專利名稱：使用普通噴嘴實(shí)現(xiàn)降低阻膠消耗的光刻膠涂布工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及光刻膠涂布工藝。
背景技術(shù)：
光刻膠涂布是半導(dǎo)體硅片制造過(guò)程中的重要工藝，傳統(tǒng)光刻膠噴涂工藝如下硅 片靜止或高速旋轉(zhuǎn)時(shí)將光刻膠噴涂在表面，再旋轉(zhuǎn)20秒左右。8英寸硅片業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的光刻 膠使用量為3ml/每片。 由于光刻膠的價(jià)格比較昂貴，并且大量使用不利于環(huán)保，因此，業(yè)內(nèi)對(duì)于降低光刻 膠的使用量有著普遍的需求。 在這樣的背景下，開(kāi)發(fā)出了降低阻膠消耗(Reduced ResistCons咖ption)的RRC 光刻膠涂布膠工藝在噴涂光刻膠以前先在硅片靜止?fàn)顟B(tài)噴2ml的有機(jī)溶劑，然后高速旋 轉(zhuǎn)硅片使溶劑在硅片表面灑開(kāi)，光刻膠在溶劑灑開(kāi)的同時(shí)噴涂在硅片上，由于溶劑的潤(rùn)滑 作用，光刻膠可以迅速鋪滿硅片表面，達(dá)到理想的噴涂效果。RRC工藝下，光刻膠用量可以降 至lml/每片。 雖然RRC工藝可以有效地降低光刻膠的用量，但是RRC涂膠工藝需要專門的硬件 RRC噴嘴(RRC Nozzle)和專用的控制軟件， 一般應(yīng)用在較為高級(jí)的光刻涂膠設(shè)備上，實(shí)現(xiàn) 成本也比較高。 對(duì)于普通的光刻膠涂膠設(shè)備，由于沒(méi)有專用的RRC噴嘴，也不具有相應(yīng)的控制軟 件，因此目前階段無(wú)法應(yīng)用有效的降低光刻膠用量的涂步工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種能夠使用普通光刻膠涂膠設(shè)備的普通噴嘴實(shí)現(xiàn)降低光刻膠 用量的涂步工藝的方法。 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種使用普通噴嘴實(shí)現(xiàn)降低阻膠消耗的光刻膠涂布工
藝，利用空閑的噴嘴，在空閑的噴嘴的管路中添加溶劑，該光刻膠涂布工藝包括 將空閑的噴嘴移動(dòng)至硅片中心，硅片保持靜止； 空閑的噴嘴向硅片上噴射溶劑，硅片保持靜止； 空閑的碰嘴返回，硅片保持靜止； 光刻膠噴嘴移動(dòng)至硅片中心，硅片保持靜止； 加速旋轉(zhuǎn)硅片至第一旋轉(zhuǎn)速度； 光刻膠噴嘴向硅片上噴射光刻膠，硅片保持第一旋轉(zhuǎn)速度； 將硅片的旋轉(zhuǎn)減速至第二旋轉(zhuǎn)速度，第二旋轉(zhuǎn)速度小于第一旋轉(zhuǎn)速度； 維持硅片以第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)第一時(shí)間，光刻膠噴嘴返回。 其中，空閑的噴嘴向硅片上噴射溶劑的量為1.5-2毫升，第一旋轉(zhuǎn)速度是 3000-4000轉(zhuǎn)/分鐘，硅片在0. 1-0. 3秒的時(shí)間內(nèi)加速到第一旋轉(zhuǎn)速度，第二旋轉(zhuǎn)速度是 100轉(zhuǎn)/分鐘，硅片在0. 1-0. 3秒的時(shí)間內(nèi)減速到第二旋轉(zhuǎn)速度，第一時(shí)間為1秒。
上述的方法中，光刻膠涂膠設(shè)備可以包括一個(gè)以上的光刻膠噴嘴，分別用于涂布 不同的光刻膠，對(duì)于每一個(gè)光刻膠噴嘴以及由該噴嘴所涂布的光刻膠，重復(fù)上述的步驟。
采用本發(fā)明的技術(shù)方案，可以在不對(duì)普通的光刻膠涂膠設(shè)備進(jìn)行改造，不增加成 本的情況下，利用空閑的光刻膠噴嘴，結(jié)合新的工藝流程，達(dá)到節(jié)省光刻膠用量45%的效 果。


本發(fā)明的上述的以及其他的特征、性質(zhì)和優(yōu)勢(shì)將通過(guò)下面結(jié)合附圖和實(shí)施例的描
