專利名稱：光學臨近效應修正方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域， OpticalProximity Correction)方法。
尤其涉及光學臨近效應修正(OPC，
背景技術：
在半導體制程中，為將集成電路(IC， Integrated Circuit)的電路圖案轉移至半 導體芯片上，需將集成電路的電路圖案設計為掩膜版圖案，再將該掩膜版圖案從掩膜版表 面轉移至半導體芯片。 然而隨著集成電路特征尺寸縮小，以及受到曝光機臺(OET， Optical E鄧osureTool)的分辨率極限(Resolution Limit)的影響，在對高密度排列的掩膜版圖 案進行曝光制程以進行圖案轉移時，便很容易產(chǎn)生光學臨近效應(0PE， opticalProximity Effect)。例如直角轉角圓形化(Right-angled corner rounded)、直線末端緊縮(Line End Shortened)以及直線線寬增加/縮減(Line Widthlncrease/decrease)等都是常見的光學 臨近效應導致的掩膜版圖形轉移缺陷。 目前業(yè)界通常采用一計算機系統(tǒng)來預先對集成電路的電路圖案進行OPC處理，再 根據(jù)OPC處理后的集成電路的電路圖案制作掩膜版圖案，然后將該掩膜版圖案從掩膜版表 面轉移至半導體芯片，制作集成電路。這樣即使存在上述臨近效應，使得掩膜版圖案和轉 移至半導體芯片上的圖案有偏差，但由于已經(jīng)進行OPC處理，因此減少了所述偏差對集成 電路性能和成品率的不利影響。下面以集成電路的電路圖案中常見的孤立線(Isolated Line)為例說明現(xiàn)有OPC處理方案。 圖1為采用現(xiàn)有OPC方案對孤立線電路圖案進行處理的電路圖案示意圖，結合該 圖，現(xiàn)有0PC處理方案為首先在電路圖案中，在孤立線11臨近處，添加與孤立線ll平行的 散射條12 (SB， Scattering Bar);然后對該電路圖案進行OPC調整。其中圖中標號13代表 孤立線11對應的接觸點(CT， Contact)，在集成電路中，CT 13位于孤立線11所處疊層的上 方疊層，此處理解為其投影。 上述方案雖然調整作用較佳，但由于孤立線ll通常長度大，寬度小，因此在顯影 工藝中容易產(chǎn)生崩塌(peeling)現(xiàn)象，此外在集成電路中，由于CT 13是從孤立線所屬疊層 的上方疊層打孔直至孤立線11上，因此CT 13對應至孤立線11上的位置可能與預定位置 有偏差，造成CT覆蓋(coverage)問題。 為避免上述peeling及CT Coverage的問題，現(xiàn)有解決方案為在電路圖案中，在 孤立線每隔一定長度就局部加粗，形成如圖2所示的孤立線21 ，圖2為采用現(xiàn)有OPC方法對 另一種孤立線電路圖案進行處理的電路圖案示意圖。這個方案雖然能夠避免上述peeling 及CT Coverage的問題，但是該方案至少存在如下問題 —，根據(jù)圖2所示的孤立線21電路圖案，在掩膜版上制作相應的掩膜圖案時，該制 作過程復雜，提高了掩膜版的制作成本； 二，由于孤立線21有多處局部加粗，圖案二維特征顯著，導致OPC矯正的精確度下降，降低OPC矯正的效果，不利于減少光學臨近效應，從而容易降低集成電路的性能和成品 率；以及 三，由于更改孤立線21電路圖案通常需要電路設計方修改，而此時電路圖案已交 給電路制造方，所以修改時需要雙方耗費大量人力物力進行溝通交流，將降低集成電路制 造效率。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供OPC方法，以在避免peeling及CT coverage的問題的基礎上，提高 OPC效率，降低掩膜版成本，以及提高生產(chǎn)效率。 本發(fā)明提出了 OPC方法，該方法包括在包含孤立線的電路圖案中，添加與孤立線 平行的散射條(SB);對該電路圖案進行光學臨近效應修正(OPC)處理；以及在所述平行的 散射條(SB)中最接近孤立線的散射條(SB)上，添加與孤立線垂直的散射條(SB)，其中所述 垂直散射條(SB)的一端位于所述最接近孤立線的散射條(SB)上，另一端指向孤立線對應 的接觸點(CT)在孤立線上的投影。 本發(fā)明通過在包含孤立線的電路圖案中，添加與孤立線平行的散射條；對該電路 圖案進行光學臨近效應修正處理；以及在所述平行的散射條中最接近孤立線的散射條上， 添加與孤立線垂直的散射條，其中所述垂直散射條的一端位于所述最接近孤立線的散射 條上，另一端指向孤立線對應的接觸點在孤立線上的投影，實現(xiàn)了在無需修改孤立線電路 圖案的情況下，將所述接觸點在孤立線上的對應位置加粗，從而在解決了 peeling及CT Coverage的問題的基礎上，避免了現(xiàn)有OPC方案導致的掩膜版成本增加、電路性能和成品 率下降及生產(chǎn)效率降低的問題，提高了提高OPC效率，降低后續(xù)制作掩膜版的成本，以及避 免集成電路制作方與設計方討論修改孤立線圖案耗費大量人力物力資源而降低生產(chǎn)效率 的問題，提高生產(chǎn)效率。


圖1為采用現(xiàn)有OPC方案對孤立線電路圖案進行處理的電路圖案示意圖；
圖2為采用現(xiàn)有OPC方法對另一種孤立線電路圖案進行處理的電路圖案示意圖；
