專利名稱：用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板及其制造方法
用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板及其制造方
法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種陣列基板，特別有關(guān)于一種邊緣電場切換式液晶顯示面板的 陣列基板，其像素電極可直接接觸汲極，而不須借由貫穿孔電性連接于該汲極，可增加像素 開口率。
背景技術(shù)：
隨著電子科技的進(jìn)步，尤其在日常生活中隨身電子產(chǎn)品的盛行，對(duì)于輕薄短小、耗 電量低的顯示器的需求日益增加。液晶顯示器(Liquid CrystalDisplay ；LCD)裝置由于具 有耗電力低、發(fā)熱量少、重量輕、以及非發(fā)光型顯示器等等的優(yōu)點(diǎn)，經(jīng)常被用于此類的電子 產(chǎn)品中，甚至已逐步取代傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器。參考圖1，其顯示現(xiàn)有液晶顯示器裝置。一般而言，液晶顯示器裝置10包含一液晶 顯示面板12及一背光模組14。該背光模組14是配置于該液晶顯示面板12的下方，用以將 光源所發(fā)出的光線，均勻的分配至該液晶顯示面板12上。該液晶顯示器裝置10另包含一 外框16，用以固定該液晶顯示面板12與該背光模組14。由于在該液晶顯示面板12內(nèi)液晶分子的長軸與短軸方向的折射率并不一致，因 此當(dāng)從不同角度觀看該液晶面板12的熒幕時(shí)，隨著視角不同，所看到的畫面也就不一樣。 當(dāng)視角不斷變大時(shí)，將出現(xiàn)對(duì)比度下降、顏色改變甚至灰階逆轉(zhuǎn)等現(xiàn)象。針對(duì)這些弱點(diǎn)，陸 續(xù)開發(fā)出了各式廣視角技術(shù)，以解決上述問題。目前，以多區(qū)域垂直配向(multi-domain vertical alignment ；MVA)技術(shù)與橫向 電場技術(shù)，為廣視角技術(shù)的兩大陣營。而邊緣電場切換(FringeFieldSwitching ;FFS)技 術(shù)，則是橫向電場技術(shù)中的一個(gè)分支，由于其具有高穿透度、廣視角與低色差等特性，更是 被視為深具潛力的技術(shù)之一。參考圖2、3，其顯示現(xiàn)有邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板30。一第 一金屬層形成于一玻璃基板32上，并圖案化成數(shù)個(gè)閘極線34。數(shù)個(gè)共通電極(common electrode) 36配置于該玻璃基板32上，并與該些閘極線34位于同一層。一閘極絕緣層38 配置于該玻璃基板32上，并覆蓋該些閘極線34及共通電極36。一第二金屬層形成于該閘 極絕緣層38上，并圖案化成數(shù)個(gè)資料線40、源極42及汲極44。一保護(hù)層46配置于該閘極 絕緣層38上，并覆蓋該些資料線40、源極42及汲極44。數(shù)個(gè)像素電極48配置于該保護(hù)層 46上，其中該像素電極48須借由一貫穿孔(through hole ；ΤΗ) 50電性連接于該汲極44。參考圖4，目前的邊緣電場切換式液晶顯示面板12的架構(gòu)主要在下基板20(亦即 該陣列基板30)底部增加一層透明電極(亦即該共通電極36)。該像素電極48與共通電極 36可作為上下電極，以形成一橫向電場。該橫向電場可控制位于上基板22與下基板20之 間液晶層24內(nèi)的液晶分子26旋轉(zhuǎn)。然而，該像素電極須借由一貫穿孔電性連接于該汲極，該貫穿孔將會(huì)降低像素開 口率。再者，設(shè)計(jì)該共通電極時(shí)，須考量該共通電極與閘極線間的距離，如此將會(huì)犧牲像素開口率。另外，向錯(cuò)(disclination)是指的液晶分子的取向在空間的不連續(xù)現(xiàn)像)。考量 向錯(cuò)線(di sclination line)所產(chǎn)生的區(qū)域，實(shí)際上可利用的像素開口率亦會(huì)較小。在中 小尺寸液晶顯示面板的使用上，為了達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)的亮度需求，將會(huì)因?yàn)殚_口率過小而增加該 背光模組的成本，這在目前中小尺寸液晶顯示面板市場的競爭力上將成為一項(xiàng)弱點(diǎn)。因此，便有需要提供一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，能夠解 決前述的問題。

