專利名稱：抗電離輻射的光纖放大器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光纖領域，更具體而言，本發(fā)明涉及適用于將傳輸?shù)墓鈱W信號放大的
放大用光纖。特別地，所述放大用光纖能夠用作高速傳輸線放大器或用于激光器中。本發(fā) 明涉及這種放大用光纖在電離輻射的環(huán)境中的應用。本發(fā)明還涉及制備這種光纖的方法。
背景技術：
在標準方式下，光纖由起到傳輸并可任選地放大光學信號作用的光學纖芯和起到 將光學信號限定在所述纖芯內的光學覆層構成。為此，所述纖芯的折射率n。和所述覆層的 折射率ng為使得n?！祌v 光纖放大器、特別是摻雜稀土金屬元素的光纖通常用于光學用途。 例如，在光學通訊系統(tǒng)中摻雜鉺以將傳輸?shù)墓鈱W信號放大。這種光纖用于EDFA或
"摻雜鉺的光纖放大器"，其具有由二氧化硅基質構成的中間纖芯，所述二氧化硅基質包含
濃度為250至1000wt卯m(0. 025 to 0. 1重量％ )級別的摻雜元素(例如鉺)，并且可任選
地聯(lián)合補充摻雜元素以可以改善放大作用，例如聯(lián)合氧化鋁以擴大用于W匿(波長密集復
用)的增益帶寬。 在用于激光器(例如用于軍事用途的1 P m的激光器)的光纖中常摻雜鐿。鐿還 可用于EDFA光纖中以改善由于鉺而引起的吸收泵浦信號的效率。類似地，取決于所追求的 用途，其他稀土金屬元素可單獨使用或聯(lián)合使用。 按照本身已知的方式，在摻雜稀土元素的光纖中的光學放大是通過將激發(fā)稀土元 素離子(例如EDFA中的Ei^+離子)的泵浦信號注入光纖中來進行的。當光信號通過這部分 光纖時，其通過產生在與入射光子的各個方面都相同的光子來剌激發(fā)射，從而使離子去能 量化。因此，光信號加倍。其他可用作放大信號的摻雜元素的稀土金屬元素例如為鐿(Yb) 或銩(Tm)，它們取代或與鉺聯(lián)合使用。與由鏡系統(tǒng)或布拉格光柵構成的共振腔聯(lián)合的光纖 的一部分形成這樣的激光光纖，其波長和能量取決于使用的稀土元素和其濃度。
放大用光纖通過將稀土元素離子加入光纖纖芯的二氧化硅基質中而制得。將稀土 元素離子加入光纖纖芯中通常伴隨著加入其他摻雜劑以改善放大增益和/或加寬放大帶 寬和/或限制稀土元素摻雜劑在纖芯基質中分散的不均勻性。通常，加入稀土元素摻雜劑 伴隨著加入氧化鋁(A1203)和/或磷(P)。此外，放大用光纖在纖芯中還可包含鍺(Ge)以 提供引導和限定傳輸?shù)男盘柕牟襟E標記。 按照本身已知的方式，在光纖中傳輸?shù)男盘柦洑v光學損失，所述光學損失隨著進 行距離而積累。當光纖在經歷電離輻射(例如P-、 a-、 Y射線和X-射線)時，這些傳輸 損失顯著增加。當光纖用于其環(huán)境中含有電離輻射的光學系統(tǒng)(例如核能廠、粒子加速試 驗室、或送入太空中的衛(wèi)星)時，所述光纖可能經受這種輻射。在這種環(huán)境中，對于空間環(huán) 境而言，輻射可以達到大于或等于100Gray(即10， 000rad)的水平，或者在核能廠的情況下 可以甚至達到MGray(l()8Rad)的級別。 即使在放射性環(huán)境中使用抗輻射光纖以確保數(shù)據(jù)傳輸，但是放大作用通常是通過
4電子系統(tǒng)來確保的。 目前仍在探求在這些放射性環(huán)境中使用全光學系統(tǒng)。被動光纖(不摻雜稀土元素)被特別設計以用于這種環(huán)境。例如，US-A-4690 504
公開了一種纖芯中不含鍺(Ge)的這種光纖。纖芯中不存在鍺使得可以獲得改善的抗電離