圖3為本發(fā)明實施例提出的OPC方法的流程示意圖； 圖4、圖6及圖8為本發(fā)明各個實施例中實施OPC方案的電路圖案示意圖；
圖5、圖7及圖9為本發(fā)明各個實施例中制作出的孤立線的示意圖。
具體實施例方式
根據(jù)背景技術的描述，現(xiàn)有OPC方案采用更改孤立線圖案的方法雖然避免了 peeling及CT coverage的問題，但也帶來了背景技術提及的至少三個問題，根據(jù)本申請發(fā) 明人的研究，解決peeling及CT coverage的問題的實質在于在后續(xù)顯影等工藝中需實現(xiàn) 孤立線局部加粗，但該局部加粗可以通過其他方式實現(xiàn)，并非一定需要改變電路圖案中孤 立線的圖案。通過本申請發(fā)明人進一步研究發(fā)現(xiàn)，在不改變孤立線電路圖案的情況下，在需 要孤立線加粗的部位，插入相應的垂直于孤立線的SB，就能夠避免peeling及CT coverage 的問題，而且能夠避免背景技術論述至少三個問題。下面將結合附圖，對本發(fā)明實施例的于上述設想，本發(fā)明實施例提出如下OPC方法，以在避免peeling及CTcoverage 的問題的基礎上，提高0PC效率，降低后續(xù)制作掩膜版的成本，以及避免集成電路制作方與 設計方討論修改孤立線圖案耗費大量人力物力資源而降低生產(chǎn)效率的問題，提高生產(chǎn)效率。 圖3為本發(fā)明實施例提出的OPC方法的流程示意圖，結合該圖，該方法包括步驟
步驟l，在包含孤立線的電路圖案中，添加與孤立線平行的SB ;
該步驟中添加的平行SB通常是成對添加的，對稱位于孤立線兩側，以修正光學臨 近效應； 步驟2 ，對該電路圖案進行OPC處理； 步驟3，在所述平行的SB中最接近孤立線的SB上，添加與孤立線垂直的SB，其中 所述垂直SB的一端位于所述最接近孤立線的SB上，另一端指向孤立線對應的接觸點在孤 立線上的投影。 在添加垂直SB后，后續(xù)制作出的孤立線上接觸點投影的位置就會由于垂直SB的 存在而加粗，從而避免peeling及CT coverage的問題，且不會產(chǎn)生現(xiàn)有方案的上述問題。
最接近孤立線的平行SB通常有兩條，分別位于孤立線兩側，因此可以在這兩條平 行SB上均添加垂直SB，也可以在這兩條平行SB中的任意一條上添加垂直SB。
孤立線對應的接觸點(CT)通常有多個，為避免peeling及CT coverage,并不一定 需要在對應每一個接觸點都添加垂直的SB，因此可以是對于孤立線對應的全部接觸點，均 對應添加垂直的SB，也可以是對于孤立線對應的部分接觸點，對應添加所述垂直的SB。
另外垂直SB的長度通常根據(jù)孤立線需要加粗的程度來確定，而加粗的程度可以 根據(jù)孤立線尺寸、接觸點尺寸、孤立線所屬電路圖案及工藝狀況等因素來確定，因此垂直SB 的長度就可以根據(jù)上述因素確定，其確定方式可以是給定初始長度，然后通過計算機系統(tǒng) 模擬計算來判斷該初始長度是否合適，在不合適的情況下繼續(xù)調整，直至合適為止；也可以 是根據(jù)經(jīng)驗數(shù)據(jù)給定初始長度，然后據(jù)此進行制造集成電路樣品，通過判斷樣品是否合適 來調整初始長度，直至合適為止。 以通過模擬計算確定垂直SB的長度為例，其確定步驟可以包括
步驟al ，選定垂直SB的初始長度； 步驟a2，在根據(jù)該初始長度添加垂直SB后，對孤立線所屬電路圖案進行相應模擬 計算； 步驟a3，根據(jù)計算結果，判斷電路圖案是否滿足預定條件，所述預定條件由孤立線 寬度、接觸點尺寸、孤立線所屬電路圖案及工藝狀況確定；如果滿足，轉到步驟a4，否則轉 到步驟a5 ; 步驟a4，將該初始長度作為所述垂直SB的長度；
步驟a5，調整選定的初始長度，轉到步驟al。 下面將參照附圖對本發(fā)明進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例， 但應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因 此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能
5和結構，因為它們會是本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開 發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的 限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費 時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規(guī)工作。 在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權利要 求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非 精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
