傳感器41上，并且第二墊52形成在陶瓷板72 上，使得第一墊51和第二墊52通過第一焊料81相互電連接。
另外，第三墊53形成在ISP43上，并且第四墊54形成在陶瓷板72 上，使得第三墊53和第四墊54通過第二焊料82相互電連接。
第一焊料81和第二焊料82可以通過焊接工藝由諸如Au、 Al、 Pb和 Cu之類的材料形成。第一模制材料36a形成在第一外圍器件35a上。第二模制材料36b 形成在第二外圍器件35b上。第三模制材料36c形成在ISP 43上。
第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材料36c保護第一 外圍器件35a、第二外圍器件35b和ISP43免受外部的光電子的影響，以 便防止噪聲發(fā)生。
此外，通過使用第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材 料36c，可以增強技術(shù)安全性以防止產(chǎn)品的技術(shù)訣彎泄漏。
就此而言，第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材料36c 可以由不透明絕,料形成。
在根據(jù)第十八實施例的損m^塊中，由于圖像傳感器、ISP和外圍器
件插入到陶資板中，所以可以減少ISP將要形成在其中的另外的空間以及 攝^^塊的高度。可以實現(xiàn)攝<|^塊的小型化。
另夕卜，由于圖像傳感器插入到陶瓷板中的凹進部分中，所以不需要另 外的傳感器識別標記以便附著圖像傳感器。此外，圖像傳感器的傾斜和移 位變化不會發(fā)生。
此外，對圖像傳感器、ISP中形成的墊和陶資板的墊執(zhí)行焊接工藝以 便使它們電連接。因此，如果存在有缺陷的器件，則可以進行維修。
另夕卜通過在外圍器件和ISP上形成模制材料以保護它們免受外部的 光電子的影響，可以防止噪聲發(fā)生。
進而，可以增強技術(shù)安全性以防止產(chǎn)品的技術(shù)詼竅泄漏。
圖27是根據(jù)第十九實施例的攝H^塊的側(cè)剖視圖。
如圖27所示，根據(jù)這個實施例的攝#^塊包括透鏡單元20和陶瓷板60。
透鏡單元20包括具有透鏡21的透鏡筒22和連接到透鏡筒22的致動 器23。
陶瓷板60包括用于將光轉(zhuǎn)換成電信號的圖像傳感器41和IR截止濾 光器31。
由于IR截止濾光器31形成在陶資板60上，所以不需要另外的支持 部件以l更安裝IR截止濾光器31。
因此，可以獲得攝##塊結(jié)構(gòu)的設(shè)計空間。由于該設(shè)計空間，可以改善攝^^塊的耐用性、性能和可靠性。
陶瓷板60通過耦合第一基底60a和第二基底60b來形成，并且通過 HTCC或LTCC方法來制造。
第二基底60b包括具有與圖像傳感器41相同尺寸的孔。該孔穿過圖 像傳感器41將要形成在其中的區(qū)域。
另外，第一基底60a和第二基底60b被耦合以形成第一凹進部分129， 并且圖像傳感器41插入到第一凹進部分129中。
當(dāng)耦合到透鏡單元20的陶瓷板60的前表面為第 一表面60c并且其后 表面為第二表面60d時，第一凹進部分129形成在第一表面60c中。
在這個實施例中，第一基底60a和第二基底60b被圖示為一層。然而， 可以通過堆疊多個基底來形成第一基底60a和第二基底60b，并且可以在 該多個基底上形成電路圖案。
陶瓷板60通過在第一基底60a上形成第二基底60b (其中具有孔的 一個基底或多個差^底^L耦合)或者將具有孔的已經(jīng)制造好的第二基底60b 與第一基底60a耦合，來包括第一凹進部分129。
在圖像傳感器41安裝在陶瓷板60上之后，圖像傳感器41的位置不 會變化。
IR截止濾光器31形成在包括圖像傳感器41的陶瓷板60上。間隔物 33布置在陶瓷板60和IR截止濾光器31之間。
間隔物33調(diào)整陶瓷板60和IR截止濾光器31之間的間隔。
如上所述，由于IR截止濾光器31形成在圖《象傳感器41上，所以圖 4象傳感器41不被污染。
當(dāng)在透鏡的制造期間透鏡中存在雜質(zhì)時，沒有清潔方法。然而，由于 IR截止濾光器31布置在陶瓷板60上，所以通it^E透鏡裝配之后清洗透 鏡，可以去除雜質(zhì)。然后，透鏡單元20可以耦合到陶瓷板60。因此，有 缺陷的攝^^塊的比例可以被最小化。
另外，如果濾光器被污染，則支持部件和致動器必須一起^:破壞。然 而，由于IR截止濾光器31布置在陶瓷板60上，所以如果IR截止濾光 器31被污染，則可以僅更換IR截止濾光器31。因此，其維修變得簡單。
另外，第一墊51形成在圖4象傳感器41上，并且第二墊52形成在陶乾板60上。第一墊51和第二墊52通過第一線55的掩^而相互電連接。