輻射性。然后，使光學覆層摻雜具有降低二氧化硅的折射率作用的摻雜劑(例如氟)。該文
獻還公開了纖芯中摻雜少量氟以補償纖芯中的過剩的氧的光纖的實施方案。 US-A-5 509 101公開了一種抗X-射線、特別是抗Y-射線的光纖。該光纖具有纖
芯和摻雜氟的覆層。該專利文獻公開了一些具有不同濃度的氟和鍺的實施方案。該文獻指
出當光纖的纖芯中還含有鍺時，傳輸損失減小。 Tammela等人("制備非常短的、高增益的摻雜Er的二氧化硅玻璃光纖的直接納 米顆粒沉積法"ECOC 2002 ;28th European Conference on opticalco匪nication ;IEEE Piscataway， NJ， U. S. A. ， Vol. 4， 2002，第2頁)公開了一種基于氣相的方法，其中形成玻璃 的元素和摻雜劑全部都在火焰中反應，從而制得用于密實放大器的高Er摻雜性的光纖。
W0-A-2005 109055公開了一種光纖，其具有純二氧化硅纖芯和摻雜氟的覆層。該 文獻指出光學覆層的直徑和纖芯的直徑的高比率(在9至10之間)提高了光纖的抗電離 輻射性。 已確定，相對于具有摻雜鍺的二氧化硅纖芯的光纖或者在纖芯或覆層中含有磷的 光纖，具有純二氧化硅纖芯或纖芯摻雜氟的光纖在放射性環(huán)境中表現(xiàn)出較小的損失。然而， 在放大用光纖的特別情況下，在光纖經歷電離輻射時，纖芯中必須存在稀土元素摻雜劑和 使用摻雜劑來改善增益的情況導致光纖具有顯著的損失。 目前已確定在光纖經歷電離輻射時，存在氧化鋁或磷會導致光學損失的明確增 加。 H.Henschel等人的公開文獻("摻雜稀土元素的二氧化硅光纖的輻射引起到損 失"，IEEE 1998，第439-444頁)明確地確定了放大用光纖在放射性環(huán)境中損失增大的問 題。該公開文獻提出限制摻雜劑的濃度，但是并未實際確定實現(xiàn)抗輻射性放大用光纖的制 備方法。 US-A-2003/175003公開了一種制備放大用光纖的方法，其中通過加入納米顆粒來 將稀土金屬元素加入光纖纖芯中，所述納米顆粒的基質的組成不同于所述纖芯的組成。納 米顆粒具有摻雜鉺的氧化鋁(A1203)或銻(Sb203)基質。然而，這種納米顆粒的組成被未明 確設計來抗輻射。 因此，需要一種放大用光纖或激光光纖，其可以在具有有限的光學損失的條件下 用于強電離輻射的環(huán)境中。

發(fā)明內容
為此，本發(fā)明包括一種光纖，其在纖芯中包含稀土元素摻雜劑而不加入任何其他 對輻射敏感的摻雜劑。特別地，光纖纖芯不含氧化鋁和磷。不存在這種摻雜劑還可以在輻 射前使背景損失的水平最小化。"背景損失"是指在任何應用于放射性環(huán)境中之前在稀土元 素離子的吸收帶外所測定的光纖的光學損失。這種光纖可通過將摻雜稀土元素的純二氧化 硅納米顆粒加入光纖纖芯中而制得。
因此，本發(fā)明涉及一種光纖，其包括適用于傳輸和放大光學信號的中間纖芯；以 及圍繞所述中間纖芯并適用于將所述傳輸?shù)墓鈱W信號限定在所述纖芯內的光學覆層，所述 光纖纖芯具有基質并含有摻雜稀土元素的納米顆粒，所述納米顆粒都具有基于二氧化硅的 基質，所述基于二氧化硅的基質至少含有85重量％的二氧化硅。優(yōu)選地，所述納米顆粒的 基質都含有至少95重量％的二氧化硅。
根據(jù)實施方案，本發(fā)明的光纖可以具有下列特性中的一種或多種 所述纖芯基質是不含磷的基于二氧化硅的基質； 所述纖芯基質是不含氧化鋁的基于二氧化硅的基質； 所述纖芯基質是純二氧化硅基質； 所述纖芯基質是基于摻雜氟的二氧化硅的基質； 所述纖芯基質是基于摻雜氮的二氧化硅的基質； 所述纖芯基質是基于摻雜鍺的二氧化硅的基質； 納米顆粒的基質都是純二氧化硅基質； 納米顆粒的基質都含有氧化鋁，使得所述纖芯中的氧化鋁濃度小于3重量％ ;
