光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的方法和系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制備技術(shù)領域，特別是涉及一種光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的方法和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體的制備過程中，當客戶的版圖中出現(xiàn)有特殊設計的區(qū)域時，為了實現(xiàn)OPC (Optical Proximity Correct1n,光學臨近效應修正)時對此區(qū)域進行特殊處理,客戶會增加一層標記層(mark layer)對此特殊區(qū)域進行標注。但是，客戶提供的標記層經(jīng)常會出現(xiàn)只覆蓋多邊圖形(polygon)部分區(qū)域的現(xiàn)象，如圖2所示，從而導致系統(tǒng)對標記層覆蓋(under mark layer)區(qū)域識別錯誤。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要針對上述問題，提供一種避免標記層只覆蓋多邊圖形部分區(qū)域的光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的方法。
[0004]還提供了一種光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的系統(tǒng)。
[0005]一種光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的方法，包括步驟:獲取半導體版圖和標記層；獲取所述半導體版圖中與所述標記層有重疊區(qū)域的多邊圖形；對所述多邊圖形進行放大處理得到新的多邊圖形；將所述新的多邊圖形與所述標記層合成為一個新的標記層；在光學臨近效應修正工藝中對被所述新的標記層覆蓋的多邊圖形進行特殊處理。
[0006]在其中一個實施例中，所述有重疊區(qū)域的多邊圖形包括完全與所述標記層重疊的多邊圖形和部分與所述標記層重疊的多邊圖形。
[0007]在其中一個實施例中，所述對所述多邊圖形進行放大處理得到新的多邊圖形的步驟具體為:將所述多邊圖形的邊緣向外擴展預設值。
[0008]在其中一個實施例中，所述預設值為O?50納米。
[0009]在其中一個實施例中，所述預設值為20?30納米。
[0010]一種光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的系統(tǒng)，包括:第一獲取模塊，用于獲取半導體版圖和標記層；第二獲取模塊，用于獲取所述半導體版圖中與所述標記層有重疊區(qū)域的多邊圖形；放大處理模塊，用于對所述多邊圖形進行放大處理得到新的多邊圖形；合成模塊，用于將所述新的多邊圖形與所述標記層合成一個新的標記層；以及特殊處理模塊，用于在光學臨近效應修正工藝中對被所述新的標記層覆蓋的多邊圖形進行特殊處理。
[0011]在其中一個實施例中，所述有重疊區(qū)域的多邊圖形包括完全與所述標記層重疊的多邊圖形和部分與所述標記層重疊的多邊圖形。
[0012]在其中一個實施例中，所述放大處理模塊用于對所述多邊圖形進行放大處理得到新的多邊圖形具體為:所述放大處理模塊將所述多邊圖形的邊緣向外擴展預設值。
[0013]在其中一個實施例中，所述預設值為O?50納米。
[0014]在其中一個實施例中，所述預設值為20?30納米。
[0015]上述光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的方法和系統(tǒng)，通過對獲取的半導體版圖中與標記層有重疊區(qū)域的多邊圖形進行放大處理后與標記層合成為一個新的標記層，能夠避免出現(xiàn)標記層只覆蓋多邊圖形部分區(qū)域的現(xiàn)象，有效避免系統(tǒng)對標記層覆蓋區(qū)域識別錯誤現(xiàn)象的發(fā)生，且該方法簡單易行，不會增加系統(tǒng)的負擔。
【附圖說明】
[0016]圖1為一實施例中光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的方法的流程圖；
[0017]圖2為半導體版圖中標記層只覆蓋多邊圖形部分區(qū)域的示意圖；
[0018]圖3為一實施例中光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的方法中執(zhí)行步驟S120后得到的多邊圖形的示意圖；
[0019]圖4為一實施例中光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的方法中執(zhí)行步驟S130后得到的新的多邊圖形的示意圖；
[0020]圖5為一實施例中光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的方法中執(zhí)行步驟S140后得到標記層的示意圖；
[0021]圖6為一實施例中光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的系統(tǒng)的方框圖。
【具體實施方式】
[0022]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0023]圖1所示為一實施例中光學臨近效應修正中標記特殊處理圖形的方法，包括以下步驟。
[0024]S110，獲取半導體版圖和標記層。
[0025]在半導體版圖中，當出現(xiàn)需要進行特殊設計的區(qū)域時，為實現(xiàn)光學臨近效應修正(OPC)時對該區(qū)域進行特殊處理，往往通過增加一層標記層對此特殊區(qū)域進行標注。由于不同客戶的需求不同，該標記層一般由客戶進行提供。但是客戶提供的標記層經(jīng)常會出現(xiàn)只覆蓋需要進行特殊處理的多邊圖形部分區(qū)域的現(xiàn)象，如圖2所示。其中10所代表的區(qū)域為需要進行特殊處理的多邊圖形，20所代表的區(qū)域為標記層所覆蓋的區(qū)域，30所代表的圖形區(qū)域為標記層覆蓋多邊圖形的區(qū)域。顯然，標記層只覆蓋了需要進行特殊處理的多邊圖形的部分區(qū)域，并沒有完全覆蓋多邊圖形。該現(xiàn)象會導致系統(tǒng)對標記層覆蓋的多邊圖形的識別發(fā)生錯誤，進而導致生產(chǎn)出的半導體不能夠滿足客戶需求。為避免前述問題的產(chǎn)生，本發(fā)明對標記層進行了優(yōu)化，在客戶提供的標記層的基礎上制備一個新的標記層。
[0026]要對標記層進行優(yōu)化，需要先獲取半導體版圖和標記層。在本實施例中，采用本領域技術(shù)人員習知的技術(shù)手段即可獲取半導體版圖和標記層，故不再贅述。
[0027]S120，獲取半導體版圖中與標記層有重疊區(qū)域的多邊圖形。
[0028]在本實施例中，獲取半導體版圖中與標記層有重疊區(qū)域的多邊圖形包括所有與標記層有重疊區(qū)域的多邊圖形。具體地，與標記層有重疊區(qū)域的多邊圖形包括完全與標記層重疊的多邊圖形和部分與標記層重疊的多邊圖形。圖3為執(zhí)行該步驟后獲取到的多邊圖形的示意圖。
[0029]S130，對多邊圖形進行放大處理得到新的多邊圖形。
[0030]通過對多邊圖形進行放大處理，可以確保得到的新的多邊圖形包含了所有與標記層有重疊區(qū)域的多邊圖形，同時也能夠保證系統(tǒng)對標記層覆蓋區(qū)域的多邊圖形進行有效的識別。在本實施例中，放大處理具體為將多邊圖形的邊緣向外擴展預設值a。具體地，多邊圖形均為封閉結(jié)構(gòu)，故以多邊圖形的封閉區(qū)域為內(nèi)，反之則為外。將多邊圖形的邊緣向外擴展預設值a，預設值a不宜過大。在本實施例中，預設值a的范圍為O?50納米。在其他的實施例中，預設值a也可以為20?30納米?？梢岳斫?在其他的實施例中，預設值a可以根據(jù)需要進行略微的調(diào)整。圖4為步驟S130