一種陣列基板的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及陣列基板的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimens1n Switch，簡(jiǎn)稱(chēng)ADS)通過(guò)同一平面內(nèi)像素間電極產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)，使電極間以及電極正上方的取向液晶分子都能在平面方向(平行于基板)產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，在增大視角的同時(shí)提高液晶層的透光效率。
[0003]ITOdndium Tin Oxide，銦錫氧化物半導(dǎo)體)薄膜是液晶顯示器中重要的組成部分，在液晶顯示器面板的制備工藝中，多采用透明導(dǎo)電薄膜ITO來(lái)作為公共電極和像素電極來(lái)提高液晶面板的透過(guò)率。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中在ITO薄膜圖案化的過(guò)程中，對(duì)在光刻膠圖案下的ITO薄膜圖案進(jìn)行刻蝕，光刻膠兩側(cè)的ITO容易發(fā)生ITO殘留，從而影響液晶顯示面板的顯示特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中在ITO薄膜圖案化的過(guò)程中，對(duì)在光刻膠圖案下的ITO薄膜圖案進(jìn)行刻蝕時(shí)，光刻膠兩側(cè)的ITO薄膜容易發(fā)生殘留，從而影響液晶顯示面板的顯示特性的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，在襯底基板上形成ITO薄膜圖形的步驟包括:
[0007]在銦錫氧化物半導(dǎo)體ITO薄膜上形成預(yù)定的光刻膠圖案；
[0008]采用等離子處理工藝對(duì)裸露的所述ITO薄膜表面進(jìn)行處理，使所述ITO薄膜表面析出金屬I(mǎi)n;
[0009]對(duì)所述ITO薄膜進(jìn)行刻蝕，以形成ITO圖形。
[0010]由于本發(fā)明實(shí)施例在對(duì)ITO薄膜進(jìn)行刻蝕之前，使ITO薄膜析出金屬I(mǎi)n，金屬I(mǎi)n刻蝕速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蝕速率，減少了ITO薄膜刻蝕的殘留物。
[0011]可選的，在銦錫氧化物ITO薄膜上形成預(yù)定的光刻膠圖案，包括:
[0012]在襯底基板上依次形成金屬層和所述ITO薄膜；
[0013]在所述ITO薄膜上形成光刻膠層；
[0014]利用半灰階掩膜版，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述光刻膠層的完全去除區(qū)，部分保留區(qū)和完全保留區(qū)。
[0015]現(xiàn)有技術(shù)中采用一次灰階掩膜工藝來(lái)同時(shí)制備公共電極和柵極時(shí)存在ITOtail較大的問(wèn)題，即柵線下會(huì)有部分ITO向柵線兩側(cè)突出，從而導(dǎo)致相鄰的兩條柵線之間的距離不能太近以避免短路現(xiàn)象的發(fā)生，但是這樣會(huì)造成陣列基板的開(kāi)口率降低，增加整個(gè)顯示面板的功耗。本發(fā)明實(shí)施例采用一次構(gòu)圖工藝可以改善液晶面板的長(zhǎng)期信賴(lài)性，并且可以縮小陣列基板相鄰電極之間的距離，從而提高顯示面板的開(kāi)口率，降低功耗。
[0016]可選的，在對(duì)所述ITO薄膜表面進(jìn)行刻蝕，以形成ITO圖形后，還包括:
[0017]灰化工藝去除所述部分保留區(qū)中的光刻膠，并減薄所述完全保留區(qū)中的光刻膠的厚度；
[0018]對(duì)所述金屬層進(jìn)行第二次刻蝕以形成柵極圖形。
[0019]可選的，采用等離子處理工藝對(duì)裸露的所述ITO薄膜表面進(jìn)行處理，包括:
[0020]用等離子混合氣體對(duì)裸露的所述ITO薄膜表面進(jìn)行處理。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例用等離子氣體對(duì)ITO薄膜表面進(jìn)行處理，因而可以使ITO薄膜發(fā)生霧化，析出更多的金屬I(mǎi)n，增加ITO刻蝕液對(duì)T1薄膜的刻蝕速率。
[0022]可選的，用等離子混合氣體對(duì)裸露的所述ITO薄膜表面進(jìn)行處理之前，還包括:
[0023]對(duì)所述ITO薄膜表面上的金屬層進(jìn)行第一次刻蝕。
[0024]可選的，所述等離子混合氣體，包括:
[0025]氫氣、氬氣和氦氣的等離子混合氣體。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供的等離子氣體中包含的氣體的種類(lèi)可以使ITO薄膜析出更多的金屬I(mǎi)n，能加快ITO薄膜的刻蝕速率。