稀土元素摻雜劑選自鉺、鐿、銩、或它們的組合； 放大用光纖或激光光纖的增益寬度在lnm和40nm之間，優(yōu)選在lnm和30nm之間；
放大用光纖或激光光纖在任何輻射之前在所述鉺的吸收帶之外的1200nm處的光 學損失小于或等于1. 5dB/km ; 放大用光纖或激光光纖在室溫、0.08Gy/min(8Rad/min)的條件下在300Gy輻射 下，在1550nm處的損失增量小于0. 05dB/m。 本發(fā)明還涉及包含一部分本發(fā)明的摻雜鉺的光纖的光放大器，其中在1550nm處 放大25dB的增益所需要的光纖長度小于10m。
本發(fā)明還涉及包含一部分本發(fā)明的激光器。 本發(fā)明還涉及一種制備光纖的初級預制件(primary preform)的方法，所述光纖 包括適用于傳輸和放大光學信號的中間纖芯；以及圍繞所述中間纖芯并適用于將所述傳 輸?shù)墓鈱W信號限定在所述纖芯內的光學覆層，該方法包括下列步驟 合成基于摻雜稀土元素的二氧化硅的納米顆粒，所述納米顆粒都至少含有85重
量％、優(yōu)選至少95%的二氧化硅； 將所述納米顆粒分散在水溶液中； 為了形成所述初級預制件的所述纖芯，將所述溶液注入二氧化硅管的內部多孔層。 根據(jù)實施方案，合成納米顆粒的步驟包括使稀土元素的鹽和二氧化硅的鹽的前體 在水溶液中共沉淀的步驟，其中二氧化硅的鹽的前體和稀土元素的鹽的前體的摩爾比在30 和300之間。


通過閱讀下列描述，本發(fā)明的其他特性和優(yōu)點是顯而易見的。該描述是參照本發(fā) 明的實施方案(其是通過實施例的形式給出的)來進行的。下面參照附圖來進行描述，其 中
圖1是示出本發(fā)明的第一實施方案的光纖的設定曲線的圖；
圖2是示出本發(fā)明的第二實施方案的光纖的設定曲線的圖；
圖3是制備本發(fā)明的放大用光纖的方法的圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的光纖包括適用于傳輸和放大光學信號的中間纖芯；以及圍繞所述中間 纖芯并適用于將傳輸?shù)墓鈱W信號限定在所述纖芯內的光學覆層，所述外部覆層通常由二氧 化硅構成。通常，中間纖芯和光學覆層時通過氣相沉積法(CVD、 0VD、 VAD等)獲得的。在 CVD類方法的情況下，外部覆層通過沉積管和可任選的重填或套管來形成。通常，為了形成 初級預制件的纖芯，在CVD操作過程中通過注入多孔二氧化硅棒來加入更少的揮發(fā)性元素 (稀土元素、氧化鋁等)。 本發(fā)明的光纖纖芯由二氧化硅型基質和摻雜稀土金屬元素的納米顆粒構成。纖芯 和納米顆粒的基質被特別設計為使對于輻射敏感的摻雜劑的存在最小化、或甚至消除所述 摻雜劑。例如，將稀土元素離子加入純二氧化硅納米顆粒中使得可以將稀土元素離子加入 纖芯而不會加入對于電離輻射敏感的其他摻雜劑。因此，可以獲得不含痕跡量的磷(P)或 氧化鋁(A1203)的主動(放大用或用于激光器)光纖。然而，納米顆?？梢院谐讼⊥猎?素摻雜劑以外的元素。例如，納米顆粒的二氧化硅基質可以含有少量氧化鋁，所述氧化鋁限 制了 Er"包的形成。然而，與已知光線相比，纖芯中氧化鋁的濃度非常有限。