發(fā)明內(nèi)容為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種用于邊緣電場切換式液晶顯 示面板的陣列基板及其制造方法。本發(fā)明提供一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，包含一透明基板；數(shù)個(gè)閘極線，配置于該透明基板上；一閘極絕緣層，配置于該透明基板上，并覆蓋該些閘極線；數(shù)個(gè)資料線，配置于該閘極絕緣層上；數(shù)個(gè)透明像素電極，配置于該閘極絕緣層上，并與該些資料線位于同一層；一保護(hù)層，配置于該閘極絕緣層上，并覆蓋該些資料線及像素電極；以及一透明共通電極，配置于該保護(hù)層上。本發(fā)明還提供一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板制造方法，包含 下列步驟提供一透明基板；將一第一金屬層形成于該透明基板上，并將該第一金屬層圖案化成數(shù)個(gè)閘極線；將一閘極絕緣層形成于該透明基板上，并覆蓋該些閘極線；將一第二金屬層形成于該間極絕緣層上，并將該第二金屬層圖案化成數(shù)個(gè)資料線.將一第一透明電極層形成于該閘極絕緣層上，并將該第一透明電極層圖案化成數(shù) 個(gè)像素電極，其中該些像素電極與該些資料線位于同一層；將一保護(hù)層形成于該閘極絕緣層上，并覆蓋該些資料線及像素電極；以及將一第二透明電極層形成于該保護(hù)層上，其中第二透明電極層為一共通電極。本發(fā)明還提供一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，包含一透明基板；數(shù)個(gè)閘極線，配置于該透明基板上；數(shù)個(gè)共通電極，配置于該透明基板上，并與該些閘極線位于同一層；一閘極絕緣層，配置于該透明基板上，并覆蓋該些閘極線及共通電極；數(shù)個(gè)資料線，配置于該閘極絕緣層上；數(shù)個(gè)像素電極，亦配置于該閘極絕緣層上；以及一保護(hù)層，配置于該閘極絕緣層上，并覆蓋該些資料線及像素電極。本發(fā)明還提供一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板制造方法，包含 下列步驟
提供一透明基板；將一第一金屬層形成于該透明基板上，并將該第一金屬層圖案化成數(shù)個(gè)閘極線；將一第一透明電極層形成于該透明基板上，并將該第一透明電極層圖案化成數(shù)個(gè) 共通電極，其中該些共通電極與該些閘極線位于同一層；將一閘極絕緣層形成于該透明基板上，并覆蓋該些閘極線及共通電極；將一第二金屬層形成于該間極絕緣層上，并將該第二金屬層圖案化成數(shù)個(gè)資料 線，將一第二透明電極層形成于該閘極絕緣層上，并將該第二透明電極層圖案化成數(shù) 個(gè)像素電極，其中該些像素電極與該些資料線位于同一層；以及將一保護(hù)層形成于該閘極絕緣層上，并覆蓋該些資料線及像素電極。本發(fā)明提供一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，包含一透明基 板、數(shù)個(gè)間極線、一間極絕緣層、數(shù)個(gè)資料線、數(shù)個(gè)像素電極、一保護(hù)層及一共通電極。該些 閘極線配置于該透明基板上。該閘極絕緣層配置于該透明基板上，并覆蓋該些閘極線。該 些資料線配置于該閘極絕緣層上。該些像素電極配置于該閘極絕緣層上，并與該些資料線 位于同一層。該保護(hù)層配置于該閘極絕緣層上，并覆蓋該些資料線及像素電極。該共通電 極配置于該保護(hù)層上。相較于先前技術(shù)，本發(fā)明的像素電極可直接接觸該汲極，而不須借由貫穿孔而電 性連接于該汲極，因此可增加像素開口率。再者，設(shè)計(jì)本發(fā)明的共通電極時(shí)，不須考量該共 通電極與閘極線間的距離，如此將不會(huì)犧牲像素開口率。為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯，下文將配合所附圖示， 作詳細(xì)說明如下。

圖1為先前技術(shù)的液晶顯示器裝置的分解立體示意圖。圖2為先前技術(shù)的邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板的平面示意圖。圖3為先前技術(shù)的陣列基板沿圖2的剖線3-3的剖面示意圖。圖4為先前技術(shù)的邊緣電場切換式液晶顯示面板的剖面示意圖。圖5為本發(fā)明的第一實(shí)施例的陣列基板的平面示意圖。圖6為本發(fā)明的第一實(shí)施例的陣列基板沿圖5的剖線6-6的剖面示意圖。圖7為本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素電極與共通電極的立體示意圖，其顯示該像素 電極與該共通電極當(dāng)作上下電極的相對(duì)位置。