述而變得更加明顯，在附圖中，相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的特征，其中 圖1揭示了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的使用普通噴嘴實(shí)現(xiàn)降低阻膠消耗的光刻膠
涂布工藝的流程圖。
具體實(shí)施例方式
參考圖1所示，本發(fā)明揭示了一種使用普通噴嘴實(shí)現(xiàn)降低阻膠消耗的光刻膠涂布
工藝，利用空閑的噴嘴，在空閑的噴嘴的管路中添加溶劑，該光刻膠涂布工藝包括 100.將空閑的噴嘴移動(dòng)至硅片中心，硅片保持靜止； 102.空閑的噴嘴向硅片上噴射溶劑，硅片保持靜止； 104.空閑的碰嘴返回，硅片保持靜止； 106.光刻膠噴嘴移動(dòng)至硅片中心，硅片保持靜止； 108.加速旋轉(zhuǎn)硅片至第一旋轉(zhuǎn)速度； 110.光刻膠噴嘴向硅片上噴射光刻膠，硅片保持第一旋轉(zhuǎn)速度； 112.將硅片的旋轉(zhuǎn)減速至第二旋轉(zhuǎn)速度，第二旋轉(zhuǎn)速度小于第一旋轉(zhuǎn)速度； 114.維持硅片以第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)第一時(shí)間，光刻膠噴嘴返回。
其中，上述工藝過(guò)程中的各個(gè)參數(shù)取值如下 空閑的噴嘴向硅片上噴射溶劑的量為1. 5-2毫升。 第一旋轉(zhuǎn)速度是3000-4000轉(zhuǎn)/分鐘。 硅片在0. 1-0. 3秒的時(shí)間內(nèi)加速到第一旋轉(zhuǎn)速度。 第二旋轉(zhuǎn)速度是100轉(zhuǎn)/分鐘。 硅片在0. 1-0. 3秒的時(shí)間內(nèi)減速到第二旋轉(zhuǎn)速度。 第一時(shí)間為1秒。 該方法中，光刻膠涂膠設(shè)備可以包括一個(gè)以上的光刻膠噴嘴，分別用于涂布不同 的光刻膠，對(duì)于每一個(gè)光刻膠噴嘴以及由該噴嘴所涂布的光刻膠，重復(fù)上述的步驟。
下面介紹上述的方法在DNS80B光刻膠涂膠設(shè)備上的一個(gè)具體應(yīng)用，DNS80B光刻 膠涂膠設(shè)備有4個(gè)光刻膠的噴嘴，通常，只有其中的3個(gè)噴嘴(稱為1號(hào)-3號(hào)噴嘴)會(huì)安 裝光刻膠，而又一個(gè)噴嘴(稱為4號(hào)噴嘴)是處于空閑的狀態(tài)。此時(shí)，空閑的4號(hào)噴嘴利 用，其中可以裝上溶劑，如0K-73等，之后可以操作如下(1號(hào)_3號(hào)噴嘴中的光刻膠命名為 1號(hào)_3號(hào)光刻膠。 Sl.將4號(hào)噴嘴移動(dòng)至硅片中心，硅片保持靜止； S2. 4號(hào)噴嘴向硅片上噴射1. 5-2毫升的溶劑，硅片保持靜止；
S3. 4號(hào)碰嘴返回，硅片保持靜止； S4. 1號(hào)噴嘴移動(dòng)至硅片中心，硅片保持靜止； S5.在0. 1-0. 3秒的時(shí)間內(nèi)加速旋轉(zhuǎn)硅片至3000-4000轉(zhuǎn)/分鐘； S6. 1號(hào)噴嘴向硅片上噴射1號(hào)光刻膠，硅片保持3000-4000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速； S7.在0. 1-0. 3秒的時(shí)間內(nèi)將硅片的旋轉(zhuǎn)減速至100轉(zhuǎn)/分鐘； S8.維持硅片以100轉(zhuǎn)/分鐘旋轉(zhuǎn)1秒，1號(hào)噴嘴返回； 重復(fù)步驟Sl-S8，其中1號(hào)噴嘴和1號(hào)光刻膠換成2號(hào)噴嘴和2號(hào)光刻膠； 再次重復(fù)步驟Sl-S8，其中1號(hào)噴嘴和1號(hào)光刻膠換成3號(hào)噴嘴和3號(hào)光刻膠。 采用本發(fā)明的技術(shù)方案，可以在不對(duì)普通的光刻膠涂膠設(shè)備進(jìn)行改造，不增加成
本的情況下，利用空閑的光刻膠噴嘴，結(jié)合新的工藝流程，達(dá)到節(jié)省光刻膠用量45%的效果。 上述實(shí)施例是提供給熟悉本領(lǐng)域內(nèi)的人員來(lái)實(shí)現(xiàn)或使用本發(fā)明的，熟悉本領(lǐng)域的 人員可在不脫離本發(fā)明的發(fā)明思想的情況下，對(duì)上述實(shí)施例做出種種修改或變化，因而本 發(fā)明的保護(hù)范圍并不被上述實(shí)施例所限，而應(yīng)該是符合權(quán)利要求書(shū)提到的創(chuàng)新性特征的最 大范圍。