[0027]可選的，用于生成所述等離子混合氣體的氫氣的流量為300?10000標(biāo)況毫升/分鐘，氬氣的流量為300?10000標(biāo)況暈升/分鐘，氦氣的流量為30?1000標(biāo)況暈升/分鐘。
[0028]由于本發(fā)明實(shí)施例提供了用于生成等離子混合氣體的氣體的流量，因此生成的等離子氣體的各種氣體的比例適合使ITO薄膜析出更多的金屬I(mǎi)n，能加快ITO薄膜的刻蝕速率。
[0029]可選的，用等離子氣體對(duì)所述ITO薄膜表面進(jìn)行處理的條件為:
[0030]處理所述ITO薄膜表面時(shí)的溫度為25度；
[0031]所述等離子混合氣體的間距為900?1200密位，所述等離子混合氣體的壓力為100?3000毫托。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供了用等離子混合氣體對(duì)ITO薄膜表面進(jìn)行處理的更適宜的條件，因此可以使ITO薄膜表面析出更多的金屬I(mǎi)n，因此在對(duì)ITO薄膜表面處理后，能加快ITO薄膜的刻蝕速率。
【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的ITO刻蝕方法的效果示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備方法示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制備涉及的陣列基板結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0036]圖4為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的ITO刻蝕方法的效果示意圖；
[0037]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法的完整流程示意圖；
[0038]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法效果示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，在襯底基板上形成ITO薄膜圖形的步驟包括:在銦錫氧化物半導(dǎo)體ITO薄膜上形成預(yù)定的光刻膠圖案;采用等離子處理工藝對(duì)裸露的所述ITO薄膜表面進(jìn)行處理，使所述ITO薄膜表面析出金屬I(mǎi)n;對(duì)所述ITO薄膜表面進(jìn)行刻蝕，以形成ITO圖形。由于本發(fā)明實(shí)施例在對(duì)ITO薄膜進(jìn)行刻蝕之前，使ITO薄膜析出金屬I(mǎi) η，金屬I(mǎi) η刻蝕速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蝕速率，減少了 ITO薄膜刻蝕的殘留物。
[0041]如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，在襯底基板上形成ITO薄膜圖形的步驟包括:
[0042]步驟201，在銦錫氧化物半導(dǎo)體ITO薄膜上形成預(yù)定的光刻膠圖案；
[0043]步驟202，采用等離子處理工藝對(duì)裸露的所述ITO薄膜表面進(jìn)行處理，使所述ITO薄膜表面析出金屬I(mǎi)n;
[0044]步驟203，對(duì)所述ITO薄膜表面進(jìn)行刻蝕，以形成ITO圖形。
[0045]本發(fā)明實(shí)施例用于刻蝕陣列基板的IT0(IndiumTin Oxide，銦錫氧化物半導(dǎo)體)薄膜。如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例刻蝕ITO薄膜3涉及陣列基板的四部分結(jié)構(gòu):光刻膠圖案1、金屬層2、ITO薄膜3和玻璃基板4。
[0046]光刻膠圖案I的作用是，保護(hù)光刻膠圖案I下面與光刻膠圖案I的形狀相同的金屬層2和ITO薄膜3在進(jìn)行光刻蝕時(shí)不被刻蝕掉。
[0047]其中，本發(fā)明實(shí)施例可以通過(guò)以下方法形成光刻膠圖案I。
[0048]可選的，在銦錫氧化物ITO薄膜上形成預(yù)定的光刻膠圖案I，包括:
[0049]在襯底基板上依次形成金屬層和所述ITO薄膜；
[0050]在所述ITO薄膜上形成光刻膠層；
[0051]利用半灰階掩膜版，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述光刻膠層的完全去除區(qū)，部分保留區(qū)和完全保留區(qū)。
[0052]銦錫氧化物物半導(dǎo)體ITO薄膜3上形成光刻膠圖案I后，去除完全去除區(qū)的光刻膠，對(duì)光刻膠圖案I下的金屬層2進(jìn)行第一次刻蝕。金屬層2與光刻膠圖案I不同的部位會(huì)被刻蝕掉，金屬層2下的ITO薄膜3與光刻膠圖案I