圖8為本發(fā)明的又一實(shí)施例的像素電極與共通電極的立體示意圖，其顯示該像素 電極與該共通電極當(dāng)作上下電極的相對(duì)位置。圖9為本發(fā)明的第二實(shí)施例的陣列基板的平面示意圖。圖10為本發(fā)明的第二實(shí)施例的陣列基板沿圖9的剖線10-10的剖面示意圖。圖11為本發(fā)明的第二實(shí)施例的共通電極與像素電極的立體示意圖，其顯示該共 通電極與像素電極當(dāng)作上下電極的相對(duì)位置。圖12為本發(fā)明的又一實(shí)施例的共通電極與像素電極的立體示意圖，其顯示該共 通電極與像素電極當(dāng)作上下電極的相對(duì)位置。[0058圖13顯示圖9中的一實(shí)施例的陣列基板的A部分放大平面圖。[0059圖14顯示圖9中的另一實(shí)施例的陣列基板的B部分放大平面圖。[006010液晶顯示器裝置 12液晶顯示面板[006114背光模組16外框[006220下基板22上基板[006324液晶層26液晶分子[006430陣列基板32基板[006534閘極線36共通電極[006638閘極絕緣層40資料線[006742源極44汲極[006846保護(hù)層48像素電極[006950貫穿孔[0070130陣列基板132基板[0071134閘極線136共通電極[0072137狹縫[0073138閘極絕緣層140資料線[0074142源極144汲極[0075146保護(hù)層148像素電極[0076149狹縫[0077230陣列基板232基板[0078234閘極線235a尾端[0079235a，尾端235b非尾端[0080235b，非尾端236共通電極[0081237狹縫237，狹縫[0082238閘極絕緣層240資料線[0083242源極244汲極[0084246保護(hù)層247邊緣[0085248像素電極249狹縫[0086250邊界線
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具體實(shí)施方式

參考圖5、6，其顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的 陣列基板130。數(shù)個(gè)閘極線134配置于一透明基板132 (諸如玻璃基板)上。數(shù)個(gè)共通電極 136配置于該透明基板132上，并與該些閘極線134位于同一層。一閘極絕緣層138配置于 該透明基板132上，并覆蓋該些閘極線134及共通電極136。數(shù)個(gè)資料線140、源極142及 汲極144配置于該間極絕緣層138上。數(shù)個(gè)像素電極148亦配置于該間極絕緣層138上， 其中該些像素電極148與該些資料線140皆位于該間極絕緣層138上，借此該像素電極148 可直接接觸該汲極144。該像素電極148與該共通電極136當(dāng)作上下電極，如此以形成一橫 向電場。該橫向電場可控制液晶層內(nèi)的液晶分子旋轉(zhuǎn)。該像素電極148及共通電極136皆為透明金屬化合物所制。該透明金屬化合物為銦錫氧化物(indium tin oxide ；IT0)或銦 鋅氧化物(indium zinc oxide ；ΙΖ0)ο 一保護(hù)層146配置于該閘極絕緣層138上，并覆蓋 該些資料線140、源極142、汲極144及像素電極148。參考圖7，其顯示本實(shí)施例的像素電極148與該共通電極136當(dāng)作上下電極的相對(duì) 位置。該像素電極148包含數(shù)個(gè)狹縫(條狀中空部分)149，該狹縫的寬度是小于5 μ m，而 該共通電極136為一整片的透明電極層(未包含狹縫)。參考圖8，在又一實(shí)施例中，該像 素電極148包含數(shù)個(gè)第一狹縫149，且該共通電極136包含數(shù)個(gè)第二狹縫137，該些第二狹 縫137是平行于該些第一狹縫149。該些第一及第二狹縫的寬度皆小于5 μ m。相較于先前技術(shù)，本發(fā)明的像素電極可直接接觸該汲極，而不須借由貫穿孔電性 連接于該汲極，因此可增加像素開口率。另外，本發(fā)明的第一實(shí)施例的陣列基板130制造方法包含下列步驟提供一透明 基板132。將一第一金屬層形成于該透明基板132上，并將該第一金屬層圖案化成數(shù)個(gè)閘極 線134。將一第一透明電極層形成于該透明基板132上，并將該第一透明電極層圖案化成 數(shù)個(gè)共通電極136，其中該些共通電極136與該些閘極線134位于同一層。將一閘極絕緣 層138形成于該透明基板132上，并覆蓋該些間極線134及共通電極136。將一第二金屬層 形成于該間極絕緣層138上，并將該第二金屬層圖案化成數(shù)個(gè)資料線140、源極142及汲極 144。將一第二透明電極層形成于該間極絕緣層138上，并將該第二透明電極層圖案化成數(shù) 個(gè)像素電極148，其中該些像素電極148與該些資料線140皆位于該閘極絕緣層138上，借 此該像素電極148可直接接觸該汲極144。