權(quán)利要求
一種使用普通噴嘴實(shí)現(xiàn)降低阻膠消耗的光刻膠涂布工藝，其特征在于，利用空閑的噴嘴，在所述空閑的噴嘴的管路中添加溶劑，所述光刻膠涂布工藝包括將空閑的噴嘴移動(dòng)至硅片中心，硅片保持靜止；空閑的噴嘴向硅片上噴射溶劑，硅片保持靜止；空閑的碰嘴返回，硅片保持靜止；光刻膠噴嘴移動(dòng)至硅片中心，硅片保持靜止；加速旋轉(zhuǎn)硅片至第一旋轉(zhuǎn)速度；光刻膠噴嘴向硅片上噴射光刻膠，硅片保持第一旋轉(zhuǎn)速度；將硅片的旋轉(zhuǎn)減速至第二旋轉(zhuǎn)速度，第二旋轉(zhuǎn)速度小于第一旋轉(zhuǎn)速度；維持硅片以第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)第一時(shí)間，光刻膠噴嘴返回。
2. 如權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布工藝，其特征在于， 所述空閑的噴嘴向硅片上噴射溶劑的量為1. 5-2毫升。
3. 如權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布工藝，其特征在于， 第一旋轉(zhuǎn)速度是3000-4000轉(zhuǎn)/分鐘。
4. 如權(quán)利要求3所述的光刻膠涂布工藝，其特征在于， 硅片在0. 1-0. 3秒的時(shí)間內(nèi)加速到所述第一旋轉(zhuǎn)速度。
5. 如權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布工藝，其特征在于， 第二旋轉(zhuǎn)速度是100轉(zhuǎn)/分鐘。
6. 如權(quán)利要求5所述的光刻膠涂布工藝，其特征在于， 硅片在0. 1-0. 3秒的時(shí)間內(nèi)減速到所述第二旋轉(zhuǎn)速度。
7. 如權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布工藝，其特征在于， 所述第一時(shí)間為l秒。
8. 如權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布工藝，其特征在于，包括一個(gè)以上的光刻膠噴嘴，分 別用于涂布不同的光刻膠，對(duì)于每一個(gè)光刻膠噴嘴以及由該噴嘴所涂布的光刻膠，重復(fù)上 述的步驟。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種使用普通噴嘴實(shí)現(xiàn)降低阻膠消耗的光刻膠涂布工藝，利用空閑的噴嘴，在空閑的噴嘴的管路中添加溶劑，該光刻膠涂布工藝包括將空閑的噴嘴移動(dòng)至硅片中心，硅片保持靜止；空閑的噴嘴向硅片上噴射溶劑，硅片保持靜止；空閑的碰嘴返回，硅片保持靜止；光刻膠噴嘴移動(dòng)至硅片中心，硅片保持靜止；加速旋轉(zhuǎn)硅片至第一旋轉(zhuǎn)速度；光刻膠噴嘴向硅片上噴射光刻膠，硅片保持第一旋轉(zhuǎn)速度；將硅片的旋轉(zhuǎn)減速至第二旋轉(zhuǎn)速度，第二旋轉(zhuǎn)速度小于第一旋轉(zhuǎn)速度；維持硅片以第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)第一時(shí)間，光刻膠噴嘴返回。本發(fā)明在不對(duì)普通的光刻膠涂膠設(shè)備進(jìn)行改造的情況下，利用空閑的光刻膠噴嘴，結(jié)合新的工藝流程，達(dá)到節(jié)省光刻膠用量45％的效果。
文檔編號(hào)G03F7/16GK101762983SQ20081020783
公開(kāi)日2010年6月30日 申請(qǐng)日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者徐建衛(wèi) 申請(qǐng)人:上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司