光纖纖芯的純二氧化硅基質可以含有這些摻雜稀土元素的純二氧化硅納米顆粒。 然后，光線是特別抗電離輻射的。然而，光纖纖芯可以含有其他摻雜劑(其對于電離輻射不 敏感或僅僅稍微敏感)，例如氟和/或氮。光纖纖芯甚至可以含有一定量的鍺，所述鍺的量 使得放大用光纖只用在相對短的范圍內。 如果光纖纖芯由純二氧化硅或摻雜氟的二氧化硅形成，則為了確保在光纖纖芯內 引導光學信號的作用，光學覆層需要是內埋覆層(即其折射率小于外部覆層的折射率)。因 此，光學覆層可以摻雜氟或具有微孔。 為了優(yōu)化光纖的光幾何參數(shù)(optogeometrical parameter)，例如截止波長或眾 數(shù)直徑(mode diameter)，光纖纖芯可以摻雜鍺。如果光纖纖芯由摻雜鍺或氮的二氧化硅制 成，則光學覆層可以由純二氧化硅或稍微摻雜氟和/或鍺的二氧化硅制成。光幾何參數(shù)的 優(yōu)化特別允許用于改善與標準系統(tǒng)的其他光纖的相容性，即使在纖芯含有鍺的情況下抗電 離輻射性很低時也是如此。 圖l和2示出了本發(fā)明的放大用光纖的兩種可能的折射率曲線。這些曲線為設定 曲線。圖1和2的例子的曲線是非常不同的。事實上，本發(fā)明不限于特定的光纖曲線。
對于光纖而言，折射率曲線通常根據(jù)這樣的圖的外觀來分類，所述圖表示作為光 纖的半徑的函數(shù)的折射率。在標準方式下，x軸表示距離光纖中心的距離r， y軸表示相對 于外部覆層(通常由純二氧化硅制成)的折射率，纖芯和覆層的折射率之差。
圖1示出了本發(fā)明的放大用光纖的折射率的第一例子。 在圖1的例子中，光纖纖芯由純二氧化硅制成。然后光纖的光學覆層是(例如) 由摻雜氟的二氧化硅制成的內埋覆層，其與纖芯的折射率之差為-19. 10—3。外部覆層由稍微 摻雜氟的二氧化硅制成，其與純二氧化硅的折射率之差為-1. 10—3。光纖纖芯直徑為4iim，光學覆層直徑和纖芯直徑的比為約15。 這種曲線使得可以確保令人滿意地將信號限定在纖芯內，并且纖芯中缺少除了稀
土元素摻雜劑之外的任何摻雜劑使得可以在放射性環(huán)境中限制光學損失的增加。 圖2示出了本發(fā)明的放大用光纖的折射率的第二例子。 在圖2的例子中，光纖纖芯由摻雜鍺的二氧化硅制成；纖芯與光學覆層的折射率 之差為+19. 10—3。光學覆層由共摻雜鍺和氟的二氧化硅構成，外部覆層由純二氧化硅制成。 光纖纖芯直徑為3.6ym，光學覆層直徑與纖芯直徑的比取決于光學覆層的折射率后者越 是內埋，該比率越高。在光學覆層的折射率等于外部覆層的折射率的情況下，該比率可以顯 著地降低，例如該比率可以為3級。這種曲線使得可以確保以更低的生產成本將信號令人 滿意地限定在纖芯內。纖芯中存在鍺導致在放射性環(huán)境中的光學損失增加大于圖1的光學 損失增加，但是仍保持是有限的。 圖3示出了制備本發(fā)明的放大用光纖的可能的實施方案。
1)合成納米顆粒 摻雜鉺的二氧化硅納米顆?？梢酝ㄟ^化學或物理合成并且分散在水溶液中來制 備。 例如，可以通過下列化學路線來獲得這些納米顆粒通過控制pH來進行二氧化硅 鹽的前體和稀土元素的鹽的前體在水性介質中共沉淀和堿性催化。二氧化硅的鹽的前體和 稀土元素的鹽的前體的摩爾比在30和300之間，以獲得含有至少85重量％的二氧化硅、優(yōu) 選含有至少95重量％的二氧化硅的具有基于二氧化硅的基質的納米顆粒。
納米顆粒的尺寸通過選擇反應參數(shù)來控制，例如特別是催化劑的量、試劑的濃度、 反應時間、介質的離子強度和是否存在表面活性劑。然后獲得控制尺寸的納米顆粒，所述納 米顆粒然后被洗滌和以預定的濃度重新分散在水中。如果需要在納米顆粒的基質中加入 氧化鋁，可以將鋁的前體加入到共沉淀物中。在任何情況下，納米顆?；|含有至少85重 量％的二氧化硅，優(yōu)選含有至少95%的二氧化硅。另外，鋁的加入量被限制為使得光纖纖芯 中氧化鋁的濃度小于3重量％ 。 任何允許通過在給定的光譜窗口內的光學泵浦來進行放大的稀土元素都可以單 獨或聯(lián)合用于本發(fā)明。優(yōu)選地，使用鉺、鐿、銩、或其組合。