將一保護(hù)層146形成于該間極絕緣層138上，并 覆蓋該些資料線140、源極142、汲極144及像素電極148，如圖5、6所示。參考圖9、10，其顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例的陣列基板230。數(shù)個(gè)閘極線234配置 于一透明基板232 (諸如玻璃基板)上。一閘極絕緣層238配置于該透明基板232上，并覆 蓋該些間極線234。數(shù)個(gè)資料線240、源極242及汲極244配置于該間極絕緣層238上。數(shù) 個(gè)像素電極248亦配置于該閘極絕緣層238上，并與該些資料線240位于同一層，其中該像 素電極248可直接接觸該汲極244。一保護(hù)層246配置于該間極絕緣層238上，并覆蓋該些 資料線240、源極242、汲極244及像素電極248。一共通電極236配置于該保護(hù)層246上。 該像素電極248及共通電極236皆為透明金屬化合物所制。該透明金屬化合物為銦錫氧化 物(indium tin oxide ； I TO)或銦鋅氧化物(indium zinc oxide ；ΙΖ0)。相較于先前技術(shù)，本發(fā)明的像素電極可直接接觸該汲極，而不須借由貫穿孔電性 連接于該汲極，因此可增加像素開口率。再者，設(shè)計(jì)本發(fā)明的共通電極時(shí)，不須考量該共通 電極與閘極線間的距離，如此將不會(huì)犧牲像素開口率。參考圖11，其顯示本實(shí)施例的共通電極236與該像素電極248當(dāng)作上下電極的相 對(duì)位置。該共通電極236包含數(shù)個(gè)狹縫237，該狹縫的寬度是小于5 μ m,而該像素電極248 為一整片的透明電極層(未包含狹縫)。參考圖12，在又一實(shí)施例中，該共通電極236包含 數(shù)個(gè)第一狹縫237，且該像素電極248包含數(shù)個(gè)第二狹縫249，該些第一狹縫237是平行于 該些第二狹縫249。該些第一及第二狹縫的寬度皆小于5 μ m。參考圖13，其顯示圖9中的本實(shí)施例的陣列基板230的A部分放大平面圖。該像 素電極248為一整片的透明電極層(未包含狹縫)，而該共通電極236包含數(shù)個(gè)狹縫237。 每一狹縫237具有一尾端235a及一非尾端235b。該尾端235a位于一主穿透區(qū)的邊界線250外，并與該像素電極248的邊緣247切齊。該非尾端235b位于該主穿透區(qū)的邊界線250 內(nèi)。舉例而言，該像素電極248的邊緣247與該資料線240的間隙為6 μ m,且該共通電極 236的狹縫237的尾端235a亦為6 μ m，則該主穿透區(qū)的邊界線250與該資料線240的間隙 為9 μ m。當(dāng)該狹縫237的尾端235a與該像素電極248的邊緣247切齊時(shí)，且當(dāng)該狹縫237 的尾端235a與非尾端235b的夾角小于170度時(shí)，可減少向錯(cuò)線(disclination line)，亦 即降低向錯(cuò)線所產(chǎn)生的區(qū)域，因此實(shí)際上可利用的像素開口率將會(huì)較大。參考圖14，其顯示圖9中的另一實(shí)施例的陣列基板230的B部分放大平面圖。該像 素電極248為一整片的透明電極層(未包含狹縫)，而該共通電極236包含數(shù)個(gè)狹縫237 ’。 每一狹縫237，具有一尾端235a，及一非尾端235b，。該尾端235a，位于一主穿透區(qū)的邊界 線250外，并突出于該像素電極248的邊緣247外。該非尾端235b’位于該主穿透區(qū)的邊 界線250內(nèi)。舉例而言，該像素電極248的邊緣247與該資料線240的間隙為6 μ m，且該 共通電極236的狹縫237的尾端235a’為3 μ m，則該主穿透區(qū)的邊界線250與該資料線的 間隙為6 μ m。當(dāng)該狹縫237的尾端235a’突出于該像素電極248的邊緣247外，且當(dāng)該狹 縫237，的尾端235a，與非尾端235b，的夾角小于170度時(shí)，可減少向錯(cuò)線(disclination line)，亦即降低向錯(cuò)線所產(chǎn)生的區(qū)域，因此實(shí)際上可利用的像素開口率將會(huì)較大。應(yīng)注意的是，圖13、14并非只限應(yīng)用于本發(fā)明的第二實(shí)施例，圖13、14所提及的技 術(shù)內(nèi)容亦可應(yīng)用于本發(fā)明的第一實(shí)施例，亦可達(dá)成相同的功效。另外，本發(fā)明的第二實(shí)施例的陣列基板230制造方法包含下列步驟提供一透明 基板232。將一第一金屬層形成于該透明基板232上，并將該第一金屬層圖案化成數(shù)個(gè)閘極 線234。