專利名稱：光學(xué)基片隱形圖案的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明公開(kāi)一種光學(xué)基片隱形圖案的制備方法，屬于基片材質(zhì)附加圖案類制造4i術(shù)領(lǐng)i或。
背景技術(shù)：
目前光學(xué)鏡片上設(shè)置圖案的方法， 一般通過(guò)鍍膜層實(shí)現(xiàn)，其鍍膜一般是在基片上鍍上先鍍上鉻粉(Cr)，再鍍上一層氧化硅SiO,干涉形成圖案.但是因鉻是金屬材料會(huì)有底色，會(huì)顯現(xiàn)圖案出來(lái)，不可能隱形，此外鉻是金屬材質(zhì)，對(duì)環(huán)境會(huì)造成污染。
然，目前市場(chǎng)上還沒(méi)有出現(xiàn)帶隱形圖案的光學(xué)鏡片，隱形圖案的創(chuàng)新無(wú)疑是本領(lǐng)域技術(shù)人員所攻之技術(shù)。本發(fā)明人經(jīng)過(guò)多年的研究和實(shí)驗(yàn)，終于創(chuàng)作出帶隱形圖案的光學(xué)鏡片，故，才有本發(fā)明的提出。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了 一種設(shè)計(jì)合理光學(xué)基片隱形圖案的制備方法。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的光學(xué)基片隱形圖案的制備方法，
一) 、基片清潔后，將所需要的鏤空?qǐng)D案模板貼于基片上，放置于真空度抽至至少5*10—5 Torr的高真空機(jī)臺(tái)內(nèi)；
二) 、通過(guò)離子束轟擊鏤空部分的基片表層，使鏤空部分基片表層變薄，基片變薄部分比其他部分的折射率低，從而形成基片上隱形圖案。
3所述步驟二)中，所述的離子束是由離子槍發(fā)射，該離子束轟擊時(shí)間為3-15分鐘，工作電壓為220V。
所述的基片為壓克力(AC)基片、聚碳酸酯(Polycarbonate)基片、尼龍(Nylon)基片、CR-39基片、玻璃基片中的任意一種。
本發(fā)明具有如下有益的效果
本發(fā)明的光學(xué)基片在正常溫度條件下，圖案不易被肉眼所看到。鏤空部分由于較低的折射率而不會(huì)被肉眼所看到，當(dāng)此加工過(guò)的基片遇到水蒸氣時(shí)基片表層較薄部分的圖案就會(huì)顯現(xiàn)出來(lái)。又或在冬天，眼鏡佩帶者在室外ii/v室內(nèi)，由于佩帶的鏡片受冷熱溫差刺激，所轟擊基片而形成的圖案部分會(huì)呈現(xiàn)霧狀而使圖案呈現(xiàn)出來(lái)。但就太陽(yáng)鏡片而言，增加一個(gè)這種隱形圖案效果，新增其創(chuàng)新點(diǎn)。同時(shí)，這種隱形圖案的效果還可以用在其他一些產(chǎn)品，從而起到作防偽標(biāo)志的功能。并且，上述眼鏡鏡片(基片)因?yàn)閳D案呈現(xiàn)只是瞬間，所以不會(huì)影響視力效果。


圖l是本發(fā)明工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明
實(shí)施例結(jié)構(gòu)如圖l所示，光學(xué)基片隱形圖案的制備方法，基片清潔后，將所需要的鏤空?qǐng)D案模板貼于基片上，基片固定于治具(此為固定基片的支架)然后放置于真空度抽至至少5*10—5 Torr的高真空機(jī)臺(tái)內(nèi)；通過(guò)離子束轟擊鏤空部分的基片表層，使鏤空部分基片表層變薄，轟擊時(shí)間為3-15分鐘，基片變薄部分比其他部分的折射率低，從而形成基片上隱形圖案。離子束是由離子^r發(fā)射，轟擊時(shí)間為3-15分鐘，工作電流是三相，電壓為220v。
基片為壓克力(AC)基片、聚碳酸酯(Polycarbonate)基片、尼龍(Nylon)基片、CR-39基片、玻璃基片中的任意一種。
根據(jù)上述步驟可制得帶隱形圖案的光學(xué)基片。
優(yōu)點(diǎn)此產(chǎn)品在正常溫度條件下，鏤空部分的較低的折射率，故圖案不易.被肉眼所看到。而當(dāng)此產(chǎn)品遇到蒸汽時(shí)，由于眼鏡片上不同的折射率，故圖案部分就會(huì)出現(xiàn)霧狀，呈現(xiàn)出來(lái)圖案。又或在冬天，眼睛佩帶者在室外進(jìn)入室內(nèi)，由于佩帶的鏡片受冷熱溫差刺激，鏤空?qǐng)D案部分會(huì)呈現(xiàn)霧狀而使圖案呈現(xiàn)出來(lái)。上述眼鏡鏡片(基片)因?yàn)閳D案呈現(xiàn)只是瞬間，所以不會(huì)影響視力效果。
以上所記載，僅為利用本創(chuàng)作技術(shù)內(nèi)容的實(shí)施例，任何熟悉本項(xiàng)技藝者運(yùn)用本創(chuàng)作所為做的修飾、變化，皆屬本創(chuàng)作主張的專利范圍，而不限于實(shí)施例所揭示者。
權(quán)利要求
1、光學(xué)基片隱形圖案的制備方法，其特征在于包括如下步驟一)、基片清潔后，將所需要的鏤空?qǐng)D案模板貼于基片上，基片固定于治具然后放置于真空度抽至1×10-5Torr到5×10-5Torr的高真空機(jī)臺(tái)內(nèi)；二)、通過(guò)離子束轟擊鏤空部分的基片表層，使鏤空部分基片表層變薄，基片變薄部分比其他部分的折射率低，從而形成基片上隱形的圖案。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的所述的光學(xué)基片隱形圖案的制備方法，其特征在于所述步驟二)中，所述的離子束是由離子4&發(fā)射，該離子束轟擊基片的時(shí)間為3-15分鐘，工作電流為三相，電壓為220V。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光學(xué)基片隱形圖案的制備方法，其特征在于所述步驟一)中，所述的基片為壓克力(AC)基片、聚碳酸酯(Polycarbonate)基片、尼龍(Nylon)基片、CR-39基片、玻璃基片中的任意一種。
4、 一種帶隱形圖案的光學(xué)基片，是根據(jù)上述步驟制成的。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種光學(xué)基片隱形圖案的制備方法，屬于光學(xué)鏡片上設(shè)置圖案類制造技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明是將光學(xué)基片鍍隱形圖案的制備方法，基片清潔后，將所需要的鏤空?qǐng)D案模板貼于基片上，基片固定于治具然后放置于真空度抽至至少5*10^-5Torr的高真空機(jī)臺(tái)內(nèi)；通過(guò)離子束轟擊鏤空部分的基片表層(轟擊時(shí)間大約3-15分鐘)，使鏤空部分基片表層變薄，基片變薄部分比其他部分的折射率低，從而形成基片上隱形圖案。此鏤空部分基片由于折射率低，而且厚度相對(duì)較薄，因而不易被肉眼所看到，而當(dāng)遇到蒸汽時(shí)，圖案部分就會(huì)出現(xiàn)霧狀，呈現(xiàn)出來(lái)圖案。
文檔編號(hào)G02C7/02GK101551527SQ20091011175
公開(kāi)日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2009年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月7日
發(fā)明者楊敏男 申請(qǐng)人:廈門美瀾光電科技有限公司