就此而言，間隔物33的厚度才艮據(jù)用于使第一墊51與第二墊52電連 接的第一線55的高度而變化，并且可以比第一線55的高度更厚。
盡管未在附圖中圖示，粘性材料形成在間隔物33上，使得IR截止 濾光器31和陶瓷板60可以接合。
另夕卜，盡管未在附圖中圖示，粘性材料形成在第一凹進部分129的底 部，使得圖像傳感器41和陶瓷板60可以掩^。
粘性材料可以由環(huán)氧樹脂或雙面帶形成。
這個實施例圖示了具有自動聚焦功能的才IWI^塊，其中布置了致動器 23，但是不限于此。亦即，如圖28所示，其中沒有布置致動器23的具有 固定焦距功能的損MI^塊也是可以的。
圖29是根據(jù)第二十實施例的攝^ 塊的側(cè)剖視圖。
貫穿圖27和29，相同的附圖標記指示相同的元件，并且為了筒明起 見，將省略它們的詳細描述。
陶瓷板60包括用于將光轉(zhuǎn)換成電信號的圖像傳感器41和IR截止濾 光器31。
由于IR截止濾光器31布置在陶瓷板60上，所以不需要另外的支持 部件以^f更安裝IR截止濾光器31。
因此，可以獲得攝#*夾結(jié)構(gòu)的設(shè)計空間。由于該設(shè)計空間，可以改 善攝^^塊的耐用性、性能和可靠性。
通it^合第一基底60a與第二基底60b來形成陶資板60，圖像傳感 器41可以插入到通it^合第一基底60a與第二基底60b形成的第一凹進 部分130中。
IR截止濾光器31布置在包括圖像傳感器41的陶乾板60上。
即，因為IR截止濾光器31形成在圖4象傳感器41上，所以圖〗象傳感 器41不被污染。
當(dāng)在制itit鏡期間在透鏡中存在雜質(zhì)時，沒有清潔的方法。然而，因 為將IR截止濾光器31布置在陶瓷板60上，所以在透鏡裝配之后可以通 過清潔透鏡來去除雜質(zhì)。然后，透鏡單元20可以被耦合到陶資板60。因 此,可以使有缺陷的攝^Mt塊的比例最小化。另夕卜，如果濾光器被污染，則支持部件和致動器將一起被破壞。然而，
因為IR截止濾光器31設(shè)置在陶瓷板60上，所以如果IR截止濾光器31 被污染，可以只替換IR截止濾光器31。因此，其修理變得簡單。
另外，在圖像傳感器41上形成第一墊51，并在陶瓷板60上形成第 二墊52。第一墊51和第二墊52經(jīng)由傳導(dǎo)材料59彼此電連接。
就此而言，傳導(dǎo)材料59可以由傳導(dǎo)帶或包括Au、 Al、 Pb和Cu的 焊料形成。
就此而言，IR截止濾光器31安裝在傳導(dǎo)材料59上。
盡管在附圖中沒有示出，可以在IR截止濾光器31和傳導(dǎo)材料59之 間布置粘性材料。
另外，在第一凹進部分130的底部形成粘性材料，使得圖像傳感器 41和陶資板60掩^。
粘性材料可以由環(huán)氧樹脂或雙面帶形成。
本實施例示出了布置有致動器23的具有自動聚焦功能的攝^^塊， 但不局限于此。即，如圖30中所示，沒有布置致動器23的具有固定聚焦 功能的攝^^塊也是可以的。
圖31是根據(jù)第二十一實施例的攝#^塊的側(cè)剖視圖。
在圖27和圖23中，類似的附圖標記代表類似的元件，簡明起見，省 略對它們的詳細說明。
陶瓷板60包括用于將光轉(zhuǎn)換為電信號的圖像傳感器41和IR截止濾 光器31。
因為IR截止濾光器31形成在陶瓷板60上，所以安裝IR截止濾光 器31不需要另外的支持部件。
因此，可以獲得攝^ 塊結(jié)構(gòu)的設(shè)計空間。由于該設(shè)計空間，可以提 高攝^ 塊的耐用性、性能和可靠性。
通過將第 一基底60a與第二基底60b耦合來形成陶瓷板60 ，圖像傳 感器41可以插入到通過耦合第一基底60a與第二基底60b形成的第一凹 進部分130中。
在圖〗象傳感器41上形成IR截止濾光器31。
就此而言，圖像傳感器41包括用于檢測光的單元區(qū)域A、以及布置外圍電路的外圍區(qū)域B。 IR截止濾光器31大于圖像傳感器41的單元區(qū) 域A并小于圖4象傳感器41的整個大小。
即，布置IR截止濾光器31以充分覆蓋圖像傳感器41的單元區(qū)域A。
盡管在附圖中沒有示出，但可以在IR截止濾光器31和圖像傳感器 41的外圍區(qū)域B之間布置粘性材料，使得IR截止濾光器31和圖像傳感 器41彼此耦合。
即，因為IR截止濾光器31布置在圖1象傳感器41上，所以圖4象傳感 器41不被污染。
當(dāng)在制造透鏡期間在透鏡中存在雜質(zhì)時，沒有清潔的方法。然而，因 為IR截止濾光器31布置在陶資板60上，所以在透鏡裝配后可以通過清 潔透鏡來去除雜質(zhì)。然后，透鏡單元20可以耦合到陶瓷板60。因此，可 以使有缺陷的攝^^塊的比例最小化。