實施例一，在最接近孤立線的兩條平行SB上均添加垂直SB。 圖4為本發(fā)明第一實施例中實施0PC方案的電路圖案示意圖，結合該圖，本實施例 首先在孤立線11兩側添加四條平行SB，然后對該電路圖案進行OPC處理，再在最接近孤立 線11的SB 14及SB 15上，添加與孤立線11垂直的SB 16，其中SB 16的一端連接至SB 14 或SB 15上，另一端指向孤立線ll上的CT 13。 SB 16的長度根據(jù)上述長度確定方式可以 確定出來。 由于孤立線11上有垂直散射條SB 16指向的一側在后續(xù)工藝中會加粗，因此本實 施例中孤立線11上CT 13對應的位置處，靠近垂直SB 16的兩側均會加粗，如圖5所示，圖 5為本發(fā)明第一實施例中制作出的孤立線11的示意圖。 實施例二，在最接近孤立線的兩條平行SB中的任意一條SB上添加垂直的SB。
圖6為本發(fā)明第二實施例中實施0PC方案的電路圖案示意圖，結合該圖，與實施例 一相比，本實施例只是在SB 15上添加垂直SB 18，因此本實施例中孤立線11上CT 13對應 的位置處，只有靠近垂直SB 18的一側會加粗，如圖7所示，圖7為本發(fā)明第二實施例中制 作出的孤立線11的示意圖。與實施例一相比，在孤立線11某側有其他線路，無法加粗孤立 線11該側的情況下，本實施例可以只加粗孤立線11的另一側，同樣能夠解決現(xiàn)有技術的問 題。 實施例三，對于孤立線對應的部分接觸點(CT)，對應添加垂直的SB。
實施例一及實施例二中，對于孤立線11對應的全部接觸點13(CT)均添加有垂直 的SB，實際上，也可以只是對于孤立線11對應的部分接觸點13(CT)，對應添加垂直的SB。
圖8為本發(fā)明第三實施例中實施OPC方案的電路圖案示意圖，結合該圖，本實施例 在添加垂直SB 19時，對于孤立線11對應的部分接觸點13 (CT)，對應添加垂直的SB 19，因 此在某些接觸點13對應于孤立線11的位置處有其他電路及工藝等限制而無法加粗時，可 以加粗其他的接觸點13(CT)，同樣能夠解決現(xiàn)有技術的問題，如圖ll所示，圖9為本發(fā)明第 三實施例中制作出的孤立線11的示意圖。 需強調的是，未加說明的結構及組成均可采用傳統(tǒng)的工藝，且設計的具體的工藝 參數(shù)根據(jù)產(chǎn)品要求及工藝條件確定。 顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍 之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
一種光學臨近效應修正方法，其特征在于，包括在包含孤立線的電路圖案中，添加與孤立線平行的散射條；對該電路圖案進行光學臨近效應修正處理；以及在所述平行的散射條中最接近孤立線的散射條上，添加與孤立線垂直的散射條，其中所述垂直散射條的一端位于所述最接近孤立線的散射條上，另一端指向孤立線對應的接觸點在孤立線上的投影。
2. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述最接近孤立線的散射條有兩條，分別位 于孤立線的兩側；以及在所述兩條散射條上添加所述垂直的散射條。
3. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述最接近孤立線的散射條有兩條，分別位 于孤立線的兩側；以及在所述兩條散射條中任意一條散射條上添加所述垂直的散射條。
4. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，對于孤立線對應的全部接觸點，均對應添加 垂直的散射條。
5. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，對于孤立線對應的部分接觸點，對應添加所 述垂直的散射條。
6. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括確定所述垂直散射條長度的步驟。
7. 如權利要求6所述的方法，其特征在于，根據(jù)孤立線尺寸、接觸點尺寸、孤立線所屬 電路圖案及工藝狀況來確定所述長度。
8. 如權利要求7所述的方法，其特征在于，確定所述長度的步驟具體包括 選定所述垂直散射條的初始長度；在根據(jù)該初始長度添加垂直散射條后，對電路圖案進行相應模擬計算； 根據(jù)計算結果，判斷電路圖案是否滿足預定條件，所述預定條件由孤立線寬度、接觸點 尺寸、孤立線所屬電路圖案及工藝狀況確定；在滿足的情況下，將該初始長度作為所述垂直散射條的長度；以及在不滿足的情況下，重新執(zhí)行所述選定、計算及判斷操作，直至滿足所述預定條件為止。
全文摘要
本發(fā)明提供OPC方法，以在避免peeling及CT coverage的問題的基礎上，提高OPC效率，降低掩膜版成本，以及提高生產(chǎn)效率。該方法包括在包含孤立線的電路圖案中，添加與孤立線平行的散射條；對該電路圖案進行光學臨近效應修正處理；以及在所述平行的散射條中最接近孤立線的散射條上，添加與孤立線垂直的散射條，其中所述垂直散射條的一端位于所述最接近孤立線的散射條上，另一端指向孤立線對應的接觸點在孤立線上的投影。
文檔編號G03F1/14GK101750876SQ20081020477
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月17日 優(yōu)先權日2008年12月17日
發(fā)明者王偉斌 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司