2)將納米顆粒整合到預制件的纖芯中 然后將穩(wěn)定懸浮的納米顆粒溶液用于在MCVD操作中注入二氧化硅棒的多孔纖 芯，從而形成初級預制件的摻雜纖芯。之后將預制件進行干燥，然后進行玻璃化和收縮。
3)引導結構的制備(根據(jù)曲線): 光學覆層可以通過MCVD操作或PCVD操作來制備，特別是在光學覆層摻雜大量氟 的時候更是如此。 4)最終預制件(final preform)的制備 為了形成最終預制件，還將初級預制件進行重填或套管。然后該預制件可以在光 纖拉制塔上進行拉制以獲得光纖。 這種制備方法使得可以獲得放大用光纖，其稀土元素摻雜劑的濃度足以確保在確 定的光譜窗內進行令人滿意地放大，同時具有令人滿意的抗輻射性。 稀土金屬元素在纖芯中的重量濃度可以在100ppm和某些重量X之間，這取決于使用的元素和尋求的增益。放大光譜窗取決于使用的稀土金屬元素。例如，在光纖含有約 300ppm的鉺的情況下，二十幾米光纖就足以在1550nm處獲得23dB的增益的EDFA。通過增 加光纖中的鉺的濃度，可以在光纖長度小于10m的情況下獲得在1550nm處25dB的增益的 EDFA。本發(fā)明的光纖的增益值取決于使用的稀土元素的濃度和種類。本發(fā)明的光纖的增益 寬度在lnm和40nm之間，優(yōu)選在lnm和30nm之間。其中，增益寬度取決于加入納米顆粒基 質中的氧化鋁的量。 通常，摻雜稀土元素的光纖表現(xiàn)出背景損失(即在稀土元素離子的吸收帶之外)， 這主要是由纖芯基質的損失來確定的。因此，在本發(fā)明的光纖的情況下，這些損失在輻射前 和輻射后都保持有限的。例如，對于摻雜鍺并且含有摻雜鉺的納米顆粒的二氧化硅基質，本 發(fā)明的光纖在照射前在1200nm處(1200nm的波長通常被用于表征摻雜鉺的光纖的背景損 失)表現(xiàn)出小于2dB/km的損失。在純二氧化硅基質的情況下，這些損失在1200nm處小于 1. 5dB/km。對于6重量X的A1，加入摻雜劑(例如氧化鋁)通常將導致?lián)p失最高達6dB/km。 為了相同的所尋求的性能(例如某些增益寬度)，優(yōu)選向納米顆粒的二氧化硅基質中加入 氧化鋁而不是向纖芯基質中加入氧化鋁，因為向納米顆粒中加入氧化鋁將需要更小的氧化 鋁含量，結果導致更小的損失。 在室溫下進行輻射后，速率為0. 08Gy/min (8Rad/min)，總劑量為300Gy (通常在約 15年的時間內在空間環(huán)境中的劑量，或者在距離反應堆一半距離的核能廠內的劑量)，本 發(fā)明的光纖在1550nm處的衰減增加小于0. 05dB/m。在相同條件下，標準摻雜鉺的光纖的衰 減增加為ldB/m的級別。更通常地，本發(fā)明的光纖對于輻射的敏感性預計與不摻雜稀土元 素并且具有相同的纖芯基質的光纖對于輻射的敏感性接近。 本發(fā)明的光纖可用于安裝下電離輻射環(huán)境中的密實光放大器中，例如粒子物理實 驗室的Ethernet網絡、核能廠或暴露于空間輻射的衛(wèi)星。結合鏡系統(tǒng)或布拉格光柵，本發(fā) 明的光纖還可用作上述相同環(huán)境中的激光光纖。
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權利要求
一種光纖，其包拮適用于傳輸和放大光學信號的中間纖芯；以及圍繞所述中間纖芯并適用于將所述傳輸?shù)墓鈱W信號限定在所述纖芯內的光學覆層，所述光纖纖芯具有基質并含有摻雜稀土元素的納米顆粒，所述納米顆粒都具有基于二氧化硅的基質，所述基于二氧化硅的基質至少含有85重量％的二氧化硅。