另外，如果濾光器被污染，支持器和致動器將一^^被破壞。然而，因 為IR截止濾光器31布置在陶資板60上，所以如果IR截止濾光器31被 污染，可以只替換IR截止濾光器31。因此，其修理變得簡單。
本實施例示出了布置有致動器23的具有自動聚焦功能的^WI^塊， 但不局P艮于此。即，如圖32中所示，沒有布置致動器23的具有固定聚焦 功能的^L^j^塊也是可以的。
因為根據(jù)上述第十九到二十一實施例的攝^^塊，IR截止濾光器31 被布置在陶瓷板60上，所以安裝IR截止濾光器不需要另外的支持部件。
因此，可以獲得攝#^塊結(jié)構(gòu)的設(shè)計空間。由于該設(shè)計空間，可以提 高攝<|^塊的耐用性、性能和可靠性。
此外，因為在圖像傳感器上形成IR截止濾光器，所以可以防止圖像 傳感器被污染。
當(dāng)在透鏡制造期間在透鏡中存在雜質(zhì)時，沒有清除的方法。然而，因 為在陶資板上布置IR截止濾光器，所以在透鏡裝配之后可以通過清潔透 鏡來去除雜質(zhì)。然后，可以將透鏡單元耦合到陶瓷板。因此，可以使有缺 陷的攝4I^塊的比例最小化。
另夕卜，如果濾光器被污染，則支持部件和致動器將一起被破壞。然而， 因為IR截止濾光器31布置在陶資板上，所以如果IR截止濾光器31被 污染，可以只替換IR截止濾光器。因此，其修理變得簡單。在本說明書中對"一個實施例"、"實施例"、"示例性實施例"等的引
用的意思是結(jié)合實施例說明的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至 少一個實施例中。在說明書中各個位置出現(xiàn)這種表達不必都指同 一實施 例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實施例說明特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時，應(yīng)當(dāng)理解為 結(jié)合實施例中的其它實施例實現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員 的理解范圍內(nèi)。
盡管參考許多說明性實施例說明了各實施例，應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù) 人員可以想到許多其它變形例和實施例，其將落入本說明書的原理的實質(zhì) 和范圍內(nèi)。尤其是，可以對說明書、附圖和所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)的主 題組合配置的組成部分和/或配置進行各種改變和變形。除了組成部分和/ 或配置的改變和變形之外，可選用途對于本領(lǐng)域技術(shù)人員也將是明顯的。
權(quán)利要求
1. 一種攝像模塊，包括包括透鏡筒的透鏡單元；耦合到所述透鏡單元的支持部件；用于將通過透鏡的光轉(zhuǎn)換為電信號的圖像傳感器；以及耦合到所述支持部件的陶瓷板，所述陶瓷板具有插入所述圖像傳感器的凹進部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝^^塊，其中，所述陶瓷板通過布置在 所述凹進部分底部的粘性材fl"^合到所述圖像傳感器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝^^塊，其中，在所述陶瓷板上形成第 一墊，并在所述圖〗象傳感器上形成第二墊，所述第一墊和所述第二墊經(jīng)由 線、傳導(dǎo)帶或焊料電連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝^^塊，其中，所述陶瓷板的頂表面和 所述圖像傳感器的頂表面布置在同一平行平面上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝^^塊，其中，所述陶資板在布置所述 圖像傳感器的區(qū)域內(nèi)包括至少一個孔。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的攝^^塊，其中，通過將第一基底與第二 基底耦合來形成所述陶瓷板，并且所述至少一個孔穿過布置在所述圖像傳 感器下方的所述第一基底。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的攝^^塊，其中，在所述凹進部分的側(cè)壁 上布置粘性材料，以便將所述陶瓷板與所述圖像傳感器耦合。