將一閘極絕緣層238形成于該透明基板232上，并覆蓋該些閘極線234。將一第二 金屬層形成于該間極絕緣層238上，并將該第二金屬層圖案化成數(shù)個(gè)資料線240、源極242 及汲極244。將一第一透明電極層形成于該間極絕緣層238上，并將該第一透明電極層圖案 化成數(shù)個(gè)像素電極248，其中該些像素電極248與該些資料線240位于同一層，且該像素電 極248直接接觸該汲極244。將一保護(hù)層246形成于該間極絕緣層238上，并覆蓋該些資料 線240、源極242、汲極244及像素電極248。將一第二透明電極層(亦即共通電極236)形 成于該保護(hù)層246上，如圖9、10所示。雖然本發(fā)明已以前述實(shí)施例揭示，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本發(fā)明所屬技 術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與修改。因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，包含一透明基板；數(shù)個(gè)閘極線，配置于該透明基板上；一閘極絕緣層，配置于該透明基板上，并覆蓋該些閘極線；數(shù)個(gè)資料線，配置于該閘極絕緣層上；數(shù)個(gè)透明像素電極，配置于該閘極絕緣層上，并與該些資料線位于同一層；一保護(hù)層，配置于該閘極絕緣層上，并覆蓋該些資料線及像素電極；以及一透明共通電極，配置于該保護(hù)層上。
2.如權(quán)利要求1所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于 該透明像素電極及透明共通電極皆為透明金屬化合物所制。
3.如權(quán)利要求2所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于 該透明金屬化合物為銦錫氧化物或銦鋅氧化物中之一者。
4.如權(quán)利要求1所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于 另包含一汲極，直接接觸該透明像素電極。
5.如權(quán)利要求1所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于 該透明像素電極為一整片的透明電極層，而該透明共通電極包含數(shù)個(gè)狹縫，該些狹縫的寬 度是小于5 μ m。
6.如權(quán)利要求5所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于 狹縫具有一尾端及一非尾端，該尾端位于一主穿透區(qū)外，該非尾端位于該主穿透區(qū)內(nèi)，且該 尾端與非尾端的夾角小于170度。
7.如權(quán)利要求6所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于 該尾端是與該透明像素電極的邊緣切齊。
8.如權(quán)利要求6所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于 該尾端突出于該透明像素電極的邊緣外。
9.如權(quán)利要求1所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于 該透明像素電極包含數(shù)個(gè)第一狹縫，且該透明共通電極包含數(shù)個(gè)第二狹縫，該些第二狹縫 是平行于該些第一狹縫。
10.如權(quán)利要求9所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于 該些第一及第二狹縫的寬度皆小于5 μ m。
11.一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板制造方法，包含下列步驟 提供一透明基板；將一第一金屬層形成于該透明基板上，并將該第一金屬層圖案化成數(shù)個(gè)閘極線； 將一閘極絕緣層形成于該透明基板上，并覆蓋該些閘極線； 將一第二金屬層形成于該間極絕緣層上，并將該第二金屬層圖案化成數(shù)個(gè)資料線； 將一第一透明電極層形成于該間極絕緣層上，并將該第一透明電極層圖案化成數(shù)個(gè)像 素電極，其中該些像素電極與該些資料線位于同一層；將一保護(hù)層形成于該閘極絕緣層上，并覆蓋該些資料線及像素電極；以及 將一第二透明電極層形成于該保護(hù)層上，其中第二透明電極層為一共通電極。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于該第二金屬層另圖案化成數(shù)個(gè)源極， 其中該像素電極直接接觸該汲極。