2. 根據(jù)權利要求1所述的光纖，其中所述納米顆粒的基質都含有至少95重量％的二氧 化硅。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的光纖，其中所述纖芯基質是不含磷(P)的基于二氧化硅 的基質。
4. 根據(jù)權利要求1或2所述的光纖，其中所述纖芯基質是不含氧化鋁(A1203)的基于 二氧化硅的基質。
5. 根據(jù)權利要求1至4中任意一項所述的光纖，其中所述纖芯基質是純二氧化硅基質。
6. 根據(jù)權利要求1至4中任意一項所述的光纖，其中所述纖芯基質摻雜氟(F)的基于 二氧化硅的基質。
7. 根據(jù)權利要求1至4中任意一項所述的光纖，其中所述纖芯基質摻雜氮(N)的基于 二氧化硅的基質。
8. 根據(jù)權利要求1至4中任意一項所述的光纖，其中所述纖芯基質是摻雜鍺(Ge)的基 于二氧化硅的基質。
9. 根據(jù)權利要求1至8中任意一項所述的光纖，其中所述納米顆粒的基質都是純二氧 化硅基質。
10. 根據(jù)權利要求1至8中任意一項所述的光纖，其中所述納米顆粒的基質都氧化鋁， 使得所述纖芯中的氧化鋁濃度小于3重量％。
11. 根據(jù)前述權利要求中任意一項所述的光纖，所述光纖的增益寬度在lnm和40nm之 間，優(yōu)選在lnm和30nm之間。
12. 前述權利要求中的一項所述的光纖，其中所述稀土元素摻雜劑選自鉺(Er)、鐿 (Yb)、銩(Tm)、或它們的組合。
13. 根據(jù)權利要求12所述摻雜鉺的光纖，所述光纖在輻射之前在所述鉺的吸收帶之外 的1200nm處的光學損失小于或等于1. 5dB/km。
14. 根據(jù)權利要求13所述的光纖，所述光纖在室溫、0.08Gy/min(8Rad/min)的條件下 在300Gy輻射下，在1550nm處的損失增量小于0. 05dB/m。
15. 光放大器，其包含一部分根據(jù)權利要求13或14所述的光纖，其中在1550nm處放大 25dB的增益所需要的光纖長度小于10m。
16. 激光器，其包含至少一部分根據(jù)權利要求13或14所述的光纖。
17. —種制備光纖的初級預制件的方法，所述光纖包括適用于傳輸和放大光學信號 的中間纖芯；以及圍繞所述中間纖芯并適用于將所述傳輸?shù)墓鈱W信號限定在所述纖芯內的 光學覆層，該方法包括下列步驟合成基于摻雜稀土元素的二氧化硅的納米顆粒，所述納米顆粒都至少含有85重量％ 的二氧化硅；將所述納米顆粒分散在水溶液中；為了形成所述初級預制件的所述纖芯，將所述溶液注入二氧化硅管的內部多孔層。
18. 權利要求17所述的方法，其中合成的納米顆粒都至少含有95重量％的二氧化硅。
19. 根據(jù)權利要求17或18所述的方法，其中合成納米顆粒的步驟包括使稀土元素的鹽 和二氧化硅的鹽的前體在水溶液中共沉淀的步驟，其中二氧化硅的鹽的前體和稀土元素的 鹽的前體的摩爾比在30和300之間。
全文摘要
放大用光纖或激光光纖包括適用于傳輸和放大光學信號的中間纖芯；以及圍繞所述中間纖芯并適用于將傳輸?shù)墓鈱W信號限定在所述纖芯內的光學覆層。所述纖芯具有基質并含有基于摻雜稀土元素的二氧化硅的納米顆粒。納米顆粒都至少含有85重量％的二氧化硅。這種光纖可以在具有有限的光學損失的條件下用于強電離輻射的環(huán)境中。
文檔編號G02B6/02GK101750670SQ20091025372
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月8日 優(yōu)先權日2008年12月8日
發(fā)明者A·帕斯圖雷特, E·比羅夫, E·雷尼耶 申請人:德雷卡通信技術公司