8. —種攝^M^塊，包括 包括透鏡筒的透鏡單元；包括紅外線截止濾光器的支持部件，所述支持部件耦合到所述透鏡單元；用于將通過透鏡的光轉(zhuǎn)換為電信號的圖像傳感器；耦合到所述支持部件的陶瓷板，所述陶瓷板的一個表面具有第一凹進 部分；以及插入到所述第一凹進部分中的圖像信號處理器。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝像模塊，其中，所述圖像傳感器布置在 所述圖像信號處理器和所述紅外線截止濾光器之間，并且在所述圖傳_傳感 器和所述圖《象信號處理器之間布置間隔物。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝^ 塊，其中，具有所述第一凹進部分 的所述一個表面是所述支持部件耦合在所述陶瓷板上的表面或所述陶瓷 板的底表面中的一個。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝^b^塊，其中， 在所述陶瓷板中形成插入所述圖像傳感器的第二凹進部分；以及 所述第一凹進部分形成在所述第二凹進部分的底部。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝#^塊，其中，在所述圖像信號處理器 上形成第一墊，并在所述陶瓷板上形成第二墊，所述第一墊和所述第二墊 經(jīng)由線、傳導(dǎo)帶或焊料電連接，或者以自陣列方式形成所述圖像信號處 理器，以通過所述圖像信號處理器中的球?qū)⑺鰣D像信號處理器和所述陶 瓷板電連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝^^塊，其中，在所述圖像傳感器上形 成第三墊，并在所述陶瓷板上形成第四墊，所述第三墊和所述第四墊經(jīng)由 線掩^、傳導(dǎo)帶或焊料電連接。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝^^塊，其中，所述圖像傳感器的頂表 面和所述陶瓷板的頂表面布置在同一平行平面上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝#^塊，其中，具有所述第一凹進部分 的所述一個表面是所述陶資板的底表面，并且在所述陶瓷板的頂表面中形 成插入所述圖像傳感器的第二凹進部分。
16. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝^^塊，還包括 覆蓋所述圖像信號處理器的第一模制材料；圍繞所述圖<象傳感器和所述圖<象信號處理器插入到所述陶乾板中的 外圍器件；以及覆蓋所述外圍器件的第二模制材料。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的攝#^塊，其中，所述第一和第二模制 材料包括不透明絕緣材料。
18. —種攝^^塊，包括包括至少一個透鏡的透鏡單元；以及耦合到所述透鏡單元的陶資板，所述陶瓷板包括圖像傳感器和紅外線 截止濾光器，其中，所述圖像傳感器插入到所述陶瓷板中。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的攝^M^塊，其中，在所述紅外線截止濾 光器和所述陶瓷板之間形成間隔物，4吏得所述紅外線截止濾光器和所述圖 像傳感器彼此隔開。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的攝像模塊，其中，所述紅外線截止濾光 器大于單元區(qū)域并小于所述圖像傳感器，所述單元區(qū)域檢測所述圖像傳感 器中的光，使得所述紅外線截止濾光器耦合到所述圖像傳感器。
全文摘要
提供了一種攝像模塊。該攝像模塊包括包括透鏡筒的透鏡單元；耦合到透鏡單元的支持部件；用于將經(jīng)過透鏡的光轉(zhuǎn)換為電信號的圖像傳感器；以及耦合到支持部件的陶瓷板，該陶瓷板具有插入圖像傳感器的凹進部分。另一種攝像模塊包括包括透鏡筒的透鏡單元；包括紅外線截止濾光器的支持部件，該支持部件耦合到透鏡單元；用于將經(jīng)過透鏡的光轉(zhuǎn)換為電信號的圖像傳感器；耦合到支持部件的陶瓷板，該陶瓷板的一個表面具有第一凹進部分；以及插入到第一凹進部分中的圖像信號處理器。另一種攝像模塊包括包括至少一個透鏡的透鏡單元；以及耦合到透鏡單元的陶瓷板；該陶瓷板包括圖像傳感器和紅外線截止濾光器；其中圖像傳感器插入到陶瓷板中。
文檔編號G02B7/02GK101441309SQ200810176699
公開日2009年5月27日 申請日期2008年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月21日
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