13.一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，包含 一透明基板；數(shù)個(gè)閘極線，配置于該透明基板上；數(shù)個(gè)共通電極，配置于該透明基板上，并與該些閘極線位于同一層；一閘極絕緣層，配置于該透明基板上，并覆蓋該些閘極線及共通電極；數(shù)個(gè)資料線，配置于該閘極絕緣層上；數(shù)個(gè)像素電極，亦配置于該間極絕緣層上；以及一保護(hù)層，配置于該閘極絕緣層上，并覆蓋該些資料線及像素電極。
14.如權(quán)利要求13所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在 于該像素電極及共通電極皆為透明金屬化合物所制。
15.如權(quán)利要求14所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在 于該透明金屬化合物為銦錫氧化物或銦鋅氧化物中之一者。
16.如權(quán)利要求13所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在 于另包含一汲極，直接接觸該像素電極。
17.如權(quán)利要求13所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在 于該像素電極包含數(shù)個(gè)狹縫，該些狹縫的寬度是小于5 μ m，而該共通電極為一整片的透 明電極層。
18.如權(quán)利要求17所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在 于狹縫具有一尾端及一非尾端，該尾端位于一主穿透區(qū)外，該非尾端位于該主穿透區(qū)內(nèi)， 且該尾端與非尾端的夾角小于170度。
19.如權(quán)利要求18所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在 于該尾端是與該像素電極的邊緣切齊。
20.如權(quán)利要求18所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在 于該尾端突出于該像素電極的邊緣外。
21.如權(quán)利要求13所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在 于該像素電極包含數(shù)個(gè)第一狹縫，且該共通電極包含數(shù)個(gè)第二狹縫，該些第二狹縫是平行 于該些第一狹縫。
22.如權(quán)利要求21所述的用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板，其特征在 于該些第一及第二狹縫的寬度皆小于5 μ m。
23.一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板制造方法，包含下列步驟 提供一透明基板；將一第一金屬層形成于該透明基板上，并將該第一金屬層圖案化成數(shù)個(gè)閘極線； 將一第一透明電極層形成于該透明基板上，并將該第一透明電極層圖案化成數(shù)個(gè)共通 電極，其中該些共通電極與該些閘極線位于同一層；將一閘極絕緣層形成于該透明基板上，并覆蓋該些閘極線及共通電極； 將一第二金屬層形成于該間極絕緣層上，并將該第二金屬層圖案化成數(shù)個(gè)資料線；將一第二透明電極層形成于該間極絕緣層上，并將該第二透明電極層圖案化成數(shù)個(gè)像 素電極，其中該些像素電極與該些資料線位于同一層；以及將一保護(hù)層形成于該閘極絕緣層上，并覆蓋該些資料線及像素電極。
24.如權(quán)利要求23所述的制造方法，其特征在于該第二金屬層另圖案化成數(shù)個(gè)源極， 其
全文摘要
一種用于邊緣電場切換式液晶顯示面板的陣列基板包含一透明基板、數(shù)個(gè)閘極線、一閘極絕緣層、數(shù)個(gè)資料線、數(shù)個(gè)像素電極、一保護(hù)層及一共通電極。該些閘極線配置于該透明基板上。該閘極絕緣層配置于該透明基板上，并覆蓋該些閘極線。該些資料線及像素電極皆配置于該閘極絕緣層上，并位于同一層。該保護(hù)層配置于該閘極絕緣層上，并覆蓋該些資料線及像素電極。該共通電極配置于該保護(hù)層上。相較于先前技術(shù)，本發(fā)明的像素電極可直接接觸該汲極，而不須借由貫穿孔而電性連接于該汲極，因此可增加像素開口率。再者，設(shè)計(jì)本發(fā)明的共通電極時(shí)，不須考量該共通電極與閘極線間的距離，如此將不會(huì)犧牲像素開口率。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101989016SQ20091016509
公開日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者劉軒辰, 李昆政, 李潤復(fù), 游家華, 黃昆財(cái) 申請(qǐng)人:瀚宇彩晶股份有限公司